JPH02306108A - ３次元位置認識装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物からの反射光を利用して彼？＃１定
物の位置を３次元で認識する３次元位置認識装置に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第６図に一般的な距離検出器の光学系を示す。

光源１の発光光束を投光レンズ２により、被測定物３に
集光して照射し、この反射光を受光レンズ４により、位
置検出用受光素子５に集光する。

ここで、受光レンズ４から被ｉｌｌ定物３までの距離を
Ｌ１基線長をＢ、受光レンズ４と位置検出用受光素子５
との間隔をｆとする時、受光レンズ４の光軸中心からス
ボッ鼾光の重心位置までの距離Ｘは次の（１）式になる
。

ｘ　−’　ｆ　・Ｂ／Ｌ　’　　　　　　　　　　　　
　・・・（１）位置検出用受光素子５．により、変位置
を示す（１）式の距離Ｘを求めることにより、逆に距離
りを求めること、ができる。また、距離検出器を同図紙
面と垂直で基線長方、向を含む平面上で機械的に移動さ
せ、この２次元平面における距離検出器の位置（Ｘ、Ｙ
）と、位置検出用受光素子５から得られる変位置Ｘとか
らＺ軸方向の距離りが求められ、（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の３次
元位置の認識が行われていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来の３次元位置認識装置において
は、距離検出器自体を（Ｘ、Ｙ）平面上で機械的に移動
しなければならない。従って、３次元位置認識のための
１回の計ＤＩに要する時間は長くかかる。このため、従
来の装置は、静的な被ＪＰＩ定物を対象にする３次元位
置認識には応用できるが、動的な被測定物を対象にする
３次元位置認識には実用上応用することが出来ないとい
う課題があった。

そこで本発明は、動的な物体についても三次元位置の認
識が可能な３次元位置認識装置を提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る３次元位置認識装置は、複数個の発光点が
直線状に配置され時分割でパルス点灯駆動される光源と
、各発光点から発せられる光束を集光する投光手段と、
光源のパルス点灯駆動に同期して走査され投光手段から
の光束を偏向して被測定物上に照射する走査手段と、被
測定物からの反射光を集光する受光手段と、集光される
光束の集光位置を検出する位置検出用受光素子と、位置
検出用受光素子の出力信号に基づき被測定物上に集光さ
れた光束の照射点までの距離を演算する演算手段とを備
えたことを特徴とする。

〔作用〕

本発明によれば、光源から発せられる光束は、複数個の
発光点が時分割でパルス点灯駆動されることにより１次
元走査が行われ、走査手段により発光点の配置方向と直
交する方向に偏向走査されることによって２次元走査が
行われる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例による格成を示す斜視図であ
り、３次元の各方向は同図の（ｘ、ｙ。

Ｚ）座標に示される各方向により決定される。

光源１１は発光点がΩ　〜ｌ１１９までの９個有り、■ 各発光点はＸ軸方向に直線状に配置されている。

なお、９個に設定されているのは図面の簡略化のためで
あり、必ずしもこの数量に限定されるものではない。投
光レンズ１２は、その光軸が９個の発光点の中心に位置
する発光点Ω５の中心に一致する状聾に設置されており
、各発光点からの光束は彼ｌｐｊ定物１３上に集光され
るものとなっている。

ミラー１８及びガルバノメーター９は、投光レンズ１２
からの光束を被測定物１３に照射する際に、発光点Ω　
〜Ｊ７９の配置方向と直交する方向、つ■ まり、Ｙ軸方向に走査するための走査手段として用いら
れる。すなわち、ガルバノメーター９の回転軸はＸ軸方
向に一致して設置され、ガルバノメータ１９の回転軸に
固定されたミラー１８を図示の矢印に示す方向に回動さ
せると、被ｎｌ定物１３に照射される光束はＹ軸方向に
走査される。

なお、投光レンズ１２の光軸が９０°偏向した軸はＺ軸
に一致し、以下、これを距離検出軸と呼ぶことにする。

光源］１の各発光点をミラー１８の動きに同期させて時
分割にパルス点燈せると、被測定物１３上には図示され
る整列した照射パターンが描かれる。被δｐ１定物１３
からの反射光は、距離検出軸（Ｚ軸）を中心にして対象
に配置された一対の受光レンズ１４及び１５により集光
され、同様に距離検出軸を中心にして対称に配置された
一対の位置検出用受光素子１６及び１７の各受光面上に
照射される。この各受光面上の集光位置に対応して得ら
れる一対の位置検出用受光素子１６及び１７の各出力信
号に基づき、被測定物１３上の各照射点までの距離（Ｌ
）が、後に詳述する図示しない演算手段によって演算さ
れる。また、ミラー１８から被測定物１３に、に照射さ
れる光束のＸ軸、Ｙ軸に対する走査角（θ　、θ　）は
、ガルバノメｙ −タ１９への走査信号から知ることが出来、この走査角
と被ａｌｌｌ定物１３までの距離（Ｌ）とから３次元の
位置認識が可能になる。

第２図は位置検出用受光素子１６及び１７に使用される
一般的な半導体装置検出器の構成図である。この半導体
装置検出器としては、例えば浜松ホトニクス株式会社製
の型名が８１６６２の１次元用の半導体装置検出器が有
り、以下、この半導体装置検出器を用いた場合について
説明する。

半導体装置検出器２５は、ｎ　型半導体層２７と、高抵
抗ｎ型半導体層２８と、抵抗率が均一なｎ型半導体層２
９とが順次に積層されることにより形成されている。ｎ
型半導体層２８およびｎ型半導体層２９はホトダイオー
ドを構成している。

また、ｎ＋型型環導体層２７はホトダイオードに逆バイ
アスの電圧を印加するための共通電極３０が設けられて
おり、ｎ型半導体層２９の両端部には一対の電極３１．
３２が設けられている。

この半導体装置検出器２５の共通電極３０に所定の電圧
を印加し、位置ＳＰのところに光点が入射したとすると
、位置ＳＰの下方のｐｎ接合部には電子−正孔対が生じ
、これにより光点の入射エネルギーに比例した光電流１
ｏが共通電極３０からｎ型半導体層２９に向かって流れ
る。

ここで、電極３１．３２間の距離を０１その間のｎ型半
導体層２９の抵抗をＲ８とじ、光点入射位置ＳＰと電極
３２との間の距離をＸｌその間のｎ型半導体層２９の抵
抗をＲとすると、光電流Ｉｏは光点入射位置ＳＰの所で
抵抗分割される。

すなわち、電極３１への電流ＩＡおよび電極３２への電
流ＩＢは、それぞれ次式に示される。

１　−１　　・　［Ｒ／Ｒｏ］ Ａ　　　　　　Ｏｘ Ｉ　　　　−Ｉ　　　　　−［（Ｒｃ　−Ｒｘ　）／Ｒ
ｏ　］−（２）Ｏ また、前述のように、ｎ型半導体層２９の抵抗率は均一
に分布しているので、この（２）式は以下のように変形
される。

１　−１　−ｘＩＣ Ｏ １−１・　［（Ｃ−ｘ）／Ｃ］　　　　　・・・（３）
（３）式かられかるように、電流Ｉ　　、Ｉ　　をＢ 電極３１．３２から取出し、後述する演算手段によって
所定のアナログ演算処理が施されることにより、電極３
２から光点入射位置ＳＰまでの距離Ｘを求めることがで
きる。

第３図及び第４図は、本実施例による３次元位置認識装
置を用いた光学系における距離検出の原理を説明するた
めの図であり、第１図に示された装置を（Ｘ、Ｚ）平面
上から見た図である。なお、図面を簡略化するため、照
射光束をＹ軸方向に走査する手段は図から省いてあり、
また、投光レンズ１２の光軸と距離検出軸（Ｚ軸）とが
一致した状態で図示されている。また、位置検出用受光
素子１６．１７は、投光レンズ１２の光軸側（内側）と
その反対側（外側）どうしの電極３１がそれぞれ結線さ
れており、さらに、共通電極どうしが結線されている。

このため、共通電極に所定のバイアス電圧（Ｂｉａｓ）
が印加され、受光素子１６゜１７の各受光面上にスポッ
ト光が集光されることにより、位置情報を含んだ光電流
１　　、Ｉ　　が各人　　Ｂ 結線に得られるようになっている。

第３図は、光源１１の発光点（１−１１９のうち、発光
点ｇ５がパルス点燈した時の距離検出の原理を示す図で
ある。

ここで、距離検出器から被測定物１３までの距離をＬ　
１被測定物が二点鎖線１３′で示される位置に移動した
時の距離をＬＮとする。また、投光レンズ１２の光軸と
一対の受光レンズ１４゜１５の各光軸との各間隔をＢ１
受光レンズ１４゜１５から位置検出用受光素子１６．１
７までの間隔をｆとする。また、受光レンズ１４．１５
の光軸から位置検出用受光素子１６．１７の受光面にお
ける被測定物１３からの反射光の各集光位置までの各距
離をＸ１被測定物１３が距離り。がら距ＭＬＮに移動し
た時の各受光面上における集光位置の各移動量をそれぞ
れΔＸ　、ΔＸ２とする。

■ この時、各因子の間には以下の関係式（４）〜（６）が
成り立つ。

Ｘ−ｆ−Ｂ／Ｌｏ　　　　　　　　　　　・・・（４）
Ｘ＋Δｘ１−ｘ＋Δｘ２−ｆ−Ｂ／ＬＮ・・・（５）Δ
Ｘ１−Δｘ２ −　ｆ　−Ｂ　（１／ＬＮ−１／Ｌｏ）−＝　（６）従
って、位置検出用受光素子１６．１７より得られる光電
流値Ｉ、ＩＢからＸ、ΔＸ　ｉ　。

＾ ΔＸ２の値を求めることにより、逆に被測定物１３．１
３’　までの距離Ｌ　　、Ｌ　　を求めることＯＮ ができる。被測定物１３が距離り。にある時に各受光面
上に照射光束が集光される位置を、各位置検出用受光素
子１６．１７の電気的中心位置（ＩＡ−Ｉ、になる集光
位置ＳＰ）に一致するように調整しておくと、被Ａ１１
ｌ定物１３がり。より近距離に存在する場合には位置検
出用受光素子１６゜１７の集光位置は電気的中心位置よ
り外側（投光レンズ１２の光軸方向と反対側）に移動す
る。逆に披δｐ１定物１３がり。より遠距離に存在する
場合には集光位置は電気的中心位置の内側（投光レンズ
１２の光軸側）に移動する。ここで、集束されるスポッ
ト光の移動方向が外側に向かう時をプラス（＋）、内側
に向かう時をマイナス（−）と定義することにする。

第４図は、光源１１の発光点１）−Ｄ９のうち、■ 発光点ｇ１がパルス点燈した時の距離検出の原理を示す
図である。

この場合には、発光点Ω１は投光レンズ１２の光軸から
６ｇまたけ図の上側に位置しているので、ｍ　ＡｐＪ定
物１３への照射位置は投光レンズ１２の光軸より下側に
なる。ここで、被測定物１３が距離Ｌｏの所に存在する
場合には、位置検出用受光素子１６．１７の各受光面上
での集光位置は、位置検出用受光素子１６．１７の電気
的中心位置からそれぞれＸ　　ＩＮ２だけ離れた位置に
なる。また、被測定物１３が２点鎖線１３′で示すＬＮ
に移動した場合には、スポット光の集光位置はＸ１＋Ｘ
　の位置からそれぞれΔＸ　、ΔＸ２だけずれ２ま た位置になる。

位置検出用受光素子１６における距離と変位量との関係
につりで求めると以下のようになる。

ｘ　＋　Ｘ　１ −ｆ−（Ｂ−１４＃Δｇ　　＠Ｌｏ／ｆ）／Ｌ。

■ −（ｆ−Ｂ＋Δｆｆ　　−Ｌ　　）／Ｌ　　　　・・・
′Ｃ７）ｘ　＋　ｘ　ｌ　＋ΔＸｔ −ｆφ　（Ｂ＋ΔｆＩ＠Ｌ　　／ｆ）／ＬＮＮ −（ｆ−Ｂ＋ΔＲ−Ｌ　　）／Ｌ　　　　・・・（８）
ＩＮ　　　　Ｎ この（７）式及び（８）式より次の（９）式が成り立つ
。

Δｘ　　−（ｆ−Ｂ＋６ｇ　−ＬＮ）／ＬＮ−（ｆ−Ｂ
＋６ｇ　　・Ｌ　）／Ｌ。

−ｆ−Ｂ　（１／ＬＮ−１／Ｌｏ）　・　（９）次に、
位置検出用受光索子１７における距離と変位量との関係
式を同様にして求めると次のようになる。

−ｘ２ −ｆ・　（Ｂ−６ｇ　−Ｌ　／ｆ）／Ｌ。

−（ｆ−Ｂ−Δ（１−Ｌ　　）／Ｌ　　　・・・（１０
）ｘ−ｘ２＋Δｘ２ −ｆ・　（Ｂ−６ｇ　　・Ｌ　　／ｆ）　／ＬＮＮ −（ｆ−Ｂ−Δ（１−Ｌ　　）／Ｌ　　　・・・（１１
）ＩＮ　　　　Ｎ この（１０）式及び（１１）式より次の（１２）式が成
り立つ。

ΔＸ　　−（ｆ＊Ｂ−ΔＮ　　　−ＬＮ）／ＬＮ−（ｆ
ψＢ−６ｇ　　ゆＬｏ）／Ｌ。

−ｆ−Ｂ　（１／ＬＮ−１／Ｌｏ） ・・・（１２） （ｌＯ）式及び（１１）式において、Ｘ２にマイナス（
−）符号がついている理由は、ｘｌが位置検出用受光素
子１６の電気的中心位置より外側に在るのに対し、ｘ２
は位置検出用受光素子１７の電気的中心位置より内側に
在るためである。また、上記の（９）式及び（１２）式
は、第３図において求められた（６）式に一致するもの
になっている。従って、光源１１の発光点ｇ５がパルス
点燈した時と同じ変位量になっていることがわがる。

同様にして、光源１１の他の発光点ｇ２〜Ω４及び発光
点ｇ６〜ｇ９がパルス点燈した時の距離と、スポット光
の変位量の関係を求めると、全て（６）式に一致するも
のになる。即ち、光源１１のり個の発光点Ｎ　、　−ｉ
ｔ　９のどの発光点がパルス点燈している時でも、距Ｍ
、Ｌの変化に対する位置検出用受光素子１６．１７上に
集光されるスポット光の変位量ΔＸ　、Δｘ２は同じ値
になる。

■ 言いかえれば、一対の位置検出用受光素子１６及び１７
として一対の一次元用の半導体装置検出器を用いて所定
の結線を行うことにより、生じた光電流１　　、Ｉ　　
から後述するように演算されるＢ 被測定物１３までの距離を示す信号演算値は同じ数値に
なる。この数値は、直線上に配置された９個の発光点Ω
　〜Ω９のうちのどの発光点がパルス点燈しているかに
関わらず、光源１１から照射される光が、距離検出軸（
Ｚ軸）に直交した平面（Ｘ、Ｙ平面）に照射される場合
には同じになる。

また、Ｙ軸方向に光束を走査しても、位置検出用受光索
子１６及び１７の各受光面上に集光されるスポット光の
Ｘ軸方向における変位量Δｘ１及びΔｘ２に変化の起こ
らないことは明らかである。

従って、生じた光電Ｒｘ、Ｉ　から演算されるＡＢ 被ΔＩＩＩ定物１３までの距離を示す信号演算値は、Ｙ
軸方向に光束を走査しても（Ｘ−Ｙ）平面に光束が照射
される場合には、同一の数値を得ることができる。

第５図は本実施例に用いられる演算手段である信号処理
回路のブロック構成図である。

光源１１の９個の発光点Ω　〜ｇ９には９個の発光ダイ
オードＬＥＤ　　−ＬＥＤ９が用いられ、■ これらはＬＥＤ駆動回路Ｕ１３からの駆動信号Ｄ１〜Ｄ
９により時分割でパルス点燈される。これらのパルス点
燈動作はタイミングコントローラＵ１２からの点燈指令
に基づき行われる。これと同時にガルバノメーター９の
Ｙ軸走査駆動回路Ｕ１４へも走査指令信号が送られるこ
とにより、ガルバノメーター９に設けられたミラー１８
は回動され、ＬＥＤの点灯動作に同期してＹ軸方向に光
束が走査される。また、発光ダイオードＬＥＤ１〜ＬＥ
Ｄ９による一連の時分割パルス点燈動作が、１回のＹ軸
走査に対して何回繰り返されるかにより、計測視野にお
けるＸ軸方向の走査本数が決定される。

位置検出用受光素子１６．１７において得られた光電流
■　及びＩＢは、電流−電圧変換珀抵抗ｒｔ＋　　ｒ　
　で電圧信号ｖ、ｖ’　　に変換され、コ２　　　　　
　　　　　　　ＡＢ ンデンサＣ，Ｃ２によりＤＣ（直流）成分が力■ ツトされてＡＣ（交流）成分のみが増幅回路Ｕ１．−Ｕ
２に送られて増幅される。この後、コンデンサＣ、Ｃに
より、増幅回路Ｕ　　、Ｕ　　のオフセ３　４　　　　
　　　　　ｌ　　２ ツトや温度ドリフトによるＤＣ的な電位のズレ量がカッ
トされる。そして、増幅されたＡＣ成分のみが減算回路
Ｕ　および加算回路Ｕ４に送られ、Ｖ　−■　およびＶ
Ａ＋ＶＢの演算がそれぞれ実Ｂ 行される。

各演算信号はサンプルアンドホールド回路Ｕ５〜Ｕ　に
送られ、タイミングコントローラＵ１２から与えられる
サンプリング信号Ｓ　、Ｓ　に基づきサンプリングされ
、信号レベルがホールドされる。すなわち、サンプリン
グ信号Ｓ１により各発光点がパルス点燈する直前の電位
がサンプリングされ、サンプルアンドホールド回路Ｕ　
　、Ｕ　　に記録される。これに対して、サンプリング
信号Ｓ２により各発光点がパルス点燈している状態の電
位がサンプリングされ、サンプルアンドホールド回路Ｕ
　　、Ｕ　　に記録される。

減算回路Ｕ　では回路Ｕ６の出力値から回路Ｕ　の出力
値が減算され、減算回路Ｕ１ｏでは回路Ｕ　の出力値か
ら回路Ｕ７の出力値が減算される。

この結果、光源１１のパルス点燈に起因する信号成分の
みが抜き取られることになる。そして、アナログ割算器
Ｕ１１において、（ＶＡ−ＶＢ）／（Ｖ　　＋ＶＢ）と
いう演算処理が実行される。

この演算結果は外部に出力され、距離検出器から被測定
物１３までの距ｆｉＬに対応するものになり、３次元位
置認識におけるＺ成分のデータになる。また、アナログ
割算器Ｕ１□の出力に同期して、彼？Ｉ−１定物１３上
へ照射される光束の偏角がＸ軸成分（θ　）とＹ軸成分
（θ　）とに分離されてりＸ　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　ｙイミングコントローラＵ１２から外部
に出力され、３次元位置認識におけるＸ成分のデータお
よびＹ成分のデータになる。Ｘ成分データは光源１１の
パルス点灯のための駆動信号に基づくものであり、Ｙ成
分データはガルバノメーター９の走査信号に基づくもの
である。

ここでＺ軸の原点を投光レンズ１２の後方主点位置（図
示せず）に設定すると、被Δｐ１定物１３までの距ＭＬ
はアナログ割算器Ｕ１、の出力から簡単に求めることが
できる。従って、被測定物１３上に集光された光束の照
射点を表す３次元位置データ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、２つの
偏角θ　、θ　から、ｙ 以下の（１３）〜（１５）式を用いて求めることができ
る。

Ｚ−Ｌ　　　　　　　　　　　　　　・・・（１３）Ｙ
＝Ｌ−ｔａｎθ、　　　　　　　−（１４）Ｘ＝Ｌ−ｔ
ａｎθ、　　　　　　　　−（１５）このように本実施
例によれば、９個の発光点ｇ　−Ω９が時分割でパルス
点燈駆動されることにより、機械的な可動を伴わない電
気的な方法によって１次元走査が行われ、さらに、追従
性の良いミラー１８とガルバノメーター９を用いてもう
１つの１次元走査が行われることにより、光源１１から
照射される光束は２次元走査“される。従って、光束の
走査は応答性良く行われて高速化され、１回の３次元位
置認識に要する計測時間は短縮化され、従来技術の方法
に比べて計測時間は２桁以上も小さくなる。この結果、
本実施例による装置は、動的な被ΔＩＩＩ定物を対象に
する３次元位置認識にも適用することが可能になる。

なお、上記実施例の説明においては、一対の受光レンズ
１４．１５および一対の位置検出用受光素子１６．１７
を用いて説明したがこれに限定される必要なく、例えば
、１個の受光レンズと１個の位置検出用受光素子とだけ
を用いて構成するようにしても良く、上記実施例と同様
な効果を奏する。ただし、この場合には披δ−１定物ま
での距離演算は複雑になり、演算時間は若干長くかかる
。従って、上記実施例の構成による装置の方が、より高
速に動く動的な被測定物に適している。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明したように本発明によれば、光源から
発せられる光束は、複数個の発光点が時分割でパルス点
灯駆動されることにより１次元走査が行われ、走査手段
により発光点の配置方向と直交する方向に偏向走査され
ることによって２次元走査が行われる。このため、光源
から照射される光束の走査性は高速化され、３次元位置
認識に要する時間は短縮化される。この結果、従来、３
次元位置認識が困難であった動的な被測定物をも対象に
することが可能な装置が提供されるという効果を有する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示す斜視図、第２図
は第１図に示された装置に使用される半導体装置検出器
を示す図、第３図は第１図に示された装置において発光
点Ω５が発光した場合における距離検出の原理を説明す
るための図、第４図は第１図に示された装置において発
光点ｇ１が発光した場合における距離検出の原理を説明
するための図、第５図は第１図に示された装置に使用さ
れる信号処理回路を示すブロック構成図、第６図は一般
的な距離検出器を示す図である。 １１・・・光源、１２・・・投光レンズ、１３・・・被
測定物、１４．１５・・・受光レンズ、１６．１７・・
・位置検出用受光素子、１８・・・ミラー、１９・・・
ガルバノメータ。 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹Ｘ発明の７Ｒ’
ｆｋΣ示Ｔ鈴４乳図 第　１　図 午導優位言捜：器 巽　：　図 一冠′：Ｊ−゛距ＩＸ凄＝器 第　６　図 手続補正書 １　事件の表示 平成１年特許願第１２６２５７号 ２　発明の名称 ３次元位置認識装置 ３　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 ４　代　理　人　（郵便番号　１０１　）東京都千代田
区東神田二丁目７番９号 Ｕ−Ｙビル４階 ５　補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」、「発明の詳細な説明」及
６　補正の内容 （１）　　明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正す
る。 （２）　　明細書２頁８行の「光源１の発光光束」を「
光源１から発せられた光ビーム」に補正する。 （３）　　明細書、４頁２行、４行、６行、９行および
１２行、５頁９行、１２行および１９行、６頁１６行、
１５頁７行および１３行、１６頁７行、１８頁７行およ
び１９行、１９頁１２行および１３行並びに２０頁１１
行および１６行の「光束」を「光ビーム」に補正する。 （４）　　明細書５頁１１行の「ミラー１８及びガルバ
ノメータ１９は、」を「ミラー１８及び可動コイル１９
はガルバノメータを構成しており、このガルバノメータ
は、」に補正する。 （５）　　明細書５頁１５行および１６〜１７行、６頁
１７〜１８行、１６頁４行および５〜６行、１８頁１３
行並びに１９頁１０行の「ガルバノメータ」を「可動コ
イル」に補正する。 （６）　　明細書９頁５行並びに１１頁３行の「照射光
束」を「光ビーム」に補正する。 （７）　　明細書２１頁１４〜１５行の「ガルノくノメ
ータ」を「可動コイル」に補正する。 以　　上 特許請求の範囲 複数個の発光点が直線状に配置され時分割にパルス点灯
駆動される光源と、前記各発光点から発せられる光ビー
ムを集光する投光手段と、前記光源のパルス点灯駆動に
同期して走査され前記投光手段からの光ビームを前記光
源の発光点の配置方向と直交する方向に偏向して被測定
物上に照射する走査手段と、この被測定物からの反射光
を集光する受光手段と、この受光手段により集光される
光ビームの集光位置を検出する位置検出用受光素子と、
この位置検出用受光素子の出力信号に基づき前記被測定
物上・に集光された光ビームの照射点までの距離を演算
する演算手段とを備えた３次元位置認識装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 複数個の発光点が直線状に配置され時分割にパルス点灯
   駆動される光源と、前記各発光点から発せられる光束を
   集光する投光手段と、前記光源のパルス点灯駆動に同期
   して走査され前記投光手段からの光束を前記光源の発光
   点の配置方向と直交する方向に偏向して被測定物上に照
   射する走査手段と、この被測定物からの反射光を集光す
   る受光手段と、この受光手段により集光される光束の集
   光位置を検出する位置検出用受光素子と、この位置検出
   用受光素子の出力信号に基づき前記被測定物上に集光さ
   れた光束の照射点までの距離を演算する演算手段とを備
   えた３次元位置認識装置。