JPH0237782A - 多層膜半導体光センサー - Google Patents
多層膜半導体光センサーInfo
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- JPH0237782A JPH0237782A JP63188703A JP18870388A JPH0237782A JP H0237782 A JPH0237782 A JP H0237782A JP 63188703 A JP63188703 A JP 63188703A JP 18870388 A JP18870388 A JP 18870388A JP H0237782 A JPH0237782 A JP H0237782A
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- semiconductor thin
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Links
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層膜半導体光センサーに関し、特に分光機能
を有する光センサーに関する。
を有する光センサーに関する。
従来、多層膜半導体光センサーは、１種類の光キャリア
の発生層と絶縁層から形成され、光キヤリア発生層中で
発生した光キャリアを光キヤリア発生層表面に形成した
金属または透明導電膜によって取り出す構造となってい
た。
の発生層と絶縁層から形成され、光キヤリア発生層中で
発生した光キャリアを光キヤリア発生層表面に形成した
金属または透明導電膜によって取り出す構造となってい
た。
上述した従来の多層膜半導体光センサーは、光キヤリア
発生層が１種類の半導体から形成されているため、光の
分光特性を知るためには、モノクロメータなどを併用す
る必要があり、装置が大がかりになり測定に時間がかか
るという欠点がある。
発生層が１種類の半導体から形成されているため、光の
分光特性を知るためには、モノクロメータなどを併用す
る必要があり、装置が大がかりになり測定に時間がかか
るという欠点がある。
本発明は上述の問題点を解決するためにモノクロメータ
を使用しなくても容易に入射光のスペクトルが得られる
多層膜半導体光センサーを得ることを目的としている。
を使用しなくても容易に入射光のスペクトルが得られる
多層膜半導体光センサーを得ることを目的としている。
本発明の多層膜半導体センサーは透明導電膜を介して積
層された、禁制帯幅の異なる半導体薄膜からなる光キヤ
リア発生層を多数有しており、各透明導電膜間に電圧を
印加して、半導体薄膜中に流れる電流を測定できる構造
となっている。
層された、禁制帯幅の異なる半導体薄膜からなる光キヤ
リア発生層を多数有しており、各透明導電膜間に電圧を
印加して、半導体薄膜中に流れる電流を測定できる構造
となっている。
〔実施例１〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図である。
石英基板Ａ上に約２００ｎｍのインジウム・スズ酸化物
膜Ｂ、−Ｂ、と禁制帯幅１．５〜３．Ｏｅ Ｖ 。
膜Ｂ、−Ｂ、と禁制帯幅１．５〜３．Ｏｅ Ｖ 。
膜厚２００ｎｍの半導体薄膜０１〜Ｃ８が交互に堆積さ
れている。半導体薄膜Ｃ，−Ｃ，は、アモルファス・シ
リコンカーバイドまたは、アモルファス・シリコン・ゲ
ルマニウム膜で膜の禁制帯幅がＣ１からＣ８で序々に小
さくなるように形成されている０石英基板Ａ側から入射
された光は、ＣＩからＣ８までの膜中でその膜の禁制帯
幅よりもエネルギーの大きい光のみ吸収され、それぞれ
の膜中で光キャリアを発生する。Ｂ＋〜Ｂ９のうち、い
ずれかのＢｋとＢｋ＋１ （１≦に≦８）の間に一定の
電圧を印加するとＣｋ中で発生した光キャリアの量に対
応した電流が流れる。従って、ｋを１から８まで変化さ
せることによって、入射した光のスペクトルに対応した
電流変化が検出される。
れている。半導体薄膜Ｃ，−Ｃ，は、アモルファス・シ
リコンカーバイドまたは、アモルファス・シリコン・ゲ
ルマニウム膜で膜の禁制帯幅がＣ１からＣ８で序々に小
さくなるように形成されている０石英基板Ａ側から入射
された光は、ＣＩからＣ８までの膜中でその膜の禁制帯
幅よりもエネルギーの大きい光のみ吸収され、それぞれ
の膜中で光キャリアを発生する。Ｂ＋〜Ｂ９のうち、い
ずれかのＢｋとＢｋ＋１ （１≦に≦８）の間に一定の
電圧を印加するとＣｋ中で発生した光キャリアの量に対
応した電流が流れる。従って、ｋを１から８まで変化さ
せることによって、入射した光のスペクトルに対応した
電流変化が検出される。
〔実施例２〕
第２図は本発明の実施例２の縦断面図で、半導体薄膜Ｃ
ｋ（１≦に≦８）がＰ形の半導体薄膜ＤｋとＮ形の半導
体膜Ｅｋで構成された例である０ｗＡ厚２００ｎｍのイ
ンジウム・スズ酸化物Ｂｋ （１≦に≦８）と禁制帯幅
１．５〜３．Ｏｅ Ｖ、膜厚２００ｎｍのＰ形半導体薄
膜ＤｋとＮ形半導体薄膜Ｅｋが石英基板Ａの上にＢｔ
Ｄｓ ＥＩ Ｂ２Ｂ２ Ｅ２・・・Ｂ８Ｄａ Ｅ８ Ｂ
９の順に堆積されている。半導体薄膜ＤｍおよびＢｋは
、アモルファス・シリコン・カーバイドまたは、アモル
ファス・シリコン・ゲルマニウム膜で膜の禁制帯幅がＤ
ｌからＤ８、ＥｌからＥ８まで序々に小さくなっている
。またＤｍとＥｋの禁制帯幅は、常に等しく作られてい
る０石英基板Ａ側から入射された光は、ＤｌからＤ８、
ＥｌからＥ８の半導体薄膜中で吸収され光キャリアを発
生する。このときＤｋとＥｋの界面の空乏層で発生した
キャリアによって、Ｂ＋−とＢＳｌ＋１の電極間に光キ
ャリアの量に対応した電圧が生じる。従って、ｋを１か
ら８まで変化させることによって、入射した光のスペク
トルに対応した電圧変化が検出される。
ｋ（１≦に≦８）がＰ形の半導体薄膜ＤｋとＮ形の半導
体膜Ｅｋで構成された例である０ｗＡ厚２００ｎｍのイ
ンジウム・スズ酸化物Ｂｋ （１≦に≦８）と禁制帯幅
１．５〜３．Ｏｅ Ｖ、膜厚２００ｎｍのＰ形半導体薄
膜ＤｋとＮ形半導体薄膜Ｅｋが石英基板Ａの上にＢｔ
Ｄｓ ＥＩ Ｂ２Ｂ２ Ｅ２・・・Ｂ８Ｄａ Ｅ８ Ｂ
９の順に堆積されている。半導体薄膜ＤｍおよびＢｋは
、アモルファス・シリコン・カーバイドまたは、アモル
ファス・シリコン・ゲルマニウム膜で膜の禁制帯幅がＤ
ｌからＤ８、ＥｌからＥ８まで序々に小さくなっている
。またＤｍとＥｋの禁制帯幅は、常に等しく作られてい
る０石英基板Ａ側から入射された光は、ＤｌからＤ８、
ＥｌからＥ８の半導体薄膜中で吸収され光キャリアを発
生する。このときＤｋとＥｋの界面の空乏層で発生した
キャリアによって、Ｂ＋−とＢＳｌ＋１の電極間に光キ
ャリアの量に対応した電圧が生じる。従って、ｋを１か
ら８まで変化させることによって、入射した光のスペク
トルに対応した電圧変化が検出される。
以上説明したように本発明は、多層の半導体薄膜を透明
導電膜を介して積層し、それぞれの電極間に流れる電流
を検出することによって、光センサー単独で容易に入射
された光のスペクトルを得ることができる。
導電膜を介して積層し、それぞれの電極間に流れる電流
を検出することによって、光センサー単独で容易に入射
された光のスペクトルを得ることができる。
第１図は本発明の実施例１の多層膜半導体光センサーの
縦断面図である。第２図は本発明の実施例２の多層膜半
導体光センサーの縦断面図である。 Ａ・・・石英基板、Ｂ１〜Ｂｆｌ＋□・・・インジウム
・スズ酸化物膜、Ｃ１〜Ｃｎ・・・半導体薄膜、Ｄ１〜
Ｄ０・・・Ｐ形半導体薄膜、Ｅｌ−Ｅｆｌ・・・Ｎ形半
導体Ａ眉英墓悴 シ〜Ｂｑ 二’ｆ −、：；“”７ へ 、Ｋ 人’
Ｈ’？ｅ’ｌ７１ＨＣｔ〜Ｃδ ↑）１本４１葵 り（因
縦断面図である。第２図は本発明の実施例２の多層膜半
導体光センサーの縦断面図である。 Ａ・・・石英基板、Ｂ１〜Ｂｆｌ＋□・・・インジウム
・スズ酸化物膜、Ｃ１〜Ｃｎ・・・半導体薄膜、Ｄ１〜
Ｄ０・・・Ｐ形半導体薄膜、Ｅｌ−Ｅｆｌ・・・Ｎ形半
導体Ａ眉英墓悴 シ〜Ｂｑ 二’ｆ −、：；“”７ へ 、Ｋ 人’
Ｈ’？ｅ’ｌ７１ＨＣｔ〜Ｃδ ↑）１本４１葵 り（因
Claims (2)
- （１）半導体薄膜と透明電極とを交互に複数積層した積
層構造を有し、かつ前記各半導体薄膜の禁制帯幅が互い
に異っていることを特徴とする多層膜半導体光センサー
。 - （２）請求項１記載の多層膜半導体光センサーにおいて
、半導体薄膜にＰＮ接合が形成されるいることを特徴と
する多層膜半導体光センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188703A JPH0237782A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 多層膜半導体光センサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188703A JPH0237782A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 多層膜半導体光センサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0237782A true JPH0237782A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16228334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188703A Pending JPH0237782A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 多層膜半導体光センサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0237782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348440A (en) * | 1991-05-01 | 1994-09-20 | Focke & Co. (Gmbh & Co.) | Apparatus for loading cartons onto pallets |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63188703A patent/JPH0237782A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5348440A (en) * | 1991-05-01 | 1994-09-20 | Focke & Co. (Gmbh & Co.) | Apparatus for loading cartons onto pallets |
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