JPH0232811B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0232811B2
JPH0232811B2 JP58132112A JP13211283A JPH0232811B2 JP H0232811 B2 JPH0232811 B2 JP H0232811B2 JP 58132112 A JP58132112 A JP 58132112A JP 13211283 A JP13211283 A JP 13211283A JP H0232811 B2 JPH0232811 B2 JP H0232811B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
section
address
output
signal
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP58132112A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6024615A (ja
Inventor
Tadashi Kubota
Yoshio Abe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP58132112A priority Critical patent/JPS6024615A/ja
Publication of JPS6024615A publication Critical patent/JPS6024615A/ja
Publication of JPH0232811B2 publication Critical patent/JPH0232811B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は信号発生器の中でも、特にIC、LSI内
に構成される信号発生器に関する。
従来例の構成とその問題点 近年、多重多様の信号を発生させ制御を行なわ
せる複雑な回路を内臓したIC、LSIが必要となつ
ており、信号のスピード、タイミング等も高速か
つ高精度なものが要求されている。
第1図は従来の信号発生器の構成を示す。1a
は第1のアドレス信号を発生する第1のアドレス
発生部、1bは第2のアドレス信号を発生する第
2のアドレス発生部、2aは第1のアドレス発生
部1aに接続され出力される第1のアドレス信号
をデコードする第1のアドレスデコーダ部、2b
は第2のアドレス発生部1bに接続され出力され
る第2のアドレス信号をデコードする第2のアド
レスデコーダ部、3aは第1のアドレスデコーダ
部2aに接続され第1のデコード信号によつて指
定されるセルに書き込まれた値に応じたデータを
出力する第1の読み出し専用メモリデータセル部
(以下第1のROMデータセル部と言う)、3bは
第2のアドレスデコーダ部2bに接続され第2の
デコード信号によつて指定されるセルに書き込ま
れた値に応じたデータを出力する第2の読み出し
専用メモリデータセル部(以下、第2のROMデ
ータセル部と言う)、4は第1のROMメモリデ
ータセル部3aが出力する読み出しデータと第2
のROMメモリデータセル部3bが出力する読み
出しデータとを混合するミキサ、5はミキサ4の
出力信号線である。
このように構成された従来の信号発生器につい
て、その動作を説明する。
第1のアドレス発生部1a、第2のアドレス発
生部1bは決められた順に遷移しつつアドレス信
号を発生し、第1のアドレスデコーダ部2a、第
2のアドレスデコーダ部2bにアドレス信号を出
力する。第1のアドレスデコーダ部2a、第2の
アドレスデコーダ部2bはアドレス信号をそれぞ
れデコードし、第1のROMデータセル部3a、
第2のROMデータセル部3bに対してセル選択
信号となるデコード信号をそれぞれ出力する。第
1のROMデータセル部3a、第2のROMデー
タセル部3bはそれぞれデコード信号に応じてセ
ルを選択しセルに書き込まれたデータ値に応じた
信号をそれぞれミキサ4に出力する。ミキサ4は
第1のROMデータセル部3a、第2のROMデ
ータセル部3bの1つもしくは複数の出力信号を
受けとり混合して出力信号線5に出力する。出力
信号線5に出力される信号は、アドレスの発生順
序と第1もしくは第2のROMデータセル部3
a,3bに書き込まれたデータによつて定められ
るため、発生させたい信号を符号化して第1もし
くは第2のROMデータセル部3a,3bにあら
かじめ書き込んでおけばアドレスを発生させるだ
けで必要とする信号を得ることができる。
しかしながら、上記のような構成において、第
1のROMデータセル部3aとミキサ4との距離
と、第2のROMデータセル部3bとミキサ4と
の距離とが異なると、ミキサ4の出力信号線5に
は、正しいタイミングで出力を得ることができな
い恐れがある。特に、第1のアドレス発生部1a
と、第2のアドレス発生部1bが異なるクロツク
で遷移するものにおいては、第1のアドレス発生
部1aから出力信号線5へ伝播遅延する時間と第
2のアドレス発生部1bから出力信号線5へ遅延
伝播する時間とに差を生じる場合がある。第1の
アドレス発生部1aと第1のアドレスデコーダ部
2aと第1のROMデータセル部3aで生じる伝
播遅延時間は、第2のアドレス発生部1bと第2
のアドレスデコーダ部2bと第2のROMデータ
セル部3bで生じる伝播遅延時間はほぼ等しいた
め、前記の伝播する遅延時間の差は第1のROM
データセル部3a、第2のROMデータセル部3
bとミキサ4との間で生じる。IC、LSI内に上記
構成の信号発生器を構成すると、第1および第2
のROMデータセル部3a,3bとミキサ4の回
路遅延および配線の容量、抵抗により伝播遅延時
間差が大きくなる。第1および第2のROMデー
タセル部3a,3bの物理的サイズが大きくなれ
ばなるほど、また第1および第2のデータセル部
3a,3bの他にさらに多くのROMデータセル
部(図中では略す。)を混合すればするほど、第
1および第2のROMデータセル部3a,3bと
ミキサ4との空間的距離が長くなり伝播遅延時間
差が生じ、必要とする信号を正しく発生できなく
なるという欠点を有している。
発明の目的 本発明は伝播遅延時間差をなくし必要とする信
号を正しく発生することができる信号発生器を提
供することを目的とする。
発明の構成 本発明の信号発生器は、第1のアドレス信号を
発生する第1のアドレス発生部と、第1のアドレ
ス発生部に接続され出力されるアドレス信号をデ
コードする第1のアドレスデコーダ部と、第2の
アドレスを発生する第2のアドレス発生部と、第
2のアドレス発生部に接続され出力されるアドレ
ス信号をデコードする第2のアドレスデコーダ部
と、第1のアドレスデコーダ部と第2のアドレス
デコーダ部とに接続され第1のアドレスデコーダ
部が出力する第1のデコード信号と第2のアドレ
スデコーダ部が出力する第2のデコード信号とに
よつて指定されるデータを出力する読み出し専用
メモリデータセル部と、読み出し専用メモリデー
タセル部が出力する読み出しデータを合成して出
力するミキサとで構成される。
また本発明の信号発生器は、第1のアドレスデ
コーダ部の第1のデコード信号によつて指定され
たデータが出力される読み出し専用メモリデータ
セル部の出力とミキサとの間に第1のクロツクで
動作する第2のラツチを挿入し、第2のアドレス
デコーダ部の第2のデコード信号によつて指定さ
れたデータが出力される読み出し専用メモリデー
タセル部の出力とミキサとの間に第2のクロツク
で動作する第2のラツチを挿入し、第1のクロツ
クもしくは第2のクロツクと同期した出力を得る
ように構成される。
実施例の説明 以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。
第2図は本発明の一実施例における信号発生器
の構成図である。11aは第1のアドレス信号を
発生する第1のアドレス発生部、11bは第2の
アドレス信号を発生する第2のアドレス発生部、
12aは第1のアドレス発生部11aに接続され
出力される第1のアドレス信号をデコードする第
1のアドレスデコーダ部、12bは第2のアドレ
ス発生部11bに接続され出力される第2のアド
レス信号をデコードする第2のアドレスデコーダ
部、13は第1のアドレスデコーダ部12aに接
続され第1のデコード信号によつて指定されるセ
ルに書き込まれた値に応じたデータと、第2のア
ドレスデコーダ部12bに接続され第2のデコー
ド信号によつて指定されるセルに書き込まれた値
に応じたデータとを出力する読み出し専用メモリ
データセル部(以下ROMデータセル部と言う)、
14はROMメモリデータセル部13が出力する
読み出しデータを混合するミキサである。
また、21は第1のアドレス発生部11aの第
1のアドレス線、22は第2のアドレス発生部1
1bの第2のアドレス線、23は第1のアドレス
デコーダ部12aのデコード線、24は第2のア
ドレスデコーダ部12bのデコード線、25は
ROMデータセル部13のデータ線、26はミキ
サ14の出力信号線である。
以上のように構成された本実施例の信号発生器
について以下その動作を説明する。
まず、第1および第2のアドレス発生部11
a,11bよりアドレス線21,22へそれぞれ
出力されるアドレスは、第1および第2のアドレ
スデコーダ部12a,12bでそれぞれデコード
され、その出力はデコード信号として第1および
第2のデコード線23,24へそれぞれ出力され
る。ROMデータセル部13は、第1および第2
のデコード線23,24へ出力されたデコード信
号を受けとり、そのデコード信号をROMデータ
セルの選択信号としてセルを選択し、データを読
み出してデータ線25へ出力する。ミキサ14は
データ線25のデータ出力を合成して必要とする
出力信号を作り、出力信号線26へ出力する。出
力信号線26に出力される信号は、アドレスの発
生順序とROMデータセル部13に書き込まれた
データによつて定められるため、発生させたい信
号を符号化してROMデータセル部13にあらか
じめ書き込んでおけばアドレスを発生させるだけ
で必要とする信号を得ることができる。
以上のように動作する本実施例の信号発生器に
ついて、第3図〜第5図をもとに更に詳しく説明
する。
第3図は第2図の一部を詳細に示した要部詳細
図、第4図はROMデータセル部13のセルを示
すデータセルの説明図、第5図は第3図中の各部
の波形を示した要部波形図である。
第3図中において、21a,21bは第1のア
ドレス発生部11aのアドレス線、22a,22
bは第2のアドレス発生部11bのアドレス線、
23a,23b,23c,23dは第1のアドレ
スデコーダ部12aのデコード線、24a,24
b,24c,24dは第2のアドレスデコーダ部
12bのデコード線、25a,25b,25c,
25d,25e,25fはROMデータセル部1
3のデータ線、26a,26b,26cはミキサ
14の出力信号線、14a,14b,14cはミ
キサ14を構成するゲート、27はROMデータ
セル部13を構成するデータセルの一つである。
第4図に示すように、第4図aに示したデータ
セル27は、例えば第4図bに示すようにトラン
ジスタ28で構成されている。第3図のように構
成された信号発生器の基本的な動作は前記した第
2図の動作と同じであるが、ROMデータセル部
13について第3図および第5図を用いてさらに
詳しく説明する。第1および第2のアドレスデコ
ーダ部12a,12bから出力されるデコード信
号はデコード線23a,23b,23c,23
d,24a,24b,24c,24dを介して
ROMデータセル部13へ伝えられ、データ線2
5a〜25fとの交点にデータセル27があれば
論理レベル“0”(もしくは“1”)を、また交点
にデータセル27がなければ“1”(もしくは
“0”)をデータ線25a〜25fに出力する。例
えば第3図中のROMデータセル部13は、デー
タ線25aはデコード線23bとデコード線23
dとの交点だけにデータセル27が存在する例
で、データ線25bはデコード線24cとデコー
ド線24dとの交点だけにデータセル27が存在
する例であり、もし、アドレス線21a,21b
とアドレス線22a,22bが異なるタイミング
で信号を出力するなら、例えばデータ線25aと
データ線25bは異なるタイミングで信号を出力
し、ミキサ14の出力信号線26aはこれらの合
成された信号が出力される。(第5図に示す。) しかしこのROMデータセル部13のデータ線
25aとデータ線25bとは構造上は隣接して構
成することによりデータ線25bとは等しい長さ
でかつ短く配線することができる。したがつて、
両者の時間的な遅延の差が少ないものとなり、出
力信号線26aに出力される出力信号も遅延の少
ない信号を得ることができる。
以上のように本実施例によれば、ROMデータ
セル部を複数個から1個にし、異なるタイミング
で出力されるデータ線を隣接配置することによ
り、複数のデータ線の遅延時間と遅延時間差の少
ない信号を得ることができ、必要とされる信号を
正しいタイミングで発生させることができる。
さらに、第1のアドレス発生部11aを第1の
クロツクで動作させるとともに、第2のアドレス
発生部11bを第2のクロツクで動作させ、第1
のアドレスデコーダ部12aの第1デコード信号
によつて指定されたデータが出力されるROMデ
ータセル部13の出力とミキサ14の間に第1の
クロツクで動作する第1のラツチを挿入するとと
もに、第2のアドレスデコーダ部12bの第2の
デコード信号によつて指定されたデータが出力さ
れるROMデータセル部13の出力とミキサ14
との間に第2のクロツクで動作する第2のラツチ
を挿入することで、ミキサ14の出力である出力
信号線26には、第1のクロツクもしくは第2の
クロツクと同期した出力を得ることができる。
なお上記実施例では、アドレス発生部、アドレ
スデコーダ部を2組用いて構成した信号発生器を
例に説明したが、2組に限定されるものではなく
さらに多くの組を用いて構成してもよく、また多
くの組を用いた方が本発明による信号発生器の利
点を顕著にするものである。
発明の効果 以上のように本発明によれば、第1のアドレス
信号を発生する第1のアドレス発生部と、第1の
アドレス発生部に接続され出力されるアドレス信
号をデコードする第1のアドレスデコーダ部と、
第2のアドレスを発生する第2のアドレス発生部
と、第2のアドレス発生部に接続され出力される
アドレス信号をデコードする第2のアドレスデコ
ーダ部と、第1のアドレスデコーダ部と第2のア
ドレスデコーダ部とに接続され第1のアドレスデ
コーダ部が出力する第1のデコード信号と第2の
アドレスデコーダ部が出力する第2のデコード信
号とによつて指定されるデータを出力する読み出
して専用メモリデータセル部と、読み出し専用メ
モリデータセル部が出力する読み出してデータを
合成して出力するミキサとで構成し、異なるタイ
ミングで出力される、第1のアドレスデコーダ部
の第1のデコード信号によつて指定されたデータ
を読み出し専用メモリデータセル部から読み出し
てミキサへ出力するデータ線と、第2のアドレス
デコーダ部の第2のデコード信号によつて指定さ
れたデータを読み出し専用メモリデータセル部か
ら読み出してミキサへ出力するデータ線とを隣接
して配設することで、複数のデータ線の遅延時間
と遅延時間差を最少にすることができるという優
れた効果が得られる。
また、本発明の信号発生器は、第1のアドレス
デコーダ部の第1のデコード信号によつて指定さ
れたデータが出力される読み出し専用メモリデー
タセル部の出力とミキサとの間に第1のクロツク
で動作する第2のラツチを挿入し、第2のアドレ
スデコーダ部の第2のデコード信号によつて指定
されたデータが出力される読み出し専用メモリデ
ータセル部の出力とミキサとの間に第2のクロツ
クで動作する第2のラツチを挿入し、第1のクロ
ツクもしくは第2のクロツクと同期した出力を得
るように構成することで、ミキサの出力である出
力信号線には、第1のクロツクもしくは第2のク
ロツクと同期し、かつ、複数のデータ線の遅延時
間と遅延時間差が最少となる信号を得られるとい
う優れた効果がある。
その効果により配線の長さが遅延の量に大きく
影響を受けるような場合においては遅延時間と遅
延時間差を最少にできるという効果が得られる。
たとえば、IC、LSI等においては、本発明の信号
発生器をIC、LSI等に組み込むことにより高速で
動作させたり、もしくは余裕のある設計をするこ
とができるという効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の信号発生器の構成図、第2図は
本発明の一実施例における信号発生器の構成図、
第3図は第2図の要部詳細図、第4図はデータセ
ルの説明図、第5図は第3図の要部波形図であ
る。 11a……第1のアドレス発生部、11b……
第2のアドレス発生部、12a……第1のアドレ
スデコーダ部、12b……第2のアドレスデコー
ダ部、13……ROMデータセル部、14……ミ
キサ、21a,21b……第1のアドレス信号
線、22a,22b……第2のアドレス信号線、
23a,23b,23c,23d……第1のデコ
ード信号線、24a,24b,24c,24d…
…第2のデコード信号線、25a,25b,25
c,25d,25e,25f……データ線、26
a,26b,26c……出力信号線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1のアドレス信号を発生する第1のアドレ
    ス発生部と、前記第1のアドレス発生部に接続さ
    れ出力されるアドレス信号をデコードする第1の
    アドレスデコーダ部と、第2のアドレス信号を発
    生する第2のアドレス発生部と、前記第2のアド
    レス発生部に接続され出力されるアドレス信号を
    デコードする第2のアドレスデコーダ部と、前記
    第1のアドレスデコーダ部と前記第2のアドレス
    デコーダ部とに接続され前記第1のアドレスデコ
    ーダ部が出力する第1のデコード信号と前記第2
    のアドレスデコーダ部が出力する第2のデコード
    信号とによつて指定されるデータを出力する読み
    出し専用メモリデータセル部と、前記読み出し専
    用メモリデータセル部が出力する読み出しデータ
    を合成して出力するミキサとを備える信号発生器
    であつて、前記第1のデコード信号によつて指定
    されたデータを前記読み出し専用メモリデータセ
    ル部から読み出して前記ミキサへ出力するデータ
    線と、前記第2のデコード信号によつて指定され
    たデータを前記読み出し専用メモリデータセル部
    から読み出して前記ミキサへ出力するデータ線と
    を隣接して配設した信号発生器。 2 第1のデコード信号によつて指定されたデー
    タが出力される読み出し専用メモリデータセル部
    の出力とミキサとの間に第1のクロツクで動作す
    る第1のラツチを挿入し、前記第2のデコード信
    号によつて指定されたデータが出力される読み出
    し専用メモリデータセル部の出力とミキサとの間
    に第2のクロツクで動作する第2のラツチを挿入
    し、前記第1のクロツクもしくは前記第2のクロ
    ツクと同期した出力を得るように構成したことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の信号発生
    器。
JP58132112A 1983-07-20 1983-07-20 信号発生器 Granted JPS6024615A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58132112A JPS6024615A (ja) 1983-07-20 1983-07-20 信号発生器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58132112A JPS6024615A (ja) 1983-07-20 1983-07-20 信号発生器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6024615A JPS6024615A (ja) 1985-02-07
JPH0232811B2 true JPH0232811B2 (ja) 1990-07-24

Family

ID=15073711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58132112A Granted JPS6024615A (ja) 1983-07-20 1983-07-20 信号発生器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6024615A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63229934A (ja) * 1987-03-19 1988-09-26 Fujitsu Ltd タイミングpll方式

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6024615A (ja) 1985-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100622031B1 (ko) 반도체 집적 회로 장치의 제어 방법, 반도체 집적 회로 장치 및 반도체 기억 장치
US7675810B2 (en) Semiconductor memory device
US7898877B2 (en) Synchronous semiconductor device and data processing system including the same
KR960012012A (ko) 동기형 반도체 기억 장치
US6570800B2 (en) High speed clock synchronous semiconductor memory in which the column address strobe signal is varied in accordance with a clock signal
JPH07141870A (ja) 半導体記憶装置
JP3898609B2 (ja) 半導体集積回路
US20050168259A1 (en) Delay circuit and control method of the delay circuit
US20020031020A1 (en) Semiconductor memory device capable of masking data to be written
TW200409122A (en) Circuit and method for generating mode register set code
JPH0232811B2 (ja)
JPH10172283A (ja) 半導体記憶装置及びシステム
JP2641739B2 (ja) 試験装置
JPH09185894A (ja) 高速同期型マスクロム
JP2002245778A (ja) 半導体装置
JP2004152348A (ja) 信号生成回路
KR100211483B1 (ko) 블록 기록 시스템을 이용하는 반도체 메모리
JPH01196790A (ja) 半導体メモリ装置
KR100510458B1 (ko) 동기식 반도체 기억 장치를 위한 어드레스 래치장치 및 방법
JPH11339480A (ja) 半導体記憶装置
US5970014A (en) Semiconductor memory device having two or more memory blocks
GB2295036A (en) Memory device with address decoder
KR100196329B1 (ko) 동기식 반도체 메모리 장치
KR100624297B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 소프트웨어 레지스터 업데이트 방법및 회로
JP2790858B2 (ja) シリアルアクセスメモリ