JPH02308554A - 超高周波用半導体装置 - Google Patents
超高周波用半導体装置Info
- Publication number
- JPH02308554A JPH02308554A JP12881789A JP12881789A JPH02308554A JP H02308554 A JPH02308554 A JP H02308554A JP 12881789 A JP12881789 A JP 12881789A JP 12881789 A JP12881789 A JP 12881789A JP H02308554 A JPH02308554 A JP H02308554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultra
- high frequency
- frequency semiconductor
- lead conductor
- external lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超高周波用半導体装置に係り、特に半導体素子
と外部への引出導体までのインピーダンス変化を極めて
小さくし、超高周波における半導体素子の性能劣化を極
めて小さくした超高周波用半導体装置の製造に好適な構
造に関する。
と外部への引出導体までのインピーダンス変化を極めて
小さくし、超高周波における半導体素子の性能劣化を極
めて小さくした超高周波用半導体装置の製造に好適な構
造に関する。
従来の超高周波用半導体装置として、第３図に示′した
構造が知られている。第３図において、１は導体からな
る基本ブロック、２は入力側の外部引出導体、３は出力
側の外部引出導体、４は入力側および出力側の外部引出
導体２，３と導体からなる基本ブロック１とを絶縁する
ための誘電体、５は超高周波半導体素子、６は超高周波
半導体素子５と入力端および出力側の外部引出導体２，
３とを接続するボンディング・ワイヤ、７は超高周波半
導体索子５を密封するための金属板、８は入力端および
出力側の外部引出導体２：３と金属板７を絶縁するため
のＳ電体である。
構造が知られている。第３図において、１は導体からな
る基本ブロック、２は入力側の外部引出導体、３は出力
側の外部引出導体、４は入力側および出力側の外部引出
導体２，３と導体からなる基本ブロック１とを絶縁する
ための誘電体、５は超高周波半導体素子、６は超高周波
半導体素子５と入力端および出力側の外部引出導体２，
３とを接続するボンディング・ワイヤ、７は超高周波半
導体索子５を密封するための金属板、８は入力端および
出力側の外部引出導体２：３と金属板７を絶縁するため
のＳ電体である。
なお本発明に関連する従来技術としては１例えば、特開
昭５９−９９７４６ 、同６１−２２６５５等が挙げら
れる。
昭５９−９９７４６ 、同６１−２２６５５等が挙げら
れる。
上記従来技術による構造は、入力側の外部引出導体２と
超高周波半導体素子５および出力側の外部引出導体３と
超高周波半導体索子５との接続におけるインピーダンス
について配慮がなされておらず、周波数が高くなるに従
ってボンディング・ワイヤ６によるインダクタンスの影
響が増加し。
超高周波半導体素子５および出力側の外部引出導体３と
超高周波半導体索子５との接続におけるインピーダンス
について配慮がなされておらず、周波数が高くなるに従
ってボンディング・ワイヤ６によるインダクタンスの影
響が増加し。
入力端の外部引出導体２から超高周波半導体素子５へ信
号が伝わりにくくなり、同様に超高周波半導体５から出
力側の外部引出導体３へ信号が伝わりにくくなるといっ
た問題があった。さらに、超高周波半導体索子５の大き
さによって、ボンディング・ワイヤ６の長さが変化し、
その結果、インダクタンスが変化して超高周波半導体索
子５への信号の伝わり方が異なってしまうといった問題
があった。
号が伝わりにくくなり、同様に超高周波半導体５から出
力側の外部引出導体３へ信号が伝わりにくくなるといっ
た問題があった。さらに、超高周波半導体索子５の大き
さによって、ボンディング・ワイヤ６の長さが変化し、
その結果、インダクタンスが変化して超高周波半導体索
子５への信号の伝わり方が異なってしまうといった問題
があった。
本発明の目的は、入力端の外部引出導体２と超高周波半
導体索子５との間のインダクタンスとインピーダンスの
不連続、出力側の外部引出導体３と超高周波半導体素子
５との間のインダクタンスとインピーダンスの不連続を
小さくし、入力端の外部引出導体２から超高周波半導体
索子５までの信号劣化および超高周波半導体素子５から
出力側の外部引出導体３までの信号劣化を極めて小さく
した構造の超高周波用半導体装置を提供することにある
。
導体索子５との間のインダクタンスとインピーダンスの
不連続、出力側の外部引出導体３と超高周波半導体素子
５との間のインダクタンスとインピーダンスの不連続を
小さくし、入力端の外部引出導体２から超高周波半導体
索子５までの信号劣化および超高周波半導体素子５から
出力側の外部引出導体３までの信号劣化を極めて小さく
した構造の超高周波用半導体装置を提供することにある
。
上記目的を達成するために本発明においては、金属板７
の中央部分を厚くシ、超＾周波半導体索子５の近くまで
突起させ、その表面にテフロン等による誘電体ｌＩＩ膜
と金属電極を形成して、半田ボールにより入力端の外部
引出導体２と超高周波半導体索子５および出力側の外部
引出導体３と超高周波半導体素子５を同時に接触するよ
うにしたものである。
の中央部分を厚くシ、超＾周波半導体索子５の近くまで
突起させ、その表面にテフロン等による誘電体ｌＩＩ膜
と金属電極を形成して、半田ボールにより入力端の外部
引出導体２と超高周波半導体索子５および出力側の外部
引出導体３と超高周波半導体素子５を同時に接触するよ
うにしたものである。
金属板７の中央部分を厚くし、超高周波半導体索子５の
近くまで突起させ、その表面にテフロン等による誘電体
薄膜と金属電極を形成して、半田ボールにより入力端の
外部引出導体２と超高周波半導体素子５および出力側の
外部引出導体３と超高周波半導体索子５を同時に接触さ
せると、入力端の外部引出導体２と超高周波半導体索子
５との間のインダクタンスとインピーダンスの不連続、
出力側の外部引出導体３と超高周波半導体索子５との間
のインダクタンスとインピーダンスの不連続を極めて小
さくすることができる。上記誘電体薄膜の厚さと金属電
極の幅を（ＩｉｌＩ＋８１することにより、金属板７と
誘電体薄膜と金属電極からなる伝送線路のインピーダン
スを、入力端の外部引出導体２゜基本ブロック１．金属
板７の誘電体４．！ＷｆｔＹ体８とからなる伝送線路お
よび出力側の外部引出導体３、基本ブロック１．金属板
７．誘電体４．誘電体８とからなる伝送線路のインピー
ダンスに合わせることができる。それによって、入力側
の外部引出導体２から超高周波半導体索子５までの伝送
損失および超高周波半導体索子５から出力側の外部引出
導体３までの伝送損失が極めて少なくなり、超高周波帯
まで使用することができる。
近くまで突起させ、その表面にテフロン等による誘電体
薄膜と金属電極を形成して、半田ボールにより入力端の
外部引出導体２と超高周波半導体素子５および出力側の
外部引出導体３と超高周波半導体索子５を同時に接触さ
せると、入力端の外部引出導体２と超高周波半導体索子
５との間のインダクタンスとインピーダンスの不連続、
出力側の外部引出導体３と超高周波半導体索子５との間
のインダクタンスとインピーダンスの不連続を極めて小
さくすることができる。上記誘電体薄膜の厚さと金属電
極の幅を（ＩｉｌＩ＋８１することにより、金属板７と
誘電体薄膜と金属電極からなる伝送線路のインピーダン
スを、入力端の外部引出導体２゜基本ブロック１．金属
板７の誘電体４．！ＷｆｔＹ体８とからなる伝送線路お
よび出力側の外部引出導体３、基本ブロック１．金属板
７．誘電体４．誘電体８とからなる伝送線路のインピー
ダンスに合わせることができる。それによって、入力側
の外部引出導体２から超高周波半導体索子５までの伝送
損失および超高周波半導体索子５から出力側の外部引出
導体３までの伝送損失が極めて少なくなり、超高周波帯
まで使用することができる。
以ド１本発明の一実施例を第１１５！ｌにより説明する
。
。
第ＬＸにおいて、１１は導体からなる基本ブロック、１
２は入力端の外部引出導体、１３は出力側の外部引出導
体、１４は入力端の外部引出導体１２および出力側の外
部引出導体１３と基本プロッタ１１を絶縁するための誘
電体、１５は超高周波半導体素子、１６は超高周波半導
体索子１５を密封するための金属板、１７はＭ電体薄膜
、１８は金属１を極、１９は入力端の外部引出導体２お
よび出力側の外部引出導体１３と金属板１６を絶縁する
ためのＩＩＩｖｍ体、１０は半田ボールである。金属板
１６の中央部を厚くし、超高周波半導体索子１５の近く
まで突起させ、Ｍ電体＃膜Ｌ ’Ｉの厚みと金属電極１
８の幅を変化させることにより伝送線路としてのインピ
ーダンスが変えられる。
２は入力端の外部引出導体、１３は出力側の外部引出導
体、１４は入力端の外部引出導体１２および出力側の外
部引出導体１３と基本プロッタ１１を絶縁するための誘
電体、１５は超高周波半導体素子、１６は超高周波半導
体索子１５を密封するための金属板、１７はＭ電体薄膜
、１８は金属１を極、１９は入力端の外部引出導体２お
よび出力側の外部引出導体１３と金属板１６を絶縁する
ためのＩＩＩｖｍ体、１０は半田ボールである。金属板
１６の中央部を厚くし、超高周波半導体索子１５の近く
まで突起させ、Ｍ電体＃膜Ｌ ’Ｉの厚みと金属電極１
８の幅を変化させることにより伝送線路としてのインピ
ーダンスが変えられる。
第１図に示した本発明の超高周波用半導体装置の一実施
例での構造寸法および物理定数は、基本ブロック１１が
無酸素銅に金メッキを施したもの、入力端の外部引出導
体１２および出力側の外部引出導体１３が鉄にニッケル
と金メッキを施したもの、誘電体１４はアルミナで比誘
電率がｉｏ、ｓ。
例での構造寸法および物理定数は、基本ブロック１１が
無酸素銅に金メッキを施したもの、入力端の外部引出導
体１２および出力側の外部引出導体１３が鉄にニッケル
と金メッキを施したもの、誘電体１４はアルミナで比誘
電率がｉｏ、ｓ。
厚みは０．１８■、超高周波半導体索子１５の人力およ
び出力インピーダンスは５０Ω、金属板１６はリン青銅
に金メッキを施したもので端部の厚みが０．２閣、中央
部分の厚みが０．３膿、誘竜体薄膜１７はテフロンで比
Ｍ電率が２．１ 、厚みが４０μｍ、金属［極１８は銅
薄で幅が１２２μｍ、誘電体１９はアルミナで比誘電率
が１０．５、厚みは０．１８ｍ、半田ボール１０は直径
が６０μｍ〜８０μｍである。入力端の外部引出導体１
２および出力側の外部引出導体１３と超高周波半導体素
子１５との間の伝送線路としてのインピーダンスは、誘
電体薄膜１７の厚みと金属電極１８の幅および金属板１
６によって決定される。
び出力インピーダンスは５０Ω、金属板１６はリン青銅
に金メッキを施したもので端部の厚みが０．２閣、中央
部分の厚みが０．３膿、誘竜体薄膜１７はテフロンで比
Ｍ電率が２．１ 、厚みが４０μｍ、金属［極１８は銅
薄で幅が１２２μｍ、誘電体１９はアルミナで比誘電率
が１０．５、厚みは０．１８ｍ、半田ボール１０は直径
が６０μｍ〜８０μｍである。入力端の外部引出導体１
２および出力側の外部引出導体１３と超高周波半導体素
子１５との間の伝送線路としてのインピーダンスは、誘
電体薄膜１７の厚みと金属電極１８の幅および金属板１
６によって決定される。
第２図は、第１図に示した超高周波用半導体装置の一実
施例による入力端の外部引出導体１２が１１？電体１４
に接する面ａから超高周波半導体素子１５および出力側
の外部引出導体１３が誘電体１４に接する面すから超高
周波半導体索子１５への電圧定在波比の周波数特性の計
算値を示したものである１周波数が高くなるに従って電
圧定在波比は高くなり、従来方法では７ 、５ Ｇ Ｈ
ｚ において電圧定在波比が２．１程度であったが、
本発明によれば、１２．５ＧＨｚ においても電圧定
在波比がり、Ｓ 程度であり、超高周波帯において半導
体′索子までの伝送損失を極めて少なくできる効果があ
る。
施例による入力端の外部引出導体１２が１１？電体１４
に接する面ａから超高周波半導体素子１５および出力側
の外部引出導体１３が誘電体１４に接する面すから超高
周波半導体索子１５への電圧定在波比の周波数特性の計
算値を示したものである１周波数が高くなるに従って電
圧定在波比は高くなり、従来方法では７ 、５ Ｇ Ｈ
ｚ において電圧定在波比が２．１程度であったが、
本発明によれば、１２．５ＧＨｚ においても電圧定
在波比がり、Ｓ 程度であり、超高周波帯において半導
体′索子までの伝送損失を極めて少なくできる効果があ
る。
本発明によれば、超高周波半導体素子と外部への引出導
体との間のインダクタンスとインピーダンスの変化を少
なくすることができるので、超高周波半導体素子までの
信号の伝送損失が少ない超高周波用半導体装置を実現で
きるので、優れた効果がある。
体との間のインダクタンスとインピーダンスの変化を少
なくすることができるので、超高周波半導体素子までの
信号の伝送損失が少ない超高周波用半導体装置を実現で
きるので、優れた効果がある。
本発明によれば、導体による基本ブロック、入力側およ
び出力側の外部引出導体、入力側および出力側の外部引
出導体を支える誘電体の寸法、形状を変更することなく
、超高周波半導体素子を密封する金属板の加工を追加す
ることにより、ボンディングが不要になり、超高周波半
導体素子に与える影響の少ない超高周波用半導体装置を
実現できる。
び出力側の外部引出導体、入力側および出力側の外部引
出導体を支える誘電体の寸法、形状を変更することなく
、超高周波半導体素子を密封する金属板の加工を追加す
ることにより、ボンディングが不要になり、超高周波半
導体素子に与える影響の少ない超高周波用半導体装置を
実現できる。
第１図は、本発明の超高周波用半導体装置の一実施例の
構造を示す断面図、第２図は１本発明による超高周波半
導体素子と入力側および出力側の外部引出導体との高周
波信号の反射係数の周波数特性図、第３図は、従来の半
導体装置の構造を示す断面図である。 １・・・基本ブロック、２・・・入力端の外部引出導体
。 ３・・・出力側の外部引出導体、４・・・誘電体、５・
・・超高周波半導体素子、６・・・金属板、７・・・誘
電体薄膜。 ８・・・金属電極、９・・・誘電体、１０・・・半田ボ
ール。 夕 第 １ 図 第 ２ （２）
構造を示す断面図、第２図は１本発明による超高周波半
導体素子と入力側および出力側の外部引出導体との高周
波信号の反射係数の周波数特性図、第３図は、従来の半
導体装置の構造を示す断面図である。 １・・・基本ブロック、２・・・入力端の外部引出導体
。 ３・・・出力側の外部引出導体、４・・・誘電体、５・
・・超高周波半導体素子、６・・・金属板、７・・・誘
電体薄膜。 ８・・・金属電極、９・・・誘電体、１０・・・半田ボ
ール。 夕 第 １ 図 第 ２ （２）
Claims (1)
- １．超高周波半導体素子を導体からなる基本ブロックに
固着し、上記超高周波半導体素子の入力および出力電極
と外部への引出導体とを、誘電体を介して密封するため
の金属板上に形成した誘電体薄膜と金属電極からなる伝
送線路により接続するようにしたことを特徴とする超高
周波用半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12881789A JPH02308554A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 超高周波用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12881789A JPH02308554A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 超高周波用半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308554A true JPH02308554A (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=14994152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12881789A Pending JPH02308554A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 超高周波用半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02308554A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131102A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子と回路基板又はキャリヤとの接続方法 |
| JPH0595212A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体混成集積回路装置 |
| JPH05283552A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 高周波半導体装置 |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP12881789A patent/JPH02308554A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131102A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子と回路基板又はキャリヤとの接続方法 |
| JPH0595212A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体混成集積回路装置 |
| JPH05283552A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Nec Corp | 高周波半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103579729B (zh) | 一种星载高频微带至波导宽带低插损垂直转换电路 | |
| CN108711665A (zh) | 矩形波导微带气密封过渡电路 | |
| US3965445A (en) | Microstrip or stripline coupled-transmission-line impedance transformer | |
| US5900589A (en) | Silver ribbon cable | |
| US20090091405A1 (en) | Resonator, method for manufacturing filter by using resonator and filter manufactured by the same method | |
| US3943470A (en) | Right angle connector | |
| US4032865A (en) | Radial impedance matching device package | |
| US3835420A (en) | Isolator | |
| CN210778914U (zh) | 一种中心导体及小型化环行器 | |
| JPH02308554A (ja) | 超高周波用半導体装置 | |
| US4260963A (en) | 4:1 Balun | |
| US4365214A (en) | Semiconductor mounting and matching assembly | |
| JP3217677B2 (ja) | 高周波用半導体装置 | |
| EP0798950B1 (en) | High voltage noise filter and magnetron device using it | |
| JP3866716B2 (ja) | フィルタ | |
| JPH0366216A (ja) | 高周波インピーダンス変換器 | |
| JPS605602A (ja) | 非対称トラツプ | |
| US3259857A (en) | Conductor having distributed capacitance | |
| US5781079A (en) | Magnetostatic wave device | |
| JPS6118623Y2 (ja) | ||
| JPH01305603A (ja) | 線路変成器 | |
| JPH07297608A (ja) | 超伝導マイクロストリップ回路 | |
| US2835810A (en) | Crystal rectifier | |
| JP3284293B2 (ja) | 酸化物超伝導ジョセフソン接合アレイ素子およびその製造方法 | |
| JPS61102009A (ja) | 空芯トランス |