JPH02308817A - 新規なポリシラン化合物、その製造方法及び用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 皮栗上皇剋里分野 本発明は、新規なポリシラン化合物、詳しくは、インド
リル置換シラン構造単位と炭化水素置換シラン構造単位
とからなる共重合ポリシラン化合物、及びその製造方法
及び用途に関する。かかるポリシラン化合物は、例えば
、導電性材料として有用であり、更に、フォトレジスト
材料や記録材料として有用である。

従来■狡街 従来、導電性を必要とする材料には、専ら金属が用いら
れており、有機高分子化合物は、一般には、絶縁材料と
して取扱われている。

しかし、近年、絶縁材料として認識されていた有機高分
子化合物のうち、ケイ素原子を含む高分子化合物が導電
性を有していることが見出され、このようなケイ素含有
高分子化合物を導電性材料として用いる試みがなされて
いる。

例えば、ポリシランの一種であるメチルフェニルポリシ
ランに光照射し、架橋構造を有する化合物を得、これに
ドーパンｌ−（ドーピング剤）を添加することによって
、高い導電率を有する化合物を得ることができることが
見出されている（Ｊ。

Δｍｅｒ、　Ｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、、　１０３．７３５
２−７３５４　（１９８１））。ドーパントとしては、
ＡｓＦ５のような化合物が用いられており、かかるドー
パントを用いることにより、上記のケイ素含有化合物は
、０．５３／ａｍという導電率を示すことが開示されて
いる。しかし、かかる架橋構造を有する化合物は、その
製造において、光照射の制御が難しく、良好な特性を有
する化合物を再現性よく製造することが容易ではない。

また、特開昭６２−０５９６３２号公報には、すぐれた
導電性を示す７トリツクス状のポリアルキルシランが開
示されている。即ち、上記公報には、ポリアルキルシラ
ン中にドーパントとして硫酸イオンを含有させることに
よって、ポリアルキルシランは、１０−５〜１０３／ａ
ｍ程度の導電率を有することが示されている。しかし、
かかるポリアルキルシランからなる導電性材料において
も、導電率等の特性はか、製造条件等の点にも、尚、改
善の余地がある。

他方、従来より種々のポリシラン化合物が知られている
が、多くは、ケイ素原子上にアルキル基やフェニル基等
の炭化水素基を有するポリシラン化合物であって、ケイ
素原子上にヘテロ環を置換基として有するポリシラン化
合物は、殆ど知られていない。

日が”しようとする量 本発明者らは、上記したような導電性材料としてのポリ
シラン化合物における問題を解決するために、新規なポ
リシラン化合物を得るべく鋭意研究した結果、ケイ素原
子上にヘテロ環を置換基として有する新規な共重合ポリ
シラン化合物、特に、インドリル置換シラン構造単位と
炭化水素置換シラン構造単位とからなる共重合ポリシラ
ン化合物を得、かかるポリシラン化合物が導電性材料と
して有用であることを見出して、本発明に至ったもので
ある。

即ち、本発明は、ケイ素原子上にヘテロ環を置換基とし
て有するインドリル置換シラン構造単位と炭化水素置換
シラン構造単位とからなる新規な共重合ポリシラン化合
物、その製造方法及びそれの導電性材料としての用途を
提供することを目的とする。

ｉ　を”するための 本発明によるポリシラン化合物は、主鎖骨格が一般式（
Ｉ　ａ） （＋　　ａ） （式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立にアルキル基、
アリール基又はアラルキル基、Ｒ３は、水素、アルキル
基、アリール基又はアラルキル基を示す。〉で表わされ
る構造単位と、一般式（Ｉ　ｂ）Ｓｉ　− （Ｉ　ｂ） （式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立にアルキル基、
アリール基又はアラルキル基を示す。）で表わされる構
造単位とからなることを特徴とする。

上記一般式（Ｉ　ａ）において、Ｒ１は、好ましくは、
炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１２のアリー
ル基又は炭素数７〜１３のアラルキル基を示し、具体例
としては、アルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ
−ブチル、ｔ−ブチル、アミル、ヘキシル、オクチル、
ドデシル基等を、アリール基としては、例えば、フェニ
ル、トリル、メトキシフェニル基等を、また、アラルキ
ル基としては、例えば、ベンジル、フェネチル、ｐ−メ
チルベンジル基等を挙げることができる。

上記一般式（Ｉａ）において、Ｒ２は、好ましくは、炭
素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基
又は炭素数７〜１３のアラルキル基を示し、具体例とし
ては、アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−ブ
チル、ｔ−ブチル、アミル、ヘキシル基等を、了り−ル
基としては、例えば、フェニル、トリル、メトキシフェ
ニル基等を、また、アラルキル基としては、例えば、ヘ
ンシル、フェネチル、ｐ−メチルヘンシル基等を挙げる
ことができる。

上記一般式ＣＴ　ａ）において、Ｒ３は、水素、又は好
ましくは、前述したような炭素数１〜６のアルキル基、
炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１３のアラ
ルキル基を示し、特に、好ましくは水素である。

他方、上記一般式（Ｉ　ｂ）において、Ｒ４及びＲ５は
、好ましくは、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアル
キル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１
３のアラルキル基を示し、具体例としては、アルキル基
としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イ
ソプロピル、ｎ−ブチル、５ｅｃ−７”チル、ｔ−７’
チル、アミル、ヘキシル、オクチル、ドデシル基等を、
アリール基としては、例、ｔ　ハ、フェニル、トリル、
メトキシフェニル基等を、また、アラルキル基としては
、例えば、ベンジル、フェネチル、ｐ−メチルベンジル
基等ヲ挙げることができる。

かかるポリシラン化合物は、本発明に従って、一般式（
Ｉ［） （ＩＩ） （式中、Ｒ′、Ｒ２及びＲ３は前記と同じであり、Ｘは
ハロゲン原子を示す。） で表わされる２官能性ケイ素化合物及び一般式％式％ （［） （式中、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立にアルキル基、
アリール基又はアラルキル基を示し、Ｘは前記と同じで
ある。） で表わされるジハロシランにアルカリ金属を反応させる
ことによって得ることができる。

上記一般式（ｎ）で表わされる２官能性ケイ素化合物に
おいて、Ｒ１，Ｒｚ、Ｒ３は前記と同じであり、Ｘは、
好ましくは、塩素、臭素又はヨウ素であり、特に好まし
くは、塩素である。

従って、上記一般式（ｎ）で表わされる２官能性ケイ素
化合物の具体例としては、例えば、ジクロロメチル〔２
−（１−メチルインドリル）〕シラン、ジクロロフェニ
ル（２−（１−メチルインドリル）〕シラン等を挙げる
ことができる。このような２官能性ケイ素化合物は、新
規化合物であって、後述する方法にて得ることができる
また、上記一般式（ＩＩＩ）で表わされるジハロシラン
において、Ｒ４及びＲ５は前記と同じであり、Ｘは、好
ましくは、塩素、臭素又はヨう素であり、特に好ましく
は、塩素である。

従って、かかるジハロシランとして、例えば、ジメチル
ジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジクロロ
メチルフェニルシラン等が好ましく用いられる。

上記アルカリ金属としては、金属すトリウム、金属リチ
ウム、金属カリウム等を挙げることができる。これらの
アルカリ金属は、単独で用いてもよく、或いは２種以上
を組み合わせて用いることもできる。しかし、本発明に
おいては、特に、金属ナトリウムを用いることか好まし
い。

前記２官能性ケイ素化合物及びジハロシランにアルカリ
金属を反応させるに際して、２官能性ケイ素化合物及び
ジハロシランは、その合計量にて、通常、上記アルカリ
金属に対して、１．８〜５．０倍モル量、好ましくは２
．０〜２．５倍モル量の範囲で用いられる。アルカリ金
属は、通常、アルカリ金属に対して不活性である溶剤中
に分散させて、ディスパージョン（分散液）の形態にて
用いられる。

２官能性ケイ素化合物とジハロシランとの割合は、特に
、限定されるものではないが、通常、２官能性ケイ素化
合物／ジハロシランモル比にて０より大きく、１００以
下の間が好ましい。

上記２官能性ケイ素化合物及びジハロシランとアルカリ
金属との反応は、通常、溶剤を用いる液相にて行なわれ
る。用いる溶剤は、アルカリ土属に対して反応性をもた
ず、不活性であると共に、原料である２官能性ケイ素化
合物及びジハロシランに対しても不活性である溶剤であ
る。かかる溶剤の具体例としては、例えば、芳香族炭化
水素系溶剤、飽和炭化水素系溶剤、不飽和炭化水素系溶
剤、エーテル系溶剤等を挙げることができる。特に、ド
デカン、デカン等の飽和炭化水素系溶剤、トルエン、ベ
ンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、テトラヒ
ドロフラン等のエーテル系溶剤が好ましく用いられる。

これらの溶剤は、単独にて、又は２種以上の混合物とし
て用いられる。

反応は、通常、−５０℃から３００℃の範囲の温度にて
行なわれる。好ましくは、反応温度は、用いる溶剤に応
じて適宜に選ばれ、例えば、飽和炭化水素系溶剤を用い
るときは、通常、１２０〜２００　’Ｃ１芳香族炭化水
素系溶剤を用いるときは、８０〜２００　’Ｃ１また、
エーテル系溶剤を用いるときは、２０〜１５０℃の範囲
が好ましい。

また、反応は、減圧下にても、加圧下にても行なわれ、
反応圧力は、限定されるものではないが、減圧から６０
ｋｇ／ｃｏｔにわたってよい。しかし、通常は、０〜３
０ｋｇ／ｃｎ！、好ましくは、０〜５ｋｇ／−の範囲で
ある。反応時間は、反応温度及び圧力等を考慮して、適
宜に設定されるが、通常、５分乃至１週間であり、好ま
しくは、５〜８０時間である。

更に、かかる反応は、通常、不活性雰囲気下に行なわれ
る。不活性雰囲気としては、例えば、アルゴンや窒素雰
囲気が用いられる。

前記一般式（ＩＩ）で表わされる２官能性ケイ素化合物
は、不活性雰囲気下に一般式（ＩＶ）（ＩＶ） （式中、Ｒ２及びＲ３は、前記と同じである。）で表わ
されるＮ−置換インドールにアルキルリチウム、アリー
ルリチウム又はアラルキルリチウムを反応させ、次いで
、一般式（Ｖ） Ｒ’　−３ｉ−Ｘ （Ｖ） （式中、Ｒ１及びＸは、前記と同じである。）で表わさ
れるトリへロシランを反応させることによって得ること
ができる。

上記一般式（ＩＶ）で表わされるＮ−置換インドールに
おいて、Ｒ２及びＲ３は前記と同じであり、従って、Ｎ
−置換インドールとしては、例えば、Ｎ−メチルインド
ールやＮ−フェニルインドール等を好ましい具体例とし
て挙げることができる。

また、前記アルキルリチウムとしては、例えば、メチル
リチウム、エチルリチウム、ｎ−プロピルリチウム、イ
ソプロピルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、５ｅｃ−ブ
チルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、アミルリチウム、
ヘキシルリチウム等を挙げることかできる。アリールリ
チウムとしては、例えば、フェニルリチウム、トリルリ
チウム、メトギシフェニルリチウム等を挙げることがで
きる。

また、アラルキルリチウムとしては、例えば、ベンジル
リチウム、フェネチルリチウム、ｐ−メチルベンジルリ
チウム等を挙げることができる。かかる有機リチウムの
なかでは、特に、ｔ−ブチルリチウムが好ましく用いら
れる。

上記反応は、不活性雰囲気下に、通常、溶剤中にて行な
われる。溶剤としては、前記したような有機リチウム化
合物に不活性な溶剤であれば、特に、限定されるもので
はないが、例えば、ジエチルエーテル、ジメトキシエタ
ン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶
剤、ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、又はこれら
の混合溶剤が好ましく用いられる。また、前記有機リチ
ウムも、通常、これらと同じ不活性溶剤中にて潤製され
、かかる溶液として用いられる。不活性雰囲気としては
、通常、窒素、アルゴン等が好適である。

前記Ｎ置換インドールに前記したような有機リチうムを
反応させることによって、一般式（Ｖｌ）Ｒ２ （Ｖｌ） （式中、Ｒ２及びＲ３は、前記と同じである。）で表わ
されるリチウム化Ｎ置換インドール化合物を得る。しか
し、通常は、かかるリチウム化Ｎ置換インドール化合物
を単離する、ことなく、これを含む反応混合物に前記一
般式（Ｖ）で表わされるトリハロシランを反応させるこ
とによって、前記したインドリル置換２官能性有機ケイ
素化合物を得ることができる。

前記一般式（Ｖ）で表わされるトリハロシランとしては
、例えば、メチルトリクロロシラン、フェニルトリクロ
ロシラン等が好ましく用いられる。

前記Ｎ−置換インドールと有機リチウムとの反応におい
て、有機リチウムは、Ｎ−置換インドール１モルに対し
て、通常、１〜１．２モルの範囲テ用いられる。また、
トリハロシランも、Ｎ−置換インドール１モルに対して
、通常、１．０〜１．２モルの範囲で用いられる。

反応温度や反応時間等は、特に、限定されるものではな
いが、例えば、Ｎ置換インドールと有機リチウムとの反
応においては、Ｎ置換インドール溶液に有機リチウム溶
液を、通常、−１００°Ｃから２５℃、好ましくは、−
８０℃から一３０°Ｃの範囲の温度にて加えた後、−３
０℃から８０℃、好ましくは、０〜４０°Ｃの範囲の温
度にて、通常、数分乃至約１０時間、好ましくは３０分
間乃至２時間撹拌し、かくして、リチウム化Ｎ置換イン
ドールを生成させる。

次いで、このリチウム化Ｎ置換インドールとトリハロシ
ランとの反応においては、トリハロンランを含む反応混
合物にリチウム化Ｎ置換インドールを、通常、−１００
℃から８０℃、好ましくは、−８０℃から３０°Ｃの範
囲の温度にて加えた後、−３０℃から８０°Ｃ１好まし
くは、０〜５０℃の範囲の温度にて、通常、３０分間乃
至約４０時間、好ましくは１時間乃至２０時間撹拌下に
反応させる。

反応終了後、反応混合物から溶剤を減圧下に留去し、得
られた残渣を適宜の溶剤から再結晶し、或いは減圧蒸留
すれば、目的とするインドリル置換二官能性有機ケイ素
化合物を得ることができる。

再結晶溶剤としては、例えば、芳香族炭化水素、脂肪族
炭化水素又はこれらの混合溶剤が好適である。

このような方法によって、前記Ｎ−置換インドールやト
リハロシランに対応して、例えば、ジクロロメチル（２
−（１−メチルインドリル）〕シランや、ジクロロフェ
ニル（２−（１−メチルインドリル）〕シラン等を得る
ことができる。

本発明によるポリシラン化合物は、通常、導電率σは、
１０−”Ｓ／ｃｍ以下である。そして、かかるシラン化
合物にドーパントを添加することによって、導電率σは
、通常、０．０１〜１０３７ｃｍの範囲となる。従って
、かかるポリシラン化合物は、導電性材料として用いる
ことができる。

上記ドーパントとしては、特に限定されるものではなく
、従来から知られているものを用いることができる。具
体例として、例えば、■２．５０３、ＡｓＦ５等を挙げ
ることができる。また、ＳｂＦ５．５ｂＣ１ｓ、ＦＳＯ
３Ｈ１ＣＦ、５Ｏ３Ｈ１Ｈ２ＳＯ４、ベンゼンスルホン
酸等も用いることができる。これらのドーパントは、単
独で、或いは２種以上を組み合わせて用いることができ
る。本発明においては、ドーパントとしては、特に、Ｓ
ｂＦ５が好ましい。

本発明によるポリシラン化合物にドーパントを添加する
方法は、特に、限定されるものではなく、例えば、ポリ
シラン化合物からなる膜を形成し、この膜にドーパント
を塗布する等の方法を採用することができる。

このようにドーパントを使用することにより、本発明に
よるポリシラン化合物は良好な導電性を示すようになる
。従って、このポリシラン化合物を導電性材料として好
適に用いることができる。

また、本発明によるポリシラン化合物は、上記したよう
な導電性材料以外にも、例えば、ケイ素−ケイ素結合の
有する光機能性を利用して、感光材料等としても用いる
ことができる。

光浬影裏砺呆 本発明によれば、ケイ素原子上にインドリル基を有する
シラン単位を構造単位として含む新規な共重合ポリシラ
ン化合物が提供される。

このようなポリシラン化合物は、主鎖中に５ｉ−３ｉ結
合を有し、ケイ素原子上に直接に置換基としてインドリ
ル基を有するシラン単位を構造単位として有するので、
導電材料として好適に用いることができる。更に、フォ
トレジスト材料や記録材料としても用いることができる
。

特に、本発明によるポリシラン化合物は、これにＳｂＦ
５．５ｂＣ１ｓ、ＡｓＦ５等をドーパントとして含有さ
せることによって、すぐれた導電性を示す。

本発明による新規な共重合ポリシラン化合物は、インド
リル置換２官能性シラン化合物及びジハロシランにアル
カリ金属を反応させることによって得ることができる。

実施班 以下にインドリル置換２官能性シラン化合物の合成例を
参考例として記載すると共に、実施例を挙げて本発明を
説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定され
るものではない。

参考例１ （ジクロロフェニルｌ：２−（１−メチルインドリル）
〕シランの合成） １−メチルインドール６．３ｇ（４８ミリモル）のテＩ
・ラヒドロフラン（１００ｍ１）溶液を一７８℃に冷却
し、これに濃度１．７モル／βのｔ−ブチルリチウムの
ペンタン溶液２８ｍ１を加えた。２５℃まで昇温させ、
この温度にて２時間撹拌したところ、懸濁液を得た。

一７８℃に冷却したフェニルトリクロロシラン１０．２
ｇ（４８ミリモル）のテトラヒドロフラン（４０ｍｌ＞
溶液に上記懸濁液を徐々に加えた。室温で２０時間撹拌
した後、デカンテーションにて白色固形物を除去し、エ
バポレーターにて濃縮した。得られた油状物を減圧蒸留
（０，４ｍＨｇ）　して、ジクロロフェニル（２−（１
−メチルインドリル）〕シラン９．５ｇを得た。収率６
５％。この化合物は、減圧蒸留後、結晶化した。

沸点　１４６〜ｂ 赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ｃｍ−’　）３
０４５、２９２５．　１６０２．　１５８２．　１４９
０．　１４６０．　１４２２゜１３５５＋　１３０（Ｌ
　１１１０＋　１０７５＋　８００＋　７３０．６９０
＋　５８（Ｌ５５５゜ ’Ｈ−核磁気共鳴吸収スペクＩ・ル（ＣｒｌＣｈ溶液、
δ（ｐｐｍ）） ３．８７　（３Ｈ，ｓ、　ＮＣＩ＋３）１６．８９　（
１）１．　ｓ、　Ｃ＝Ｃｌ１）。

６．９−７．９　（９Ｈ，ｍ、　ａｒｏｍａｔｉｃ　Ｉ
Ｉ）。

参考例２ （ジクロロメチル（２−（１−メチルインドリル）〕シ
ランの合成） １−メチルインドール２２．３　ｇ　（０，１７モル）
のテトラヒドロフラン（２２０ｍ１）　溶液を一７８°
Ｃに冷却し、これに濃度１．７モル／１２のｔ−ブチル
リチウムのペンタン溶液１００ｍ１を加えた。２５℃ま
で昇温させ、この温度にて１．５時間撹拌したところ、
懸濁液を得た。

一７８℃に冷却したメチルトリクロロシラン２５．４ｇ
（０，１７モル）のテＩ・ラヒドロフラン（６０ｍｌ）
溶液に上記懸濁液を徐々に加えた。室温で１４時間撹拌
した後、デカンテーションにて白色固形物を除去し、エ
バポレーター及び真空ポンプにて溶媒を除去して、ジク
ロロメチル（２−（１−メチルインドリル）〕シラン３
２ｇを結晶として得た。融点６０〜６２℃。収率７６％
。

赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法、ｃｍ−’　）３
０５０、２９２０．１５４５．　１４６０．１３３８．
１２７０．　１１６０−１０００、７４０−７８０゜ ’Ｈ−核磁気共鳴吸収スベクトル（ＣＤＣＩ３溶液、δ
（ｐｐｍ）　） １．１７　　（３１Ｌ　　ｓ、　　５ｉＣＨ：＋）、　
　３．９７　　（３Ｈ，ｓ、　　ＮＣＲ３）　。

６．９４　（ＩＨ，ｓ、　Ｃ＝ＣＨ）、　６．９−７．
７　（４Ｈ，ｍ、　ａｒｏｍａ−ｔｉｃＨ）。

実施例１ （ジクロロメチル（１−（１−（メチルインドリル）〕
シランとジクロロメチルフェニルシランとの共重合） アルゴン雰囲気下に金属すＩ・リウム１．３８ｇ（６０
ミリモル）にｎ−ドデカン２０ｍ］を加え、１４０℃に
昇温し、激しく撹拌して、ナトリウムディスパージョン
を調製した。

このディスパージョンにジクロロメチル〔２−（１−（
メチルインドリル）〕９９７００．７３ｇ３．０ミリモ
ル）、ジクロロメチルフェニルシラン５．１６ｇ（２７
ミリモル）及びｎ−ドデカン２０ｍ１からなる溶液を滴
下し、１４０℃で６時間撹拌した。この間、激しい発泡
が起こり、紫色の固体が析出した。室温まで放冷後、こ
の固体をアルゴン雰囲気下で濾過し、ヘキサン、メタノ
ール、水、エタノール及びヘキサンの順序にて洗浄した
。

このようにして得た白色固体を乾燥して、平均分子量４
０００の共重合ポリシラン０．８５ｇを得た。

収率３３％。

融点　１９５〜１９８℃ 赤外線吸収スペクトル（ＸＢｒ錠剤法、ｃｍ−’　）１
４８０、“１４６０．１４２０．’１３００．１２４０
．１０９５．　１０６０゜７８０、７５０．７２５．６
９０゜ １Ｈ−核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣ１，溶液、δ
（ｐｐｍ）　） −１．２−０．５　（ｂｒ、　　５ｉＣｔｈ）、　　２
．６−３．４　（ｂｒ、　　ＮＣＨ３）。

５．８−７．５　（ｂｒ、　Ｃ＝ＣＨ及びａｒｏｍａｔ
ｉｃ　Ｈ）。

実施例２ （ジクロロフェニル（２−（１−（メチルインドリル）
〕シランとジクロロメチルフェニルシランとの共重合） アルゴン雰囲気下に金属ナトリウム１．３８ｇ（６０ミ
リモル）にｎ−ドデカン２０ｍ１を加え、１４０℃に昇
温し、激しく撹拌して、ナトリウムディスパージョンを
別製した。

このディスパージョンにジクロロフェニル〔２−（１−
（メチルインドリル）〕９５７００．９２ｇ３．０ミリ
モル）、ジクロロメチルフェニルシラン５．１６ｇ（２
７ミリモル）及びｎ−ドデカン１０ｍ１からなる溶液を
滴下し、１４０℃で４時間撹拌した。この間、激しい発
泡が起こり、紫色の固体が析出した。室温まで放冷後、
この固体をアルゴン雰囲気下で濾過し、ヘキサン、メタ
ノール、水、エタノール及びヘキサンの順序にて洗浄し
た。

このようにして得た白色固体を乾燥して、平均分吊型３
４００の共重合ポリシラン１．５０ｇを得た。

収率３８％。

融点　１６１〜１６６℃ 赤外線吸収スペクトル（ＸＢｒ錠剤法、ｃｍ−’　）１
５８０、１５６０．１４８０．１４６０．１４２０．１
３２０．１３００゜１２６０、１２４０．’１０９５．
１０６０．１０２０．７８０．７５０゜７２２．６９０
゜ ’Ｈ−核磁気共鳴吸収スベクトル（ＣＤＣ１３溶液、δ
（ｐｐｍ）　） １．２−０．４　（ｂｒ、　５ｉＣｔｂ）、　２．６−
３．４　（ｂｒ、　ＮＣＨ３）。

５．７−７．６　（ｂｒ、　Ｃ＝ＣＨ及びａｒｏｍａｔ
ｉｃ　Ｈ）。

元素分析値（％） Ｃ６Ｂ、５２．　Ｈ６，７６、Ｎ　Ｏ，７３，Ｓ’ｉ　
２０．１実施例２ （ジクロロフェニル（１−（１−（メチルインドリル）
）シランとジクロロジフェニルシランとの共重合） アルゴン雰囲気下に金属ナトリウム１．３８　ｇ（６０
ミリモル）にｎ−ドデカン２０ｍ１を加え、１４０℃に
昇温し、激しく撹拌して、ナトリウムディスパージョン
を８周製した。

このディスパージョンにジクロロフェニル〔２−（１−
（メチルインドリル）〕シラン０．９２　ｇ（３，０ミ
リモル）、ジクロロジフェニルシラン６゜８４ｇ（２７
ミリモル）及びｎ−ドデカン１０ｍ１からなる溶液を滴
下し、１４０℃で６時間撹拌した。この間、激しい発泡
が起こり、紫色の固体が析出した。室温まで放冷後、こ
の固体をアルゴン雰囲気下で濾過し、ヘキサン、メタノ
ール、水、エタノール及びヘキサンの順序にて洗浄した
。このようにして得た白色固体を乾燥して、平均分子量
１４００の共重合ポリシラン２．７５ｇを得た。

収率４９％。

融点　２８８〜２９６℃ 赤外線吸収スペクトル（ＸＢｒ錠剤法、ｃｍ−’　）１
４８０、１４２０．１０９０．７３０．６９５、ＩＨ−
核磁気共鳴吸収スペクトル（ＣＤＣ１３溶液、δ（ｐｐ
ｍ）） ２．６−３．４　（ｂｒ、　ＮＣＪ１３）、　６．０−
７．６　（ｂｒ、　Ｃ＝Ｃ１ｌ及びａｒｏｍａｔｔｃ　
Ｈ）。

実施例４ 実施例１にて得たポリシラン１．０ｇをジクロロエタン
７．２ｍｌに溶解させた。この溶液をスピンコード法に
て絶縁基板上に塗布して、厚さ６０００人の膜を形成し
た。

この膜にＳｂＦ、をドーピングした後、この膜に電圧を
印加し、流れる電流及び電圧を四探針法にて測定して、
導電性を評価したところ、この膜の導電率σは０．２７
　Ｓ　７ｃｍであった。

実施例５ 実施例２にて得たポリシランを用いて、実施例４と同様
にして、絶縁基板上に厚さ４６００人の膜を形成した。

この膜にＳｂＦ、をドーピングした後、導電性を測定し
た結果、導電率σは０．０４Ｓ／ｃｍであった。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）主鎖骨格が一般式（ I ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ａ） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ＾３は、水素、ア
   ルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。） で表わされる構造単位と、一般式（ I ｂ） （ I ｂ） （式中、Ｒ＾４及びＲ＾５は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基を示す。）で表わされ
   る構造単位とからなることを特徴とするポリシラン化合
   物。
2. （２）一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼ （II） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ＾３は、水素、ア
   ルキル基、アリール基又はアラルキル基を示し、Ｘはハ
   ロゲン原子を示す。） で表わされる２官能性ケイ素化合物及び一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼ （III） （式中、Ｒ＾４及びＲ＾５は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基を示す。）で表わされ
   るジハロシランにアルカリ金属を反応させることを特徴
   とする主鎖骨格が一般式（ I ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ａ） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ＾３は、水素、ア
   ルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。） で表わされる構造単位と、一般式（ I ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ｂ） （式中、Ｒ＾４及びＲ＾５は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基を示す。）で表わされ
   る構造単位とからなるポリシラン化合物の製造方法。
3. （３）主鎖骨格が一般式（ I ａ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ａ） （式中、Ｒ＾１及びＲ＾２は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ＾３は、水素、ア
   ルキル基、アリール基又はアラルキル基を示す。） で表わされる構造単位と、一般式（ I ｂ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （ I ｂ） （式中、Ｒ＾４及びＲ＾５は、それぞれ独立にアルキル
   基、アリール基又はアラルキル基を示す。）で表わされ
   る構造単位とからなるポリシラン化合物からなることを
   特徴とする導電性材料。