JPH0238587A - レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 - Google Patents
レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法Info
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- JPH0238587A JPH0238587A JP63187528A JP18752888A JPH0238587A JP H0238587 A JPH0238587 A JP H0238587A JP 63187528 A JP63187528 A JP 63187528A JP 18752888 A JP18752888 A JP 18752888A JP H0238587 A JPH0238587 A JP H0238587A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は金属あるいは半導体の加工方法に係り、特にレ
ーザ加工（切断、スクライビング、孔あけ等）により生
じるパリやりキャスト層を形成させることなく、レーザ
加工だけでは得ることができない高い品質で加工できる
レーザ加工とウェットエツチングを併用した加工方法に
関する。
ーザ加工（切断、スクライビング、孔あけ等）により生
じるパリやりキャスト層を形成させることなく、レーザ
加工だけでは得ることができない高い品質で加工できる
レーザ加工とウェットエツチングを併用した加工方法に
関する。
（従来の技術）
回路基板等の金属板の加工においては、孔あけにドリル
やプレス加工、切断にブレードダイサーやプレス加工が
使用されているがパリの発生や変形が問題であり、半導
体基板の加工方法としてはブレードダイサーやエツチン
グが用いられているがコスト高となったり、加工工数が
限定されるという問題かある。
やプレス加工、切断にブレードダイサーやプレス加工が
使用されているがパリの発生や変形が問題であり、半導
体基板の加工方法としてはブレードダイサーやエツチン
グが用いられているがコスト高となったり、加工工数が
限定されるという問題かある。
基板材料としての金属板や半導体基板を加工する方法と
してレーザを用いた切断、孔あけ、スクライビング等が
上記問題の解決策として用いられることがある。ところ
が、レーザ加工をすると第９図に示されるように被加工
物１の切断部分２にパリ３等が発生するものであり、ま
たリキャスト層や溶融飛散物による基板の汚れ等が発生
しやすいものであった。ここで、図中に示される被加工
物１は厚さ約３００μｍのＮｉ−Ｆｅの磁性合金基板で
あり、表面には約５０μｍの厚さの有機膜が形成されて
いる。そして、レーザ加工によって生じるパリの高さは
数十μｍである。
してレーザを用いた切断、孔あけ、スクライビング等が
上記問題の解決策として用いられることがある。ところ
が、レーザ加工をすると第９図に示されるように被加工
物１の切断部分２にパリ３等が発生するものであり、ま
たリキャスト層や溶融飛散物による基板の汚れ等が発生
しやすいものであった。ここで、図中に示される被加工
物１は厚さ約３００μｍのＮｉ−Ｆｅの磁性合金基板で
あり、表面には約５０μｍの厚さの有機膜が形成されて
いる。そして、レーザ加工によって生じるパリの高さは
数十μｍである。
（発明が解決しようとする課題）
レーザ加工は熱加工であり、被加工物にリキャスト層を
形成し、溶融飛散物により、パリの発生や基板の汚れ等
が発生しやすく加工品質が低下するという事情があった
。
形成し、溶融飛散物により、パリの発生や基板の汚れ等
が発生しやすく加工品質が低下するという事情があった
。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、加工
後にパリや溶融再凝固層を残さずに加工品質を向上でき
、また加工速度も高めることができるレーザ加工とウェ
ットエツチングを併用した加工方法を提供することを目
的とする。
後にパリや溶融再凝固層を残さずに加工品質を向上でき
、また加工速度も高めることができるレーザ加工とウェ
ットエツチングを併用した加工方法を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
被加工物にレーザ光を照射することで、この被加工物に
溶融再凝固層を形成し、この溶融再凝固層のみに高いエ
ツチングレートを有するエツチング液を用いて、上記被
加工物をウェットエツチングすることで上記溶融再凝固
層を除去して加工するレーザ加工とウエットエッーチン
グを併用した加工方法にある。
溶融再凝固層を形成し、この溶融再凝固層のみに高いエ
ツチングレートを有するエツチング液を用いて、上記被
加工物をウェットエツチングすることで上記溶融再凝固
層を除去して加工するレーザ加工とウエットエッーチン
グを併用した加工方法にある。
（作用）
レーザ加工により被加工物に対して溶融再凝固層を形成
し、この溶融再凝固層をウェットエツチングによ・り除
去することにより、従来は加工部分に残留されていた溶
融飛散物等によるパリや被加工物の汚れ等を除去でき品
質の高い加工ができる。また、溶融再凝固層を形成する
レーザ加工は従来のレーザ加工のみによる加工に比較し
て短時間で終了でき、かつウェットエツチングは複数の
被加工物を同時に加工できるので、多量生産においては
従来技術に比較して生産性の非常に高い加工ができる。
し、この溶融再凝固層をウェットエツチングによ・り除
去することにより、従来は加工部分に残留されていた溶
融飛散物等によるパリや被加工物の汚れ等を除去でき品
質の高い加工ができる。また、溶融再凝固層を形成する
レーザ加工は従来のレーザ加工のみによる加工に比較し
て短時間で終了でき、かつウェットエツチングは複数の
被加工物を同時に加工できるので、多量生産においては
従来技術に比較して生産性の非常に高い加工ができる。
（実施例）
本発明における第１実施例を図面を参照して説明する。
第１図乃至第４図に示されるのは被加工物としての例え
ばＮｉ−Ｆｅベースの磁性合金基板（以下、単に基板）
４である。この基板４は例えば板厚か３００μｍで、表
面には厚さか５０μｍのエポキシ系有機膜５が形成され
ている。この有機膜５は回路と基板の絶縁用にコーティ
ングされている。この基板４は図示しないＸＹテーブル
上に載置され、図示しないレーザ加工装置からのレーザ
光の照射を受けるようになっている。
ばＮｉ−Ｆｅベースの磁性合金基板（以下、単に基板）
４である。この基板４は例えば板厚か３００μｍで、表
面には厚さか５０μｍのエポキシ系有機膜５が形成され
ている。この有機膜５は回路と基板の絶縁用にコーティ
ングされている。この基板４は図示しないＸＹテーブル
上に載置され、図示しないレーザ加工装置からのレーザ
光の照射を受けるようになっている。
上記レーザ光は図示しない３０ｗクラスの連続発振のＹ
ＡＧレーザ発振器にＡ Ｏ（ＡｃｏｕｓｕｔＯｐｔｉｃ
Ｄｅｖｉｃｅ） −Ｑスイッチを取付けたものであり
、加工用レンズは焦点距離ｆ＝２０ｍｍの単レンズを使
用し、レーザ加工時には図示しないテーブルを移動する
ことにより基板４の所定部分を加熱する。例えば基板４
に対して第２図中に示されるような十字部分に沿ってレ
ーザ光を照射し、基板４の板厚全体に溶融再凝固層６を
形成する。
ＡＧレーザ発振器にＡ Ｏ（ＡｃｏｕｓｕｔＯｐｔｉｃ
Ｄｅｖｉｃｅ） −Ｑスイッチを取付けたものであり
、加工用レンズは焦点距離ｆ＝２０ｍｍの単レンズを使
用し、レーザ加工時には図示しないテーブルを移動する
ことにより基板４の所定部分を加熱する。例えば基板４
に対して第２図中に示されるような十字部分に沿ってレ
ーザ光を照射し、基板４の板厚全体に溶融再凝固層６を
形成する。
その後、上記基板４に対して後述するエツチング液を使
用してウェットエツチングを行なう。ここで使用するエ
ツチング液は例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ２）水溶液（
濃度５０％、温度８０°Ｃ）であり、上記溶融再凝固層
６に対して高いエツチングレートを有するものである。
用してウェットエツチングを行なう。ここで使用するエ
ツチング液は例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ２）水溶液（
濃度５０％、温度８０°Ｃ）であり、上記溶融再凝固層
６に対して高いエツチングレートを有するものである。
このエツチング時間は約５分とする。このエツチングに
より上記基板４は第３図および第４図に示されるように
４枚に切断された状態に分割される。
より上記基板４は第３図および第４図に示されるように
４枚に切断された状態に分割される。
また、このとき上記有機膜５は基板４の保護膜として機
能するので、上述したレーザ加工時においても非加工部
分に形成された有機膜５は剥離を生じることがないので
、有効な保護膜作用を奏する。
能するので、上述したレーザ加工時においても非加工部
分に形成された有機膜５は剥離を生じることがないので
、有効な保護膜作用を奏する。
そして、基板４の非レーザ加工部分のエツチング量は数
１０μｍであり、厚さ２００μｍ以上の溶融再凝固層６
のエツチング速度は基板４の有機膜５の無い部分の約１
０倍程度となっている。このため、基板４の有機膜５が
塗布されていない裏面と、切断部分２のエツチングによ
る損傷は非常に小さく押さえることかできる。また、有
機膜５はエツチングによっても剥離や変質を生じること
がなく、この有機膜５上に付着した除去物質による汚れ
もエツチングによりクリーニングされる。
１０μｍであり、厚さ２００μｍ以上の溶融再凝固層６
のエツチング速度は基板４の有機膜５の無い部分の約１
０倍程度となっている。このため、基板４の有機膜５が
塗布されていない裏面と、切断部分２のエツチングによ
る損傷は非常に小さく押さえることかできる。また、有
機膜５はエツチングによっても剥離や変質を生じること
がなく、この有機膜５上に付着した除去物質による汚れ
もエツチングによりクリーニングされる。
このような作用により基板４上に例えば図示しないコイ
ルか形成されている場合には、このコイルの絶縁性を確
保し、かつコイルにダメージを与えること無く基板４を
切断することができる。
ルか形成されている場合には、このコイルの絶縁性を確
保し、かつコイルにダメージを与えること無く基板４を
切断することができる。
」二連のようにレーザ加工により溶融再凝固層６を形成
するために要する加工時間は、同一の基板をレーザ加工
装置のみにより切断するのに要する加工時間に比較して
高速で加工を終了することができる。また、ウェットエ
ツチングは上述のようにレーザ加工された複数の基板４
をパンチ処理することにより高いスループットを得るこ
とかでき、かつ、高い品質を得ることかできる。
するために要する加工時間は、同一の基板をレーザ加工
装置のみにより切断するのに要する加工時間に比較して
高速で加工を終了することができる。また、ウェットエ
ツチングは上述のようにレーザ加工された複数の基板４
をパンチ処理することにより高いスループットを得るこ
とかでき、かつ、高い品質を得ることかできる。
なお、レーザ加工の加工速度はレーサ平均出力の増加と
ともに高くなり、例えばレーサ出力が２６Ｗ（Ｑスイッ
チンク周波数３０ ｋ Ｈｚ）のとき１５ｍｍ／ｓの加
工速度を得ることかできた。
ともに高くなり、例えばレーサ出力が２６Ｗ（Ｑスイッ
チンク周波数３０ ｋ Ｈｚ）のとき１５ｍｍ／ｓの加
工速度を得ることかできた。
以下、本発明における第２実施例について第５図乃至第
８図を参照して説明する。図中に示される基板７を図示
しないＸＹ子テーブル上載置し、このＸＹ子テーブル上
同一平面」二でＸＹ力方向移動しながら、基板７の表面
側にレーザ加工を行なう。この際、レーザ光を照射する
ことにより、基板７の板厚方向に非貫通状態に溶融再凝
固層８を形成する。ここで、上記溶融再凝固層８は基板
７の表面に例えば十字状に形成する。この後、上記基板
７を後述するエツチング液により、エツチングを行なう
ことで、上記溶融再凝固層８を除去して第８図に示すよ
うに溝９を形成する。
８図を参照して説明する。図中に示される基板７を図示
しないＸＹ子テーブル上載置し、このＸＹ子テーブル上
同一平面」二でＸＹ力方向移動しながら、基板７の表面
側にレーザ加工を行なう。この際、レーザ光を照射する
ことにより、基板７の板厚方向に非貫通状態に溶融再凝
固層８を形成する。ここで、上記溶融再凝固層８は基板
７の表面に例えば十字状に形成する。この後、上記基板
７を後述するエツチング液により、エツチングを行なう
ことで、上記溶融再凝固層８を除去して第８図に示すよ
うに溝９を形成する。
なお、この発明は上記各実施例に限定されるものではな
い。例えば上記第１実施例では板状の被加工物に厚さ方
向に貫通する溶融再凝固層を形成し、エツチングにより
この溶融；凝固層を除去して切断しているが、レーザ光
をスポット状に照射することで円柱状の溶融再凝固層を
貫通状態に形成することでエツチングにより貫通孔を形
成することもできる。
い。例えば上記第１実施例では板状の被加工物に厚さ方
向に貫通する溶融再凝固層を形成し、エツチングにより
この溶融；凝固層を除去して切断しているが、レーザ光
をスポット状に照射することで円柱状の溶融再凝固層を
貫通状態に形成することでエツチングにより貫通孔を形
成することもできる。
また、上記第２実施例では、レーザ加工により非貫通状
態に溶融再凝固層を形成し、ウェットエツチングにより
溝を形成したか、被加工物にスポット状にレーザ光を照
射して非貫通状態に溶融再凝固層を形成し、この溶融再
凝固層を除去することで非貫通孔を形成することもてき
る。
態に溶融再凝固層を形成し、ウェットエツチングにより
溝を形成したか、被加工物にスポット状にレーザ光を照
射して非貫通状態に溶融再凝固層を形成し、この溶融再
凝固層を除去することで非貫通孔を形成することもてき
る。
また、上記各実施例では被加工物がＮｉ−Ｆｅの磁性合
金基板４．７であったか、これに限定されず、例えば８
１基板でもよい、８１基板の場合にはエツチング液をＮ
ａＯＨ水溶液また弗酸と硝酸の混合水溶液を使用するこ
とで同様の効果を得ることができる。
金基板４．７であったか、これに限定されず、例えば８
１基板でもよい、８１基板の場合にはエツチング液をＮ
ａＯＨ水溶液また弗酸と硝酸の混合水溶液を使用するこ
とで同様の効果を得ることができる。
レーザ光により被加工物に溶融再凝固層を形成し、溶融
再凝固層をウェットエツチングにより除去することで、
上記レーザ加工により発生したハリや汚れ等を除去する
ことかできるので、品質の高い加工を行なうことができ
る。また、エツチング時にハツチ処理を行なえば従来方
法に比較して高いスループットで加工かでき、加工速度
を高めることかできる。
再凝固層をウェットエツチングにより除去することで、
上記レーザ加工により発生したハリや汚れ等を除去する
ことかできるので、品質の高い加工を行なうことができ
る。また、エツチング時にハツチ処理を行なえば従来方
法に比較して高いスループットで加工かでき、加工速度
を高めることかできる。
第１図乃至第４図は本発明における第１実施例であり、
第１図はＮｉ−Ｆｅベースの磁性合金基板に溶融再凝固
層を形成した状態を示す断面図、第２図は溶融再凝固層
か形成された基板の斜視図、第３図は基板に形成された
溶融再凝固層を除去した状態を示す断面図、第４図は基
板かエツチングされることで切断された状態を示す斜視
図、第５図乃至第８図は本発明における第２実施例であ
り、第５図は基板に溶融再凝固層を形成した状態を示す
断面図、第６図は基板に溶融再凝固層を形成した状態を
示す斜視図、第７図は溶融再凝固層を除去した°基板を
示す断面図、第８図は溶融再凝固層を除去した基板を示
す斜視図、第９図はレーザ加工のみによって切断された
被加工物を示す断面図］ ０
第１図はＮｉ−Ｆｅベースの磁性合金基板に溶融再凝固
層を形成した状態を示す断面図、第２図は溶融再凝固層
か形成された基板の斜視図、第３図は基板に形成された
溶融再凝固層を除去した状態を示す断面図、第４図は基
板かエツチングされることで切断された状態を示す斜視
図、第５図乃至第８図は本発明における第２実施例であ
り、第５図は基板に溶融再凝固層を形成した状態を示す
断面図、第６図は基板に溶融再凝固層を形成した状態を
示す斜視図、第７図は溶融再凝固層を除去した°基板を
示す断面図、第８図は溶融再凝固層を除去した基板を示
す斜視図、第９図はレーザ加工のみによって切断された
被加工物を示す断面図］ ０
Claims (1)
- 被加工物に対してレーザ光を照射することでこの被加工
物に溶融再凝固層を形成し、上記溶融再凝固層に対して
高いエッチングレートを有するエッチング液でウェット
エッチングし上記溶融再凝固層を除去することを特徴と
するレーザ加工とウェットエッチングを併用した加工方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187528A JPH0238587A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187528A JPH0238587A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238587A true JPH0238587A (ja) | 1990-02-07 |
| JPH0453952B2 JPH0453952B2 (ja) | 1992-08-28 |
Family
ID=16207664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63187528A Granted JPH0238587A (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | レーザ加工とウエットエッチングを併用した加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238587A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4110745A1 (de) * | 1990-04-04 | 1991-10-10 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur bearbeitung eines keramischen materials |
| US5185295A (en) * | 1990-05-16 | 1993-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for dicing semiconductor substrates using a laser scribing and dual etch process |
| WO1994024705A1 (fr) * | 1993-04-14 | 1994-10-27 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Procede d'usinage d'une feuille metallique, procede d'usinage d'une grille de connexion, procede d'usinage d'une grille de connexion et d'un dispositif a semi-conducteur, et dispositif a semi-conducteur |
| DE102024001861A1 (de) * | 2024-06-07 | 2025-12-11 | Azur Space Solar Power Gmbh | Verfahren zur Herstellung von einer Durchgangsöffnung bei einer Germanium Halbleiterscheibe mit aufliegenden III-V Halbleiterschichten |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202418A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 透明電極基板の製造法 |
-
1988
- 1988-07-27 JP JP63187528A patent/JPH0238587A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62202418A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 透明電極基板の製造法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4110745A1 (de) * | 1990-04-04 | 1991-10-10 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur bearbeitung eines keramischen materials |
| US5178725A (en) * | 1990-04-04 | 1993-01-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for working ceramic material |
| DE4110745C2 (de) * | 1990-04-04 | 1997-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum Materialabtrag an schwer bearbeitbarem, im wesentlichen aus keramischem Material bestehendem Basismaterial |
| US5185295A (en) * | 1990-05-16 | 1993-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for dicing semiconductor substrates using a laser scribing and dual etch process |
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| US5580466A (en) * | 1993-04-14 | 1996-12-03 | Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. | Metal plate processing method, lead frame processing method, lead frame, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device |
| DE102024001861A1 (de) * | 2024-06-07 | 2025-12-11 | Azur Space Solar Power Gmbh | Verfahren zur Herstellung von einer Durchgangsöffnung bei einer Germanium Halbleiterscheibe mit aufliegenden III-V Halbleiterschichten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0453952B2 (ja) | 1992-08-28 |
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