JPH02309599A - マイクロ波誘導されたプラズマのための分光プラズマ・トーチ - Google Patents
マイクロ波誘導されたプラズマのための分光プラズマ・トーチInfo
- Publication number
- JPH02309599A JPH02309599A JP2117793A JP11779390A JPH02309599A JP H02309599 A JPH02309599 A JP H02309599A JP 2117793 A JP2117793 A JP 2117793A JP 11779390 A JP11779390 A JP 11779390A JP H02309599 A JPH02309599 A JP H02309599A
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- JP
- Japan
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- plasma
- torch
- discharge tube
- spectroscopic
- plasma discharge
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
{産業上の利用分IIIFJ
本発明は概して大器圧下で動作さリるタイプのプラズマ
トーチであって、ガス状物質の分析のための分析スペク
トロメータとの使用に適したものに関する.更に詳しく
は、本発明はプラズマがマイクロ波エネルギーによって
起こされるようなトーチに関する.本発明は、プラズマ
・サポート・ガスとしてヘリウムを用いるガス・クロマ
トグラフィー検出器の構成部分としての使用に非常に適
している。
トーチであって、ガス状物質の分析のための分析スペク
トロメータとの使用に適したものに関する.更に詳しく
は、本発明はプラズマがマイクロ波エネルギーによって
起こされるようなトーチに関する.本発明は、プラズマ
・サポート・ガスとしてヘリウムを用いるガス・クロマ
トグラフィー検出器の構成部分としての使用に非常に適
している。
[従来技術]
分光装置における使用に適した従来知られたプラズマ!
・−チは、サボー]・・ガス中にプラズマを起こすのに
使用される物理的機構にt* 、rfする二つの広いカ
テゴリーに分けられる.トーチの何れのカテゴリーもプ
ラズマを閑じ込めるための何等かの形の誘電プラズマ管
を使用し、理論ではOilれのカテゴリーも空気、窒素
、アルゴン及びヘリウムのようなサポート・ガス中にプ
ラズマを起こすように設計することができる.ガスクロ
マトグラファーの興味をlI’Pぶある種の非金属原子
種、例えば塩素、臭素、ヨウ素、炭素及び硫黄を含むも
ののみがヘリウムプラズマによって効果的に励起される
。
・−チは、サボー]・・ガス中にプラズマを起こすのに
使用される物理的機構にt* 、rfする二つの広いカ
テゴリーに分けられる.トーチの何れのカテゴリーもプ
ラズマを閑じ込めるための何等かの形の誘電プラズマ管
を使用し、理論ではOilれのカテゴリーも空気、窒素
、アルゴン及びヘリウムのようなサポート・ガス中にプ
ラズマを起こすように設計することができる.ガスクロ
マトグラファーの興味をlI’Pぶある種の非金属原子
種、例えば塩素、臭素、ヨウ素、炭素及び硫黄を含むも
ののみがヘリウムプラズマによって効果的に励起される
。
ある形式に於いては、プラズマ・サポート・ガスが層流
をともなって小さな径の放電管を通る.別の形式に於い
ては、サポート・ガスは渦流をともなっていくぶん大き
い径の放電管を通る。
をともなって小さな径の放電管を通る.別の形式に於い
ては、サポート・ガスは渦流をともなっていくぶん大き
い径の放電管を通る。
トーチの第一の広いカテゴリーは電磁結合プラズマ(i
nductively coupled p!asma
s(ICP) )を用いるものであり、現在は分光装置
において広く用いられている.このようなトーチは一般
にアルゴン、空気又は窒素といったサポート・ガスを用
い、500M}I.(典y長的には27.2M I1一
以下の14波数で1キロワツト以下の出力で動作するよ
うに作られ14)る、しかし、」、記のようにガス・ク
ロマ1−グラフィーは概してサボー■・ ガスとしてヘ
リウ11のf・p川を9!!求し、それ故I C!3は
カス・クロマトグラフィー検出器に使用されていない、
ICI)にヘリウムを用いる研究は非常に4i&かしか
ない、ヘリウムI CI)をつくるためには、数A・ロ
ワッI・の出力が通常要求される。これはプラズマ放電
管中に磁気的に誘導された電場が3亥管の軸線方向に沿
ってはゼロであり、軸線と内壁との間の領域の大部分で
は壁面の限界値にすぐに達するだけの状邪にある。この
電場形状はプラズマ放電管のBi ’lhi付近にある
ヘリウムによるエネルギーの大部分の吸収を引き起こさ
せ、アルゴン、窒素あるいは空気の何れと比較してもよ
り高いヘリウムの熱伝導性及び電子[寥動性がヘリウム
I CI)に対してより大きいエネルギー損失を起こし
、従って、そのエネルギーIC′1.失を補うためによ
り大きい出力が必要となるのである。ヘリウムを在来の
ICPトーチに使用するときは、アルゴン、窒素あるい
は空気の何れに関してもより遅いヘリウムのガス速度の
ために、渦巻き状の安定化されたプラズマを形成するこ
とのまたより難しいことである。−最的に、渦巻き状の
安定化されたヘリウムI C))を誘導するために、非
常に高い流量のヘリウムが数キロワットの出力で用いら
れなければならない。
nductively coupled p!asma
s(ICP) )を用いるものであり、現在は分光装置
において広く用いられている.このようなトーチは一般
にアルゴン、空気又は窒素といったサポート・ガスを用
い、500M}I.(典y長的には27.2M I1一
以下の14波数で1キロワツト以下の出力で動作するよ
うに作られ14)る、しかし、」、記のようにガス・ク
ロマ1−グラフィーは概してサボー■・ ガスとしてヘ
リウ11のf・p川を9!!求し、それ故I C!3は
カス・クロマトグラフィー検出器に使用されていない、
ICI)にヘリウムを用いる研究は非常に4i&かしか
ない、ヘリウムI CI)をつくるためには、数A・ロ
ワッI・の出力が通常要求される。これはプラズマ放電
管中に磁気的に誘導された電場が3亥管の軸線方向に沿
ってはゼロであり、軸線と内壁との間の領域の大部分で
は壁面の限界値にすぐに達するだけの状邪にある。この
電場形状はプラズマ放電管のBi ’lhi付近にある
ヘリウムによるエネルギーの大部分の吸収を引き起こさ
せ、アルゴン、窒素あるいは空気の何れと比較してもよ
り高いヘリウムの熱伝導性及び電子[寥動性がヘリウム
I CI)に対してより大きいエネルギー損失を起こし
、従って、そのエネルギーIC′1.失を補うためによ
り大きい出力が必要となるのである。ヘリウムを在来の
ICPトーチに使用するときは、アルゴン、窒素あるい
は空気の何れに関してもより遅いヘリウムのガス速度の
ために、渦巻き状の安定化されたプラズマを形成するこ
とのまたより難しいことである。−最的に、渦巻き状の
安定化されたヘリウムI C))を誘導するために、非
常に高い流量のヘリウムが数キロワットの出力で用いら
れなければならない。
近年、プラズマ・トーチのもう一つのカテゴリー、1列
えばマイクロ波誘導プラズマ(輸icrowavein
duced plasma(旧+1)) −トーチ、へ
の関心が高まってきた。これらの様式では、プラズマ放
電管の長手方向の軸線がマイクロ波空胴の対称軸線によ
って分割されている。数百ワットの出力の装置が100
0M 11 、を」−回る(典型的には2450M t
(−周波数で、トーチ及びマイクロ波空胴の双方の対称
軸線に沿って振動電場を発生させる。その結果、軸線に
沿った領域は極めて大きいプラズマ密度を1rシ、従っ
て、電場から最大の出力を吸収する。
えばマイクロ波誘導プラズマ(輸icrowavein
duced plasma(旧+1)) −トーチ、へ
の関心が高まってきた。これらの様式では、プラズマ放
電管の長手方向の軸線がマイクロ波空胴の対称軸線によ
って分割されている。数百ワットの出力の装置が100
0M 11 、を」−回る(典型的には2450M t
(−周波数で、トーチ及びマイクロ波空胴の双方の対称
軸線に沿って振動電場を発生させる。その結果、軸線に
沿った領域は極めて大きいプラズマ密度を1rシ、従っ
て、電場から最大の出力を吸収する。
層流の及び渦巻き状のサボーi・・ガス流の何れもがM
l l) トーチに用いられる。渦巻き状の安定化さ
れたM I I’ )−−チの記載がA、 Bollo
−Kamara及びl’、 、 G 、 Caddin
gの論文である’ ConsideraLions
in tbe TMaIo CaviLy f
or 0pLical Emi9sion S
pecLro8copy−S pceLrocl+1m
1ca Δeta。
l l) トーチに用いられる。渦巻き状の安定化さ
れたM I I’ )−−チの記載がA、 Bollo
−Kamara及びl’、 、 G 、 Caddin
gの論文である’ ConsideraLions
in tbe TMaIo CaviLy f
or 0pLical Emi9sion S
pecLro8copy−S pceLrocl+1m
1ca Δeta。
Vol、36B 、 No、10.pp、97:l−9
82,1981の中にあり、その開示は本明細H1中に
参考として記載しである。
82,1981の中にあり、その開示は本明細H1中に
参考として記載しである。
ガスクロマトグラフィーを必要とする分光装置のための
従来の総てのI CI)及びM l 11トーチは、有
機化合物が存在するとき、それらに関係するプラズマ放
電管の壁面に沿って炭素の付着が起こる。
従来の総てのI CI)及びM l 11トーチは、有
機化合物が存在するとき、それらに関係するプラズマ放
電管の壁面に沿って炭素の付着が起こる。
このような付着は、有機試料物質がプラズマが誘導され
る前にサポート・ガスの高温領域において早過ぎる熱分
解を受けるときに起こる。このような炭素付着は、もし
収り除かれなければその炭素の伝導性のために、空胴の
電気的シャンテインクによって引き起こされたプラズマ
の消滅をもたらずであろう、MIP型トーチにおいて1
1(来技術は、サンプルがサボーi・・ガスと混合され
た後、筒中な拡散によってプラズマ中に入ることを許容
するのが普通である。炭素付着は渦巻き状プラズマ・ト
ーチには問題でillるが、H4流放電管が使用される
4 h、ソルヴエンド・ピークがガスクロマトり゛ラフ
から抽出されるとき炭素付着はより大きくなり、ソルヴ
エン1−・ピークがプラズマ・トーチに入り込むことを
防ぐためにソルヴエント・ピークのJJj lj Lこ
特別の注意が払われなければならない。
る前にサポート・ガスの高温領域において早過ぎる熱分
解を受けるときに起こる。このような炭素付着は、もし
収り除かれなければその炭素の伝導性のために、空胴の
電気的シャンテインクによって引き起こされたプラズマ
の消滅をもたらずであろう、MIP型トーチにおいて1
1(来技術は、サンプルがサボーi・・ガスと混合され
た後、筒中な拡散によってプラズマ中に入ることを許容
するのが普通である。炭素付着は渦巻き状プラズマ・ト
ーチには問題でillるが、H4流放電管が使用される
4 h、ソルヴエンド・ピークがガスクロマトり゛ラフ
から抽出されるとき炭素付着はより大きくなり、ソルヴ
エン1−・ピークがプラズマ・トーチに入り込むことを
防ぐためにソルヴエント・ピークのJJj lj Lこ
特別の注意が払われなければならない。
炭素付着を化学的に除去するためにプラズマ・サポート
・ガスに水素又は酸素のようなスカヴエンジング・ガス
を加えることによって、IK来の技術ブラフζマ・トー
チにおける好ましくない炭素1寸着の形成が部分的に避
けられた。しかしこのアプローチは、酸素及び水素の同
時検出を妨げる。なぜならばそれらのうちの一方は炭素
の除去のために用いられなければならないからである。
・ガスに水素又は酸素のようなスカヴエンジング・ガス
を加えることによって、IK来の技術ブラフζマ・トー
チにおける好ましくない炭素1寸着の形成が部分的に避
けられた。しかしこのアプローチは、酸素及び水素の同
時検出を妨げる。なぜならばそれらのうちの一方は炭素
の除去のために用いられなければならないからである。
酸素不純物の4A合物がt ppm以下になされるとき
、これらの問題は強調され、酸素の特性分析の場合には
酸素を除去するためにサポート・ガスはフィルターにか
けられていた。
、これらの問題は強調され、酸素の特性分析の場合には
酸素を除去するためにサポート・ガスはフィルターにか
けられていた。
Me+sr!1.Bollo−Kamara及びCod
dingによって記載された渦巻き状横遺物(ただ二つ
の螺旋状ガスチャネルを有する)はプラズマ放電管中に
はぢようと良く適合せず、プラズマ・サポート・ガスを
幾分か軸線に沿ってプラズマ放電管に流してしまうとい
う欠点を露1;−1する。これは濯1巻きの崩壊をもた
らし、したがって、プラズマタ)安定性を減少させる。
dingによって記載された渦巻き状横遺物(ただ二つ
の螺旋状ガスチャネルを有する)はプラズマ放電管中に
はぢようと良く適合せず、プラズマ・サポート・ガスを
幾分か軸線に沿ってプラズマ放電管に流してしまうとい
う欠点を露1;−1する。これは濯1巻きの崩壊をもた
らし、したがって、プラズマタ)安定性を減少させる。
これはソルヴエント・ピークがガスクロマトグラフィー
から抽出される場合のように、大量の有機化合物がプラ
ズ゛?中に入るときに特に問題となる。
から抽出される場合のように、大量の有機化合物がプラ
ズ゛?中に入るときに特に問題となる。
「発明の概要」
本発明は当業者に知られたマイクロ波誘導プラズマのた
めの分光プラズマ・トーチの11能ケイパビリティ−を
拡張するものである。それは対称なマイクロ波管を備え
るハウジングによってなり、3ti管はハウジングを貫
通するアパーチャの軸線に関して配置されている。誘電
性プラズマ放電管がハウジング内でアパーチャと同ノC
弓こ配置されており、マイクロ波出力源に連結されたマ
イクロ波管を貫通している。一つのトーチ体がプラズマ
放電管の一端に取り付けられており、該トーチ体は放電
管と同心配列に並置された端部口径を有する。
めの分光プラズマ・トーチの11能ケイパビリティ−を
拡張するものである。それは対称なマイクロ波管を備え
るハウジングによってなり、3ti管はハウジングを貫
通するアパーチャの軸線に関して配置されている。誘電
性プラズマ放電管がハウジング内でアパーチャと同ノC
弓こ配置されており、マイクロ波出力源に連結されたマ
イクロ波管を貫通している。一つのトーチ体がプラズマ
放電管の一端に取り付けられており、該トーチ体は放電
管と同心配列に並置された端部口径を有する。
一つのプラズマ・サポート・ガス源がトーチ体の端部口
径と流体連通しており、端部口径内にはプラズマ放電管
に渦巻き状ガス流を誘導ための渦巻き状手段が配置され
ており、トーチの動作中、前記放電管の長手方向の軸線
に沿って内壁から離してプラズマをIII持安定させる
。高速ガスIn出手段が前記I−−千体に接続されてお
り、渦巻き状の安定化されたプラズマ中に直接ガス状試
着物質を導入するために渦巻き状手段を越えて伸び、プ
ラズマの外側の逸ばれた試料物質の早過ぎる熱分解によ
り引き起こされるプラズマ放電管中の炭素付着の形成を
防いでいる。
径と流体連通しており、端部口径内にはプラズマ放電管
に渦巻き状ガス流を誘導ための渦巻き状手段が配置され
ており、トーチの動作中、前記放電管の長手方向の軸線
に沿って内壁から離してプラズマをIII持安定させる
。高速ガスIn出手段が前記I−−千体に接続されてお
り、渦巻き状の安定化されたプラズマ中に直接ガス状試
着物質を導入するために渦巻き状手段を越えて伸び、プ
ラズマの外側の逸ばれた試料物質の早過ぎる熱分解によ
り引き起こされるプラズマ放電管中の炭素付着の形成を
防いでいる。
従って、本発明の目的の二つはマイクロ波誘導プラズマ
のための新規で改良された分)ζプラズマ・トーチを提
供することである。
のための新規で改良された分)ζプラズマ・トーチを提
供することである。
本発明のもう一つの目的は、プラズマ放電管の壁面」−
1で炭素付着が形成され、試料吸収がなされることを防
ぐ分光プラズマ・トーチを提供することである。
1で炭素付着が形成され、試料吸収がなされることを防
ぐ分光プラズマ・トーチを提供することである。
本発明のもう一つの目的は、プラズマを族1ヒ管の長手
方向のl11+線部分にtI持し安定させるように働く
プラズマ・サポート・ガスのための新規で改善された渦
巻き伏流を提[j−することである。
方向のl11+線部分にtI持し安定させるように働く
プラズマ・サポート・ガスのための新規で改善された渦
巻き伏流を提[j−することである。
本発明のもう一つの目的は、スカヴエンジャー・ガスの
使用を・g・要としない新規で改良された分光プラズマ
・トーチを提供することである。
使用を・g・要としない新規で改良された分光プラズマ
・トーチを提供することである。
更に、本発明のもう一つのL1的は、炭素、水素及び酸
素を同時に検出できる分光プラズマ・トーチを提供する
ことである。
素を同時に検出できる分光プラズマ・トーチを提供する
ことである。
更に、本発明のもう一つの目的は、炭素1=i着の形成
を防ぎ、ガスクロマトグラフの出力からのソルヴエント
・ピークがプラズマ中に入るときの安定性を改善し、ま
た、試料感度及び選択性を改善するために、ガス状試料
物質を渦巻き状の安定化されたプラズマ中に直接導入す
る高速ガス噴流を実施する分光プラズマ・l〜−チを提
供することである。
を防ぎ、ガスクロマトグラフの出力からのソルヴエント
・ピークがプラズマ中に入るときの安定性を改善し、ま
た、試料感度及び選択性を改善するために、ガス状試料
物質を渦巻き状の安定化されたプラズマ中に直接導入す
る高速ガス噴流を実施する分光プラズマ・l〜−チを提
供することである。
本発明の特徴と見なψる新規な特徴が、特許請求の範囲
に訂しく記載されている。
に訂しく記載されている。
[実施例]
幾−)かの図面、特に第1図を参照すると、分光プラズ
マ・トーチ10が示されている。トーチ10はマイクロ
波ハウジング12によって作られており、そのハウジン
グ12は該ハウジング12をは通して伸びるアパーチャ
16に関して対称的に配置されたマイクロ波空胴を有す
る。−木の誘電性のマイクロ波透過性プラズマ放電管1
8がアパーチャ16を通って伸び、その長手方向の軸線
は空胴14の対称軸線と一致している。ハウジング12
は好ましくは電気的にも熱的にも伝導性があるもので、
アルミのような金属から作られてもよい0石英、アルミ
、窒化ホウ素及びベリリウムは何れもプラズマ放電管1
8適した金属である。同軸コ本りター20及びマイクロ
波カツアリング・ループ・アンテナ22がマイクロ波出
力源と空胴14をカップリングするのに用いられている
。トーチ体24がプラズマ放電管18の一端26に収り
付けられている。熱隔離ワッシャー25がトーチ体24
の位置をマイクロ波ハウジング12から離れた所に維持
している。1〜−チ体24は端部口径26を有しており
、それはプラズマ放電管18の長子方向の1IIll線
と141111+配置に・1「、置されている。j≦【
路:JOが端部口径26を1ラフ;マ・サポート・ガス
′J、12に接続している。放電管を通るプラズマ・サ
ポート・ガス中に渦流を誘導するための渦悠き状手段3
2が、端部口径26内で流路30の下流に配:ηされて
いる。高速ガス噴流手段:3Gがトーチ体24に収り付
けられ、図示のように渦巻き状手段32の端部35を越
えて伸びている。噴流手段36はガス状試料物質を直接
、渦巻き状の安定化されたプラズマ34中に導入し、そ
れによって、プラズマの外の有1汽試f”1物質の早過
ぎる熱分解よって引き起こされるプラズマ放電管18の
内11!Itでの炭素付着の形成を防いでいる。一本の
流路38がガス噴流手段36を、例えばガスクI7マト
グラフからの産出物であるガス状試料物質源に接続して
いる。ガス状噴流「段:(6は、例えばアルミニューム
、ベリリウム、窒化ホウ素或は石英のような誘電物質で
できた中空の長く伸びたノズル40を有する。ノズル4
0は第1端部4Zと第2端部44を有する。ノズル40
の第1端部42は流路46を介して噴流ガス源に接続さ
れている。流路46を通る;4流カスの流星は試t1物
質をプラズマ34中に注入するために最大の速度をりえ
るように還択される。一般的に噴1f+Eガス、プラズ
マ・サポート・ガス及びキャリアー・カスがクロマ■・
グラフ・カラノ\内で試f目勿質を輸送1〜、分離する
のに用いられる。kr適には、そのガスは極めて純粋な
ヘリウムである。
マ・トーチ10が示されている。トーチ10はマイクロ
波ハウジング12によって作られており、そのハウジン
グ12は該ハウジング12をは通して伸びるアパーチャ
16に関して対称的に配置されたマイクロ波空胴を有す
る。−木の誘電性のマイクロ波透過性プラズマ放電管1
8がアパーチャ16を通って伸び、その長手方向の軸線
は空胴14の対称軸線と一致している。ハウジング12
は好ましくは電気的にも熱的にも伝導性があるもので、
アルミのような金属から作られてもよい0石英、アルミ
、窒化ホウ素及びベリリウムは何れもプラズマ放電管1
8適した金属である。同軸コ本りター20及びマイクロ
波カツアリング・ループ・アンテナ22がマイクロ波出
力源と空胴14をカップリングするのに用いられている
。トーチ体24がプラズマ放電管18の一端26に収り
付けられている。熱隔離ワッシャー25がトーチ体24
の位置をマイクロ波ハウジング12から離れた所に維持
している。1〜−チ体24は端部口径26を有しており
、それはプラズマ放電管18の長子方向の1IIll線
と141111+配置に・1「、置されている。j≦【
路:JOが端部口径26を1ラフ;マ・サポート・ガス
′J、12に接続している。放電管を通るプラズマ・サ
ポート・ガス中に渦流を誘導するための渦悠き状手段3
2が、端部口径26内で流路30の下流に配:ηされて
いる。高速ガス噴流手段:3Gがトーチ体24に収り付
けられ、図示のように渦巻き状手段32の端部35を越
えて伸びている。噴流手段36はガス状試料物質を直接
、渦巻き状の安定化されたプラズマ34中に導入し、そ
れによって、プラズマの外の有1汽試f”1物質の早過
ぎる熱分解よって引き起こされるプラズマ放電管18の
内11!Itでの炭素付着の形成を防いでいる。一本の
流路38がガス噴流手段36を、例えばガスクI7マト
グラフからの産出物であるガス状試料物質源に接続して
いる。ガス状噴流「段:(6は、例えばアルミニューム
、ベリリウム、窒化ホウ素或は石英のような誘電物質で
できた中空の長く伸びたノズル40を有する。ノズル4
0は第1端部4Zと第2端部44を有する。ノズル40
の第1端部42は流路46を介して噴流ガス源に接続さ
れている。流路46を通る;4流カスの流星は試t1物
質をプラズマ34中に注入するために最大の速度をりえ
るように還択される。一般的に噴1f+Eガス、プラズ
マ・サポート・ガス及びキャリアー・カスがクロマ■・
グラフ・カラノ\内で試f目勿質を輸送1〜、分離する
のに用いられる。kr適には、そのガスは極めて純粋な
ヘリウムである。
ヒートシンク手段4日がプラズマ放電管1Bのもう一方
の端部50と熱接触しているところが図示されている。
の端部50と熱接触しているところが図示されている。
ピー1ヘシフ2手段48は金属冷却フィン52として第
1図に示されているが、別の手段、例えば水冷ジャケラ
1へ(図示せず)も十分に用いることができることが理
解される。第1図の実施例においては、熱移送を高める
ためにグラファイト製フェルール54がプラズマ放電管
18の外1lI11部分56の一方の端部に近い部分と
金属冷却フィン52の部分との間に:πかれている。ネ
ジ部品58が冷却フィン52を゛?イク17波ハウジン
グ12に固定し、グラファイト製フェルール54を放電
管18の部分と一致するように押し付けるために用いら
れる。トーチ体24部分内でガス状試f’l物質の凝縮
が起こらないようにするために、略本的に要素60とし
て示された過熱手段が17−えられてもよい、過熱手段
は例えば、赤外線過熱ランプ(1’ffl示きず〉、1
−−チ体に巻かれた長い電気ヒーター・テープ(図示せ
ず)又は好適には]・−チ体Z4の部分を受は入れるの
に適した熱質量及び電気カートリッジ・ヒーター(何れ
もし1示ぜ゛ず)を提供する金属ハウジングがらなって
もよい。
1図に示されているが、別の手段、例えば水冷ジャケラ
1へ(図示せず)も十分に用いることができることが理
解される。第1図の実施例においては、熱移送を高める
ためにグラファイト製フェルール54がプラズマ放電管
18の外1lI11部分56の一方の端部に近い部分と
金属冷却フィン52の部分との間に:πかれている。ネ
ジ部品58が冷却フィン52を゛?イク17波ハウジン
グ12に固定し、グラファイト製フェルール54を放電
管18の部分と一致するように押し付けるために用いら
れる。トーチ体24部分内でガス状試f’l物質の凝縮
が起こらないようにするために、略本的に要素60とし
て示された過熱手段が17−えられてもよい、過熱手段
は例えば、赤外線過熱ランプ(1’ffl示きず〉、1
−−チ体に巻かれた長い電気ヒーター・テープ(図示せ
ず)又は好適には]・−チ体Z4の部分を受は入れるの
に適した熱質量及び電気カートリッジ・ヒーター(何れ
もし1示ぜ゛ず)を提供する金属ハウジングがらなって
もよい。
第2A図を参照すると、石英ガラスで作られた従来技術
の細い誘電プラズマ放電管210の断面が示されている
。肢管は一般的に直径が2111−以下の内腔212を
有する。プラズマ214は細い管内で電磁結合又はマイ
クロ波による誘導によって作られてもよい、プラズマ・
サポート・ガスは内腔212内をR流を」(なって通る
ので、プラズマは管の内面の部分と直接接触している。
の細い誘電プラズマ放電管210の断面が示されている
。肢管は一般的に直径が2111−以下の内腔212を
有する。プラズマ214は細い管内で電磁結合又はマイ
クロ波による誘導によって作られてもよい、プラズマ・
サポート・ガスは内腔212内をR流を」(なって通る
ので、プラズマは管の内面の部分と直接接触している。
プラズマによって発生した高温のために、その細い管は
例えばウォータージャケット(図示せず)のような冷却
手段で1Nり巻くことが必要であ、る。
例えばウォータージャケット(図示せず)のような冷却
手段で1Nり巻くことが必要であ、る。
第2B国はfiC来技術の渦流型プラズマ放電管216
の1Ui面図である。該管は専ら石英ガラスで作られて
おり、lJt+llo−Kamara及びCoddin
gの論文に開示されている。このトーチはガスクロマト
グラフと共に用いることができなかったことが知られて
いる。かなりのエアゾルが作られ、プラズマ中に導入さ
れた。トーチtM造には同心の管配列が用いられている
。内側の石英管217には口径の大きい方の端部218
に一対の螺旋状の切込みが付けられている。同心の外側
の(]英骨管19は内側の石英管217の切込みを付け
られた端部218の回りで各々第1及び第2の螺旋ガス
流路220及び221を形成するヒート・シュランク(
l+cat sl+runk)である。
の1Ui面図である。該管は専ら石英ガラスで作られて
おり、lJt+llo−Kamara及びCoddin
gの論文に開示されている。このトーチはガスクロマト
グラフと共に用いることができなかったことが知られて
いる。かなりのエアゾルが作られ、プラズマ中に導入さ
れた。トーチtM造には同心の管配列が用いられている
。内側の石英管217には口径の大きい方の端部218
に一対の螺旋状の切込みが付けられている。同心の外側
の(]英骨管19は内側の石英管217の切込みを付け
られた端部218の回りで各々第1及び第2の螺旋ガス
流路220及び221を形成するヒート・シュランク(
l+cat sl+runk)である。
これらの流路を密閉すること及び同心管の間の軸線方向
のガス流を避けることに、特別の注意が払われなければ
ならない、内filllの管217と外囲の管219と
の間の環状間隙の周りにシール22:(が形成されてい
る。プラズマ・サポート・ガスのために流路222が一
す、えられている。内側の管217の流路224は分析
エアゾルの導入のために用いられる。流路224は二重
切込み端部218の41部を越えて?Ilびてはいない
が、端部面226で境界を共にしている。ニアゾル混り
領域226はプラズマ230より上流に位置している。
のガス流を避けることに、特別の注意が払われなければ
ならない、内filllの管217と外囲の管219と
の間の環状間隙の周りにシール22:(が形成されてい
る。プラズマ・サポート・ガスのために流路222が一
す、えられている。内側の管217の流路224は分析
エアゾルの導入のために用いられる。流路224は二重
切込み端部218の41部を越えて?Ilびてはいない
が、端部面226で境界を共にしている。ニアゾル混り
領域226はプラズマ230より上流に位置している。
葭にスカヴエンジング・ガスが用いられても、炭素付活
232は放電管の内側表面に1[5成されからである、
というのは、有機分析物はそれらがプラズマ2:(0中
に入る1111に早過ぎる熱分解を受ける傾向が有るか
らである。別の従来技術の渦巻き型プラズマ放電管は内
側の管217が具鍮又はポリテトラフルオロエチレンの
何れがで作られている事が知られている。これらの知ら
れた従来技14ijは、渦巻き状ガス流を誘存する二つ
の螺旋流路以上に使用されたとは思えない。
232は放電管の内側表面に1[5成されからである、
というのは、有機分析物はそれらがプラズマ2:(0中
に入る1111に早過ぎる熱分解を受ける傾向が有るか
らである。別の従来技術の渦巻き型プラズマ放電管は内
側の管217が具鍮又はポリテトラフルオロエチレンの
何れがで作られている事が知られている。これらの知ら
れた従来技14ijは、渦巻き状ガス流を誘存する二つ
の螺旋流路以上に使用されたとは思えない。
第3 UKには渦巻き状手段:32の一つの実施例の拡
大部分切欠き図が示されており、また、高速ガス噴流手
段36が第1し1はと詳しくないが示されている。特に
、誘電性プラズマ放電管18がその一端26がオーバー
ラッピング・ジヨイント64をJ[3成するようにトー
チ体24に組み込まれているところが示されている。こ
の実施例において、端部口径26は放電管18の内径よ
りも小さい、一部口径26は外に向かって先細になる遷
移領域66を有し、それは小さい断面領域がら大きい断
面領域に接線方向に流れる)゛ラズマ・サポート・ガス
中の好ましくない ′乱流の形成を妨げる。端部1
コ径が放電管18の内径よりも大きいという設計は何等
かの好ましくない乱流を起こすことが当業者には明らか
であろう。
大部分切欠き図が示されており、また、高速ガス噴流手
段36が第1し1はと詳しくないが示されている。特に
、誘電性プラズマ放電管18がその一端26がオーバー
ラッピング・ジヨイント64をJ[3成するようにトー
チ体24に組み込まれているところが示されている。こ
の実施例において、端部口径26は放電管18の内径よ
りも小さい、一部口径26は外に向かって先細になる遷
移領域66を有し、それは小さい断面領域がら大きい断
面領域に接線方向に流れる)゛ラズマ・サポート・ガス
中の好ましくない ′乱流の形成を妨げる。端部1
コ径が放電管18の内径よりも大きいという設計は何等
かの好ましくない乱流を起こすことが当業者には明らか
であろう。
先細遷移領域66は放電管18の内径を端部口径26と
同様にそして近接するように形成することで完全に避け
られ得ると!1μ解されるべきである。第3図の実施例
においては、プラズマ放電管18をトーチ体24にしっ
かりと柿付けるために金属カツアリング6日が使用され
ている。そのカップリング68は永久アセンブリにする
ためにブレイズ熔接されてもよい、プラズマへの好まし
くない摂動を防ぐために気密シールは必要とされないの
で、代わりにカップリンク68は崖にスプリング保持ク
リップとして機能しても良い。
同様にそして近接するように形成することで完全に避け
られ得ると!1μ解されるべきである。第3図の実施例
においては、プラズマ放電管18をトーチ体24にしっ
かりと柿付けるために金属カツアリング6日が使用され
ている。そのカップリング68は永久アセンブリにする
ためにブレイズ熔接されてもよい、プラズマへの好まし
くない摂動を防ぐために気密シールは必要とされないの
で、代わりにカップリンク68は崖にスプリング保持ク
リップとして機能しても良い。
第3図の実施例の設計はプラズマ・サポートガスとして
ヘリウムを使用するのに最適にされている。第11ど1
に兄られるように、このように1λ1連1゛るマイク1
7波空胴14は1)l彌槽の軸線方向の長さを有し、再
入可能なフランジ部分70を有している。
ヘリウムを使用するのに最適にされている。第11ど1
に兄られるように、このように1λ1連1゛るマイク1
7波空胴14は1)l彌槽の軸線方向の長さを有し、再
入可能なフランジ部分70を有している。
1■入り能なフランジ部分70は8nmの長さを8し、
環状リップ72eイi’している。第3図の実施例にお
いては、渦巻き状手段3Zは六つの当間隔の螺旋状i/
4を持った金属性差し込み金具から成る0選ばれた別の
物質が使用されてもよいが、渦巻き状差し込み金具及び
]・−チ体24のための金属の使用は接近した寸法:1
容差t、Il持の促進に好ましい、踊の1・tいた差し
込み金具がトーチ体24の口径26に組み込まれるとき
、纜数の螺旋状プラズマ・サポート・ガス・チャネル6
2が形成される。このようなチャネルが第4図に示され
ており、該1図は第3図の4−4線から見たらチャネル
ii巻き状差し込み金具の断面図である。この図では個
々のガス・チャネル62a、62b、62c、62d、
62c及び624が渦巻き状差し込み金具の周辺に一様
に間隔を開けて示されている。開発段階の試験ではただ
二つの螺h2ガス・サポート・チャネルを有する従来技
術の渦巻き発生tM造体は、1ラスマ放射スペクトルを
検出するように設計された11月IJi、iil’ I
tヒな分析装置での使用に適するヘリウムのプラズマを
維持し、安定さ古るのに適していないという指摘があっ
た。このような装置には、少なくとも4つのvA旋プラ
ズマ・ガス・サボー1〜・チャイ・ル6Zが必要である
と考えられた。
環状リップ72eイi’している。第3図の実施例にお
いては、渦巻き状手段3Zは六つの当間隔の螺旋状i/
4を持った金属性差し込み金具から成る0選ばれた別の
物質が使用されてもよいが、渦巻き状差し込み金具及び
]・−チ体24のための金属の使用は接近した寸法:1
容差t、Il持の促進に好ましい、踊の1・tいた差し
込み金具がトーチ体24の口径26に組み込まれるとき
、纜数の螺旋状プラズマ・サポート・ガス・チャネル6
2が形成される。このようなチャネルが第4図に示され
ており、該1図は第3図の4−4線から見たらチャネル
ii巻き状差し込み金具の断面図である。この図では個
々のガス・チャネル62a、62b、62c、62d、
62c及び624が渦巻き状差し込み金具の周辺に一様
に間隔を開けて示されている。開発段階の試験ではただ
二つの螺h2ガス・サポート・チャネルを有する従来技
術の渦巻き発生tM造体は、1ラスマ放射スペクトルを
検出するように設計された11月IJi、iil’ I
tヒな分析装置での使用に適するヘリウムのプラズマを
維持し、安定さ古るのに適していないという指摘があっ
た。このような装置には、少なくとも4つのvA旋プラ
ズマ・ガス・サボー1〜・チャイ・ル6Zが必要である
と考えられた。
大きさの制限は螺旋ガス・チャネルの最大数を約9に制
限する。第3図の実施例においては、6つの各カス・チ
ャネルには各々60°から85°の螺旋角度(中心軸線
から計ったもの)が付けられている。これらの値は6輪
−の内径を有する放電管と毎分2乃至6リツトルのヘリ
ウム・ガス流との使用のために決定された。これらの値
はまた、およそ毎分100m lの高速ガス噴流手段3
6を通る添加ヘリウム流をも考に′i、シである。ガス
状試料物質を導入するための高速ガス噴流手段36の使
用は、試料が周りのサポート・ガスの大きな流れの中で
希薄になる”口を防ぐ、これはり1き起こされた放射の
強度を増加させる。噴流手段3からの試IT 導入はプ
ラズマ中に入る11;1にプラズマ放電管の内壁に炭素
の付着が形成されることを1(1」ぐ、炭素f−[7↓
の観察はプラズマ放電管に生じる、より一般的な試料1
4箔の111なる[1に見える現象である。プラズマ放
電管の壁(こに+i収さitた1勿ηは、いつかは去り
かれて〕。
限する。第3図の実施例においては、6つの各カス・チ
ャネルには各々60°から85°の螺旋角度(中心軸線
から計ったもの)が付けられている。これらの値は6輪
−の内径を有する放電管と毎分2乃至6リツトルのヘリ
ウム・ガス流との使用のために決定された。これらの値
はまた、およそ毎分100m lの高速ガス噴流手段3
6を通る添加ヘリウム流をも考に′i、シである。ガス
状試料物質を導入するための高速ガス噴流手段36の使
用は、試料が周りのサポート・ガスの大きな流れの中で
希薄になる”口を防ぐ、これはり1き起こされた放射の
強度を増加させる。噴流手段3からの試IT 導入はプ
ラズマ中に入る11;1にプラズマ放電管の内壁に炭素
の付着が形成されることを1(1」ぐ、炭素f−[7↓
の観察はプラズマ放電管に生じる、より一般的な試料1
4箔の111なる[1に見える現象である。プラズマ放
電管の壁(こに+i収さitた1勿ηは、いつかは去り
かれて〕。
ラズマ中に入り、後にり1コマトゲラフ信すのピーク・
ティリングを引き起こす。
ティリングを引き起こす。
第3図の実施例に置いては、ノズル40がアルミナで造
られており、その内径は0,3051Iτ・であり外径
は0.711mmである。ノズル40の第2の端部44
は渦巻き状手段32の端部面35を4mIII超えて伸
びている。毎分100i*Iの典型的なヘリウム噴流量
により、このノズルによるヘリウム・ガスの線速度はお
よ毎秒2,300cmで有る。6+Hの内径をイfする
プラズマ放電管18を通る毎分5リツトルのヘリウム流
量が毎秒294cmの軸線方向のプラズマ・サポート・
ガス速度を引き起こすことがかなりの問題であると気ず
く、第3図の実施例においては、渦巻き状手段35の端
部が再入可能なフランジ70のリップ72から直線にし
て65ya−L流に離して配置されている。
られており、その内径は0,3051Iτ・であり外径
は0.711mmである。ノズル40の第2の端部44
は渦巻き状手段32の端部面35を4mIII超えて伸
びている。毎分100i*Iの典型的なヘリウム噴流量
により、このノズルによるヘリウム・ガスの線速度はお
よ毎秒2,300cmで有る。6+Hの内径をイfする
プラズマ放電管18を通る毎分5リツトルのヘリウム流
量が毎秒294cmの軸線方向のプラズマ・サポート・
ガス速度を引き起こすことがかなりの問題であると気ず
く、第3図の実施例においては、渦巻き状手段35の端
部が再入可能なフランジ70のリップ72から直線にし
て65ya−L流に離して配置されている。
この配置はリップ72からノズル40の第2端部44を
上流に2 m m FJ、ずことになる、第1図に示さ
れるようにプラズマ34はリップ72の下流で誘導され
る。
上流に2 m m FJ、ずことになる、第1図に示さ
れるようにプラズマ34はリップ72の下流で誘導され
る。
第5図は高速ガス噴流手段36によって可能になるクロ
マトグラフの感度における改善を明示する4つのクロマ
トグラフを示す、データは」−記の第3図の実施例に従
ってプラズマ・トーチを用いることによって測定された
0曲線80aは高速ガス噴流手段3Gを使用しないとき
の、3つの正規同族列アルカン:CzHi。;C+qH
s2;CI@H34の混き物に対する分vi実験の炭素
チャネルからのり1フマトグラムである。同様に、曲線
801)は同じ3つの正規同族列アルカンの混合物に対
しプラズマ・トーチ10が高速ガス噴流手段36によっ
て動作される分析実験による炭素−1−ヤネルからのク
ロマトグラムである。ピーク81gは有椰資石溶剤に関
するものであるが、R1溶剤はプラズマを消滅か仕るの
で極めて細い、溶剤がプラズマ領域を通って初めてプラ
ズマは再注入される。ピーク82a、831及び84a
は各々C、、、C+S及びC,アルカンに関するもので
、Pνる。3つのピークの下にある測成85はプラズマ
放電管の壁面状に残った炭;+: 11着からのピーク
・ディリング3示している。カス噴流手段36が同じ7
゛ルカンの混合物の検出に1重用されるとき、溶剤はと
〜7811)として現れ、プラズマを消滅させることは
無い、I、T!に、残りの炭素ティリングも無い。
マトグラフの感度における改善を明示する4つのクロマ
トグラフを示す、データは」−記の第3図の実施例に従
ってプラズマ・トーチを用いることによって測定された
0曲線80aは高速ガス噴流手段3Gを使用しないとき
の、3つの正規同族列アルカン:CzHi。;C+qH
s2;CI@H34の混き物に対する分vi実験の炭素
チャネルからのり1フマトグラムである。同様に、曲線
801)は同じ3つの正規同族列アルカンの混合物に対
しプラズマ・トーチ10が高速ガス噴流手段36によっ
て動作される分析実験による炭素−1−ヤネルからのク
ロマトグラムである。ピーク81gは有椰資石溶剤に関
するものであるが、R1溶剤はプラズマを消滅か仕るの
で極めて細い、溶剤がプラズマ領域を通って初めてプラ
ズマは再注入される。ピーク82a、831及び84a
は各々C、、、C+S及びC,アルカンに関するもので
、Pνる。3つのピークの下にある測成85はプラズマ
放電管の壁面状に残った炭;+: 11着からのピーク
・ディリング3示している。カス噴流手段36が同じ7
゛ルカンの混合物の検出に1重用されるとき、溶剤はと
〜7811)として現れ、プラズマを消滅させることは
無い、I、T!に、残りの炭素ティリングも無い。
ピーク82b、83b及び841+は再び各” CI+
+ c+ s及び(:1.アルカンに対応する。高感
度で/)す、ピーク・ディリングの無いことは、本発明
によりもたらされる改善のe4 、にの証拠を提供して
いる。それほど劇的ではないが、同様な現象が他の原子
種にも見られる0例えば曲線86nは高速ガス噴流手段
の恩恵無しにリン酸トリブチルについてのリンチャネル
(ulu+apH0ru!l+cl+anncl )か
らのクロマトグラフである。領域88はピーク・チーf
リング及びリン試11がクロマトグラフ・カラムを通っ
た1憂プラズマ放電管の壁面上へのリンの吸着からの−
Lnを表す。
+ c+ s及び(:1.アルカンに対応する。高感
度で/)す、ピーク・ディリングの無いことは、本発明
によりもたらされる改善のe4 、にの証拠を提供して
いる。それほど劇的ではないが、同様な現象が他の原子
種にも見られる0例えば曲線86nは高速ガス噴流手段
の恩恵無しにリン酸トリブチルについてのリンチャネル
(ulu+apH0ru!l+cl+anncl )か
らのクロマトグラフである。領域88はピーク・チーf
リング及びリン試11がクロマトグラフ・カラムを通っ
た1憂プラズマ放電管の壁面上へのリンの吸着からの−
Lnを表す。
ガスtlA流手段;36が用いられるときは、曲1!8
0bの下に如何なるピーク・ティリングも現れない。%
1故ならばリンはプラズマ放電管の壁面にに吸着される
ような残留物を残すことなく総て7°ラズマ中に入るか
らである。
0bの下に如何なるピーク・ティリングも現れない。%
1故ならばリンはプラズマ放電管の壁面にに吸着される
ような残留物を残すことなく総て7°ラズマ中に入るか
らである。
本発明の分光プラズマ・トーチは、ガスクロマトグラフ
によって分離された様々なコンパウンドの分析をする完
全自動化されたベンチ1〜ツブ放射検出器に使用するた
めに特に設計されている。第6図は2本発明の分光プラ
ズマ・トーチを用いるようなガスク17マトグラフイー
のためのプラズマ放射検出器の略本ta図である。完全
な分析装Zr1OOには噴射部分104と分離カラム1
06を有するガスクロマトグラフ102を有している。
によって分離された様々なコンパウンドの分析をする完
全自動化されたベンチ1〜ツブ放射検出器に使用するた
めに特に設計されている。第6図は2本発明の分光プラ
ズマ・トーチを用いるようなガスク17マトグラフイー
のためのプラズマ放射検出器の略本ta図である。完全
な分析装Zr1OOには噴射部分104と分離カラム1
06を有するガスクロマトグラフ102を有している。
高純度ヘリウノ、ガスタンク108がキャリアーガスを
分離カラムlO6に供給するために用いられるガス流制
(1装置〃110に接続されている。もう一つのガス流
制御装置112がトーチ10へのプラズマ・サポート・
ガスを調節する。更に別のガス流制御装置114が高速
ガス噴流“〔段への流れを調節する。一つのマイクロ波
出力源116がトーチ10に連結されている。この実施
例では、通常、家庭用マイクロ波オーブンに用いられる
タイプの市販のマグネトロン管が2450 M!1の1
1q波数で信1M性があり、0(コストの必要なマイク
17波エネルギー源を提供する6分むi装置100には
装置サポート・エレクトロニクス118と光学スペクト
17メータ十段120が備えられている。一対のカップ
リング・ミラー122がプラズマ・トーチ10からの光
を集める。その光はエントランス・スリット124を通
してフオログラフィー回折格子126に向けられる。複
数のフォトダイオード検出器126が選択された検出さ
れるべき原子種からの選択された光放射を検出するよう
に配置されている。
分離カラムlO6に供給するために用いられるガス流制
(1装置〃110に接続されている。もう一つのガス流
制御装置112がトーチ10へのプラズマ・サポート・
ガスを調節する。更に別のガス流制御装置114が高速
ガス噴流“〔段への流れを調節する。一つのマイクロ波
出力源116がトーチ10に連結されている。この実施
例では、通常、家庭用マイクロ波オーブンに用いられる
タイプの市販のマグネトロン管が2450 M!1の1
1q波数で信1M性があり、0(コストの必要なマイク
17波エネルギー源を提供する6分むi装置100には
装置サポート・エレクトロニクス118と光学スペクト
17メータ十段120が備えられている。一対のカップ
リング・ミラー122がプラズマ・トーチ10からの光
を集める。その光はエントランス・スリット124を通
してフオログラフィー回折格子126に向けられる。複
数のフォトダイオード検出器126が選択された検出さ
れるべき原子種からの選択された光放射を検出するよう
に配置されている。
対応する複数の電位計130が各々複数のダイオード検
出器126に接続されている。各電位計からの出力は1
秒間に22回サンプルされ、アナログ−デジタル変換器
132によってデジタル信号に変換される。装置監視セ
ンサ一手段134からの信号もまた同様なサンプリング
率でデジタル化される。監視手段134は温度、圧力、
電流、様々な電源の電圧、インターロック・コンディシ
ョン及び診断の監視をする。中央処理装W136はアナ
ログ−デジタル変換器132、装置制御手段138及び
ゼネラルパーパス・インストルメント・バス140と双
方向に通じている。コントロール手段13Bは様々な温
度、ガス・ソレノイド、ヴアルヴ、プラズマ・イグナイ
ター及び電源を制御する。ゼネラル、パーパス・インス
トルメント・バス140はワークステーション142に
双方向性通信経路を提供する。
出器126に接続されている。各電位計からの出力は1
秒間に22回サンプルされ、アナログ−デジタル変換器
132によってデジタル信号に変換される。装置監視セ
ンサ一手段134からの信号もまた同様なサンプリング
率でデジタル化される。監視手段134は温度、圧力、
電流、様々な電源の電圧、インターロック・コンディシ
ョン及び診断の監視をする。中央処理装W136はアナ
ログ−デジタル変換器132、装置制御手段138及び
ゼネラルパーパス・インストルメント・バス140と双
方向に通じている。コントロール手段13Bは様々な温
度、ガス・ソレノイド、ヴアルヴ、プラズマ・イグナイ
ター及び電源を制御する。ゼネラル、パーパス・インス
トルメント・バス140はワークステーション142に
双方向性通信経路を提供する。
以上の詳細な記載から当業者には本発明の様々な変更な
どが明らかであろう0例えば一つには本発明のプラズマ
・i・−チはトーチ体及び誘電性プラズマ放電管によっ
て形成されるが、これらの構成要素は誘電性物質の一体
に形成されたものであってもよいことが理解され、よう
、従って、本発明の範囲から離れないこのようなヴアリ
エーションの総てが本発明の特許請求の範囲にのみ限定
されるものである。
どが明らかであろう0例えば一つには本発明のプラズマ
・i・−チはトーチ体及び誘電性プラズマ放電管によっ
て形成されるが、これらの構成要素は誘電性物質の一体
に形成されたものであってもよいことが理解され、よう
、従って、本発明の範囲から離れないこのようなヴアリ
エーションの総てが本発明の特許請求の範囲にのみ限定
されるものである。
第1図は本発明に従った、マイクロ波誘専されたプラズ
マのための分光プラズマ・トーチの断面図である。 第2AI¥1は毛管型の従来技術のプラズマ放電管の断
面図である。 第26j:jUは渦巻き原型の従来技術のプラズマ放電
管の断面図である。 第3図は第1図のプラズマ・トーチに示した渦巻き1段
及び高速ガス噴流手段の部分IJJ欠き拡大1図である
。 第4図は第31″Aの4−4線から見た6チヤンネル渦
巻き状差し込み金具の断面図である。 第5図は高速ガス噴流手段によってiTf能にされるク
ロマトグラフの選択性における改良を示す4つのクロマ
トグラムを示す。 第6図は本発明の分光プラズマ・トーチを用いるガス・
クロマトグラフィーのためのプラズマ放射検出器の略本
線図である。 し主要符号の説明] 18・・・プラズマ放電管、 24・・・トーチ体
32・・・渦巻き状手「徒、 36・・・高速ガ
ス噴流特許出願人 パリアン・アソシェイツ・
インコーポレイテッド
マのための分光プラズマ・トーチの断面図である。 第2AI¥1は毛管型の従来技術のプラズマ放電管の断
面図である。 第26j:jUは渦巻き原型の従来技術のプラズマ放電
管の断面図である。 第3図は第1図のプラズマ・トーチに示した渦巻き1段
及び高速ガス噴流手段の部分IJJ欠き拡大1図である
。 第4図は第31″Aの4−4線から見た6チヤンネル渦
巻き状差し込み金具の断面図である。 第5図は高速ガス噴流手段によってiTf能にされるク
ロマトグラフの選択性における改良を示す4つのクロマ
トグラムを示す。 第6図は本発明の分光プラズマ・トーチを用いるガス・
クロマトグラフィーのためのプラズマ放射検出器の略本
線図である。 し主要符号の説明] 18・・・プラズマ放電管、 24・・・トーチ体
32・・・渦巻き状手「徒、 36・・・高速ガ
ス噴流特許出願人 パリアン・アソシェイツ・
インコーポレイテッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、マイクロ波誘導されたプラズマのための分光プラズ
マ・トーチであって: 誘電性マイクロ波透過プラズマ放電管; 前記プラズマ放電管にパワーカップルされたマイクロ波
源; 前記プラズマ放電管の一端に取り付けられたトーチ体で
あって、一端の穴が前記プラズマ放電管と同心配列に並
置されているトーチ体;前記トーチ体内で前記一端の穴
と流体連通しているプラズマ・サポート・ガス源; 前記一端の穴の中に配置され、前記トーチの動作中、前
記プラズマ放電管の長手方向の軸線の周りで該管の内壁
から離れた所でプラズマを維持し、安定させるために前
記プラズマ放電管内に渦巻き状ガス流を誘導するための
渦巻き状手段;並びに、 プラズマの外の有機試料物質の早過ぎる熱分解によって
引き起こされる、前記プラズマ放電管内での炭素付着の
形成を避けるために、前記トーチ体に接続され、渦巻き
状に安定化されたプラズマ中に直接ガス状試料物質を導
入するための前記渦巻き状手段を越えて伸びる高速ガス
噴流手段、とから成る装置。 2、前記ガス噴流手段が、前記トーチ体の前記一端の穴
の部分中で同心に配置された第1及び第2の端部を有す
る一本の中空の誘電性物質の伸びたノズルから成り、前
記第1の端部がガス状試料物質源と流体連通し、前記第
2の端部がプラズマの近くの所へと前記渦巻き状手段を
越えて前記プラズマ放電管中に同心に伸びているところ
の請求項1記載の分光プラズマ・トーチ。 3、更に、前記ガス噴流手段が、前記ガス状試料物質を
プラズマ中に導入するのに最適なガス流量及び速度を維
持するために前記ノズルの前記第1の端部と流体連通す
る噴流ガス源から成る請求項2記載の分光プラズマ・ト
ーチ。 4、前記渦巻き状手段が、前記一端の穴の部分内に近接
固定し、前記一端の穴の軸線に対称的に配置された少な
くとも四つの螺旋状ガス・チャネルを形成するように作
られた差し込みから成るところの請求項1記載の分光プ
ラズマ・トーチ。 5、更に、前記トーチによって発生した熱を放散するた
めに他の一端に近い前記プラズマ放電管の部分に取り付
けられたヒートシンク手段から成る請求項1記載の分光
プラズマ・トーチ。 6、前記ヒートシンク手段が一つのアパーチャを有する
金属冷却フィンから成り、その結果、前記プラズマ放電
管の前記他の一端の部分を受けるのに適するところの請
求項5記載の分光プラズマ・トーチ。 7、更に、前記他の一端の近くの前記プラズマ放電管の
外部と前記金属冷却フィンとの間に置かれ、それらの間
の熱移送を増加させる熱伝導性フェルールを有するとこ
ろの請求項6記載の分光プラズマ・トーチ。 8、前記ヒートシンク手段が前記他の一端に近い前記プ
ラズマ放電管の部分の周りで熱連通して配置された水冷
ジャケットから成る請求項5記載の分光プラズマ・トー
チ。 9、更に、前記ガス試料物質が前記トーチ体中で凝縮す
ることを妨げるために、前記トーチ体と熱連通している
ヒーター手段を有するところの請求項3記載の分光プラ
ズマ・トーチ。 10、前記ヒーター手段が前記トーチ体に向けられた赤
外線ヒートランプからなるところの請求項9記載の分光
プラズマ・トーチ。 11、前記ヒーター手段が前記トーチ体及び電気カート
リッジヒーターの一部を受けるのに適した金属性ハウジ
ングから成るところの請求項9記載の分光プラズマ・ト
ーチ。 12、前記ヒーター手段が前記プラズマ・トーチ部分に
巻かれた電気ヒーターテープから成るところの請求項9
記載の分光プラズマ・トーチ。 13、マイクロ波誘導されたヘリウムプラズマのための
分光プラズマ・トーチであって: ハウジングであって、該ハウジングを伸びて通るアパー
チャの軸線に関して対称的に置かれたマイクロ波空胴を
有するハウジング; 前記アパーチャと同心に置かれ、前記マイクロ波空胴を
通って伸びる誘電性マイクロ波透過プラズマ放電管; 前記プラズマ放電管にパワーカップルされたマイクロ波
源; 前記プラズマ放電管の一端に取り付けられたトーチ体で
あって、一端の穴が前記プラズマ放電管と同心配列に並
置されているトーチ体;前記トーチ体の前記一端の穴と
流体連通したヘリウムガス源; 前記一端の穴の中に配置され、前記トーチの動作中、前
記プラズマ放電管の長手方向の軸線の周りで該管の内壁
から離れた所でヘリウムプラズマを維持し、安定させる
ために前記プラズマ放電管内に渦巻き状ガス流を誘導す
るための渦巻き状手段;並びに、 プラズマの外の有機試料物質の早過ぎる熱分解によって
引き起こされる、前記プラズマ放電管内での炭素付着の
形成を避けるために、前記トーチ体に接続され、渦巻き
状に安定化されたプラズマ中に直接試料物質を導入する
ための前記渦巻き状手段を越えて伸びる高速ガス噴流手
段、とから成る装置。 14、前記ガス噴流手段が、前記トーチ体の前記一端の
穴の部分中で同心に配置された第1及び第2の端部を有
する一本の中空の誘電性物質の伸びたノズルから成り、
前記第1の端部が試料物質源と流体連通し、前記第2の
端部がプラズマの近くの所へと前記渦巻き状手段を越え
て前記プラズマ放電管中に同心に伸びているところの請
求項13記載の分光プラズマ・トーチ。 15、更に、前記ヘリウムガス噴流手段が、前記状試料
物質をプラズマ中に導入するのに最適なガス流量及び速
度を維持するために前記ノズルの前記第1の端部と流体
連通する噴流ガス源から成る請求項14記載の分光プラ
ズマ・トーチ。 16、前記渦巻き状手段が、前記一端の穴の部分内に近
接固定し、前記一端の穴の軸線に対称的に配置された少
なくとも四つの螺旋状ガス・チャネルを形成するように
作られた差し込みから成るところの請求項13記載の分
光プラズマ・トーチ。 17、更に、前記トーチによって発生した熱を放散する
ために他の一端に近い前記プラズマ放電管の部分に取り
付けられたヒートシンク手段から成る請求項13記載の
分光プラズマ・トーチ。 18、前記ヒートシンク手段が一つのアパーチャを有す
る金属冷却フィンから成り、その結果、前記プラズマ放
電管の前記他の一端の部分を受けるのに適するところの
請求項17記載の分光プラズマ・トーチ。 19、更に、前記他の一端の近くの前記プラズマ放電管
の外部と前記金属冷却フィンとの間に置かれ、それらの
間の熱移送を増加させる熱伝導性フェルールを有すると
ころの請求項18記載の分光プラズマ・トーチ。 20、前記ヒート・シンク手段が前記他の一端に近い前
記プラズマ放電管の部分の周りで熱連通して配置された
水冷ジャケットから成る請求項17記載の分光プラズマ
・トーチ。 21、更に、前記ガス試料物質が前記トーチ体中で凝縮
することを妨げるために、前記トーチ体と熱連通してい
るヒーター手段を有するところの請求項15記載の分光
プラズマ・トーチ。 22、前記ヒーター手段が前記トーチ体に向けられた赤
外線ヒートランプからなるところの請求項21記載の分
光プラズマ・トーチ。 23、前記ヒーター手段が前記トーチ体及び電気カート
リッジヒーターの一部を受けるのに適した金属性ハウジ
ングから成るところの請求項21記載の分光プラズマ・
トーチ。 24、前記ヒーター手段が前記プラズマ・トーチ部分に
巻かれた電気ヒーターテープから成るところの請求項2
1記載の分光プラズマ・トーチ。 25、前記試料物質源がガスクロマトグラフから成ると
ころの請求項14記載の分光プラズマ・トーチ。 26、更に、試料物1の選択された原子スペクトルを検
出するために、ヘリウムプラズマに光学的に連結された
スペクトロメータ手段から成るところの請求項25記載
の分光プラズマ・トーチ。
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