JPH02309532A - 含浸型陰極構体 - Google Patents
含浸型陰極構体Info
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- JPH02309532A JPH02309532A JP1132002A JP13200289A JPH02309532A JP H02309532 A JPH02309532 A JP H02309532A JP 1132002 A JP1132002 A JP 1132002A JP 13200289 A JP13200289 A JP 13200289A JP H02309532 A JPH02309532 A JP H02309532A
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Landscapes
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子管用の含浸型陰極構体に関するものである
。
。
電子管における含浸型陰極構体は、多孔質タングステン
からなる陰極基体と高融点金属製筒状体とをモリブデン
・ルテニウム合金からなるろう材でろう付し、さらに陰
極基体に電子放射物質を含浸することで製造される。従
来の含浸型陰極構体において陰極基体の形状は第３図に
示すように筒状体とのかん合部外径は非がん合部よりも
外径を加工し、筒状体は陰極基体にかん合するようかん
合部は非がん合部より内径を加工していた。そして、陰
極基体のかん合部に筒状体のかん合部をそう入し、さら
にアルコールと混合し泥状としたモリブデン・ルテニウ
ム混合粉末ろう材を塗布し、水素炉中で加熱することに
よりろう付を行なっていた。
からなる陰極基体と高融点金属製筒状体とをモリブデン
・ルテニウム合金からなるろう材でろう付し、さらに陰
極基体に電子放射物質を含浸することで製造される。従
来の含浸型陰極構体において陰極基体の形状は第３図に
示すように筒状体とのかん合部外径は非がん合部よりも
外径を加工し、筒状体は陰極基体にかん合するようかん
合部は非がん合部より内径を加工していた。そして、陰
極基体のかん合部に筒状体のかん合部をそう入し、さら
にアルコールと混合し泥状としたモリブデン・ルテニウ
ム混合粉末ろう材を塗布し、水素炉中で加熱することに
よりろう付を行なっていた。
上述した従来の方法によれば陰極基体のかん合部に筒状
体をそう人、かん合させる際、傾いてそう人されること
が多く、その結果陰極基体と筒状体とが傾いたままろう
付されることが多かった。
体をそう人、かん合させる際、傾いてそう人されること
が多く、その結果陰極基体と筒状体とが傾いたままろう
付されることが多かった。
傾きが大きくなると陰極から放射される電子ビームにか
たよりが生じ管球の特性に大きく影響するため、傾きは
小さいほど良いが従来では傾きが大きく、製造上の問題
点であった。
たよりが生じ管球の特性に大きく影響するため、傾きは
小さいほど良いが従来では傾きが大きく、製造上の問題
点であった。
第５図に従来の方法による傾きのグラフを示す。
傾きは平均で０．０２７６０最大で０．０５０３ｍｍで
あり、傾きの許容値とされる０、０３ｍｍをこえるもの
が全体の４０％を占めているという欠点を有していた。
あり、傾きの許容値とされる０、０３ｍｍをこえるもの
が全体の４０％を占めているという欠点を有していた。
本発明による含浸型陰極構体は、筒状体とのかん合部外
径が少くとも２設置上階段状加工されている陰極基体と
、含浸型陰極とのかん合部内径が少くとも２段以上階段
状に加工されている筒状体を有している。
径が少くとも２設置上階段状加工されている陰極基体と
、含浸型陰極とのかん合部内径が少くとも２段以上階段
状に加工されている筒状体を有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図である。
第１図中、空孔率２０％の多孔質タングステン陰極基体
１は電子放射物質が含浸され、裏面がモリブデンルテニ
ウム合金からなるろう材３によりモリブデン製筒状体２
とろう付されている。
１は電子放射物質が含浸され、裏面がモリブデンルテニ
ウム合金からなるろう材３によりモリブデン製筒状体２
とろう付されている。
本発明による含浸型陰極構体は直径１０ｍｍ、長さ５０
ｍｍの空孔率２０％の多孔質タングステン内にある空孔
の中にアクリル樹脂を充填し、次いで機械加工して、電
子放射面直径６ＴＭｉ、長さ２．５ｍｍ、電子放射面の
曲率半径１５皿の陰極基体１を得た。
ｍｍの空孔率２０％の多孔質タングステン内にある空孔
の中にアクリル樹脂を充填し、次いで機械加工して、電
子放射面直径６ＴＭｉ、長さ２．５ｍｍ、電子放射面の
曲率半径１５皿の陰極基体１を得た。
陰極基体１の筒状体２とのかん合部はさらに機械加工さ
れ、一部は長さ０．７ｍｍにわたり外径５．４ ｍｍに
されていて、残りの部分は長さ０．３順にわたり外径４
．８ｍｍとされている。
れ、一部は長さ０．７ｍｍにわたり外径５．４ ｍｍに
されていて、残りの部分は長さ０．３順にわたり外径４
．８ｍｍとされている。
次いで筒状体２を外径８ｍｍ長さ１００Ｂのモリブデン
棒を切削することにより作製した。筒状体２の陰極基体
１とのかん合部はさらに機械加工され一部で長さ０．７
Ｂにわたり内径５．４胴に機械加工され、残りの部分は
長さ０．３ｆｌにわたり内径４．８ｍｍにされている。
棒を切削することにより作製した。筒状体２の陰極基体
１とのかん合部はさらに機械加工され一部で長さ０．７
Ｂにわたり内径５．４胴に機械加工され、残りの部分は
長さ０．３ｆｌにわたり内径４．８ｍｍにされている。
機械加工された陰極基体は空気中４００℃に加熱してア
クリルを除去し、次いで筒状体をがん合させ、さらに陰
極基体の裏面にモリブデン・ルテニウム混合粉末からな
るろう材３を配置し、水素雰囲気中２０３０℃に加熱し
、ろう材３を溶融させ、陰極基体１と筒状体２をろう付
した。
クリルを除去し、次いで筒状体をがん合させ、さらに陰
極基体の裏面にモリブデン・ルテニウム混合粉末からな
るろう材３を配置し、水素雰囲気中２０３０℃に加熱し
、ろう材３を溶融させ、陰極基体１と筒状体２をろう付
した。
その後、水素雰囲気中１７５０℃い加熱し、電子放射物
質を溶融させ、陰極基体中に含浸させて第１図に示すよ
うな、含浸型陰極構体４を得た。
質を溶融させ、陰極基体中に含浸させて第１図に示すよ
うな、含浸型陰極構体４を得た。
ここで得られた含浸型陰極構体４は陰極基体１の筒状体
２とのかん合部外径が２段階にわたり加工されていてか
つ、筒状体２の陰極基体１とのかん合部内径が２段階に
わたり加工されて陰極基体１とかん合しているので、が
ん合部の傾きが小さくなる。第４図に示すように傾きは
平均で０．０１２８正最大で０．０２４５ｍｍと許容さ
れる傾き寸法０．０３＝より小さくなった。
２とのかん合部外径が２段階にわたり加工されていてか
つ、筒状体２の陰極基体１とのかん合部内径が２段階に
わたり加工されて陰極基体１とかん合しているので、が
ん合部の傾きが小さくなる。第４図に示すように傾きは
平均で０．０１２８正最大で０．０２４５ｍｍと許容さ
れる傾き寸法０．０３＝より小さくなった。
第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
第２図中、空孔率２０％の多孔質タングステン陰極基体
５は電子放射物質が含浸され、裏面がモリブデンルテニ
ウム合金からなるろう材３によりモリブデン製筒状体６
とろう付されている。
５は電子放射物質が含浸され、裏面がモリブデンルテニ
ウム合金からなるろう材３によりモリブデン製筒状体６
とろう付されている。
本発明による含浸型陰極構体は直径１０ｍｍ、長さ５０
胴の空孔率２０％の多孔質タングステン内にある空孔の
中にアクリル樹脂を充てんし、次いで機械加工して電子
放射面直径６ｍｍ、長さ２．５ ｍｍ、電子放射面の曲
率半径１５叫の陰極基体５を得た。
胴の空孔率２０％の多孔質タングステン内にある空孔の
中にアクリル樹脂を充てんし、次いで機械加工して電子
放射面直径６ｍｍ、長さ２．５ ｍｍ、電子放射面の曲
率半径１５叫の陰極基体５を得た。
陰極基体５の筒状体６とのかん合部はさらに機械加工さ
れ、一部は長さ０．４ ｍｍにわたり外径５．６Ｂとさ
れ、一部は長さ０．３薗にわたり外径４．８ ｍｍとさ
れ、残りの一部は長さ０．３ ｍｍにわたり外径４．２
胴とされている。
れ、一部は長さ０．４ ｍｍにわたり外径５．６Ｂとさ
れ、一部は長さ０．３薗にわたり外径４．８ ｍｍとさ
れ、残りの一部は長さ０．３ ｍｍにわたり外径４．２
胴とされている。
次いで筒状体６を外径８ｍｍ、長さ１００皿のモリブデ
ン棒を切削することにより作製した。
ン棒を切削することにより作製した。
筒状体６の陰極基体５とのかん合部はさらに機械加工さ
れ、一部は長さ０．４ ｍｍにわたり外径５．６薗とさ
れ、一部は長さ０．３ ｍｍにわたり外径４．８ ｍｍ
とされ、残りの一部は長さ０．３ ｍｍにわたり外径４
．２ｍｍとされている。
れ、一部は長さ０．４ ｍｍにわたり外径５．６薗とさ
れ、一部は長さ０．３ ｍｍにわたり外径４．８ ｍｍ
とされ、残りの一部は長さ０．３ ｍｍにわたり外径４
．２ｍｍとされている。
その後は実施例１と同様な方法により第２図に示すよう
な含浸型陰極構体７を得た。
な含浸型陰極構体７を得た。
ここで得られた含浸型陰極構体７は陰極基体５の筒状体
７とのかん合部外径が３段階にわたり加工されていてか
つ筒状体７の陰極基体５とのかん合部外径が３段階にわ
たり加工されて陰極基体５とかん合しているのでがん合
部の傾きが小さくなるという利点がある。
７とのかん合部外径が３段階にわたり加工されていてか
つ筒状体７の陰極基体５とのかん合部外径が３段階にわ
たり加工されて陰極基体５とかん合しているのでがん合
部の傾きが小さくなるという利点がある。
以上説明したように本発明の含浸型陰極構体は陰極基体
の筒状体とのかん合部外径が少くとも２段以上階段状に
加工し、かつ筒状体の陰極基体とのかん合部内径を陰極
基体内径にかん合するよう少くとも２段以上階段状に加
工したことを特徴としていることにより、かん合部の傾
きが第５図に示すように従来平均で０．０２７６ｍｍ、
最大で０．０５０４躯で設計上の許容値０．０３ｍｍを
こえるものがでており、陰極から放射される電子ビーム
にかたよりが生じていたのに対して本発明の含浸型陰極
構体はかん合部の傾きが第４図に示すように平均で０．
０１２８ｍｍ、最大で０．０２４５閣と小さくなり、陰
極から放射される電子ビームにかたよりが牢じることか
大幅に減少した。
の筒状体とのかん合部外径が少くとも２段以上階段状に
加工し、かつ筒状体の陰極基体とのかん合部内径を陰極
基体内径にかん合するよう少くとも２段以上階段状に加
工したことを特徴としていることにより、かん合部の傾
きが第５図に示すように従来平均で０．０２７６ｍｍ、
最大で０．０５０４躯で設計上の許容値０．０３ｍｍを
こえるものがでており、陰極から放射される電子ビーム
にかたよりが生じていたのに対して本発明の含浸型陰極
構体はかん合部の傾きが第４図に示すように平均で０．
０１２８ｍｍ、最大で０．０２４５閣と小さくなり、陰
極から放射される電子ビームにかたよりが牢じることか
大幅に減少した。
第１図は本発明による実施例１の縦断面図、第２図は本
発明の実施例２の縦断面図、第３図は従来の含浸型陰極
構体の縦断面図、第４図は本発明による実施例１による
かん合部傾きの測定結果、第５図は従来の含浸型陰極構
体によるかん合部傾きの測定結果。 １．５．８・・・・・・陰極基体、２，６，９・・・・
・・支持筒、３・・・・・・ろう材、４，７，１０・・
・・・・含浸型陰極構体。 代理人 弁理士 内 原 音 箭１図 第Ｚ図
発明の実施例２の縦断面図、第３図は従来の含浸型陰極
構体の縦断面図、第４図は本発明による実施例１による
かん合部傾きの測定結果、第５図は従来の含浸型陰極構
体によるかん合部傾きの測定結果。 １．５．８・・・・・・陰極基体、２，６，９・・・・
・・支持筒、３・・・・・・ろう材、４，７，１０・・
・・・・含浸型陰極構体。 代理人 弁理士 内 原 音 箭１図 第Ｚ図
Claims (1)
- 高融点金属の多孔質基体からなる陰極基体の電子放射面
の反対側に高融点金属製筒状体を備える含浸型陰極構体
において、前記陰極基体の前記筒状体とのかん合部外径
が少くとも２段以上の階段状であり、かつ該筒状体の該
陰極基体とのかん合部内径を該陰極基体内径にかん合す
る少くとも２段以上の階段状であることを特徴とする含
浸型陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132002A JPH02309532A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 含浸型陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132002A JPH02309532A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 含浸型陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02309532A true JPH02309532A (ja) | 1990-12-25 |
Family
ID=15071257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132002A Pending JPH02309532A (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 含浸型陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02309532A (ja) |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP1132002A patent/JPH02309532A/ja active Pending
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