JPH02304904A - 白金薄膜温度センサおよびその製造方法 - Google Patents
白金薄膜温度センサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH02304904A JPH02304904A JP12416189A JP12416189A JPH02304904A JP H02304904 A JPH02304904 A JP H02304904A JP 12416189 A JP12416189 A JP 12416189A JP 12416189 A JP12416189 A JP 12416189A JP H02304904 A JPH02304904 A JP H02304904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- platinum
- nickel
- thin film
- insulating substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 64
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 23
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、温度測定装置や電子回
路の温度補償などに用いられる白
金薄膜温度センサに関するもので
あ る。
［従来の技術及び問題点コ
従来の白金４膜温度センサは、 セ
ラミック等の電気絶縁体の表面に
スパッタ 法などにより白金４膜
を形成している。 このようにし
て得られた白金薄膜温度センサは
膜厚が薄くなると電気的過負荷に
弱い傾向があった。又皮膜が厚い
場合には電気絶縁体から剥離し易
くなる傾向があった。
本発明は、従来の白金茸膜温度セ
ンサの特性を損なうことなく、 電
気的過負荷に対する特性を改善す
るとともに皮膜と電気絶縁体と密
着強度を上げ皮 膜の剥離を防ご
うとするものである。
［問題点を解決するための手段］
従来の方法で、 白金を電気絶縁性
基体上に着膜して得られた膜厚の
薄い白金薄膜温度センサは、 電気
的過負荷に弱く、皮膜が電気絶縁
体からはがれ易い欠点がある。
本発明は、 電気絶縁性基体表面に
まず鉄またはクロムまたはニッケ
ルまたはニッケル系合金薄膜を着
膜してこれを酸化させた後、 この
酸化膜の上に白金を着膜し、熱処
理を施してｌｆ！ｌ温抵抗膜を得ることに依って、 ま
た電気絶縁性基体表 面にまず鉄またはクロムまたはニ ッケルまたはニッケル系合金薄膜 を着膜し、 この皮膜の上に白金を 着膜し、 熱処理を施して感温抵抗 膜を得ることに依って上記の問題 を解決したもので ある。
た電気絶縁性基体表 面にまず鉄またはクロムまたはニ ッケルまたはニッケル系合金薄膜 を着膜し、 この皮膜の上に白金を 着膜し、 熱処理を施して感温抵抗 膜を得ることに依って上記の問題 を解決したもので ある。
［実施例１コ
本発明の実施例を第１図に基づい
てｔｊｔ明する。
この実施例に於いては、 直径１．５
３ｍｍで長さ６．０ｍｍのムライト
系磁器を電気絶縁性基体１とし、
その表面に、 マグネトロンスパッ
タ法により鉄を被着した後、 大気
中でこれを１０００”Ｃに加熱して
該膜を酸化［２とする（第一の工
程）。
ついで、 上記酸化膜２の上に、 マ
グネトロンスパッタ法に依って白
金膜３を３０００人被着する。
（第二の工程）
上記第−及び第二の工程に依って
形成された膜には、所定の抵抗膜
度係数を得るために１０５０℃で
熱処理を施す、 熱処理後、 内径
１．５ｍｍ、 高さ１．４ｍｍ、 厚さ０．２５ ｍ
ｍの鉄に錫メッキ を施したキャップを両端に挿入し
て 電極４とする。 レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ、溝＠６０μｍ のスパイラル溝５を所定の抵抗値 になるまで入れてから、 直径０．６ ５ｍｍの半田メッキを施し た軟鋼 線をリード線６として、 両端の電 Ｎ４に溶接する。 最後に、 基体及 び電極にエポキシ系塗料によるコ ーティング膜７を施して、 白金覆 膜温度センサを得る。 第一工程で 被着する材料はクロムまたはニラ ケルまたはニッケル系合金でも可 能である。
ｍの鉄に錫メッキ を施したキャップを両端に挿入し
て 電極４とする。 レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ、溝＠６０μｍ のスパイラル溝５を所定の抵抗値 になるまで入れてから、 直径０．６ ５ｍｍの半田メッキを施し た軟鋼 線をリード線６として、 両端の電 Ｎ４に溶接する。 最後に、 基体及 び電極にエポキシ系塗料によるコ ーティング膜７を施して、 白金覆 膜温度センサを得る。 第一工程で 被着する材料はクロムまたはニラ ケルまたはニッケル系合金でも可 能である。
このようにして作成した試料（試
料Ａ）の１０個について特性試験
を行い結果の平均値を求めたとこ
ろ表１に示す値を得た。比較のた
め同一膜厚、 同一形状に仕上げた
従来品（試料Ｃ）の１０個につい
ても同様な試験を行ったところ、
結果の平均値は表１に示す値を得
た。
試験条件
抵抗温度係数は、 ０℃と１００℃の油中に於ける試料
の抵抗値をそれぞれ測 定し、計算により１℃当りの抵抗値変 化率を求めた。耐パルス電圧は、 試料にパルス電圧を
印加し、 抵抗値変化が２％を越えるときの電圧値を求
めた。
の抵抗値をそれぞれ測 定し、計算により１℃当りの抵抗値変 化率を求めた。耐パルス電圧は、 試料にパルス電圧を
印加し、 抵抗値変化が２％を越えるときの電圧値を求
めた。
パルス電圧の印加は、 １００ｐＦのコンデンサに直流
電圧を加えて充電した 後、 該コンデンサを電源から切り放し、その両端電圧
を試料の両端に印加する 方法により行った。
電圧を加えて充電した 後、 該コンデンサを電源から切り放し、その両端電圧
を試料の両端に印加する 方法により行った。
［実施例２］
本発明の実施例を第１図に基づε）で説明する。
この実施例に於いては、 直径１．５３ｍｍで長さ６．
０ｍｍのムライト系磁 器を電気絶縁性基体１とし、 その表面に、 マグネト
ロンスパッタ法により鉄または、 クロムまたはニッケ
ルまたはニッケル系合金を被着した後、大気中 でこれを１０００℃に加熱して該膜を 酸化膜２とする（第一の工程）。
０ｍｍのムライト系磁 器を電気絶縁性基体１とし、 その表面に、 マグネト
ロンスパッタ法により鉄または、 クロムまたはニッケ
ルまたはニッケル系合金を被着した後、大気中 でこれを１０００℃に加熱して該膜を 酸化膜２とする（第一の工程）。
ついで、上記酸化膜２の上に、 マグネトロンスパッタ
法に依って白金膜３を ２μｍ被着する。 （第２の工程） 上記第−及び第二の工程に依って形成 された膜には、 所定の抵抗温度係数を得るために１０
５０℃で熱処理を施す。
法に依って白金膜３を ２μｍ被着する。 （第２の工程） 上記第−及び第二の工程に依って形成 された膜には、 所定の抵抗温度係数を得るために１０
５０℃で熱処理を施す。
熱処理後、 内径１．５ｍｍ、高さ１．４ｍｍ、 厚さ
０．２５ｍｍの鉄に錫メッキを施したキャップを両端に
押入して電 極４と する、 レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ
、溝幅６０μｍのスパイ ラル溝５を所定の抵抗値になるまで入 れた。 この後、 白金ｖｉｉ膜の外観状態を観察した
ところ白金薄膜の絶縁性基体 からの剥離はみられなかった。
０．２５ｍｍの鉄に錫メッキを施したキャップを両端に
押入して電 極４と する、 レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ
、溝幅６０μｍのスパイ ラル溝５を所定の抵抗値になるまで入 れた。 この後、 白金ｖｉｉ膜の外観状態を観察した
ところ白金薄膜の絶縁性基体 からの剥離はみられなかった。
比較のため同−膜厚、 同一形状に仕上げた従来品の１
００個についてちレー ザ光により、 ピッチ１５０μｍ、 溝＠６０μｍのス
パイラル溝５を所定 の抵抗値になるまで入れた。 この後。
００個についてちレー ザ光により、 ピッチ１５０μｍ、 溝＠６０μｍのス
パイラル溝５を所定 の抵抗値になるまで入れた。 この後。
白金薄膜の外観状態を観察したところ
白金薄膜の絶縁性基体からの剥離が
１３個見られた。第一工程で被着する
材料はクロムまたはニッケルまたはニ
ッケル系合金でも可能である。
［実施例３］
本発明の実施例を３１２図に基づいて説明する。
この実施例に於いては、直径１．５３
ｍｍで長さ６．０ｍｍのムライト系磁
器を電気絶縁性基体１とし、 その表面に、 マグネト
ロンスパッタ法により鉄を被着し皮膜２とする。
ロンスパッタ法により鉄を被着し皮膜２とする。
（第一の工程）。
ついで、上記皮膜２の上に、 マグネトロンスパッタ法
に依って白金ｇ３を被 着する。 （ｉＪ２の工程） 上記第−及び第二の工程に依って形成 された膜には、所定の抵抗温度係数を 得るために１０５０℃で熱処理を施す。
に依って白金ｇ３を被 着する。 （ｉＪ２の工程） 上記第−及び第二の工程に依って形成 された膜には、所定の抵抗温度係数を 得るために１０５０℃で熱処理を施す。
熱処理後、 内径１．５ｍｍ、 高さ１．４ｍ ｍ、
厚さ０．２５ｍｍの鉄に錫メッキを施したキャップ
を両側に挿入して電 極４と する、 レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ
、 溝幅６０μｍのスパイラル溝５を所定の抵抗値にな
るまで入 れてから、 直径０．６５ｍｍの半田メッキを施し た
軟＃ｌ線をリード線６として、両端の電４１ｉ４に溶接
する。最後に、基体及び電極にエポキシ系塗料によるコ ーテイング膜７を施して、 白金薄膜温度センサを得る
。第一工程で被着する 材料はクロムまたはニッケルまたはニ ッケル系合金でも可能である。
厚さ０．２５ｍｍの鉄に錫メッキを施したキャップ
を両側に挿入して電 極４と する、 レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ
、 溝幅６０μｍのスパイラル溝５を所定の抵抗値にな
るまで入 れてから、 直径０．６５ｍｍの半田メッキを施し た
軟＃ｌ線をリード線６として、両端の電４１ｉ４に溶接
する。最後に、基体及び電極にエポキシ系塗料によるコ ーテイング膜７を施して、 白金薄膜温度センサを得る
。第一工程で被着する 材料はクロムまたはニッケルまたはニ ッケル系合金でも可能である。
このようにして作成した試料（試料Ｂ）の１０１１につ
いて特性試験を行い結果の平均値を求めたところ表１に
示す値 を得た。比較のため同−膜厚、 同一形状に仕上げた従
来品（試料Ｃ）の１０ 個についても同様な試験を行フなとこ ろ、結果の平均値は表１に示す値を得 た。
いて特性試験を行い結果の平均値を求めたところ表１に
示す値 を得た。比較のため同−膜厚、 同一形状に仕上げた従
来品（試料Ｃ）の１０ 個についても同様な試験を行フなとこ ろ、結果の平均値は表１に示す値を得 た。
試験条件
抵抗温度係数は、 ０℃と１００℃の油中に於ける試料
の抵抗値をそれぞれ測 定し、 計算により１℃当りの抵抗値変化率を求めた。
の抵抗値をそれぞれ測 定し、 計算により１℃当りの抵抗値変化率を求めた。
耐パルス電圧は、 試料にパルス電圧を印可し、抵抗値
変化が ２％を越えるときの電圧値を求めた。
変化が ２％を越えるときの電圧値を求めた。
パルス電圧の印加は、 １００ｐＦのコンデンサに直流
電圧を加えて充電した 後、 該コンデンサを電源から切り放し、その両端電圧
を試料の両側に印加する 方法により行った。
電圧を加えて充電した 後、 該コンデンサを電源から切り放し、その両端電圧
を試料の両側に印加する 方法により行った。
［実施例４コ
本発明の実施例を第２図に基づいて説
明する。
この実施例に於いては、直径１，５３
ｍｍで長さ６．０ｍｍのムライト系磁
器を電気絶縁性基体１とし、その表面
に、 マグネトロンスパッタ法により１００人の鉄また
は、 クロムまたはニッケルまたはニッケル系合金を被
着する （ｊｌ−の工程）。
は、 クロムまたはニッケルまたはニッケル系合金を被
着する （ｊｌ−の工程）。
ついで、上記酸化膜２の上に、 マグネトロンスパッタ
法に依って白金膜３を ２μｍ彼着する。 （＠２の工程） 上記第−及び第二の工程に依って形成 された膜には、所定の抵抗温度係数を 得るために１０５０℃で熱処理を施す。
法に依って白金膜３を ２μｍ彼着する。 （＠２の工程） 上記第−及び第二の工程に依って形成 された膜には、所定の抵抗温度係数を 得るために１０５０℃で熱処理を施す。
熱処理後、 内径１．５ｍｍ、高さ１．４ｍ ｍ、
厚さＱ、２５ｍｍの鉄に錫メッキを施したキャップを両
端に挿入して電 ！！！４と する、 レーザ光により、 ピッチ１５０
μｍ、溝幅６０μｍのスパイ ラル溝５を所定の抵抗値になるまで入 れた。 この後、 白金４膜の外観状態を観察したとこ
ろ白金薄膜の絶縁性基体 からの剥離はみられなかった。
厚さＱ、２５ｍｍの鉄に錫メッキを施したキャップを両
端に挿入して電 ！！！４と する、 レーザ光により、 ピッチ１５０
μｍ、溝幅６０μｍのスパイ ラル溝５を所定の抵抗値になるまで入 れた。 この後、 白金４膜の外観状態を観察したとこ
ろ白金薄膜の絶縁性基体 からの剥離はみられなかった。
比較のため同一層厚、 同一形状に仕上げた従来品の１
００個についても レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ。
００個についても レーザ光により、 ピッチ１５０μｍ。
溝＠６０μｍのスパイラル溝５を所定
の抵抗値になるまで入れた。 この後、白金薄膜の外観
状態を観察したところ 白金薄膜の絶縁性基体からの剥離が １３１１１見られた。１！一工程で被着する材料はクロ
ムまたはニッケルまたはニ ッケル系合金でも可能である。
状態を観察したところ 白金薄膜の絶縁性基体からの剥離が １３１１１見られた。１！一工程で被着する材料はクロ
ムまたはニッケルまたはニ ッケル系合金でも可能である。
［本発明の効果］
実施例１〜実施例４の結果から明らかなように、 本発
明にかかわる実施例の白金薄膜温度センサは、 膜厚に
かかわらず抵、 抗値及び抵抗温度係数で従来の特性を
持ち、 しかも感温抵抗膜の膜厚が薄くとも電気的過負
荷に対する特性を大幅に向上せしめるという優れた効果
を実現したものである。 また膜厚が厚い場合に起こり
易い絶縁基体からの白金皮膜の剥離防止を実現したもの
である。
明にかかわる実施例の白金薄膜温度センサは、 膜厚に
かかわらず抵、 抗値及び抵抗温度係数で従来の特性を
持ち、 しかも感温抵抗膜の膜厚が薄くとも電気的過負
荷に対する特性を大幅に向上せしめるという優れた効果
を実現したものである。 また膜厚が厚い場合に起こり
易い絶縁基体からの白金皮膜の剥離防止を実現したもの
である。
第−図及び第二図は、 本発明の実施
例である感温電気抵抗体の断面図を示すものであって、
図中の各符号は、 それぞれ下記のものを示す。 １： 電気絶縁抵抗体 ２： 鉄またはクロムまたはニッケル またはニッケル系合金酸化膜 ３： 白金感温抵抗膜 ４： キャップ電極 ５： スパイラル溝 ６： リード線 ７：コーテイング膜 ８： 鉄またはクロムまたはニッケル またはニッケル系合金膜 坂ｌ 試験結果
図中の各符号は、 それぞれ下記のものを示す。 １： 電気絶縁抵抗体 ２： 鉄またはクロムまたはニッケル またはニッケル系合金酸化膜 ３： 白金感温抵抗膜 ４： キャップ電極 ５： スパイラル溝 ６： リード線 ７：コーテイング膜 ８： 鉄またはクロムまたはニッケル またはニッケル系合金膜 坂ｌ 試験結果
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気絶縁性基体の表面に鉄、クロム、ニッケルまた
はニッケル系合金の酸化皮膜層を有し、該酸化膜層の上
に白金の感温抵抗薄膜層を有することを特徴とする白金
薄膜温度センサ ２、電気絶縁性基体の表面に５００Å以下の鉄、クロム
、ニッケルまたはニッケル系合金の皮膜層を有し、該皮
膜層の上に白金の感温抵抗薄膜層を有することを特徴と
する白金薄膜温度センサ ３、電気絶縁性基体の表面に鉄、クロム、ニッケルまた
はニッケル系合金の膜を形成した後、これを酸化させる
第一の工程と、この酸化膜の上に白金の膜を形成して感
温膜とする第二の工程からなる白金薄膜温度センサの製
造方法 ４、電気絶縁性基体の表面に、５００Å以下の鉄、クロ
ム、ニッケルまたはニッケル系合金の膜を形成する第一
の工程と、この皮膜の上に白金の膜を形成して感温膜と
する第二の工程からなる白金薄膜温度センサの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12416189A JPH02304904A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 白金薄膜温度センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12416189A JPH02304904A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 白金薄膜温度センサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304904A true JPH02304904A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14878453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12416189A Pending JPH02304904A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | 白金薄膜温度センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104458046A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 中国航天空气动力技术研究院 | 薄膜铂电阻制造方法 |
| CN112880852A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-06-01 | 上海交通大学 | 一种高温铂薄膜电阻温度传感器及其制备方法 |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12416189A patent/JPH02304904A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104458046A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-25 | 中国航天空气动力技术研究院 | 薄膜铂电阻制造方法 |
| CN112880852A (zh) * | 2021-01-07 | 2021-06-01 | 上海交通大学 | 一种高温铂薄膜电阻温度传感器及其制备方法 |
| CN112880852B (zh) * | 2021-01-07 | 2023-02-24 | 上海交通大学 | 一种高温铂薄膜电阻温度传感器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4498071A (en) | High resistance film resistor | |
| KR970705012A (ko) | 온도센서 소자와 그것을 가지는 온도센서 및 온도센서 소자의 제조방법 | |
| JPH0475460B2 (ja) | ||
| EP0573945B1 (en) | Process for manufacturing a PTC thermistor | |
| JP2000150204A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ | |
| JP3312752B2 (ja) | 薄膜サーミスタ | |
| US3705993A (en) | Piezoresistive transducers and devices with semiconducting films and their manufacturing process | |
| JPH02304904A (ja) | 白金薄膜温度センサおよびその製造方法 | |
| EP0063264B1 (en) | Method for the manufacture of a temperature sensitive platinum thin film resistance element | |
| US3359468A (en) | Boron nitride film capacitor | |
| US20080095991A1 (en) | Electric Component Comprising External Electrodes and Method for the Production of an Electric Component Comprising External Electrodes | |
| EP0186039A2 (en) | Process for producing a temperature and moisture sensitive element | |
| JP3487675B2 (ja) | 力学量センサの製造方法 | |
| US4695818A (en) | Electrical resistor with a negative temperature coefficient for incremental resistance values and method for manufacturing same | |
| JP2001110601A (ja) | 抵抗器およびその製造方法 | |
| JP4071458B2 (ja) | 抵抗器の製造法 | |
| JP2634753B2 (ja) | 歪センサ | |
| JPH01316902A (ja) | 感温電気抵抗体及びその製造方法 | |
| JPH10172806A (ja) | 温度センサ及びその製造方法 | |
| JPS63246802A (ja) | サ−ミスタ | |
| JPS5854481B2 (ja) | チタン系酸化物用電極の製造法 | |
| JPS59220901A (ja) | セラミツク電子部品の電極形成方法 | |
| JPH04273418A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS62224002A (ja) | 薄膜チツプ抵抗体の製法 | |
| JPS6199319A (ja) | セラミツク電子部品 |