JPH0239478A - 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導体薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0239478A JPH0239478A JP63189031A JP18903188A JPH0239478A JP H0239478 A JPH0239478 A JP H0239478A JP 63189031 A JP63189031 A JP 63189031A JP 18903188 A JP18903188 A JP 18903188A JP H0239478 A JPH0239478 A JP H0239478A
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- JP
- Japan
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- metal
- organic polymer
- polymer solution
- thin film
- metal alkoxide
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- Pending
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板上に溶液を垂らしたのち、基板を回転さ
せる塗布（以後スピン塗布と記す〉による半導体基板上
への酸化物超伝導体薄膜の製造方法に関するものである
。
せる塗布（以後スピン塗布と記す〉による半導体基板上
への酸化物超伝導体薄膜の製造方法に関するものである
。
従来の技術
近年、酸化物超伝導体における超伝導現象の生じる臨界
温度が、液体窒素温度（−１９６℃）を上回り、さらに
は室温に近づきつつある。これにより、酸化物超伝導体
は半導体装置の配線材料やジョセフソン接合材料として
注目されている。そこで、酸化物超伝導体を半導体装置
の配線材料やジョセフソン接合材料として利用するため
には、これらを薄膜化することが必要である。
温度が、液体窒素温度（−１９６℃）を上回り、さらに
は室温に近づきつつある。これにより、酸化物超伝導体
は半導体装置の配線材料やジョセフソン接合材料として
注目されている。そこで、酸化物超伝導体を半導体装置
の配線材料やジョセフソン接合材料として利用するため
には、これらを薄膜化することが必要である。
従来の酸化物超伝導体の製造方法は、超伝導体材料とな
る数種の酸化物粉末を乳鉢で手動で混合するかボールミ
ル等で機械で混合し、これを加圧成形し、焼成する方法
であった。
る数種の酸化物粉末を乳鉢で手動で混合するかボールミ
ル等で機械で混合し、これを加圧成形し、焼成する方法
であった。
発明が解決しようとする課題
従来の製造方法では、バルク状の酸化物超伝導材料しか
得られず、薄膜化することは困難であった。また、均一
に混合することが困難であり、特性の再現性が得られな
かった。本発明の目的は、上記従来の問題点を解決する
もので、組成が均一で、再現性のある特性が得られる酸
化物超伝導体薄膜を提供することにある。
得られず、薄膜化することは困難であった。また、均一
に混合することが困難であり、特性の再現性が得られな
かった。本発明の目的は、上記従来の問題点を解決する
もので、組成が均一で、再現性のある特性が得られる酸
化物超伝導体薄膜を提供することにある。
課題を解決するための手段
この目的を解決するための、本発明の酸化物超伝導体薄
膜の製造方法は、金属アルコキサイドを含んだ有機高分
子溶液または前記金属アルコキサイドに有機金属鎖体も
しくは金属イオンを含んだ有機高分子溶液または前記金
属アルコキサイドに前記有機金属鎖体と前記金属イオン
を含んだ有機高分子溶液を還流し、この溶液を半導体基
板上にスピン塗布し、焼成するものである。
膜の製造方法は、金属アルコキサイドを含んだ有機高分
子溶液または前記金属アルコキサイドに有機金属鎖体も
しくは金属イオンを含んだ有機高分子溶液または前記金
属アルコキサイドに前記有機金属鎖体と前記金属イオン
を含んだ有機高分子溶液を還流し、この溶液を半導体基
板上にスピン塗布し、焼成するものである。
作用
この発明によれば、従来の酸化物粉末の加圧成形、焼成
方法とは異なり、金属アルコキサイド等を含んだ有機高
分子溶液の均一溶液を半導体基板上にスピン塗布し、焼
成するため、薄膜化が可能であり、薄膜の組成も均一に
できる。さらに、従来法の酸化物粉末の混合作業中の不
純物による汚染もな（すことができる。
方法とは異なり、金属アルコキサイド等を含んだ有機高
分子溶液の均一溶液を半導体基板上にスピン塗布し、焼
成するため、薄膜化が可能であり、薄膜の組成も均一に
できる。さらに、従来法の酸化物粉末の混合作業中の不
純物による汚染もな（すことができる。
実施例
還流冷却器を備えた反応容器に、純度が９９％以上の特
級エチルアルコールを１３１ｇ、イツトリウムエトキサ
イド［Ｙ （ＯＣ２Ｈ５）ａ ］を２２．３９ｇ、純水
を６．３０ｇおよび１１．６５Ｎ塩酸を１０ｍｅを加え
て溶液を作り、７５℃の温度で３０分間溶液をマグネチ
ックスタラーを用いて撹拌しながら還流する。
級エチルアルコールを１３１ｇ、イツトリウムエトキサ
イド［Ｙ （ＯＣ２Ｈ５）ａ ］を２２．３９ｇ、純水
を６．３０ｇおよび１１．６５Ｎ塩酸を１０ｍｅを加え
て溶液を作り、７５℃の温度で３０分間溶液をマグネチ
ックスタラーを用いて撹拌しながら還流する。
次に、この溶液にバリウムエトキサイド［Ｂａ（ＯＣ２
Ｈ５） ２］を４５．４６ｇを加えて１０分間還流し、
その後、さらに銅エトキサイド［Ｃｕ（ＯＣ２Ｈ６）２
］を４６．０５ｇ加え、１時間還流する。この溶液を室
温まで冷却し、これにエチルセロソルブアセテート等の
粘性溶液を加え、粘度を３０ｃｐ〜５０ｃｐに調整する
。このようにして調整した溶液をシリコン基板上にスピ
ン塗布し、７５℃の温度で１時間、３００℃の温度で２
時間、５００℃の温度で２時間、９０００Ｃの温度で３
０分間酸素雰囲気中で熱処理することにより、酸化物超
伝導体薄膜を作成する。
Ｈ５） ２］を４５．４６ｇを加えて１０分間還流し、
その後、さらに銅エトキサイド［Ｃｕ（ＯＣ２Ｈ６）２
］を４６．０５ｇ加え、１時間還流する。この溶液を室
温まで冷却し、これにエチルセロソルブアセテート等の
粘性溶液を加え、粘度を３０ｃｐ〜５０ｃｐに調整する
。このようにして調整した溶液をシリコン基板上にスピ
ン塗布し、７５℃の温度で１時間、３００℃の温度で２
時間、５００℃の温度で２時間、９０００Ｃの温度で３
０分間酸素雰囲気中で熱処理することにより、酸化物超
伝導体薄膜を作成する。
なお、実施例では金属アルコキサイドについて説明した
が、金属アルコキサイドにビスマス・アセチル・アセト
ネートのような有機金属鎖体もしくは硝酸鋼のような金
属イオンを含んだものでもよい。また、金属アルコキサ
イドに有機金属鎖体と金属イオンを含んだものでもよい
。
が、金属アルコキサイドにビスマス・アセチル・アセト
ネートのような有機金属鎖体もしくは硝酸鋼のような金
属イオンを含んだものでもよい。また、金属アルコキサ
イドに有機金属鎖体と金属イオンを含んだものでもよい
。
発明の効果
本発明によれば、金属アルコキサイド等を含んだ有機高
分子溶液を半導体基板上にスピン塗布し、焼成すること
により酸化物超伝導体の薄膜を半導体基板上に形成する
ことができる。
分子溶液を半導体基板上にスピン塗布し、焼成すること
により酸化物超伝導体の薄膜を半導体基板上に形成する
ことができる。
また、金属アルコキサイド等の溶液を撹拌しながら還流
するため組成を容易に均一にすることができ、特性の再
現性をよ（することができる。
するため組成を容易に均一にすることができ、特性の再
現性をよ（することができる。
Claims (1)
- 金属アルコキサイドを含んだ有機高分子溶液または前記
金属アルコキサイドに有機金属鎖体もしくは金属イオン
を含んだ有機高分子溶液または前記金属アルコキサイド
に前記有機金属鎖体と前記金属イオンを含んだ有機高分
子溶液を還流させる工程と、前記溶液を半導体基板上へ
スピン塗布する工程および焼成する工程とを備えたこと
を特徴とする酸化物超伝導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189031A JPH0239478A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63189031A JPH0239478A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0239478A true JPH0239478A (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16234139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63189031A Pending JPH0239478A (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0239478A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442851A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-13 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-28 JP JP63189031A patent/JPH0239478A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0442851A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-13 | Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
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