JPH0237355A - 積層薄膜および電子写真感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体の製造方法に関し、詳しくは各
種の薄膜形成材料を素材として、特定のミセル化剤を用
いるとともに、電気化学的手法を講じることにより、電
荷発生層から電荷輸送層へのキャリア注入速度を高め、
感度の良好な電子写真感光体を効率よく製造する方法に
関する。

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕従来か
ら、写真感光体として、機能分離型感光体が材料の選択
性が大きく有効なものとして実用化されているが、その
うち特に電極材料、電荷発生層及び電荷輸送層を順次積
層してなる積層タイプ機能分離型感光体が広く利用され
ている。

このような積層タイプ機能分離型感光体における電荷発
生層や電荷輸送層の形成方法としては、−ＪＧに、蒸着
法、ポリマーバインド法、スリップキャスト法などが知
られている。しかし、このうち蒸着法は、感光材料の種
類によっては分解するおそれがあり、また、ポリマーバ
インド法では、電荷輸送層の製造の際に電荷発生層が剥
離するという問題がある。さらに、スリップキャスト法
にあっては、溶媒等の不純物が入り、その結果溶媒乾燥
時に歪が生ずるという問題がある。

本発明者は、上記従来方法の問題点を解消して、感度の
良好な積層タイプ機能分離型感光体を製造すべく鋭意研
究を重ねた。

〔課題を解決するための手段〕

その結果、電荷発生層や電荷輸送層を形成するにあたっ
て、先般、本発明者らのグループが開発した所謂ミセル
電解法（特願昭６２−７５９３０号明細書等）を適用す
ることによって、目的とする感度の良好な積層タイプ機
能分離型の電子写真感光体が製造できることを見出した
。

本発明はかかる知見に基いて完成したものである。すな
わち、本発明は電極材料に電荷発生層を積層し、次いで
該電荷発生層に電荷輸送層を積層して電子写真感光体を
製造するにあたり、電荷発生材料及び／又は電荷輸送材
料を水性媒体中でフェロセン誘導体よりなるミセル化剤
にて可溶化し、得られるミセル溶液を電解することによ
って、前記材料の薄膜からなる電荷発生層及び／又は電
荷輸送層を形成することを特徴とする電子写真感光体の
製造方法を提供するものである。

本発明の方法は、【子写真感光体の電荷発生層と電荷輸
送層の少なくとも一層を、所謂ミセル電解法で形成する
ものである。例えば電荷発生層をミセル電解法で形成す
る場合には、薄膜形成素材として電荷発生材料を用いて
ミセル電解法を適用すればよい。つまり、水に必要に応
じて支持電解質等を加えて電気伝導度を調節した水性媒
体に、フェロセン誘導体よりなるミセル化剤と電荷発生
材料を加えて充分に混合撹拌して分散させると、該電荷
発生材料を内部にとり込んだミセルが形成され、これを
電解処理するとミセルが陽極に引き寄せられて陽極上で
ミセル中のフェロセン誘導体がｔ子ｅ−を失い（フェロ
セン中のＦｅ”“がＦｅ”に酸化される）、それととも
にミセルが崩壊して内部の電荷発生材料が陽極上に析出
して薄膜を形成する。一方、酸化されたフェロセン誘導
体は陰橿に引き寄せられて電子ｅ−を受は取り、再びミ
セルを形成する。このようなミセルの形成と崩壊が繰返
される過程で、電荷発生材料の粒子が陽極上（を極材料
上）に析出して薄膜状のものとなり、所望する電荷発生
層が形成されるのである。

また、電荷輸送層をミセル電解法で形成する場合には、
薄膜形成素材として電荷輸送材料を用いて、以降は上述
した電荷発生層をミセル電解法で形成する場合と同様の
操作を行えば、所望する電荷輸送層が形成される。なお
、この場合、陽極として電極材料上に電荷発生層を形成
したものを用いれば、該電荷発生層上に電荷輸送層が積
層され、目的とする電子写真感光体が得られる。

さらに、電荷発生層と電荷輸送層の両層を、ミセル電解
法で形成する場合には、まず電荷発生材料を用いてミセ
ル電解法を適用し、電極材料上に電荷発生層を形成して
、次に電荷輸送材料を用いて再度ミセル電解法を適用し
、前記電荷発生層の上に電荷輸送層を積層するように形
成して、目的とする電子写真感光体を製造することとな
る。また、この場合ミセル電解法で電荷輸送層を積層し
た後、蒸着法、キャスト法等の常法により電荷輸送層を
さらに形成してもよい。

本発明の方法で用いるミセル化剤は、フェロセン誘導体
よりなるもめである。ここでフェロセン誘導体としては
各種のものがあるが、大きく分けて下記の（１）、　（
２）および（３）の三種をあげることができる。

まず（１）炭素数４〜１６（好ましくは８〜１４）の主
°鎖を有するアンモニウム型（好ましくは第四級アンモ
ニウム型）のカチオン性界面活性剤にフェロセン化合物
（フェロセンあるいはフェロセンに適当な置換基（アル
キル基、アセチル基など）が結合したもの）が結合した
ものがあげられる。

ここで主鎖の炭素数が少ないものでは、ミセルを形成せ
ずまた多すぎるものでは、水に溶解しなくなるという不
都合がある。

この界面活性剤にフェロセン化合物が結合する態様は様
々であり、大別して界面活性剤の主鎖の末端に結合した
もの、主鎖の途中に直接あるいはアルキル基を介して結
合したもの、主鎖中に組み込まれたものなどの態様があ
げられる。

このようなアンモニウム型のフェロセン誘導体としては
、−船底 （式中、ＲＩ　、　Ｒｔはそれぞれ水素または炭素数１
〜４（但し、後述の整数ｍを超えない）のアルキル基を
示し、ｚ、　　ｚ’はそれぞれ水素または置換基（メチ
ル基、エチル基、メトキシ基あるいはカルボメトキシ基
など）を示し、Ｘはハロゲンを示す。また、ｍ、　　ｎ
はｍ≧Ｏ，ｎ≧０でありかつ４≦ｍ＋ｎ≦１６を満たす
整数を示す。）。

−船底 （式中、Ｒ’、Ｒ”、Ｘ、Ｚ、Ｚ’は前記と同じ（但し
、Ｒ１，Ｒ１の炭素数は後述の整数りを超えない。）で
ある。また、ｈ、ｊ、にはｈ≧０．ｊ≧０゜ｋ≧１であ
りかつ３≦ｈ＋ｊ十に≦１５を満たす整数を示し、ｐは
Ｏ≦ｐ≦に−１を満たす整数を示す。）。

一般式 （式中、Ｒ’、Ｒ”、　　Ｘ、　Ｙ、　　Ｚ、　　Ｚ’
は前記と同じ（但し、ＲＩ、Ｒｔの炭素数は後述の整数
ｒを超えない。）である。また、ｒ、ｓ、ｔはｒ≧Ｏ，
ｓ≧０゜Ｌ≧１でありかつ４≦ｒ＋ｓ＋ｔ≦１６を満た
す整数を示す。） あるいは 一般式 （式中、Ｒ’、Ｒ”、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ｚ’、ｒ、ｓ、ｔは
前記と同じである。） で表わされるものがあげられる。

このミセル化剤としてのフェロセン誘導体の具体例を示
せば、 式 などがあげられる。

次に、（２）他のタイプのフェロセン誘導体としては、
−船底 で表わされるエーテル型のフェロセン誘導体があげられ
る。ここで、ａは２〜１８の整数を示し、またｂは２．
０〜５０．０の実数である。ａは上述の如く２〜１８の
整数であるから、環員炭素原子とＹとの間にエチレン基
、プロピレン基等の炭素数２〜１８のアルキレン基が介
在したものとなる。

また、ｂは２．０〜５０．０の間の整数のみならず、こ
れらを含む実数を意味するが、これはフェロセン誘導体
を構成するオキシエチレン基 （−〇　Ｈ，ＣＨ，Ｏ−）の繰返し数の平均値を示すも
のである。さらに、上記−船底中のＹは、酸素（−０−
）あるいはオキシカルボニル５　（−ｏ−ｃ−）を示し
、ｚ、　　ｚ’はそれぞれ前述の如く水素あるいは置換
基を示す。

これらのエーテル型のフェロセン誘導体は、特願昭６２
−２１２７１８号明細書に記載された方法等によって製
造することができる。

さらに、（３）他のタイプのフェロセン誘導体としては
、−船底 で表わされるピリジニウム型フェロセン誘導体をあげる
ことができる。この式中、ｚ、ｚ’、ｘは前記と同じで
あり、Ｒ３は炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４
のアルコキシ基、炭素数１〜５のカルボアルコキシ基、
水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基などを示し、ま
たＣ、Ｈ，、は炭素数１〜１６の直鎖または分岐鎖アル
キレン基を示す。このＣ−Ｈｚ−は具体的には、テトラ
メチレン基、ペンタメチレン基、オクタメチレン基、ウ
ンデカメチレン基、ドデカメチレン基、ヘキサデカメチ
レン基等のポリメチレン基（ＣＨｚ）Ｊｌ！じめとする
直鎖アルキレン基、あるいは２−メチルウンデカメチレ
ン基、４−エチルウンデカメチレン基などの分岐鎖アル
キレン基をあげることができる。

これらのピリジニウム型フェロセン誘導体は、特願昭６
３−５２６９６号明細書に記載された方法等によって製
造することができる。

本発明の方法で用いるミセル化剤としては、上述した（
１）、　（２）あるいは（３）のフェロセン誘導体が好
適に用いられる。

本発明の方法では、まず水性媒体中に上記のフェロセン
誘導体よりなるミセル化剤、支持塩ならびに電荷発生材
料あるいは電荷輸送材料等の薄膜形成素材を入れて、超
音波、ホモジナイザーあるいは撹拌機等により充分に分
散させてミセルを形成せしめ、その後必要に応じて過剰
の薄膜形成素材を除去し、得られたミセル溶液を静置し
たままあるいは若干の撹拌を加えながら上述の電極を用
いて電解処理する。また、電解処理中に上述の薄膜形成
素材をミセル溶液に補充添加してもよく、あるいは陽極
近傍のミセル溶液を系外へ抜き出し、抜き出したミセル
溶液に薄膜形成素材を加えて充分に混合撹拌し、しかる
後にこの液を陰極近傍へ戻す循環回路を併設してもよい
。この際のミセル化剤の濃度は、限界ミセル濃度以上、
具体的には約０．１ｍＭ以上であればよい。一方、電荷
発生材料あるいは電荷輸送材料等の薄膜形成素材の濃度
は、飽和濃度以上であればよい。また電解条件は、各種
状況に応じて適宜選定すればよいが、通常は液温０〜７
０°Ｃ１好ましくは５〜４０°Ｃであり、また電圧はミ
セル化剤であるフェロセン誘導体の酸化還元電位以上で
水素発生電位以下の電圧、具体的には０．０３〜１．Ｏ
ＯＶ、好ましくは０．１５〜０．７Ｖとし、電流密度は
１０ｍＡ／ｃ（以下、好ましくは５０〜３００μＡ／ｃ
ｄｌとする。

この電解処理を行うと、ミセル電解法の原理にしたがっ
た反応が進行する。これをフェロセン誘導体中のＦｅイ
オンの挙動に着目すると、陽極ではフェロセンのＦｅ！
″がＦ　ｅ　１となって、ミセルが崩壊し、薄膜形成素
材の粒子（３００〜２０００人程度）が陽極上に析出す
る。一方、陰極では陽極で酸化されたＦ　ｅ”がＦｅ”
＋に還元されてもとのミセルに戻るので、繰返し同じ溶
液で製膜操作を行うことができる。

このような電解処理により、陽極上（電極材料上）には
所望する電荷発生層（薄膜形成素材が電荷発生材料のと
き）あるいは電荷輸送層（薄膜形成素材が電荷輸送材料
のとき）が形成される。

上記本発明の方法で用いる支持塩（支持電解質）は、水
性媒体の電気伝導度を調節するために必要に応じて加え
るものである。この支持塩の添加量は、可溶化している
薄膜形成素材の析出を妨げない範囲であればよく、通常
は上記ミセル化剤のＯ〜３００９倍程度の濃度、好まし
くは５０〜２００倍程度の濃度を目安とする。この支持
塩を加えず。

に電解を行うこともできるが、この場合支持塩を含まな
い純度の高い薄膜が得られる。また、支持塩を用いる場
合、その支持塩の種類は、ミセルの形成や電極への前記
薄膜形成素材の析出を妨げることなく、水性媒体の電気
伝導度を調節しうるものであれば特に制限はない。

具体的には、一般広く支持塩として用いられている硫酸
塩（リチウム、カリウム、ナトリウム。

ルビジウム、アルミニウムなどの塩）、酢酸塩（リチウ
ム、カリウム、ナトリウム、ルビジウム。

ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウ
ム、バリウム、アルミニウムなどの塩）。

ハロゲン化物塩（リチウム、カリウム、ナトリウム、ル
ビジウム、カルシウム、マグネシウム、アルミニウムな
どの塩）、水溶性酸化物塩（リチウム、カリウム、ナト
リウム、ルビジウム、カルシウム、マグネシウム、アル
ミニウムなどの塩）が好適である。

また、本発明の方法で用いる電極材料は、フェロセンの
酸化電位（＋０．１５　Ｖ対飽和せコウ電極）より責な
金属もしくは導電体であればよい。具体的にはＩＴＯ（
酸化インジウムと酸化スズとの混合酸化物）、白金、金
、銀、グラジ−カーボン、導電性金属酸化物、有機ポリ
マー導電体などがあげられる。

本発明の方法において、使用できる薄膜形成素材は各種
のものがあげられるが、例えば電荷発生材料としては、
フタロシアニン、フタロシアニン金属錯体、ペリレン、
セレン、硫化カドミニウム。

アントラセン、アントラキノン、インジゴ、チオインジ
ゴ、スクワリリウム、ジクロロベンジジン。

チアピリリウム、ポルフィリン、ポルフィリン金属錯体
等の化合物あるいはその誘導体、さらにはこれらの化合
物や誘導体を置換基として含有する重合体、共重合体、
または前記化合物や誘導体と各種重合体、共重合体との
ブレンド物などがあげられる。また、電荷輸送材料とし
ては、インドリン、キノリン、トリフェニルアミン　ビ
スアゾ。

ピラゾール、ピラゾリン、オキサジアゾール、チアヅー
ル、イミダゾール、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、
カルバゾール、ベンズアルデヒド等の化合物あるいはそ
の誘導体、さらにはこれらの化合物や誘導体を置換基と
して含有する重合体。

共重合体、または前記化合物や誘導体と各種重合体、共
重合体とのブレンド物などがあげられる。

本発明の方法では、所謂ミセル電解法で電荷発生層ある
いは電荷輸送層を形成するに際して、水性媒体中に所望
に応じて適量のバインダーポリマーを加えて、形成する
電荷発生層や電荷輸送層中の取り込ませ、それらの機械
的強度を高めることも有効である。ここで使用できるバ
インダーポリマーとしては、薄膜形成素材が電荷発生材
料のときは、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタク
リレート、ポリエステル、ポリ塩化ビニリデンポリアミ
ド５スチレン−無水マレイン酸重合体などをあげること
ができ、また薄膜形成素材が電荷輸送材料のときは、ポ
リスルホン、アクリル樹脂。

メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、フ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、
アルキド樹脂、ポリウレタン樹脂などをあげることがで
きる。

前述したように、本発明の方法では、電荷発生層と電荷
輸送層のいずれか一層あるいは両層をミセル電解法で形
成すればよいが、両層ともミセル電解法で形成したもの
でもよい。

ここで、電荷発生層のみをミセル電解法で形成する場合
は、まず、電極材料上にミセル電解法で電荷発生層を形
成せしめ、次いで、従来の方法（スリップキャスト法、
ポリマーバインド法、蒸着法等）にしたがって電荷輸送
層を電荷発生層上に積層すればよい。また、電荷輸送層
のみをミセル電解法で形成する場合は、まず、電極材料
上に従来法にて電荷発生層を形成せしめ、次いで、ミセ
ル電解法で電荷輸送層を電荷発生層上に積層するように
形成すればよい。

なお、本発明の方法では、電極材料上に電荷発生層を形
成した後、その上に電荷輸送層を形成するに先立って、
両層の間に必要に応じて接着層を介在させることもでき
る。この接着層はポリアミド、ニトロセルロース、カゼ
イン、ポリビニルアルコールなどから構成される。

〔実施例〕

次に、本発明を実施例及び比較例に基いてさらに詳しく
説明する。

製造例１ １００ｔｅの水に非イオン性ミセル化剤とじてを０．１
８９　ｇ加えてミセル溶液とした。このミセル溶液２０
戚にフタロシアニン（電荷発生材料（ＣＧＭ））を１０
０ｄ加えて、超音波で１０分間攪拌した後、得られた０
０Ｍ可溶化溶液を２０゜ｒｐｍで１時間遠心分離を行っ
た。この上澄液をとり、支持塩として臭化リチウムを０
．２０８ｇ加え電解液とした。

この電解液に、陽極としてＩＴＯガラス透明電極、陰極
に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用イテ、２５°Ｃ
で印加電圧０．５Ｖ、電流密度１８μＡ／ｃ（の定電位
電解を６０分間行った。

その結果、フタロシアニンの薄膜（電荷発生層（ＣＧＬ
））がＩＴＯガラス透明電極上に得られた。

次に、前記調製したＦＰＥＧのミセル溶液２０戚に２．
５−ビス・（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，
４−オキサジアゾール（電荷輸送材料（ＣＴＭ））を１
００■加えて、超音波で１０分間攪拌した後、得られた
Ｃ７Ｍ可溶化溶液を２０゜ｒｐｍで１時間遠心分離を行
った。この上澄液をとり、支持塩として臭化リチウムを
０．２０８ｇ加え電解液とした。

この電解液に、陽極として前記ＣＧＬ／ＩＴＯ電極（Ｉ
ＴＯ電極上にＣＧＬが積層したもの）。

陰極に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用いて、２５
°Ｃで印加電圧０．５Ｖ、電流密度２５μＡ／ｄの定電
位電解を６０分間行った。

その結果、２．５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル
）−１，３，４−オキサジアゾールの薄膜（電荷輸送層
（ＣＴＬ）　）が、ＩＴＯガラス透明電極上のフタロシ
アニンの薄膜（ＣＧＬ）の上に積層され、目的とする感
光体が得られた。

製造例２ １００ｄの水に、製造例１と同じ非イオン性フェロセン
誘導体ミセル化剤（Ｆ　Ｐ　Ｅ　Ｇ）を０．１８９ｇ加
えてミ゛セル溶液とした。このミセル溶液２０ｍ１に、
ＣＧＭとしてＰｃ−ＡＱＣＩ（クロロアルミニウムフタ
ロシアニン）を１００ｍｇ加えて超音波で１０分間攪拌
した後、得られた００Ｍ可溶化溶液を２０Ｏｒｐｍで１
時間遠心分離を行った。この上澄液をとり、支持塩とし
て臭化リチウムを０．２１ｇ加えて電解液とした。

この電解液に、陽極としてＩＴＯガラス透明電極、陰極
に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用いて、２５°Ｃ
で印加電圧０．５Ｖ、電流密度３４μＡ／ｄの定電位電
解を６０分間行った。

その結果、Ｐｃ−ＡｌＣｌの薄膜（ＣＧＬ）がＩＴＯガ
ラス透明電極上に得られた。

次に、１００−の水にカチオン性ミセル化剤として で表わされる化合物（ＦＴＭＡ）を０．１０９　ｇ加え
てミセル溶液とした。このミセル溶液２０ｄに、ＣＴＭ
としてＰ−ジエチルアミノベンズアルデヒドを１００■
加えて、超音波で１０分間攪拌した後、得られたＣ７Ｍ
可溶化溶液を２０　Ｏｒｐｍで１時間遠心分離を行った
。この上澄液をとり、支持塩として臭化リチウムを０．
２０８ｇ加え電解液とした。

この電解液に、陽極として前記ＣＧＬ／ＩＴＯ電極、陰
極に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用いて、２５°
Ｃで印加電圧０．５Ｖ、電流密度１７μＡ　／　ｃ４の
定電位電解を３６００分間行った。

その結果、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒドの薄膜
（ＣＴＬ）／Ｐｃ−ＡｌＩＣ１の薄膜（ＣＣＬ）がＩＴ
Ｏガラス透明電極上に形成された。

さらに、このＣＴＬの上にポリカーボネート１０重量部
、１，２−ジクロロエタン４００重量部及びｐ−ジエチ
ルアミノベンズアルデヒド１０重量部からなる溶液を塗
布し、真空乾燥した。

このようにして、ρ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
の薄膜（ＣＴＬ）／Ｐｃ−ＡｌＣｌの薄膜（ＣＧＬ）／
ＩＴＯガラス透明電極からなる感光体が得られた。

製造例３ １００ｄの水に、製造例１と同じ非イオン性フェロセン
誘導体ミセル化剤（Ｆ　Ｐ　Ｅ　Ｇ）を０．１８９ｇ加
えてミセル溶液とした。このミセル溶液２０ｄにＰｃ−
ＡｌＣｌ　（ＣＧＭ）を１００■加えて、超音波で１０
分間攪拌した後、得られたＣ０Ｍ可溶化溶液を２０　Ｏ
ｒｐｍで１時間遠心分離を行った。

この上澄液をとり、支持塩として臭化リチウ、ムを０．
２１ｇ加えて電解液とした。

この電解液に、陽極としてＩＴＯガラス透明電極、陰極
に白金５参照電極に飽和甘コウ電極を用イテ、２５°Ｃ
で印加電圧０，５Ｖ、電流密度１７μＡ／ｃｄの定電位
電解を６０分間行った。

その結果、Ｐｃ−ＡｌＣ１，の薄膜（ＣＧＬ）がＩＴＯ
ガラス透明電極上に得られた。

次に、この上にポリカ−ボート１０重量部、１．２−ジ
クロロエタン４００重量部及びｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド１０重量部からなる溶液を塗布し、真空乾
燥して２０μｍの厚みとした。

このようにして、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド
の薄膜（ＣＴＬ）／Ｐｃ−ＡｌＣ１，の薄膜（ＣＧＬ）
／ＩＴＯガラス透明電極からなる感光体が得られた。

製造例４ １００ｄの水に、製造例１と同じ非イオン性フェロセン
誘導体ミセル化剤（Ｆ　Ｐ　Ｅ　Ｇ）を０．１８９ｇ加
えてミセル溶液とした。このミセル溶液２〇−に、ＣＧ
Ｍとして式 で表わされるペリレン顔料を１００■加えて、超音波で
１０分間攪拌した後、得られたＣ０Ｍ可溶化溶液を２０
　Ｏｒｐｍで１時間遠心分離を行った。

この上澄液をとり、支持塩として臭化リチウムを０．２
１ｇ加え電解液とした。

この電解液に、陽極としてＩＴＯガラス透明電極、陰極
に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用イテ、２５°Ｃ
で印加電圧０．５Ｖ、電流密度１９μＡ／ｅｊの定電位
電解を６０分間行った。

その結果、ペリレン顔料の薄膜（ＣＧＬ）がＩＴＯガラ
ス透明電極上に得られた。

次に、この上にポリカーボネート１０重量部、１．２−
ジクロロエタン４００重量部及びｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド１０重量部からなる溶液を塗布して真空
乾燥し、２０μｍの厚みとした。

このようにしてｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒドの
薄膜（ＣＴＬ）／ペリレン顔料の薄膜（ＣＧＬ）／ＩＴ
Ｏガラス透明電極からなる感光体が得られた。

製造例５ １００ｍの水に、製造例１と同し非イオン性フェロセン
誘導体ミセル化剤（Ｆ　Ｐ　Ｅ　Ｇ）を０．１８９ｇ加
えてミセル溶液とした。このミセルリン容ンｌ！２〇−
にＣＧＭとして、式 で表わされるビスアゾを１００■加えて、超音波で１０
分間攪拌した後、得られたＣＧＭ可ン容化溶液を２００
ｒｐｍで１時間遠心分離を行った。この上澄液をとり、
支持塩として臭化リチウムを０．２１ｇ加えて電解液と
した。

この電解液に、陽極としてＩＴＯガラス透明電極、陰極
に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用いて、２５°Ｃ
で印加電圧０．５Ｖ、電流密度２７μＡ／ｄの定電位電
解を６０分間行った。

その結果、ビスアゾの薄膜（ＣＣ；Ｌ）がＩＴＯガラス
透明電極上に得られた。

次に、この上にポリカーボネート１０重量部、１．２−
ジクロロエタン４００重量部及びｐ−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド１０重量部からなる溶液を塗布して乾燥
し、２０μｍの厚みとした。

このようにしてｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒドの
薄膜（ＣＴＬ）／ビスアゾの薄膜（ＣＧ　Ｌ　）／ＩＴ
Ｏガラス透明電極からなる感光体が得られた。

製造例６ １００ｄの水に、製造例１と同じ非イオン性フェロセン
誘導体ミセル化剤（Ｆ　Ｐ　Ｅ　Ｇ）を０．１８９ｇ加
えてミセル溶液とした。このミセル溶液２０戚にＣＧＭ
として、 （以下余白） で表わされる銅フタロシアニンを１００■加えて、超音
波で１０分間攪拌した後、得られた００Ｍ可溶化溶液を
２０Ｏｒｐｍで１時間遠心分離を行った。この上澄液を
とり、支持塩として臭化リチウムを０．２１ｇ加えて電
解液とした。

この電解液に、陽極としてＩＴＯガラス透明電極、陰極
に白金、参照電極に飽和甘コウ電極を用いて、２５°Ｃ
で印加電圧０．５Ｖ、電流密度２９μＡ　／　ｃｔＡの
定電位電解を６０分間行った。

その結果、銅フタロシアニンの薄膜（ＣＧＬ）がＩＴＯ
ガラス透明電極上に得られた。

次に、この上にポリカーボネート１０重量部、１．２−
ジクロロエタン４００重量部及びｐ−ジ。

エチルアミノベンズアルデヒド１０重量部からなる溶液
を塗布して乾燥し、２０μｍの厚みとした。

このようにしてｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒドの
Ｆｌｙ（ＣＴＬ）／銅フタロシアニンの薄膜（ＣＧＬ）
／ＩＴＯガラス透明電極からなる感光体が得られた。

製造例７ ＩＴＯが表面に蒸着されたガラス電極上に、塩化アルミ
ニウムフタロシアニン（Ｐｃ−ＡｆＣｆ）を１０−’Ｔ
ｏｒｒの高真空下で、膜厚が０．３μｍの蒸着膜を形成
してこれをＣＧＬとした。この上にｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド１０重量部、ポリカーボネート樹脂１
０重量部及び１，２ジクロロ工タン４００重量部からな
る溶液を塗布し、真空乾燥し、膜厚２０μｍのＣＴＬと
した。

このようにしてｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒドの
薄膜（ＣＴＬ）／Ｐｃ−ＡｌＣｌの薄膜（ＣＧＬ）／Ｉ
ＴＯガラス透明電極からなる感光体が得られた。

製造例８ ＩＴＯが表面に蒸着されたガラス電極上に、フタロシア
ニンを１０−５Ｔｏｒｒの高真空下で、膜厚が０．３μ
ｍの蒸着膜を形成してＣＧＬとした。

この上に２．５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェノール
）−１，３，４−オキサジアゾール１０重量部、ポリカ
ーボネート樹脂１０重量部及び１゜２−ジクロロエタン
４００重量部からなる溶液を塗布して真空乾燥し、膜厚
２０μｍのＣＴＬとした。

このようにして２．５−ビス（Ｐ−ジエチルアミノフェ
ノール）−１，３，４−オキサジアゾールの薄膜（ＣＴ
Ｌ）／フタロシアニンの薄膜（ＣＧＬ）／ＩＴＯガラス
透明電極からなる感光体が得られた。

実施例１〜６および比較例１．２ 製造例１〜８の感光体の評価を次の如く行った。

すなわち、感光体の特性評価は、川口電機型ＳＰ　　４
２８型試験機を用いて行った。感光体を−５，５ｋＶで
コロナ帯電を１０秒間行って、感光体表面を負帯電せし
めた。この時の表面電位をＶ、ｄとし、このＶｄが、１
ｕＷの７９０　ｎｍ波長光を照射して、半分の値（１／
２Ｖｄ）になるまでの時間（秒）を求め、その時間に光
照度１μＷをかけた値を半減衰露光量ＥＩ７２（μＪ　
／　ａ！　）とした。

この実施例及び比較例では、表面電位Ｖｄ及び半減衰露
光量Ｅ、／！の逆数である半減露光感度（Ｃ１ｌｌ／　
ｕ　Ｊ　）を、波長７９０ｎｍの光に対する感光体の性
能の指標とした。結果を第１表に示す。

（以下余白） 〔発明の効果〕 以上の如く、本発明の方法によって製造した電子写真感
光体は、ＣＧＬからＣＴＬへのキャリア注入速度が増大
し、非常に感度の良好な感光体となり、コピー用等の感
光ドラムやレーザープリンターなどに幅広くかつ有効に
利用される。

手続補正書（自発） 平成元年５月１０日

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極材料に電荷発生層を積層し、次いで該電荷発
   生層に電荷輸送層を積層して電子写真感光体を製造する
   にあたり、電荷発生材料及び／又は電荷輸送材料を水性
   媒体中でフェロセン誘導体よりなるミセル化剤にて可溶
   化し、得られるミセル溶液を電解することによって、前
   記材料の薄膜からなる電荷発生層及び／又は電荷輸送層
   を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法
   。
2. （２）電荷発生材料を水性媒体中でフェロセン誘導体よ
   りなるミセル化剤にて可溶化し、得られるミセル溶液を
   電解することによって、前記材料の薄膜からなる電荷発
   生層を電極材料上に形成する請求項１記載の製造方法。
3. （３）電荷輸送材料を水性媒体中でフェロセン誘導体よ
   りなるミセル化剤にて可溶化し、得られるミセル溶液を
   電解することによって、前記材料の薄膜からなる電荷輸
   送層を形成する請求項１記載の製造方法。
4. （４）電荷発生材料を水性媒体中でフェロセン誘導体よ
   りなるミセル化剤にて可溶化し、得られるミセル溶液を
   電解することによって、前記電荷発生材料の薄膜からな
   る電荷発生層を電極材料上に形成し、次いで電荷輸送材
   料を水性媒体中でフェロセン誘導体よりなるミセル化剤
   にて可溶化し、得られるミセル溶液を電解することによ
   って、前記電荷輸送材料の薄膜からなる電荷輸送層を、
   前記電荷発生層上に形成する請求項１記載の製造方法。