JPH023930A - 半導体装置における多層電極の製造方法 - Google Patents
半導体装置における多層電極の製造方法Info
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- JPH023930A JPH023930A JP63153284A JP15328488A JPH023930A JP H023930 A JPH023930 A JP H023930A JP 63153284 A JP63153284 A JP 63153284A JP 15328488 A JP15328488 A JP 15328488A JP H023930 A JPH023930 A JP H023930A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置における多層電極の製造方法に関し
、更に詳細には異なる材料から成る少なくとも２つの金
属電極層が積層されて取る半導体装置における多層電極
の製造方法に関する。
、更に詳細には異なる材料から成る少なくとも２つの金
属電極層が積層されて取る半導体装置における多層電極
の製造方法に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕フリッ
プチップのバンプ電極Ｃ突起状′Ｉ電極）は異なる材料
から成る金属電極層が積場された多層を極構造となって
いる。従来のバングを極は、シリコンから成る牛導体碩
域の±に複機された５ｉＱ２膜（シリコン酸化層）の土
に順次に真空蒸着さｊ７’ＣＡ＋ （７，＋＋、＜ ニ
ウム３層、Ｃｒ（り−ム）Ｎ１．Ｃｕ（銅）層と、その
上Ｋｍ気メツキにて肉厚に形成されたＣｕ層と、更にそ
の上に形成された牛田層とから成る。Ａ１層は、バンブ
電極から離すした所で半導体領域とオーピック接触して
いる配線！極層１゛ある。ＡＩ場がバンプｉｋ極の直下
で牛導体頌域とオービック接触している場合もある。Ｃ
ｕ層は半田の何７１全良好とするための半田付は金楕層
である。
プチップのバンプ電極Ｃ突起状′Ｉ電極）は異なる材料
から成る金属電極層が積場された多層を極構造となって
いる。従来のバングを極は、シリコンから成る牛導体碩
域の±に複機された５ｉＱ２膜（シリコン酸化層）の土
に順次に真空蒸着さｊ７’ＣＡ＋ （７，＋＋、＜ ニ
ウム３層、Ｃｒ（り−ム）Ｎ１．Ｃｕ（銅）層と、その
上Ｋｍ気メツキにて肉厚に形成されたＣｕ層と、更にそ
の上に形成された牛田層とから成る。Ａ１層は、バンブ
電極から離すした所で半導体領域とオーピック接触して
いる配線！極層１゛ある。ＡＩ場がバンプｉｋ極の直下
で牛導体頌域とオービック接触している場合もある。Ｃ
ｕ層は半田の何７１全良好とするための半田付は金楕層
である。
また、 Ｃｒ層はＡ１層とＣｕ層の接続を良好とするバ
ッファ金−層である。
ッファ金−層である。
バンプ［ｆ＆には特に引張強度が大きいことが要求され
るが、従来この種の多層１！極では、所定の引張強度が
得られないものが発生する頻度が比較的高かった。特に
、配線電極層（ＡＩ鳩）と５ｉＵ２膜との界面で剥離す
るものが多くみらｔ−した。この原因は、牛田付は金楕
層（Ｃｕ７ｍ）を構成する金属（Ｃｕ ）力しくソファ
金！Ａｒ＠ｒＣｒ層）を通過して配線電極ｒｅ（Ａ、１
層）にかなり大量に拡散し、配線′！！ｉ極島（Ａ１層
）とＳ ｌｏ２膜の接着強度が低下することにある。牛
田付は金属にＣｕ’ＰＡｕ（金）などの重金属を使用し
た場合、それらの金属が牛導体飴域まで拡散すると、特
性劣化の原因にもなる。
るが、従来この種の多層１！極では、所定の引張強度が
得られないものが発生する頻度が比較的高かった。特に
、配線電極層（ＡＩ鳩）と５ｉＵ２膜との界面で剥離す
るものが多くみらｔ−した。この原因は、牛田付は金楕
層（Ｃｕ７ｍ）を構成する金属（Ｃｕ ）力しくソファ
金！Ａｒ＠ｒＣｒ層）を通過して配線電極ｒｅ（Ａ、１
層）にかなり大量に拡散し、配線′！！ｉ極島（Ａ１層
）とＳ ｌｏ２膜の接着強度が低下することにある。牛
田付は金属にＣｕ’ＰＡｕ（金）などの重金属を使用し
た場合、それらの金属が牛導体飴域まで拡散すると、特
性劣化の原因にもなる。
ところで、特開昭５４−９２１７６号公報に。
ゴ゛ａ（タンタル）１−の上ＫＡＩ層が形成さ才（た多
層電極構造において、ＡＩＪ−のＡＩが’Ｉ’ａ ｆｆ
曽を通過して更に”’Ｆ層に拡散するのを抑制するため
に、 Ａｌ ／−のＴａ層側に酸化アルεニウムを多量
に含んたＡ１層を形成することが開示されている。Ｔａ
層のＡ１層側全酸化タンタルを多量に含むＴａ層に形成
した構造と組合せる場合もある。これらの酸化物全多量
に含む金属層の形成は、真空蒸着の途中で真空槽内に水
分や酸素全速り込み（結果として真空槽中の圧力が高ま
る）、酸化性の比較的高い雰囲気で蒸着を行う。この蒸
着の前後には酸化物をほとんど含まない蒸着全行ワので
、真空槽中の圧力全所定の冒真空状態に保って蒸着全行
つ之後、上記酸化性雰囲気蒸着のために真空槽中の圧力
を高め、その後また真空槽中の圧力を所定の高真空状態
にもと丁といり工程を終ることになる。
層電極構造において、ＡＩＪ−のＡＩが’Ｉ’ａ ｆｆ
曽を通過して更に”’Ｆ層に拡散するのを抑制するため
に、 Ａｌ ／−のＴａ層側に酸化アルεニウムを多量
に含んたＡ１層を形成することが開示されている。Ｔａ
層のＡ１層側全酸化タンタルを多量に含むＴａ層に形成
した構造と組合せる場合もある。これらの酸化物全多量
に含む金属層の形成は、真空蒸着の途中で真空槽内に水
分や酸素全速り込み（結果として真空槽中の圧力が高ま
る）、酸化性の比較的高い雰囲気で蒸着を行う。この蒸
着の前後には酸化物をほとんど含まない蒸着全行ワので
、真空槽中の圧力全所定の冒真空状態に保って蒸着全行
つ之後、上記酸化性雰囲気蒸着のために真空槽中の圧力
を高め、その後また真空槽中の圧力を所定の高真空状態
にもと丁といり工程を終ることになる。
上記公開公報に開示されている発明を７リソプチツプの
バンプ電極の形成に適用する場合、真空蒸着で形成下る
Ｃｕ層のＣｒ層と隣接する層を酸化銅を多量に含むＣｕ
層として形成し、必要に応じてＣｒ層のＣｕ層とＶａ接
する層も酸化クロムを多量に含むＣｒ層として形成下れ
ばよい。しかし、異種金属から成るＣｕ層とＣｒ層をこ
のよ５に形成した場合、Ｃｕ層とＣｒ層の接着強度が低
下し、結果としてバンブ１１１極に要求される引張強度
を満亀させることができない。しかも、真空蒸着の途中
で真空槽内の圧力を変化させることも、制御が難しいし
時間も増えることになり、″に産向きとは言えない。
バンプ電極の形成に適用する場合、真空蒸着で形成下る
Ｃｕ層のＣｒ層と隣接する層を酸化銅を多量に含むＣｕ
層として形成し、必要に応じてＣｒ層のＣｕ層とＶａ接
する層も酸化クロムを多量に含むＣｒ層として形成下れ
ばよい。しかし、異種金属から成るＣｕ層とＣｒ層をこ
のよ５に形成した場合、Ｃｕ層とＣｒ層の接着強度が低
下し、結果としてバンブ１１１極に要求される引張強度
を満亀させることができない。しかも、真空蒸着の途中
で真空槽内の圧力を変化させることも、制御が難しいし
時間も増えることになり、″に産向きとは言えない。
そこで本発明の目的は、海開接着強度の大きい多層ＩＩ
極を量産性良く製造できる方法を提供することにある。
極を量産性良く製造できる方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、少なくとも第１の
金属電極層とこれと異なる材料から成る第２の金属電極
層が順次隣接して形成された半導体装置における多／ｆ
１ｍ極の製造方法において、前記第１の金属電極層の一
部である第１の層を第１の蒸着速度で第１の厚さに真空
蒸着法によって形成し、前記第１の金属電極層の他の一
部である第２の層を前記第１の層上に前記第１の蒸着速
度よりも大きい第２の蒸着速度で前記第１の厚さより薄
い第２の厚さに真空蒸着法によって形成し、しかる後、
前記第２の層上に前記第２の金属電極層を形成すること
を特徴とする半導体装置における多層′電極の製造方法
に係わるものである。
金属電極層とこれと異なる材料から成る第２の金属電極
層が順次隣接して形成された半導体装置における多／ｆ
１ｍ極の製造方法において、前記第１の金属電極層の一
部である第１の層を第１の蒸着速度で第１の厚さに真空
蒸着法によって形成し、前記第１の金属電極層の他の一
部である第２の層を前記第１の層上に前記第１の蒸着速
度よりも大きい第２の蒸着速度で前記第１の厚さより薄
い第２の厚さに真空蒸着法によって形成し、しかる後、
前記第２の層上に前記第２の金属電極層を形成すること
を特徴とする半導体装置における多層′電極の製造方法
に係わるものである。
なお、上記発明と実施例との対応関係を説明すると、第
１の金属電極層はＣｒ層５であり、第１の層は第１及び
第２のＣｒ層５ａ、５ｂであジ、第２の層は第３のＣｒ
層５ｃである。第２の金ＩＷｉＩ！極層はＣｕ層６であ
る。
１の金属電極層はＣｒ層５であり、第１の層は第１及び
第２のＣｒ層５ａ、５ｂであジ、第２の層は第３のＣｒ
層５ｃである。第２の金ＩＷｉＩ！極層はＣｕ層６であ
る。
上記発明における第２の層は、第１の層よりも大きい蒸
着速度で形成されるので、第１の層と比較して、第２の
金１ｉＪ電極層と大きな接着強度を持って積層される。
着速度で形成されるので、第１の層と比較して、第２の
金１ｉＪ電極層と大きな接着強度を持って積層される。
第１のＪ−は、第２の膚よりも小さい蒸着速度で形成さ
れ、かつ第２の膚よりも厚く形成されるので、第２の層
と比較して第２の金稿電＠１層を構成する金属が通過し
ようとするのを阻止する働きが大きい。このため、第１
の金属電極層の下部邪材中に第２の金属１！極層を構成
する金属が侵入していくことに起因する不良発生が抑制
される。
れ、かつ第２の膚よりも厚く形成されるので、第２の層
と比較して第２の金稿電＠１層を構成する金属が通過し
ようとするのを阻止する働きが大きい。このため、第１
の金属電極層の下部邪材中に第２の金属１！極層を構成
する金属が侵入していくことに起因する不良発生が抑制
される。
本発明の一５ｉＩＩｃ施例に係わるバンプ電極と、その
製造方法について以下に説明する。
製造方法について以下に説明する。
第２図のバンプ電極１は、シリコンかうｆｆる半導体領
域２の上に被覆された熱酸化によるＳ ｉ０２膜３の上
に形成さｉておジ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ層５．Ｃｕ層６，７
、半田層８から成る多層構造となっている。
域２の上に被覆された熱酸化によるＳ ｉ０２膜３の上
に形成さｉておジ、ＡｌＮｄ、Ｃｒ層５．Ｃｕ層６，７
、半田層８から成る多層構造となっている。
バンプ電極１を大造するに当っては、まず、ＳｉＯ２膜
６の上に配置ｔ極層としてＡ１層４を形成する。４１層
４は、バンブを極１の最下層となる部分と半導体傾城２
にオーミック接触している部分（図示ゼす）とこｔらを
接続する部分とから放る。
６の上に配置ｔ極層としてＡ１層４を形成する。４１層
４は、バンブを極１の最下層となる部分と半導体傾城２
にオーミック接触している部分（図示ゼす）とこｔらを
接続する部分とから放る。
Ａ１層４は、全面的に真空蒸着を行った後、フォトエツ
チングにより所望のパターンに形成する。ＡＩ／？＃４
の厚さは約１μｍである。４１層４の真空蒸着は周知の
電子衝撃法（電子ビーム蒸着法）にょジ行５゜ｆｉｌｌ
ち、所定の圧力（１ＱＴｏｒｒ程度）に保たれた真空槽
（ペルジャー）に被蒸着体としての半導体基板と薄膜材
料としてのＡｊ板を対向させて配置する。つづいて、Ａ
Ｉ板に電子ビームを照射して加熱し、 ＡＩ材を蒸発さ
せる。蒸発したＡ１分子ないしＡＩ原子は半導体基板へ
と飛散し、その表面に凝縮してＡ１層を形成する。
チングにより所望のパターンに形成する。ＡＩ／？＃４
の厚さは約１μｍである。４１層４の真空蒸着は周知の
電子衝撃法（電子ビーム蒸着法）にょジ行５゜ｆｉｌｌ
ち、所定の圧力（１ＱＴｏｒｒ程度）に保たれた真空槽
（ペルジャー）に被蒸着体としての半導体基板と薄膜材
料としてのＡｊ板を対向させて配置する。つづいて、Ａ
Ｉ板に電子ビームを照射して加熱し、 ＡＩ材を蒸発さ
せる。蒸発したＡ１分子ないしＡＩ原子は半導体基板へ
と飛散し、その表面に凝縮してＡ１層を形成する。
次に、 Ａ１層４の上面にスパッタリングにより石英ガ
ラスからなる保護膜９を形成する。なお、保護膜９を全
面に形成し、しかる後、バンブを極１を形成丁べき箇所
に対応させてフォトエツチングにより開口１０を形成す
る。
ラスからなる保護膜９を形成する。なお、保護膜９を全
面に形成し、しかる後、バンブを極１を形成丁べき箇所
に対応させてフォトエツチングにより開口１０を形成す
る。
次に、Ｃｒ層とＵｕ層を顯次真窒蒸着にて全面的に形成
し、７オトエツチングにより開口１０の部分を残存させ
て０１層５．Ｃｕ層６を形成する。Ｃｒ）＊５．Ｃｕ層
乙の真空Ｍ看もＡ１層４と同様圧電子衝撃法による。
Ｃｒ層５、Ｃｕ層６は開口１０を通じて４１層４と電気
的に接続されている。Ｃｕ層５の厚さは約３μｍである
。Ｃｒ／ｉｉ５の厚さについては後述する。
し、７オトエツチングにより開口１０の部分を残存させ
て０１層５．Ｃｕ層６を形成する。Ｃｒ）＊５．Ｃｕ層
乙の真空Ｍ看もＡ１層４と同様圧電子衝撃法による。
Ｃｒ層５、Ｃｕ層６は開口１０を通じて４１層４と電気
的に接続されている。Ｃｕ層５の厚さは約３μｍである
。Ｃｒ／ｉｉ５の厚さについては後述する。
次に、バンプ電極１の高さを確保てるために。
Ｕｕ １ｍ ６の上面に！気メツキにて約３０μｍの厚
さのＣｕＨｚ７選択的に形成する。つづいて、半田デイ
ツプあるいは手出ボールの載置及び溶融によりＣｕＩ曽
７の上面に半球状の半田層８を設ける。
さのＣｕＨｚ７選択的に形成する。つづいて、半田デイ
ツプあるいは手出ボールの載置及び溶融によりＣｕＩ曽
７の上面に半球状の半田層８を設ける。
以上の説明は従来のバンプ１１極の製法と伺ら変らない
。本実施例の従来例と異なる点はバッファ金属層である
０１層５を第１図に示すよ５に蒸着速度と厚さを変えて
第１、第２及び第３の０１層５ａ。
。本実施例の従来例と異なる点はバッファ金属層である
０１層５を第１図に示すよ５に蒸着速度と厚さを変えて
第１、第２及び第３の０１層５ａ。
５ｂ、５ｃＫわけて形成したことにある。Ｒ口ち。
ＡＩ層４側の第１及び第２の０１層５ａ、５ｂは比較的
蒸着速度を小さくして真全蒸着し、Ｃｕ層６に隣接する
第３のＣｒ層５ｃは比較的蒸着速度を大きくして真空蒸
着する。この例では、第１．第２及び第３のＣｒ／１Ｉ
５ａ、５ｂ、５ｃをツレツレ毎分蒸着した。蒸着速度の
制御は薄膜材料としてのＣｒ材に衝突させる電子ビーム
のビーム電流値を変えることで行う。即ち、第１及び第
２の０１層５ａ。
蒸着速度を小さくして真全蒸着し、Ｃｕ層６に隣接する
第３のＣｒ層５ｃは比較的蒸着速度を大きくして真空蒸
着する。この例では、第１．第２及び第３のＣｒ／１Ｉ
５ａ、５ｂ、５ｃをツレツレ毎分蒸着した。蒸着速度の
制御は薄膜材料としてのＣｒ材に衝突させる電子ビーム
のビーム電流値を変えることで行う。即ち、第１及び第
２の０１層５ａ。
５ｂを形成するときはビーム電流値を小さくシ。
第３のＣｒ層５Ｃを形成するときはビーム電流値を大き
くして真空蒸着する。第２のＣｒ層５ｂの厚さは、第１
及び第３の０１層５ａ、５ｃの厚さより太き（する。こ
の例では、第１．第２．第３の０１層５ａ、５ｂ、５ｃ
の潔さはそれぞｔｚ５００Ａ。
くして真空蒸着する。第２のＣｒ層５ｂの厚さは、第１
及び第３の０１層５ａ、５ｃの厚さより太き（する。こ
の例では、第１．第２．第３の０１層５ａ、５ｂ、５ｃ
の潔さはそれぞｔｚ５００Ａ。
３５００Ａ、５００Ａである。
本実施例のバンプ電極は以下の効果を有する。
ｆｉ＋ 蒸着速度を小さくして形成した肉厚の第２Ｏ
Ｃｒ層５ｂを投げたことにより、 Ｃｕ層６からのＡ１
層４へのＣｕの拡散全減少させることができ。
Ｃｒ層５ｂを投げたことにより、 Ｃｕ層６からのＡ１
層４へのＣｕの拡散全減少させることができ。
４１層４と５１０２膜２の接着ｇｉ度が向止し、ここで
の剥ｌｌＦを防止することができる。このメカニズムは
次のとおジである。真空蒸着の際に真空槽内の圧力を蒸
着を行’１１０Ｔｏｒｒ程度に下げたとき。
の剥ｌｌＦを防止することができる。このメカニズムは
次のとおジである。真空蒸着の際に真空槽内の圧力を蒸
着を行’１１０Ｔｏｒｒ程度に下げたとき。
残留ガス中にはＨｚ０（水分）が比較的多量に含まれて
いる。Ｃｒは活性の強い金属であるから、Ｃｒの一部は
このＨｚ Ｏと反応してクロム酸化物とＨｚ（水素）ガ
スを発生させる。事実、真空槽内の残留ガスを分析する
と、 Ｃｒの蒸着を進めるに従ってＨｚ０が減少し、Ｈ
ｚが増加することがＮ認される。
いる。Ｃｒは活性の強い金属であるから、Ｃｒの一部は
このＨｚ Ｏと反応してクロム酸化物とＨｚ（水素）ガ
スを発生させる。事実、真空槽内の残留ガスを分析する
と、 Ｃｒの蒸着を進めるに従ってＨｚ０が減少し、Ｈ
ｚが増加することがＮ認される。
このように、蒸着速度を小さくして真空蒸着をした第１
及び第２の０１層５ ａ、 ５ ｂは、酸化の度合が大
きく、蒸着速度を大きくして真空蒸着した第６のＣｒ層
５ｃは酸化の度合が小さくなっている。
及び第２の０１層５ ａ、 ５ ｂは、酸化の度合が大
きく、蒸着速度を大きくして真空蒸着した第６のＣｒ層
５ｃは酸化の度合が小さくなっている。
酸化の度合とＣＵの拡散館止の関係は明確ではないが１
次のように考えらする。Ｃｒ層を構成する微小なＣｒ粒
子の粒界には酸化忙よって生成されるクロム酸化物が存
在し、このクロム酸化物の存在が粒界を通って進行しよ
りとするＣＵの拡散を阻止するよりに作用する。従って
、酸化の度合の大きい第２のＣｒ層５ｂは、酸化の度合
の小さい第６のＣｒ層５ＣよジもＣｕの拡散全阻止する
能力が大きい。
次のように考えらする。Ｃｒ層を構成する微小なＣｒ粒
子の粒界には酸化忙よって生成されるクロム酸化物が存
在し、このクロム酸化物の存在が粒界を通って進行しよ
りとするＣＵの拡散を阻止するよりに作用する。従って
、酸化の度合の大きい第２のＣｒ層５ｂは、酸化の度合
の小さい第６のＣｒ層５ＣよジもＣｕの拡散全阻止する
能力が大きい。
もちろん、第１のＯｒ層５ａも、第３のＣｒ層５ｃよ！
１ｌｃｕの拡散を阻止する能力が大きいが、酸化の度合
と厚さの面からＣｕの拡散を減少させているのは、主と
して第２のＣ，層５ｂである。なお、この実施例の場合
に：Ａ１Ａ１層のＣｕの含有量が従来より著しく減少し
たことはオージェ分析により確認した。
１ｌｃｕの拡散を阻止する能力が大きいが、酸化の度合
と厚さの面からＣｕの拡散を減少させているのは、主と
して第２のＣ，層５ｂである。なお、この実施例の場合
に：Ａ１Ａ１層のＣｕの含有量が従来より著しく減少し
たことはオージェ分析により確認した。
（２（Ｃυ層６との＠接部分を含む第３のＣｒ Ｊ曽５
Ｃは蒸着速度を大きくして酸化の度合が小さくなるよう
に真空蒸着している。従って、ＣＵ層６との接着強度が
大きい。なお、Ｃｒ層５全全厚みに渡って蒸着速度を小
さくして形成した場合、 Ｃｕの拡散を阻止する作用は
大きくできるが、０１層５とＣｕＪ曽６との接着強度が
小さくなってしまり。
Ｃは蒸着速度を大きくして酸化の度合が小さくなるよう
に真空蒸着している。従って、ＣＵ層６との接着強度が
大きい。なお、Ｃｒ層５全全厚みに渡って蒸着速度を小
さくして形成した場合、 Ｃｕの拡散を阻止する作用は
大きくできるが、０１層５とＣｕＪ曽６との接着強度が
小さくなってしまり。
（３１第１の０１層５ａの真空蒸着の速度を第２のＣｒ
／１５ｂに比べて大きくしている。このため、第１の０
１層５ａと４１層４との妄Ｎｇ１度が大きい。
／１５ｂに比べて大きくしている。このため、第１の０
１層５ａと４１層４との妄Ｎｇ１度が大きい。
ただし、Ｃｒ層とＡ１層の接着性は比較的良好であるの
で、第１の０１層５ａの蒸着速度は第３のＣｒ層５ｃに
比べて小さくしている。
で、第１の０１層５ａの蒸着速度は第３のＣｒ層５ｃに
比べて小さくしている。
（４１蒸着速度を略一定として、真空槽内の圧力を変え
てＨ２０含有量を制御てれは上記と同様の効果を有する
ｃｒ層５ａ、５ｂ、５ｃを得ることができる。即ち、第
１及び第２の０１層５ａ、５ｂの形成の際は真空槽内の
圧力を大きくシ、第３のＣｒ層５ｃの形成の際は真空槽
内の圧力を小さくして真空蒸着する。しかし、真空槽内
の圧力を速やかにかつ大きく変化させるのは量産の場で
は困難である。その点、蒸着速度でｃｒ層５の膜質を制
御する実施例の方法は実用性が高い。なお、真空槽内の
圧力を＆極層に変えない場合でも、第１の層の蒸着から
第２及び第６の層の蒸着にかけて真壁槽内の圧力は徐々
に増加する。しかし、これは無視できる程度のものであ
る。
てＨ２０含有量を制御てれは上記と同様の効果を有する
ｃｒ層５ａ、５ｂ、５ｃを得ることができる。即ち、第
１及び第２の０１層５ａ、５ｂの形成の際は真空槽内の
圧力を大きくシ、第３のＣｒ層５ｃの形成の際は真空槽
内の圧力を小さくして真空蒸着する。しかし、真空槽内
の圧力を速やかにかつ大きく変化させるのは量産の場で
は困難である。その点、蒸着速度でｃｒ層５の膜質を制
御する実施例の方法は実用性が高い。なお、真空槽内の
圧力を＆極層に変えない場合でも、第１の層の蒸着から
第２及び第６の層の蒸着にかけて真壁槽内の圧力は徐々
に増加する。しかし、これは無視できる程度のものであ
る。
本発明は上述の実Ｍ例に１ｓＩｉｌ定されるものでなく
、例えは次の変形が可能なものである。
、例えは次の変形が可能なものである。
ｉｌｌ Ａ１層とＣｒ層との接着性は比較的良好であ
るので、 ４１層４との接着層として作用する第１のＣ
ｒ層５ａＯＭ着速度は、第２のＯｒ層５ｂと同等の蒸着
速度で形成してもよい。丁なわち、 ０１層５は、蒸着
速度を変えて真空蒸着し念２膚構造としてもよい。また
、４層以上としてもよい。この場合、０１層６との接着
部分を含む領域を大きな蒸着速度で真空蒸着し、この軸
線の下部に位置する２層以上の領域を小さな蒸着速度で
真空蒸着する。
るので、 ４１層４との接着層として作用する第１のＣ
ｒ層５ａＯＭ着速度は、第２のＯｒ層５ｂと同等の蒸着
速度で形成してもよい。丁なわち、 ０１層５は、蒸着
速度を変えて真空蒸着し念２膚構造としてもよい。また
、４層以上としてもよい。この場合、０１層６との接着
部分を含む領域を大きな蒸着速度で真空蒸着し、この軸
線の下部に位置する２層以上の領域を小さな蒸着速度で
真空蒸着する。
（２） 蒸７＃Ｉ速度を連続的に変化させて０１層５
を形成してもよい。例えば、最初は中位の蒸着速度でス
タートシ１次第に蒸ｆｔ速度を遅くシ、シばらく小さい
蒸着速度で一定させた後１次第に蒸着速度を筒めて大き
い蒸着速度で０１層５の形成を終了する。
を形成してもよい。例えば、最初は中位の蒸着速度でス
タートシ１次第に蒸ｆｔ速度を遅くシ、シばらく小さい
蒸着速度で一定させた後１次第に蒸着速度を筒めて大き
い蒸着速度で０１層５の形成を終了する。
１３ノ 真空槽中の圧力は、＠？！！一定として０１
層５の真壁蒸着を行うのが便利である。しかし、蒸着速
度を変えて０１層５の酸化度合を制御する方法を主体と
して、真空槽中の圧力を少し変えて真空槽中のＨｔＯの
含有量を制御する方法全補助的に組合せてもよい。
層５の真壁蒸着を行うのが便利である。しかし、蒸着速
度を変えて０１層５の酸化度合を制御する方法を主体と
して、真空槽中の圧力を少し変えて真空槽中のＨｔＯの
含有量を制御する方法全補助的に組合せてもよい。
＋４１ 生出付は金属層としてＡυ（金）、Ａｇ（銀
）、Ｉ’ｙｉにッケル）等ヲ使用し、バッファ電極ある
いはバッファを極兼オーｉツク！極としてＴｉ （チタ
ン）等を使用したときも、７１層を０１層５のように形
成丁れば本発明は有効である。
）、Ｉ’ｙｉにッケル）等ヲ使用し、バッファ電極ある
いはバッファを極兼オーｉツク！極としてＴｉ （チタ
ン）等を使用したときも、７１層を０１層５のように形
成丁れば本発明は有効である。
（５１第１の金属電極場が半導体細線に隣接した構造で
あっても、第１の金属！極層と半導体＠城との剥離が問
題となるとき、あるいは第２の金属′１１！＠ＩＮの金
属妙：半導体細線に侵入することによる特性劣化が問題
になるとき１本発明は有効である。
あっても、第１の金属！極層と半導体＠城との剥離が問
題となるとき、あるいは第２の金属′１１！＠ＩＮの金
属妙：半導体細線に侵入することによる特性劣化が問題
になるとき１本発明は有効である。
また、第１の金Ｆ４電極層が絶縁物に隣接した構造であ
っても、ＰＪ様の剥離−ＩＰ詩性劣化が問題になるとき
は本発明は有効である。
っても、ＰＪ様の剥離−ＩＰ詩性劣化が問題になるとき
は本発明は有効である。
（６１％に大きな機械的強度が要求されるバンブを極の
とき本発明は特に有効であるが１例えはワイヤホンティ
ングのためのパッドを構成する多層を極にも適用できる
。
とき本発明は特に有効であるが１例えはワイヤホンティ
ングのためのパッドを構成する多層を極にも適用できる
。
上述のように、本発明によｆ（ば、引張強度が高いこと
によって扁信頼性で、かつ電気的特性を劣化させる原因
とならない牛導体装置の多層！極を実用性の高い製−ａ
′）５法によって提供することができる。
によって扁信頼性で、かつ電気的特性を劣化させる原因
とならない牛導体装置の多層！極を実用性の高い製−ａ
′）５法によって提供することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わるバンブ電極の一部全
拡大して示す断面図。 第２図は一実施例のバンブ電極を示す断面図である。 、！１＝ＡＩ層、 ５−Ｃｒ ｈ、 ５ ａ ＝−第１
のＣｒ１ｉｉｉ、５ｂ・・・第２のＣｒ層、５ｃ・・・
第３のＣｒ層、６・・・Ｃｕ層。 代 理 人 高 野 則 次第１図 第２図
拡大して示す断面図。 第２図は一実施例のバンブ電極を示す断面図である。 、！１＝ＡＩ層、 ５−Ｃｒ ｈ、 ５ ａ ＝−第１
のＣｒ１ｉｉｉ、５ｂ・・・第２のＣｒ層、５ｃ・・・
第３のＣｒ層、６・・・Ｃｕ層。 代 理 人 高 野 則 次第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕少なくとも第１の金属電極層とこれと異なる材料
から成る第２の金属電極層が順次隣接して形成された半
導体装置における多層電極の製造方法において、 前記第１の金属電極層の一部である第１の層を第１の蒸
着速度で第１の厚さに真空蒸着法によつて形成し、 前記第１の金属電極層の他の一部である第２の層を前記
第１の層上に前記第１の蒸着速度よりも大きい第２の蒸
着速度で前記第１の厚さより薄い第２の厚さに真空蒸着
法によつて形成し、 しかる後、前記第２の層上に前記第２の金属電極層を形
成することを特徴とする半導体装置における多層電極の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153284A JPH0691096B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 半導体装置における多層電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63153284A JPH0691096B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 半導体装置における多層電極の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023930A true JPH023930A (ja) | 1990-01-09 |
| JPH0691096B2 JPH0691096B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=15559109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63153284A Expired - Fee Related JPH0691096B2 (ja) | 1988-06-21 | 1988-06-21 | 半導体装置における多層電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691096B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5188329A (en) * | 1991-10-23 | 1993-02-23 | Tachi-S Co. Ltd. | Structure for covering slide railing seat adjuster |
| KR100956210B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2010-05-04 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법 |
| JP2017130823A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 京セラ株式会社 | 圧電発振器及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915181A (ja) * | 1982-02-12 | 1984-01-26 | ゲ−ツエ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフッング | 閉鎖方向でばね負荷された両開きドア |
-
1988
- 1988-06-21 JP JP63153284A patent/JPH0691096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5915181A (ja) * | 1982-02-12 | 1984-01-26 | ゲ−ツエ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフッング | 閉鎖方向でばね負荷された両開きドア |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5188329A (en) * | 1991-10-23 | 1993-02-23 | Tachi-S Co. Ltd. | Structure for covering slide railing seat adjuster |
| KR100956210B1 (ko) * | 2007-06-19 | 2010-05-04 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 금속 실리콘 질화물 박막의 플라즈마 강화 사이클릭증착방법 |
| JP2017130823A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | 京セラ株式会社 | 圧電発振器及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0691096B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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