JPH02306109A - ３次元位置認識装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、被測定物からの反射光を利用して被測定物の
位置を３次元で認識する３次元位置認識装置に関するも
のである。

〔従来の技術〕

第６図に一般的な距離検出器の光学系を示す。

光源１の発光光束を投光レンズ２により、被測定物３に
集光して照射し、この反射光を受光レンズ４により、位
置検出用受光素子５に集光する。

ここで、受光レンズ４から被測定物３までの距離をＬ１
基線長を８１受光レンズ４と位置検出用受光素子５との
間隔をｆとする時、受光レンズ４の光軸中心からスポッ
ト光の重心位置までの距離Ｘは次の（１）式になる。

ｘ−ｆ−Ｂ／Ｌ　　　　　　　　　　　　　・・・（１
）位置検出用受光素子５により、変位置を示す（１）式
のＸを求めることにより、逆に距離りを求めるこ゛とが
できる。また、距離検出器を同図紙面と垂直で基線長方
向を含む平面上で機械的に移動させ、この２次元平面に
おける距離検出器の位置（Ｘ、Ｙ）と、位置検出用受光
素子５から得られる変位置Ｘとから、Ｚ軸方向の距１ｊ
ｉｆｆｉＬが求められ、（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の３次元位置の
認識が行われていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記従来の３次元位置認識装置において
は、距離検出器自体を（Ｘ、Ｙ）平面上で機械的に移動
させなければならない。従って、３次元位置認識のため
の１回の計測に要する時間は長くかかる。このため、従
来の装置は、静的な被測定物を対象にする３次元位置認
識には応用できるが、動的な被測定物を対象にする３次
元位置認識には実用上応用することが出来ないという課
題があった。

そこで本発明は、動的物体についても認識可能な３次元
位置認識装置を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る３次元位置認識装置は、複数個の発光点が
２次元配置され時分割にパルス点灯駆動される光源と、
発光点からの光束を集光して被測定物上に照射する投光
手段と、被測定物からの反射光を集光する受光手段と、
受光手段により集光される光束の集光位置を検出する位
置検出用受光素子と、位置検出用受光素子の出力信号に
基づき被測定物上に集光された光の照射点までの距離を
演算する演算装置とを備えたことを特徴とするものであ
る。

〔作用〕

本発明によれば、光源から発せられる光束は、２次元配
置された発光点が時分割に順次パルス点燈駆動されるこ
とにより、２次元走査される。

〔実施例〕

以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例による構成を示す斜視図であ
り、３次元の各方向は同図の（ｘ、ｙ。

Ｚ）座標に示される各方向により決定される。

光源１１は、ｇｘ５（４５）個の発光ダイオード２０と
、この発光ダイオード２０から発せられる光を伝搬する
９Ｘ５（４５）本の光ファイバ１９と、各光ファイバ１
９の出力側の端面を９列で５行の２次元配置されな発光
点ｌ　ｔ、ｔ　。

Ω　　、・・・、Ｆ　　　、、ｌｌｌ　　　、・・・・
・・ｇ　　）に固２．１　　　　　　　　９．１　　　
　１、　　　　　　　　９．５定するホルダー１８とか
ら構成されている。この２次元配置により、各光ファイ
バ１９の端面は（ｘ、ｙ）平面に位置するようになり、
各発光ダイオード２０は時分割に順次パルス点燈駆動さ
れる。なお、この発光ダイオード２０は半導体レーザで
あっても良い。また、光源１１の発光点の数は９Ｘ５個
に設定しているが、これは図面および説明の簡略化のた
めであり、必ずしもこの数に限定されるものではない。

投光レンズ１２は、その光軸が２次元配置された４５個
の発光点の中心にある発光点ｇ　　の中５．３ 心に一致した状態に設置されており、各光ファイバ１９
の端面から出力される光束を被測定物１３上に集光して
照射する。ここで、この投光レンズ１２の光軸はＺ軸に
一致し、以下、これを距離検出軸と呼ぶことにする。そ
して、光源１１の発光ダイオード２０がｇ　　からｇ　
　まで時分割に１．１　　　　　　　９．５ 順次パルス点燈されることにより、被測定物１３上に照
射パターンが描かれる。図示の状態はｇ　　の発光点ま
で点燈した状態を示している。

５・３１ なお、照射パターンは瞬時的には一点しか照射されてお
らず、他の点は残像として見えているにすぎない。

被測定物１３からの反射光は、距離検出軸（Ｚ軸）を中
心にして対称に配置された一対の受光レンズ１４及び１
５により受光される。受光された光束は集光されて一対
の位置検出用受光素子１６及び１７に照射される。この
一対の位置検出用受光素子１６及び１７は、距離検出軸
を中心にして対称に配置されそおり、各受光面上に集光
される光束の集光位置に対応して出力信号を発生する。

出力信号は後述する演算手段に与えられ、被測定物１３
上の各照射点までの距離（Ｌ）が演算される。また、投
光レンズ１２から被測定物１３上に照射される光束のＸ
軸、Ｙ軸に対する各走査角（θ　、θ　）は、光源１１
をパルス点灯させるｙ 駆動信号から知ることが出来、この走査角と被測定物１
３までの距離（Ｌ）とから３次元の位置認識が可能にな
る。

第２図は位置検出用受光素子１゛６及び１７に使用され
る一般的な半導体装置検出器の構成図である。この半導
体装置検出器としては、例えば兵松ホトニクス株式会社
製の型名が５１６６２の１次元用の半導体装置検出器が
有り、以下、この半導体装置検出器を用いた場合につい
て説明する。

半導体装置検出器２５は、ｎ＋型型半体体層２７、高抵
抗ｎ型半導体層２８と、抵抗率が均一なｎ型半導体層２
９とが順次に積層されることにより形成されている。ｎ
型半導体層２８およびｎ型半導体層２９はホトダイオー
ドを構成している。

また、ｎ＋型型半体体層２７はホトダイオードに逆バイ
アスの電圧を印加するための共通電極３０が設けられて
おり、ｎ型半導体層２９の両端部には一対の電極３１．
３２が設けられている。

この半導体装置゛掻出器２５の共逍電極３０に所定の電
圧を印加し、位置ＳＰのところに光点が入射したとする
と、位置ＳＰの下方・のｐｎ接合部には電子−正孔対が
生じ、これにより光点の入射エネルギーに比例した光電
流ＩＯが共通電極３０からｎ型半導体層２９に向って流
れる。

ここで、電極３１．３２間の距離を０１その間のｎ型半
導体層２９の抵抗をＲ６とじ、光点入射位置ＳＰと電極
３２との間の距離をＸｌその間のｎ型半導体層２９の抵
抗をＲｘとすると、光電施工。は光点入射位置ＳＰの所
で抵抗分割される。

すなわち、電極３１への電流■いおよび電極３２への電
流■８は、それぞれ次式に示される。

■　−■　−［Ｒｘ／Ｒｃ］ Ｏ ｒ　　’−ｔ　　・　［（Ｒｏ−ＲＸ）／Ｒｏ］−（２
）Ｏ また、前述のように、ｎ型半導体層２９の抵抗率は均一
に分布しているので、この（２）式は以下のように変形
される。

Ｉ　ｗＡ　１１ｘ／Ｃ Ｏ Ｉ　　　　−１・　　［（Ｃ−ｘ）／Ｃコ　　　　　　
　　−（３）Ｏ のうよに表現される。

（３）式かられかるように、電流Ｉ　　、Ｉ　　を八　
　Ｂ 電極３１．３２から取出し、後述する演算手段によって
所定のアナログ演算処理が施されることにより、電極３
２から光点入射位置ＳＰまでの距離Ｘを求めることがで
きる。

第３図及び第４図は、本実施例による３次元位置認識装
置を用いた光学系における距離検出の原理を示すための
図であり、第１図に示された装置を（Ｘ、Ｚ）平面上か
ら見た図である。なお、図面および説明を簡略化するた
め、ｍ×ｎ　（９Ｘ５）個の発光点の内、ｍ−１〜９（
列）、ｎ−１（行）の発光点のみを図示し、ｎ≧２の発
光点は省略しである。また、位置検出用受光素子１６及
び１７は、投光レンズ１２の光軸側（内側）とその反対
側（外側）どうしの電極がそれぞれ結線されており、さ
らに、共通電極どうしが結線されている。

このため、共通電極に所定のバイアス電圧（Ｂｉａｓ）
が印加され、受光素子１６．１７の各受光面上にスポッ
ト光が集光されることにより、位置情報を含んだ光電流
１　　、Ｉ　　が各結線に得られるようＢ になっている。

第３図は光源１１の発光点ｇ　　−Ω　　のう１．１　
　９．１ ち、発光点ｇ　　がパルス点燈した時の距離検出５．１ の原理を示す図である。

ここで、距離検出器から被ｎ１定物１３までの距離をＬ
　１披測定物が二点鎖線１３′で示される位置に移動し
た時の距離をＬＮとする。また、投光レンズ１２の光軸
と一対の受光レンズ１４゜１５の各光軸との各間隔をＢ
１受光レンズ１４゜１５から位置検出用受光素子１６．
１７までの間隔をｆとする。また、受光レンズ１４．１
５の光軸から位置検出用受光素子１６．１７の受光面に
おける彼ΔＰ１定物１３からの反射光の各集光位置まで
の各距離をＸ１被測定物１３が距離り。から距離しＮに
移動した時の集光位置の各移動量をそれぞれΔＸ　、Δ
ｘ２とする。この時、各因子の間には以下の関係式（４
）〜（６）が成り立つ。

ｘ　＝　ｆ−Ｂ　／　Ｌ　ｏ　　　　　　　　　　　　
＝・（４）Ｘ＋Δｘ　　−ｘ＋Δｘ　−ｆ−Ｂ／ＬＮ・
・・（５）ΔＸｉ　　−ΔＸ２ −ｆ−Ｂ　（１／Ｌ　　−１／Ｌｏ）＝・　（６）従っ
て、位置検出用受光素子１６．１７より得られる光電流
値Ｉ　　、Ｉ　　からＸ、Δｘ１゜Ｂ ΔＸ２の値を求めることにより、逆に被測定物１３．１
３’　までの距離Ｌ　　、Ｌ　　を求めることＮ ができる。被測定物１３が距離Ｌｏにある時に各受光面
上に集光される位置を、各位置検出用受光素子１６．１
７の電気的中心位置（１−ＩＢになる集光位置ＳＰ）に
一致するように調整しておくと、被測定物１３がり。よ
り近距離に存在する場合には位置検出用受光素子１６．
１７の集光位置は電気的中心位置より外側（投光レンズ
１２の光軸方向と反対側）に移動する。逆に披１１１１
１定物１３がり。より遠距離に存在する場合には、集光
位置は電気的中心位置の内側（投光レンズ１２の光軸側
）に移動する。ここで、集束されるスポット光の移動方
向が外側に向かう時をプラス（＋）、内側に向かう時を
マイナス（−）と定義することにする。

第４図は光源１１の発光点ｇ　　−Ω　　のう１．１　
　９．１ ち、発光点ｇ　　がパルス点燈した時の距離検出１．１ の原理を示す図である。

この場合には、発光点ｇ　　は投光レンズ１２１．１ の光軸から６ｇ１だけ図の上側に位置しているので、被
測定物１３への照射位置は投光レンズ１２の光軸より下
側になる。ここで、被ｎ１定物１３が距離り。の所に存
在する場合には、位置検出用受光素子１６．１７の各受
光面上での集光位置は、位置検出用受光素子１６．１７
の電気的中心位置からそれぞれＸ　　、Ｘ　　だけ離れ
た位置になる。

また、被測定物１３が２点鎖線１３′で示すＬＮに移動
した場合には、スポット光の集光位置はＸ、、Ｘ　　の
位置からそれぞれΔＸ　、ΔＸ２だけずれた位置になる
。

位置検出用受光素子１６における距離と変位量との関係
について求めると、以下のようになる。

ｘ　＋　ｘ　１ −ｆ−（Ｂ＋へ、ｉｌｌ　　　−Ｌ　　／ｆ）／Ｌ。

−（ｆ−Ｂ　＋ΔΩ　　　・　Ｌ）／Ｌ　　　　　　・
・・　（７）Ｘ＋Ｘｌ　＋ΔＸｔ −ｆ・　（Ｂ＋ΔΩ　　・Ｌ　　／ｆ）　／ＬＮＮ −（ｆ−Ｂ　＋ΔΩ　　　・　Ｌ）／Ｌ　　　　　　・
・・　（８）ＩＮ　　　　　　　Ｎ この（７）式及び（８）式より次の（９）式が成り立つ
。

Δｘ　　−（ｆ−Ｂ＋ΔＮ　　　−Ｉ、　　）／ＬＮｔ
　　　　　　　　　　ＩＮ −（ｆ−Ｂ＋６ｇ　　・Ｌ　）／Ｌ。

＝、ｆ−Ｂ（１／Ｌ　　−１／Ｌｏ）・　（９）次に、
位置検出用受光素子１７における距離と変位量との関係
式を同様にして求めると次のようになる。

−ｘ２ −ｆ−（Ｂ−６ｇ　　−Ｌ　　／ｆ）／Ｌ。

−（ｆ−Ｂ−ΔΩ　・Ｌ）／Ｌ　　　・・・（１０）ｘ
−ｘ２＋Δｘ２ −ｆ　・　（Ｂ−６ｇ　　φＬ　　／　ｆ　）　／　Ｌ
　ＮＮ −（ｆ−Ｂ−６ｇ　・Ｌ）／Ｌ　　　・・・（１１）Ｉ
Ｎ　　　　Ｎ この（１０）式及び（１１）式より次の（１２）式が成
り立つ。

Δｘ　　＝（ｆ−Ｂ−ΔΩ　　・Ｌ）／ＬＮ２　　　　
　　　　　　　　　　１Ｎ −（ｆ　φＢ−Δｇ　　・Ｌ）／Ｌ。

１〇 −ｆ−Ｂ　（１／Ｌ　　−１／Ｌｏ） ・・・　（１２） （１０）式及び（１１）式において、ｘ２にマイナス（
−）符号がついている理由は、Ｘｌが位置検出用受光索
子１６の電気的中心位置より外側に在るのに対し、Ｘ２
は位置検出用受光素子１７の電気的中心位置より内側に
在るためである。また、上記の（９）式及び（１２）式
は、第３図おいて求められた（６）式に一致するものに
なっている。従って、光源１１の発光点Ω　　がパルス
５．１ 点燈した時と同じ変位量になっていることがわかる。

同様にして、光源１１の他の発光点Ω２，１〜ｇ　　及
び発光点Ω　　〜ｇ　　がパルス点燈し４．１　　　　
　　　Ｂ、１　　９．また時の距離と、スポット光の変
位量の関係を求めると、全て（６）式に一致するものに
なる。即ち、光源１１の９個の発光点（Ω　　〜ｇ　　
）のど１．１　　９．１ の発光点がパルス点燈している時でも、距離りの変化に
対する位置検出用受光素子１６．１７上に集光されるス
ポット光の変位量（ΔＸ　、ΔＸ　２　）■ は同じ値になる。

言いかえれば、一対の位置検出用受光素子１６及び１７
として一対の一次元用の半導体装置検出器を用いて所定
の結線を行うことにより、生じた光電流！　　、Ｉ　　
から後述するように演算されるＶＢ 被測定物１３までの距離を示す信号演算値は同じ値にな
る。この数値は、光源１１において直線上に配置された
９個の発光点のうちのどの発光点がパルス点燈している
かに関わらず、光源１１から照射される光が、距離検出
器（Ｚ軸）に直交した平面（Ｘ、Ｙ平面）に照射される
場合には同じ数値になる。

また、被測定物１３へ照射されるｍ列でｎ行の発光点ｇ
　　のうち、ｎが１以外の発光点を時分１１１＋口 割に順次パルス点燈することによってＹ軸方向に照射光
束を走査しても、位置検出用受光素子１６及び１７の各
受光面上に集光されるスポット光のＸ軸方向における変
位量Δｘ１及びΔｘ２に変化の起こらないことは明らか
である。従って、生じた光電流１．ＩＢから演算される
被測定物１３までの距離を示す信号演算値は、Ｙ軸方向
に光束を走査しても（Ｘ、Ｙ）平面に光束が照射される
場合には、同一の数値を得ることができる。

第５図は本実施例に用いられる演算手段である信号処理
回路のブロック構成図である。

光源１１め９×５個の発光点ｐ　　−Ω　　に１．１　
　　　　９．５ は９×５個の発光ダイ°オードＬ　Ｅ　Ｄ　１，１〜Ｌ
　Ｅ　Ｄ　９　、　ｓが用いられ、これらはＬＥＤ駆動
回路Ｕ　からの駆動信号Ｄ　　　−Ｄ　　　により時分
割＋３　　　　　　　　１．１　　９．５でパルス点燈
される。これらのパルス点燈動作はタイミングコントロ
ーラＵ１２からの点燈指令に基づき行われる。

位置検出用受光素子１６．１７において得られた光電流
■い及びＩｎは、電流−電圧変換用抵抗ｒ　Ｉ、　　ｒ
　で電圧信号Ｖ、ｖＢに変換され、コＡ ンデンサＣ，Ｃ２によりＤＣ（直流）成分が力■ ツトされてＡＣ（交流）成分のみが増幅回路Ｕ１゜Ｕ２
に送られて増幅される。この後、コンデンサＣ、Ｃによ
り、増幅回路Ｕ　　、Ｕ　　のオフセ３　４　　　　　
　　　　ｌ　　２ ツトや温度ドリフトによるＤＣ的な電位のズレ量がカッ
トされる。そして、増幅されたＡＣ成分のみが減算回路
Ｕ３および加算回路Ｕ４に送られ、ｖＡ−ＶＢおよびＶ
Ａ＋ＶＢの演算がそれぞれ実行される。

各演算信号はサンプルアンドホールド回路Ｕ５〜Ｕ８に
送られ、タイミングコントローラＵ１２がら与えられる
サンプリング信号Ｓ　、Ｓ２に基づ■ いてサンプリングされ、信号レベルがホールドされる。

すなわち、サンプリング信号Ｓ１により各発光点がパル
ス点燈する直前の電位がサンプリングされ、サンプルア
ンドホールド回路Ｕ、Ｕ７に記録される。これに対して
、サンプリング信号Ｓ２により各発光点がパルス点燈し
ている状態の電位がサンプリングされ、サンプルアンド
ホールド回路Ｕ、Ｕ８に記録される。

減算回路Ｕ９では回路Ｕ６の出力値から回路Ｕ５の出力
値が減算され、減算回路Ｕ１ｏでは回路Ｕ８の出力値か
ら回路Ｕ７の出力値が減算される。

この結果、光源１１のパルス点燈に起因する信号成分の
みが抜き取られることになる。そして、アーｊ−ａグ割
算器ＵＩＩにおいて、（ＶＡ−ＶＢ）／（Ｖ　　十Ｖ１
３）という演算処理が実行される。

この演算結果は外部に出力され、距離検出器がら披δｐ
１定物１３までの距離りに対応するものになり、３次元
位置認識におけるＺ成分のデータになる。また、アナロ
グ割算器Ｕ１°１の出力に同期して、被測定物１３上へ
照射される光束の偏゛角がＸ軸成分（θＸ）とＹ軸成分
（θ、）とに分離されてタイミングコントローラＵ１２
がら外部に出力され、３次元位置認識におけるＸ成分の
データおよびＹ成分のデータになる。Ｘ成分データは光
源１１をパルス点灯させる駆動信号のうちのＸ軸方向に
発光点を走査させる信号ば基づくものであり、■成分デ
ータはこの駆動信号のうちのＹ軸方向ｉこ発光点を走査
させる信号に基づくものである。

ここでＺ軸の原点を投光レンズ１２の後方主点位置（図
示せず）に設定すると、被測定物１３までの距ＭＬはア
ナログ割算器Ｕ１１の出力がら簡単に求めることができ
る。従って、被測定物１３上に集光された光束の照射点
を表す３次元位置データ（Ｘ、Ｙ、Ｚ）は、２つの偏角
θ　、θ　から、ｙ 以下の（１３）〜（１５）式を用いて求めることができ
る。

Ｚ−Ｌ　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（１３
）Ｙ−Ｌ−ｔａｎθ、　　　　　　　　　　−（１４）
ＸｍＬ−ｔａｎθ、　　　　　　　　　　−（１５）こ
のように本実施例によれば、２次元配置された９Ｘ５個
の発光点が順次パルス点灯駆動されることにより、光源
１１から照射される光束は２次元走査される。このため
、従来のように、機械的な可動部分を全く含まないで装
置は（１が成され、電気的方式のみにより光束の走査が
行われる。従って、光束の走査は応答性良く行われて高
速化され、１回の３次元位置認識に要する計測時間は短
縮化される。この結果、本装置は動的な被ｎ１定物を対
象にする３次元位置認識装置にも適用することが可能に
なる。

なお、上記実施例の説明においては、一対の受光レンズ
１４．１５および一対の位置検出用受光素子１６．１７
を用いて構成した場合について説明したがこれに限定さ
れる必要はなく、例えば、１個の受光レンズおよび１個
の位置検出用受光素子を用いて構成するようにしても良
く、上記実施例と同様な効果を奏する。ただし、この場
合には被測定物までの距離演算は複雑になり、演算時間
は若干長くかかる。従って、上記実施例の構成による装
置の方が、より高速に動く動的な被ａｐｒ定物に適して
いる。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明したように本発明によれば、光源から
発せられる光束は、２次元配置された発光点が時分割に
順次パルス点燈駆動されることにより、２次元走査され
る。このため、機械的可動部のない電気的動作によって
被ａＰ１定物への光束走査が行われ、光源から照射され
る光束の走査性は高速化されて３次元位置認識に要する
時間は短縮化される。この結果、従来、３次元位置認識
が困難であった動的な被１Ｉｐ１定物をも対象にするこ
とが可能な装置が提供されるという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示す斜視図、第２図
は第１図に示された装置に使用される半導体装置検出器
を示す図、第３図は第１図に示された装置において発光
点ｇ　　が発光した場合にお５．１ ける距離検出の原理を説明するための図、第４図は第１
図に示された装置において発光点ｇ　　が１．１ 発光した場合における距離検出の原理を説明するための
図、第５図は第１図に示された装置に使用される信号処
理回路を示すブロック構成図、第６図は一般的な距離検
出器を示す図である。 １１・・・光源、１２・・・投光レンズ、１３・・・被
Δ−１定物、１４．１５・・・受光レンズ、１６．１７
・・・位置検出用受光素子、１８・・・ホルダー、１つ
・・・光ファイバ、２０・・・発光ダイオード。 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹−一一一一二 千尋（ふ（立１橙二芸 再　２　ズ 一殿町ロ距π凄：器 第　６　図 手続補正書 平成１年特許願第１２６２５８号 ２　発明の名称 ４　代　理　人　（郵便番号　１ｏ１）東京都千代田区
東神田二丁目７番９号 Ｕ−、Ｙピル４°階 ６　補正の内容 （１）　　明細書の特許請求の範囲を別紙の通り補正す
る。 （２）　　明細書２頁１０行の「光源１の発光光束」を
「光源１から発せられた光ビーム」に補正する。 （３）　　明細書４頁４行、７行および１３行、５頁２
０行、６頁１４行および１８行、７頁２行、１６頁３行
および４行、１８頁９行、１９頁２行。 １１行、１４行および１５行並びに２０頁１３行。 １６行および１７行の「光束」を「光ビーム」に補正す
る。 （４）　　明細書１５頁１８行の「照射光束」を「光ビ
ーム」に補正する。 以　　上 特許請求の範囲 １、　複数個の発光点が２次元配置され時分割にパルス
点灯駆動される光源と、前記各発光点からの光ビームを
集光して被測定物上に照射する投光手段と、この被測定
物からの反射光を集光する受光手段と、この受光手段に
より集光される光ビームの集光位置を検出する位置検出
用受光素子と、この位置検出用受光素子の出力信号に基
づき前記被測定物上に集光された光ビームの照射点まで
の距離を演算する演算装置とを備えた３次元位置認識装
置。 ２、　光源は、ｍ×ｎ個の発光素子と、この各発光素子
から発せられる光ビームを伝搬するｍＸ０本の光ファイ
バと、この各光ファイバの出力側の端面をｍ列でｎ行の
２次元配置された発光点に固定するホルダとから構成さ
れることを特徴とする請求項１記載の３次元位置認識装
置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数個の発光点が２次元配置され時分割にパルス点
   灯駆動される光源と、前記各発光点からの光束を集光し
   て被測定物上に照射する投光手段と、この被測定物から
   の反射光を集光する受光手段と、この受光手段により集
   光される光束の集光位置を検出する位置検出用受光素子
   と、この位置検出用受光素子の出力信号に基づき前記被
   測定物上に集光された光束の照射点までの距離を演算す
   る演算装置とを備えた３次元位置認識装置。 ２、光源は、ｍ×ｎ個の発光素子と、この各発光素子か
   ら発せられる光束を伝搬するｍ×ｎ本の光ファイバと、
   この各光ファイバの出力側の端面をｍ列でｎ行の２次元
   配置された発光点に固定するホルダとから構成されるこ
   とを特徴とする請求項１記載の３次元位置認識装置。