JPH0240019B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0240019B2 JPH0240019B2 JP61033714A JP3371486A JPH0240019B2 JP H0240019 B2 JPH0240019 B2 JP H0240019B2 JP 61033714 A JP61033714 A JP 61033714A JP 3371486 A JP3371486 A JP 3371486A JP H0240019 B2 JPH0240019 B2 JP H0240019B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- honeycomb structure
- firing
- conker
- ceramic honeycomb
- horse chestnut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Ceramic Products (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、セラミツクスハニカム構造体の焼成
方法に関するものである。 （従来の技術） 従来、生素地成形体を焼成してセラミツクス製
品を製造する方法として、切れ（クラツク）と付
着を防止する為、生素地成形体を棚板の上に直接
載せずにトチと呼ぶ敷板即ち焼台等に載せて焼成
する方法が知られている。 また、生素地セラミツクスハニカム構造体（以
下、生ハニカム構体と略記する）を焼成してセラ
ミツクスハニカム構造体を製造する方法は、生ハ
ニカム構体をセルの軸線が略々水平の状態で焼成
（横焼）する方法と、生ハニカム構体をセルの軸
線が略々垂直の状態で焼成（立焼）する方法とが
知られている。 詳述すると、立焼の場合、棚板上にトチを置
き、その上に生ハニカム構体をセルの軸線が略々
垂直の状態で、即ち生ハニカム構体の一方の開口
端面がトチに接するように、載置して焼成してい
た。 （発明が解決しようとする問題点） 立焼においては、 一般的に温度の高いガスは上方に集り易いこ
とから、生ハニカム構体の温度は下端面側（下
方）に比べ上端面側（上方）が高くなり易い
（加熱され易い）、 下方は棚板、トチなどに接している為、燃焼
ガスなどに曝されることがないのに対し、上端
面は燃焼ガス流に曝され温度が高くなり易い
（加熱され易い） ことがあり、上下で温度分布が異なることがあつ
た。 このように温度分布に不均一があると、焼成収
縮が上下で不均一に起り、加熱され易い上端面で
切れが生じ易くなる。或いは、生ハニカム構体中
に含まれるバインダーや増孔材等の焼失時に温度
不均一が起こると、過熱された部分で異常膨張等
を起こして、加熱され易い上端面で切れが発生し
易い欠点があつた。 生ハニカム構体が大きかつたり、トンネル窯の
ように大量に焼成する場合、窯温度分布、気流等
の調整によりこれ等の欠点を解決しようとしても
難しく、また、生ハニカム構体の加熱速度を下げ
る等の方法で対処すると生産性が低くなつた。 横焼においては、生ハニカム構体が、 燃焼ガスなどによつて端面が曝され過熱さ
れ、温度が局部的に上昇すると、温度分布の不
均一が起こることがあり、温度分布の不均一が
あると、上述の立焼と同様の理由で加熱され易
い端面で切れが発生し易かつた。 （問題点を解決するための手段） 本発明者等はこれ等の欠点を生素地セラミツク
スハニカム構造体をトチを用いて焼成するにあた
り、生素地セラミツクスハニカム構造体の両開口
端面にトチを当接し、少くとも一方のトチにセラ
ミツクスハニカム構造のトチを用いて焼成するこ
とにより解決する。 従つて、立焼の場合は局部的温度上昇が起こ
り、切れ易い上端面にもトチを載せ、燃焼ガス等
に曝されても上端面の局部的な温度上昇を抑える
ことができる。 また、横焼の場合は局部的温度上昇が起こり、
切れ易い端面に、トチを当接する。 例えば焚口バーナー火炎方向に端面が向いてい
て端面が局部過熱を受け易いときには、バーナー
側にトチを当接すれば良く、片端面、両端面に当
接しても良い。 端面に当接するトチは立焼の場合と同じもので
良い。 トチの当接面は平面、曲面又は生ハニカム構体
の両開口端面に高温ガスが入り難いように当接す
る形状とする。トチはハニカム構造体とすると軽
量化できる他、立焼と横焼に共通する効果として
トチのハニカム構造のセル開口を生ハニカム構体
のセル開口と対応させると、バインダーや増孔剤
が焼失する際に発生するガスの発散が容易とな
り、バインダー等を除去し易くなる。 トチの材質は切れ、付着等の問題のない限り、
何れのセラミツクスも使用できるが、トチと生ハ
ニカム構体の熱膨張係数の略々等しいものが好ま
しく、焼成中の膨張収縮による切れを防止でき
る。例えばトチは生ハニカム構体と同じ材質のセ
ラミツクスを使用することが好ましく、ムライト
にはムライト、コージエライトにはコージエライ
トのトチを使用する。 ハニカム構造のトチのセルの目開きは約0.8〜
310セル／cm2（５〜2000セル／平方インチ）を可
とする。 トチの大きさは生ハニカム構体と略々等しい大
きさが好ましく、厚みは生ハニカム構体の温度又
は温度分布及び重量を考慮して選定する。また、
立焼の場合、上端面に載置するトチの重量が重す
ぎると、下端面で生ハニカム構体が焼成収縮又は
膨張する際に発生する摩擦力を大きくし、切れの
原因となつたりする為、上端面のトチは軽量なも
のほど好ましいことは言うまでもない。 トチが当接面の外周に面取部を有し、当接面の
外縁が生ハニカム構体の開口端面の外縁よりも３
mm以上通常５〜15mm内方に位置するように、トチ
を生ハニカム構体の開口端面に当接させると、焼
成中に生ハニカム構体の開口端面とトチの当接面
との間で焼成収縮又は膨張時に起る摩擦抵抗力を
小さくでき、摩擦抵抗力により生ハニカム構体の
開口端面に発生する切れを防止する効果がある。
この面取りはトチと開口端面間の摩擦抵抗力が大
きい立焼下端面の切れ防止に大きな効果を有す
る。 面取部は面取角度θで３〜45゜又は面取角度θ
に近似した角度をもつ丸味であつても良い。 何れか一方又は双方のトチの当接面に溝を設
け、この溝を面取部に延長すると、加熱ガスの流
通が良く、昇温が早くなる等、トチをハニカム構
造としたのと略々同様の効果が得られる。溝の上
縁部にも面取部を設けると、生ハニカム構体の焼
成中の切れが減少する。溝の面取部の面取角度と
曲率半径はトチの面取部の面取角度θと同じ値と
して良いが、異なる値としても良い。 トチは生トチでも万年トチでも良く、形状は楕
円、円形、矩形等、当接する生ハニカム構体の形
状に合つたものを用いることが好ましい。 生ハニカム構体の立焼にあたつては、下トチの
下に棚板との間にスペーサを介挿すると、通気性
が良くなり、焼成時間が短縮され、切れが減少す
る。 （作用） 生ハニカム構体の両開口端面にトチを当接して
焼成する為、生ハニカム構体端面での過熱による
温度分布の不均一を原因とする切れの発生が防止
でき、温度上昇が早く、温度分布が均一な焼成が
可能となり、生産性が高くなる。 （実施例） 以下、実施例につき本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １〜７ 次の第１表に示す形状、寸法、構造及び材質の
トチ１を得た。下トチは上端縁に角度θ＝15〜
30゜の環状の面取部２を有し面取部２は外縁R2で
当接面３と接していた。このトチ１を第１２〜１
７図に示すように上下又は左右に用いて第１表に
示す生ハニカム構体７を焼成した。トチ１の当接
面３の外縁R2は生ハニカム構体７の開口端面の
外縁よりａが３mm以上通常５〜15mmだけ内側に位
置するようにした。かくて焼成して得たセラミツ
クスハニカム構造体は第１表に示すように切れが
全く生じなかつた。第５図に示す如く下トチの下
にスペーサー８を棚板９との間に介挿した場合、
切れは全く生じなかつた。第６〜９図は本発明に
用いるトチの他の例を示す。面取部２を有しない
トチを生ハニカム構体の左右（第１０図）又は上
下（第１１図）に示す如く当接して、横焼又は立
焼した場合、切れは解消したが、立焼のものの方
が形状及び寸法の精度が高かつた。なお、第１表
には本発明の修整例としてトチを左右の端面に当
接して横焼した場合をも、参考例１、２として示
した。参考例１、２のものは切れ発生率が10％な
ので辛うじて使用できるが、本発明ほど良好な成
績ではないことを示している。
方法に関するものである。 （従来の技術） 従来、生素地成形体を焼成してセラミツクス製
品を製造する方法として、切れ（クラツク）と付
着を防止する為、生素地成形体を棚板の上に直接
載せずにトチと呼ぶ敷板即ち焼台等に載せて焼成
する方法が知られている。 また、生素地セラミツクスハニカム構造体（以
下、生ハニカム構体と略記する）を焼成してセラ
ミツクスハニカム構造体を製造する方法は、生ハ
ニカム構体をセルの軸線が略々水平の状態で焼成
（横焼）する方法と、生ハニカム構体をセルの軸
線が略々垂直の状態で焼成（立焼）する方法とが
知られている。 詳述すると、立焼の場合、棚板上にトチを置
き、その上に生ハニカム構体をセルの軸線が略々
垂直の状態で、即ち生ハニカム構体の一方の開口
端面がトチに接するように、載置して焼成してい
た。 （発明が解決しようとする問題点） 立焼においては、 一般的に温度の高いガスは上方に集り易いこ
とから、生ハニカム構体の温度は下端面側（下
方）に比べ上端面側（上方）が高くなり易い
（加熱され易い）、 下方は棚板、トチなどに接している為、燃焼
ガスなどに曝されることがないのに対し、上端
面は燃焼ガス流に曝され温度が高くなり易い
（加熱され易い） ことがあり、上下で温度分布が異なることがあつ
た。 このように温度分布に不均一があると、焼成収
縮が上下で不均一に起り、加熱され易い上端面で
切れが生じ易くなる。或いは、生ハニカム構体中
に含まれるバインダーや増孔材等の焼失時に温度
不均一が起こると、過熱された部分で異常膨張等
を起こして、加熱され易い上端面で切れが発生し
易い欠点があつた。 生ハニカム構体が大きかつたり、トンネル窯の
ように大量に焼成する場合、窯温度分布、気流等
の調整によりこれ等の欠点を解決しようとしても
難しく、また、生ハニカム構体の加熱速度を下げ
る等の方法で対処すると生産性が低くなつた。 横焼においては、生ハニカム構体が、 燃焼ガスなどによつて端面が曝され過熱さ
れ、温度が局部的に上昇すると、温度分布の不
均一が起こることがあり、温度分布の不均一が
あると、上述の立焼と同様の理由で加熱され易
い端面で切れが発生し易かつた。 （問題点を解決するための手段） 本発明者等はこれ等の欠点を生素地セラミツク
スハニカム構造体をトチを用いて焼成するにあた
り、生素地セラミツクスハニカム構造体の両開口
端面にトチを当接し、少くとも一方のトチにセラ
ミツクスハニカム構造のトチを用いて焼成するこ
とにより解決する。 従つて、立焼の場合は局部的温度上昇が起こ
り、切れ易い上端面にもトチを載せ、燃焼ガス等
に曝されても上端面の局部的な温度上昇を抑える
ことができる。 また、横焼の場合は局部的温度上昇が起こり、
切れ易い端面に、トチを当接する。 例えば焚口バーナー火炎方向に端面が向いてい
て端面が局部過熱を受け易いときには、バーナー
側にトチを当接すれば良く、片端面、両端面に当
接しても良い。 端面に当接するトチは立焼の場合と同じもので
良い。 トチの当接面は平面、曲面又は生ハニカム構体
の両開口端面に高温ガスが入り難いように当接す
る形状とする。トチはハニカム構造体とすると軽
量化できる他、立焼と横焼に共通する効果として
トチのハニカム構造のセル開口を生ハニカム構体
のセル開口と対応させると、バインダーや増孔剤
が焼失する際に発生するガスの発散が容易とな
り、バインダー等を除去し易くなる。 トチの材質は切れ、付着等の問題のない限り、
何れのセラミツクスも使用できるが、トチと生ハ
ニカム構体の熱膨張係数の略々等しいものが好ま
しく、焼成中の膨張収縮による切れを防止でき
る。例えばトチは生ハニカム構体と同じ材質のセ
ラミツクスを使用することが好ましく、ムライト
にはムライト、コージエライトにはコージエライ
トのトチを使用する。 ハニカム構造のトチのセルの目開きは約0.8〜
310セル／cm2（５〜2000セル／平方インチ）を可
とする。 トチの大きさは生ハニカム構体と略々等しい大
きさが好ましく、厚みは生ハニカム構体の温度又
は温度分布及び重量を考慮して選定する。また、
立焼の場合、上端面に載置するトチの重量が重す
ぎると、下端面で生ハニカム構体が焼成収縮又は
膨張する際に発生する摩擦力を大きくし、切れの
原因となつたりする為、上端面のトチは軽量なも
のほど好ましいことは言うまでもない。 トチが当接面の外周に面取部を有し、当接面の
外縁が生ハニカム構体の開口端面の外縁よりも３
mm以上通常５〜15mm内方に位置するように、トチ
を生ハニカム構体の開口端面に当接させると、焼
成中に生ハニカム構体の開口端面とトチの当接面
との間で焼成収縮又は膨張時に起る摩擦抵抗力を
小さくでき、摩擦抵抗力により生ハニカム構体の
開口端面に発生する切れを防止する効果がある。
この面取りはトチと開口端面間の摩擦抵抗力が大
きい立焼下端面の切れ防止に大きな効果を有す
る。 面取部は面取角度θで３〜45゜又は面取角度θ
に近似した角度をもつ丸味であつても良い。 何れか一方又は双方のトチの当接面に溝を設
け、この溝を面取部に延長すると、加熱ガスの流
通が良く、昇温が早くなる等、トチをハニカム構
造としたのと略々同様の効果が得られる。溝の上
縁部にも面取部を設けると、生ハニカム構体の焼
成中の切れが減少する。溝の面取部の面取角度と
曲率半径はトチの面取部の面取角度θと同じ値と
して良いが、異なる値としても良い。 トチは生トチでも万年トチでも良く、形状は楕
円、円形、矩形等、当接する生ハニカム構体の形
状に合つたものを用いることが好ましい。 生ハニカム構体の立焼にあたつては、下トチの
下に棚板との間にスペーサを介挿すると、通気性
が良くなり、焼成時間が短縮され、切れが減少す
る。 （作用） 生ハニカム構体の両開口端面にトチを当接して
焼成する為、生ハニカム構体端面での過熱による
温度分布の不均一を原因とする切れの発生が防止
でき、温度上昇が早く、温度分布が均一な焼成が
可能となり、生産性が高くなる。 （実施例） 以下、実施例につき本発明をさらに詳細に説明
する。 実施例 １〜７ 次の第１表に示す形状、寸法、構造及び材質の
トチ１を得た。下トチは上端縁に角度θ＝15〜
30゜の環状の面取部２を有し面取部２は外縁R2で
当接面３と接していた。このトチ１を第１２〜１
７図に示すように上下又は左右に用いて第１表に
示す生ハニカム構体７を焼成した。トチ１の当接
面３の外縁R2は生ハニカム構体７の開口端面の
外縁よりａが３mm以上通常５〜15mmだけ内側に位
置するようにした。かくて焼成して得たセラミツ
クスハニカム構造体は第１表に示すように切れが
全く生じなかつた。第５図に示す如く下トチの下
にスペーサー８を棚板９との間に介挿した場合、
切れは全く生じなかつた。第６〜９図は本発明に
用いるトチの他の例を示す。面取部２を有しない
トチを生ハニカム構体の左右（第１０図）又は上
下（第１１図）に示す如く当接して、横焼又は立
焼した場合、切れは解消したが、立焼のものの方
が形状及び寸法の精度が高かつた。なお、第１表
には本発明の修整例としてトチを左右の端面に当
接して横焼した場合をも、参考例１、２として示
した。参考例１、２のものは切れ発生率が10％な
ので辛うじて使用できるが、本発明ほど良好な成
績ではないことを示している。
【表】
【表】
（発明の効果）
本発明によれば複雑な形状と精密な寸法と均一
な品質を有するセラミツクスハニカム構造体を切
れの発生がなく、容易に短時間で高収率で得るこ
とができる。従つて、本発明は産業上極めて有用
である。 本発明の広汎な精神と視野と精神を逸脱するこ
となく、種々な変更と修整が可能なこと勿論であ
る。
な品質を有するセラミツクスハニカム構造体を切
れの発生がなく、容易に短時間で高収率で得るこ
とができる。従つて、本発明は産業上極めて有用
である。 本発明の広汎な精神と視野と精神を逸脱するこ
となく、種々な変更と修整が可能なこと勿論であ
る。
第１図は本発明に用いるトチを線図的に説明す
る部分的側面図、第２〜５図は本発明方法の実施
態様を示す線図的側面図。第６〜８図は本発明に
用いるトチの例を示す線図的平面図、第９図は第
６図に示すトチの線図的斜視図、第１０図は立焼
の場合の本発明方法の他の実施態様を線図的に示
す分解斜視図、第１１図は横焼の場合の本発明方
法の実施態様の一例を線図的に示す分解斜視図、
第１２〜１７図は本発明方法の実施態様を示す線
図的側面図である。 １……トチ、２……面取部、３……当接面、４
……溝、５……セル壁即ちリブ、６……セル、７
……生ハニカム構体、８……スペーサー、９……
棚板、R1……生ハニカム構体７の下端外縁、R2
……トチ１の当接面３の外縁。
る部分的側面図、第２〜５図は本発明方法の実施
態様を示す線図的側面図。第６〜８図は本発明に
用いるトチの例を示す線図的平面図、第９図は第
６図に示すトチの線図的斜視図、第１０図は立焼
の場合の本発明方法の他の実施態様を線図的に示
す分解斜視図、第１１図は横焼の場合の本発明方
法の実施態様の一例を線図的に示す分解斜視図、
第１２〜１７図は本発明方法の実施態様を示す線
図的側面図である。 １……トチ、２……面取部、３……当接面、４
……溝、５……セル壁即ちリブ、６……セル、７
……生ハニカム構体、８……スペーサー、９……
棚板、R1……生ハニカム構体７の下端外縁、R2
……トチ１の当接面３の外縁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 生素地セラミツクスハニカム構造体をトチを
用いて焼成するにあたり、生素地セラミツクスハ
ニカム構造体の両開口端面にトチを当接し、少く
とも一方のトチにセラミツクスハニカム構造のト
チを用いて焼成することを特徴とするセラミツク
スハニカム構造体の焼成方法。 ２ トチのハニカム構造のセル開口を生素地セラ
ミツクスハニカム構造体のセル開口と対応させる
特許請求の範囲１記載の方法。 ３ トチが生素地セラミツクスハニカム構造体と
同材質のものである特許請求の範囲１記載の方
法。 ４ 少くとも一方のトチが当接面の外周に面取部
を有する特許請求の範囲１記載の方法。 ５ 少くとも一方のトチの当接面の外縁が生素地
セラミツクスハニカム構造体の開口端面よりも３
mm以上内方に位置する特許請求の範囲１記載の方
法。 ６ 何れか一方又は双方のトチが当接面に溝を有
する特許請求の範囲１記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033714A JPS62202870A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | セラミツクスハニカム構造体の焼成方法 |
| US07/015,986 US4786542A (en) | 1986-02-20 | 1987-02-18 | Setters and firing of ceramic honeycomb structural bodies by using the same |
| CA000530074A CA1296164C (en) | 1986-02-20 | 1987-02-19 | Setters and firing of ceramic honeycomb structural bodies by using thesame |
| DE8787301489T DE3763484D1 (de) | 1986-02-20 | 1987-02-20 | Brennplatten und brennen von wabenfoermigen koerpern unter verwendung derselben. |
| EP87301489A EP0234887B1 (en) | 1986-02-20 | 1987-02-20 | Setters and firing of ceramic honeycomb structural bodies by using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61033714A JPS62202870A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | セラミツクスハニカム構造体の焼成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202870A JPS62202870A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0240019B2 true JPH0240019B2 (ja) | 1990-09-10 |
Family
ID=12394076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61033714A Granted JPS62202870A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | セラミツクスハニカム構造体の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202870A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2529403B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | ハニカムセラミックスの製造方法 |
| JPH10212166A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | Toray Ind Inc | セラミックスシート、グリーンシートおよびセラミックスシートの製造方法 |
| JP2004216375A (ja) * | 2004-01-30 | 2004-08-05 | Ibiden Co Ltd | セラミックフィルタ集合体、ハニカムフィルタ |
| US20080142149A1 (en) * | 2004-09-27 | 2008-06-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Setter Used in Firing and Method for Firing of Formed Honeycomb Body Using the Setter |
| JP4528153B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2010-08-18 | 日本碍子株式会社 | 目封止ハニカム構造体の製造方法 |
| JP5185616B2 (ja) | 2005-03-10 | 2013-04-17 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体 |
| BRPI0615956A2 (pt) * | 2005-08-23 | 2011-05-31 | Dow Global Technologies Inc | método para remover um aditivo orgánico de uma colméia de cerámica |
| WO2009093690A1 (ja) * | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Ngk Insulators, Ltd. | ハニカム成形体の焼成方法 |
| JPWO2009093691A1 (ja) * | 2008-01-24 | 2011-05-26 | 日本碍子株式会社 | ハニカム成形体の焼成方法 |
| US20110127699A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Michael James Vayansky | Method And Apparatus For Thermally Debindering A Cellular Ceramic Green Body |
| CN102884020A (zh) * | 2010-05-17 | 2013-01-16 | 住友化学株式会社 | 陶瓷蜂窝烧成体的制造方法 |
| JP2018167397A (ja) * | 2015-08-25 | 2018-11-01 | 住友化学株式会社 | ハニカムフィルタの製造方法 |
| DE112016006475B4 (de) | 2016-02-23 | 2024-03-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Brenneinsatz und Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur unter Verwendung des Brenneinsatzes |
| CN108779036A (zh) * | 2016-03-24 | 2018-11-09 | 日本碍子株式会社 | 烧成用垫板、以及使用了烧成用垫板的蜂窝结构体的制造方法 |
| JP6397843B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2018-09-26 | 日本碍子株式会社 | ハニカム構造体の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP61033714A patent/JPS62202870A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62202870A (ja) | 1987-09-07 |
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