JPH0442851A - ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 - Google Patents
ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH0442851A JPH0442851A JP2147250A JP14725090A JPH0442851A JP H0442851 A JPH0442851 A JP H0442851A JP 2147250 A JP2147250 A JP 2147250A JP 14725090 A JP14725090 A JP 14725090A JP H0442851 A JPH0442851 A JP H0442851A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- lead
- alkoxide
- lead germanate
- forming
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、赤外線検出材料であるゲルマン酸鉛薄膜の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
（従来の技術）
一般に赤外線検出材料として代表的なものにはＣｄＨｇ
Ｔｅ 、 ＩｎＳｂ及びＳｉ等の半導体とチタン酸鉛、
ゲルマン酸鉛、ＴにＳ、 ＰＶＦ２等の焦電体とがある
。前者は液体窒素で冷却して用いる必要があり、後者は
冷却する必要がない。従って、焦電体を用いた非冷却型
の赤外線検出器は冷却型に比べて性能面ではやや劣るも
のの、低価格、小型軽量及び扱い易い等の特徴があり、
人体検知器や火災報知器等に利用されており、今後ます
ます利用範囲が広がる傾向にある。ゲルマン酸鉛は、数
々ある焦電材料のなかで、比較的融点が低く、高怒度な
赤外線検出材料として有望なものである。
Ｔｅ 、 ＩｎＳｂ及びＳｉ等の半導体とチタン酸鉛、
ゲルマン酸鉛、ＴにＳ、 ＰＶＦ２等の焦電体とがある
。前者は液体窒素で冷却して用いる必要があり、後者は
冷却する必要がない。従って、焦電体を用いた非冷却型
の赤外線検出器は冷却型に比べて性能面ではやや劣るも
のの、低価格、小型軽量及び扱い易い等の特徴があり、
人体検知器や火災報知器等に利用されており、今後ます
ます利用範囲が広がる傾向にある。ゲルマン酸鉛は、数
々ある焦電材料のなかで、比較的融点が低く、高怒度な
赤外線検出材料として有望なものである。
従来、ゲルマン酸鉛はスクリーン印刷法により厚膜が製
造されているが、薄膜を直接製造した例は見当たらない
。従って、これまで、ゲルマン酸鉛薄膜はゲルマニュー
ム及び鉛の各酸化物を混合・焼結し得られた素材を研摩
することにより作られてきた。しかし、一般にセラミッ
クスはもろく、この方法ではほぼ３０μ論程度が厚さの
限界であると共に加工工程でのひび割れも多く、大きな
面積の素材を得るのが困難であり、生産コストが高くな
るという問題がある。
造されているが、薄膜を直接製造した例は見当たらない
。従って、これまで、ゲルマン酸鉛薄膜はゲルマニュー
ム及び鉛の各酸化物を混合・焼結し得られた素材を研摩
することにより作られてきた。しかし、一般にセラミッ
クスはもろく、この方法ではほぼ３０μ論程度が厚さの
限界であると共に加工工程でのひび割れも多く、大きな
面積の素材を得るのが困難であり、生産コストが高くな
るという問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
従来のゲルマン酸鉛の製造方法では直接薄膜を製造する
適当な方法が見当たらない。
適当な方法が見当たらない。
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、簡単な装置を用い、短時間で、ゲルマン酸鉛
の薄膜を直接得ることが可能なゲルマン酸鉛薄膜の製造
方法を提供することを目的とする。
たもので、簡単な装置を用い、短時間で、ゲルマン酸鉛
の薄膜を直接得ることが可能なゲルマン酸鉛薄膜の製造
方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明では、原料に鉛のアルコキシドとゲルマニューム
のアルコキシドとを用い、スプレーパイロリシス法によ
りゲルマン酸鉛薄膜を製造する。
のアルコキシドとを用い、スプレーパイロリシス法によ
りゲルマン酸鉛薄膜を製造する。
本発明におけるスプレーパイロリシス法によるゲルマン
酸鉛薄膜の製造手順は次のようになる。
酸鉛薄膜の製造手順は次のようになる。
まず、出発原料としてアルコキシド及びゲルマニューム
のアルコキシドを用い、各成分の金属アルコキシドを所
定の成分比に混合する０次に、混合した原料溶液を加熱
した基板上に吹き付は非晶質焦電体薄膜を形成する。そ
の後、電気炉等を用いて熱処理を加えて無電体薄膜を得
る。
のアルコキシドを用い、各成分の金属アルコキシドを所
定の成分比に混合する０次に、混合した原料溶液を加熱
した基板上に吹き付は非晶質焦電体薄膜を形成する。そ
の後、電気炉等を用いて熱処理を加えて無電体薄膜を得
る。
（作用）
上述のように、本発明では、原料として溶液を使用する
ため、（１）各成分が原子レベルで混合し均一な膜が得
られる。（２）Ｍｌｌｉ成が仕込の成分比を調整するだ
けで簡単に制御できる。（３）平板状の基板のみならず
、多様な形状の基板を用いることにより、自由なパター
ン形成が可能である。
ため、（１）各成分が原子レベルで混合し均一な膜が得
られる。（２）Ｍｌｌｉ成が仕込の成分比を調整するだ
けで簡単に制御できる。（３）平板状の基板のみならず
、多様な形状の基板を用いることにより、自由なパター
ン形成が可能である。
（４）膜厚は吹き付けの回数と原料溶液の濃度を調整す
ることによって任意に設定することができる等の利点が
ある。
ることによって任意に設定することができる等の利点が
ある。
また、工業的には吹き付は装置と電気炉などの簡単な装
置により短時間の焼成で焦電特性をもつゲルマン酸鉛薄
膜の成膜が可能となり、極めて経済性の高い薄膜作製技
術である。
置により短時間の焼成で焦電特性をもつゲルマン酸鉛薄
膜の成膜が可能となり、極めて経済性の高い薄膜作製技
術である。
さらに、スプレーパイロリシス法における出発原料とし
ては無機酸、有機酸、無機金属塩及び有機金属塩などが
あるが、これらの中で有機金属塩に含まれる金属アルコ
キシドは、高純度のものが得やすく、低温での成膜が可
能であるなど他の金属塩に比べて優れた点が多い。
ては無機酸、有機酸、無機金属塩及び有機金属塩などが
あるが、これらの中で有機金属塩に含まれる金属アルコ
キシドは、高純度のものが得やすく、低温での成膜が可
能であるなど他の金属塩に比べて優れた点が多い。
（発明の実施例）
第１図に本発明におけるゲルマン酸鉛薄膜の製造工程の
フローチャートを示す、以下順を追って本発明の詳細な
説明する。
フローチャートを示す、以下順を追って本発明の詳細な
説明する。
ｔず、混合工程１において各成分の金属アルコキシドを
所定の成分比に混合する。具体的には、金属アルコキシ
ドとして、ジ−イソ−プロポキシ鉛（Ｐｂ（０−ｉ−Ｃ
Ｊｔ）ｚ）とテトラ−イソ−プロポキシゲルマニューム
（Ｇｅ（０−ｉ−ＣＪｔ）＜）を用いる。なお、ジ−イ
ソ−プロポキシ鉛は室温では固体のため、エタノールを
溶媒としたジ−イソ−プロポキシ鉛のエタノール溶液を
用いる。これらの溶液をｐｂとＧｅのモル比が５−３の
化学量論的組成比になるように秤量し混合する。
所定の成分比に混合する。具体的には、金属アルコキシ
ドとして、ジ−イソ−プロポキシ鉛（Ｐｂ（０−ｉ−Ｃ
Ｊｔ）ｚ）とテトラ−イソ−プロポキシゲルマニューム
（Ｇｅ（０−ｉ−ＣＪｔ）＜）を用いる。なお、ジ−イ
ソ−プロポキシ鉛は室温では固体のため、エタノールを
溶媒としたジ−イソ−プロポキシ鉛のエタノール溶液を
用いる。これらの溶液をｐｂとＧｅのモル比が５−３の
化学量論的組成比になるように秤量し混合する。
次に、スプレー工程２において混合溶液を基板に吹き付
は塗布する。吹き付けにはハンドスプレーを用い、大気
中で５０℃に加熱したアルミナ基板上に１回当たり０．
５μ−程度堆積させ、乾燥工程３にて乾燥させる。これ
らの工程２，３は所定の膜厚になるまで繰り返す０次に
、焼成工程４において、この塗布した基板を電気炉を用
いて大気中で約６９０〜７１０℃の範囲内の特定温度で
、１０分乃至３０分間加熱・焼成する。この結果、結晶
のＣ軸（基板面に垂直）に強く配向した焦電特性をもつ
六方晶構造のゲルマン酸鉛薄膜を得ることができる。
は塗布する。吹き付けにはハンドスプレーを用い、大気
中で５０℃に加熱したアルミナ基板上に１回当たり０．
５μ−程度堆積させ、乾燥工程３にて乾燥させる。これ
らの工程２，３は所定の膜厚になるまで繰り返す０次に
、焼成工程４において、この塗布した基板を電気炉を用
いて大気中で約６９０〜７１０℃の範囲内の特定温度で
、１０分乃至３０分間加熱・焼成する。この結果、結晶
のＣ軸（基板面に垂直）に強く配向した焦電特性をもつ
六方晶構造のゲルマン酸鉛薄膜を得ることができる。
なお、焼成温度が約６９０〜７１０℃の範囲外であると
、結晶化できず不適当である。
、結晶化できず不適当である。
また、基板はアルミナ以外の耐熱材を採用することもで
きる。
きる。
（発明の効果）
以上のように、本発明のゲルマン酸鉛の製造方法によれ
ば、出発材料に各成分の金属アルコキシドを用い、かつ
スプレーパイロリシス法を採用したので、製造装置が簡
単であり、がっ短時間でゲルマン酸鉛薄膜が得られる効
果がある。
ば、出発材料に各成分の金属アルコキシドを用い、かつ
スプレーパイロリシス法を採用したので、製造装置が簡
単であり、がっ短時間でゲルマン酸鉛薄膜が得られる効
果がある。
第り図は本発明の一実施例に係わるゲルマン酸鉛薄膜の
作製フローチャートである。 １・・・混合工程、２・・・スプレー工程、３・・・乾
燥工程、４・・・焼成工程。
作製フローチャートである。 １・・・混合工程、２・・・スプレー工程、３・・・乾
燥工程、４・・・焼成工程。
Claims (1)
- （１）原料として鉛のアルコキシドとゲルマニュームの
アルコキシドとを用い、スプレーパイロリシス法により
ゲルマン酸鉛薄膜を作成することを特徴とするゲルマン
酸鉛薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147250A JPH0442851A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2147250A JPH0442851A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442851A true JPH0442851A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15425983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2147250A Pending JPH0442851A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | ゲルマン酸鉛薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442851A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950045A (en) * | 1997-06-20 | 1999-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Input device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939760A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-05 | 住友金属鉱山株式会社 | ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法 |
| JPH01173765A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Sharp Corp | 超電導体膜磁気センサ |
| JPH0239478A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2147250A patent/JPH0442851A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5939760A (ja) * | 1982-08-26 | 1984-03-05 | 住友金属鉱山株式会社 | ゲルマニウム酸鉛系磁器薄板の製造方法 |
| JPH01173765A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Sharp Corp | 超電導体膜磁気センサ |
| JPH0239478A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5950045A (en) * | 1997-06-20 | 1999-09-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Input device |
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