JPH02308418A - 磁気カード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は基板上に磁性膜を設け、磁気により記録再生
を行う磁気カード、特に磁性膜の片面を低透磁率膜で覆
い、かつこれを軟磁性材料膜で覆った磁気カードに関す
るものである。

〔従来の技術〕

第３図は従来の磁気カード°の一部の断面図である。図
において、（１）は磁気カードで、ポリエステル等の基
板（２）上に、磁気記録再生可能な磁性体からなる磁性
媒体膜（３）が積層されている。このような従来の磁気
カード（１）は、基板（２）上に磁性媒体膜（３）を設
けた構造であるため、磁気記録内容は、一般に市販され
ている磁気記録再生器でも読取りが可能である。このた
めカードの偽造、悪用等の防犯上の観点から、通常の磁
気記録再生器での読取り、書込みが困難な第４図の磁気
カードが考案された。

第４図は例えば実公昭５８−５０４９４号に示された従
来の磁気記録再生可能な磁気カードの断面図である。図
において、（４）、（５）は小さい保磁力と高い透磁率
を有する軟磁性体から成る磁性保護膜であり、基板（２
）と磁性媒体膜（３）の間、および磁性媒体膜（３）の
上面に設けられている。

このような従来の磁気カード（１）においては、磁性保
護膜（４）、（５）のＦａ−Ｎｉ系合金パーマロイある
いはＦｅ−３ｉ−ＡＱ系合金センダスト等高透磁率磁性
材料を用いて、磁性保護膜（４）、（５）の磁気抵抗を
小さくすることにより、磁性媒体膜（３）からの洩れ磁
束が磁性保護膜（４）、　（５）内を流れるため、カー
ド（１）からの洩れ磁束を少なくすることができる。こ
れにより従来の洩れ磁束を拾う磁気ヘッドによる読取り
を困難にし、かつ従来の磁気ヘッドによる記録用磁束も
磁性保護膜（４）、（５）に流れてしまうため、書込み
も困難となる。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の磁気カードは以上のように構成されているため、
磁性媒体膜の飽和磁化の大きさの増加に伴って、磁気カ
ード外への洩れ磁束を少なくするために、磁性保護膜を
厚くしなくてはならなかった。しかし、磁性保護膜の厚
みの増加はそれを流れる磁束磁路の磁気抵抗を下げるの
で、書込み、読取りのための磁束の多くが磁性保護膜に
流れて記録再生を困難とし、一層の磁気ヘッドの磁束密
度の増大を必要とするという問題点があった。

一方、高信頼性磁気カードに要求されている高保磁力磁
性媒体膜の記録には高磁束密度が必要で、磁気ヘッドか
らの書込み磁束を有効に利用するためには磁性保護膜の
薄膜化が必要であるが、これは磁性保護膜内の磁気抵抗
を増大させ、磁気カード外への洩れ磁束を増加させるこ
とになり、防犯上および他の磁気媒体への悪影響が生じ
るなどの問題点がある。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、磁性保護膜の厚みを増すことなく、磁気カー
ド外への漏洩磁束を低減できる磁気カードを得ることを
目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の磁気カードは、磁気記録再生可能な磁性媒体膜
と、透磁率が低い低透磁率膜と、保磁力が小さくかつ透
磁率の高い磁性保護膜と、基板とから構成されたもので
ある。

本発明では磁性媒体膜と磁気カード表面側の磁性保護膜
との間に低透磁率膜を挟むことにより、高磁気抵抗層を
形成するのが好ましい。

この場合、記録再生を行う磁性媒体膜の片面に低透磁率
の膜を設け、これを保磁力が小さくかつ透磁率が高い磁
性保護膜で挟み、低透磁率膜と基板とが磁性媒体膜を挟
むように、基板上に配置することができる。低透磁率膜
としては、エポキシ、ポリエステル等の非磁性高分子化
合物、またはアルミニウム箔、貴金属箔を用いることが
できる。

〔作　用〕

従来の磁気カードは、磁性保護膜にＦｅ−Ｎｉ系合金パ
ーマロイあるいはＦｅ−５ｉ−Ａ＋Ｑ系合金センダスト
等高透磁率磁性材料を用い、磁性保護膜の磁気抵抗を小
さくして、磁性媒体膜からの洩れ磁束の多くを磁性保護
膜に流すようにしていたが、本発明の磁気カードでは、
磁性媒体膜とカード表面側の磁性保護膜との間に新たに
低透磁率膜を設けることにより、磁性媒体膜と低透磁率
膜および磁性保護膜を貫く磁束経路の磁気抵抗を、磁性
媒体膜とカード基板に面した磁性保護膜を貫く磁束経路
の磁気抵抗に対して高くする。これにより磁気カード表
面側への磁束址を、磁気カード内側への磁束斌に較べて
低減させ、磁気カード表面からの磁束の漏洩を低減させ
ることができる。このため磁束が主にこの経路で貫く状
態では、低保磁力膜は高磁気抵抗膜となるが、記録再生
時は磁性保護膜を磁気飽和させるため、磁性媒体膜の記
録再生時、低保磁力膜は高磁気抵抗膜とならず、かつ当
該膜の飽和磁化が７４％さければ記録再生の磁束が低透
磁率膜内に漏洩することはなく、磁気記録再生に影響を
与えない。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明に係わる磁気カードの一部の断面図、第２図
はそのＡ部の拡大断面図である。

図において、第３図および第４図と同一符号は同一また
は相当部分を示す。（６）は低透磁率膜、磁性媒体膜（
３）に示された矢印ｘ、ｙは磁性媒体膜（３）内の磁化
の方向、破線Ｂは磁気経路（磁路）を示している。

磁気カード（１）は、記録再生を行う磁性媒体膜（３）
の上面に低透磁率膜（６）を積層し、これらを保磁力が
小さく、かつ透磁率が高い磁性保護膜（４）、（５）で
挟み、低透磁率膜（６）と基板（２）とが、磁性媒体膜
（３）を挟むように基板（２）上に配置されている。

以下、低透磁率膜（６）の機能を具体的な形状、サイズ
を用いて説明する。

第２図に示された磁束経路Ｂに沿った磁気抵抗は単純化
して次のように見積もることができる。

磁気抵抗（Ｒ）は磁路長（Ｑ）、断面積（Ｓ）および透
磁率（μ）を用いてＲ＝ｌ（Ｓ・μ）で表されることか
ら、図中、ａ工→ａ２における経路の磁気抵抗（Ｒａ１
→ａｚ）は、 Ｒａ１→ａｚ＝Ｑｏ／（Ｓｏ’μ（１）＋　２−Ｑ１／
Ｃ８１・μｍ）である。

ただし、Ｑｏ、Ｑｌはそれぞれ磁性保護膜（４）、（５
）。

低透磁率膜（６）における磁路長、Ｓｏ、Ｓ工はそれぞ
れ磁性保護膜（４）、（５）、低透磁率膜（６）におけ
る磁路に垂直な断面積、μ。、μｍはそれぞれ磁性保護
膜（４）、（５）、低透磁率膜（６）における透磁率で
ある。

磁気カードにおける代表的値 Ｑ　ｏ＝２００μｍ ５ｏ＝５μｍ　Ｘ２．５ｎ＋ｍ’ μ。”　＝　１００００ Ｑ１＝１μｍ Ｓ　、　＝　１００　ｐ　ｍｄＸ　２．５ｍｍ’μど＝
１ を用いれば、磁性保護膜内（Ｒ（１）と低透磁率膜内（
Ｒ４）における磁気抵抗の比は Ｒ１／Ｒ，＝５ となる。

ただし、Ｒ０＝Ｑ０／（Ｓｏ・μ。）、Ｒよ＝２・Ｑ工
／（Ｓｌ・μ、）、かつμ。′１μｍ′はμ。、μｍの
比透磁率である。

この見積りは磁性媒体膜（３）と磁性保護膜（５）との
間に僅かな低透磁率膜（６）を挟むことにより、磁路の
磁気抵抗を容易に増大させることができることを示す。

従って、第３図のような低透磁率膜（６）を有しない従
来の磁気カード（１）に対して、これに前記のような低
透磁率膜（６）を設けた第１図の磁気カード（１）では
、磁性媒体膜（３）の磁気カード（１）表面側の磁気抵
抗が内面側の磁気抵抗に較べて高くなり、これに伴って
カード（１）表面側への総磁束量が内面側に較べ減少す
る。この場合、磁性保護膜（５）のみの磁気抵抗は低透
磁率膜（６）の有無にかかわらず一定であるため、磁性
媒体膜（３）のカード（１）表面側へ磁束の減少は磁性
保護膜（５）からのカード（１）表面外への磁束の漏洩
が低減されることを示している。

これに対してカード（１）内面側への磁束は増加するが
、カード（１）の基板（２）は２００μｍ程度の厚みを
持つためカード（１）裏面からの漏洩磁束の増加は磁性
媒体膜（３）側はど問題とならない。

なお、低透磁率膜（６）は磁気的にはエポキシ樹脂、ポ
リエステル等の非磁性高゛分子化合物が望ましいが、静
電気防止のために導電性でパーマロイ、センダスト等に
較べ充分に低い透磁率を有するアルミニウム箔、貴金属
箔等を用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、磁性媒体膜と磁性保
護膜の間に低透磁率膜を挟むことにより、磁性保護膜の
厚みを増加させることなく、磁気カードからの洩れ磁束
を低減させる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例の磁気カードの一部の断面図、第２図は
そのＡ部の拡大断面図、第３図および第４図は従来の磁
気カードの一部の断面図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、（１）
は磁気カード、（２）は基板、（３）は磁性媒体膜、（
４）、（５）は磁性保護膜、（６）は低透磁率膜である
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気記録再生可能な磁性媒体膜と、透磁率が低い
   低透磁率膜と、保磁力が小さくかつ透磁率の高い磁性保
   護膜と、基板とから構成されたことを特徴とする磁気カ
   ード。