JPH0240423B2 - - Google Patents
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- JPH0240423B2 JPH0240423B2 JP61158133A JP15813386A JPH0240423B2 JP H0240423 B2 JPH0240423 B2 JP H0240423B2 JP 61158133 A JP61158133 A JP 61158133A JP 15813386 A JP15813386 A JP 15813386A JP H0240423 B2 JPH0240423 B2 JP H0240423B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- solder
- pins
- board
- flux
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/38—Selection of media, e.g. special atmospheres for surrounding the working area
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings or fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
- B23K35/3612—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings or fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Application thereof; Other processes of activating the contact surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は、部材を基板へ接合することに関する
もので、特に集積回路を基板へ接合することに関
するものである。本発明は特に、還元雰囲気中に
おけるはんだ付けに関するものである。
もので、特に集積回路を基板へ接合することに関
するものである。本発明は特に、還元雰囲気中に
おけるはんだ付けに関するものである。
Ｂ 従来技術
集積回路モジユールの製造中に、入出力（Ｉ／
Ｏ）ピンを基板に挿入して、回路カードまたは回
路板に差し込めるように、基板の裏面から突出さ
せる。このピンはまた、基板上面の回路と接触す
るように、上面からもわずかに突出させる。この
回路はさらに、１個または２個以上の集積回路チ
ツプと接続し、この集積回路は次に基板すなわち
担体と接続される。ピンをはんだ付けにより基板
上の回路に接続する際、ピンにフラツクス組成物
を塗布している。
Ｏ）ピンを基板に挿入して、回路カードまたは回
路板に差し込めるように、基板の裏面から突出さ
せる。このピンはまた、基板上面の回路と接触す
るように、上面からもわずかに突出させる。この
回路はさらに、１個または２個以上の集積回路チ
ツプと接続し、この集積回路は次に基板すなわち
担体と接続される。ピンをはんだ付けにより基板
上の回路に接続する際、ピンにフラツクス組成物
を塗布している。
フラツクス組成物は、ピンをはんだ付けするた
めに高温にした際に、ピンから酸化物を除去し、
ピンの酸化を防止して、ピンの電導性を保つため
に使用される。
めに高温にした際に、ピンから酸化物を除去し、
ピンの酸化を防止して、ピンの電導性を保つため
に使用される。
はんだ付け終了後は、基板をできるだけ清浄に
保つために、ピンおよび基板上に残つたフラツク
ス組成物またはその残渣（たとえば未重合物）を
除去しなければならない。このため、ロジン系の
フラツクス組成物の場合は、Ｎメチル・ピロリド
ン等の有機組成物、または、パークロロエチレン
等の塩素化炭化水素を用いた洗滌工程を行う。
保つために、ピンおよび基板上に残つたフラツク
ス組成物またはその残渣（たとえば未重合物）を
除去しなければならない。このため、ロジン系の
フラツクス組成物の場合は、Ｎメチル・ピロリド
ン等の有機組成物、または、パークロロエチレン
等の塩素化炭化水素を用いた洗滌工程を行う。
さらに、集積回路チツプは、基板上の、一般に
「チツプ・パツド・エリア」と称する所定の区域
にはんだ付けすることにより、集積基板すなわち
担体に取付けられる。上記の区域は、たとえばは
んだを受付ける銅などの金属が露出した所定の区
域を設けることにより画定される。さらに、フラ
ツクス組成物は、チツプ・パツド・エリアにはん
だを塗布するのを容易ならしめるため、通常基板
に塗布される。チツプ・パツド・エリアにはんだ
を塗布した後、モジユールをできるだけ清浄にす
るために、集積回路チツプを取付ける前にフラツ
クスまたはフラツクスの残渣をすべて除去しなけ
ればならない。
「チツプ・パツド・エリア」と称する所定の区域
にはんだ付けすることにより、集積基板すなわち
担体に取付けられる。上記の区域は、たとえばは
んだを受付ける銅などの金属が露出した所定の区
域を設けることにより画定される。さらに、フラ
ツクス組成物は、チツプ・パツド・エリアにはん
だを塗布するのを容易ならしめるため、通常基板
に塗布される。チツプ・パツド・エリアにはんだ
を塗布した後、モジユールをできるだけ清浄にす
るために、集積回路チツプを取付ける前にフラツ
クスまたはフラツクスの残渣をすべて除去しなけ
ればならない。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
上述のように、従来技術に於ては液体のフラツ
クス組成物を塗布する工程、及びフラツクス残渣
を除去するための洗滌工程が不可欠であり、公害
防止上好ましくなかつた。
クス組成物を塗布する工程、及びフラツクス残渣
を除去するための洗滌工程が不可欠であり、公害
防止上好ましくなかつた。
Ｄ 問題点を解決するための手段
本発明の方法は、部材（ワークピース）を基板
に接合させる方法に関するものである。特に、本
発明は、はんだ付けによつて、ピンと基板回路、
および基板回路と部材の間の電気的接続を行う方
法に関するものである。この方法は、ピンと基板
回路を接合させる区域にはんだを塗布することを
含む。換言すれば、部材が接合される基板、また
は部材、または両方にはんだを付着させる。部材
を結合する基板上の区域に、二価または多価アル
コール、もしくはエーテル誘導体を塗布する。こ
の区域には、はんだがあつてもなくてもよい。次
にこの区域の上に、基板上の二価または多価アル
コール、もしくはそのエーテル誘導体、またはこ
れらの混合物の少くとも一部接触するように置
く。この部材にははんだが含まれていてもよい。
この組立品を還元雰囲気中で加熱し、これにより
部材を基板に接合させる。
に接合させる方法に関するものである。特に、本
発明は、はんだ付けによつて、ピンと基板回路、
および基板回路と部材の間の電気的接続を行う方
法に関するものである。この方法は、ピンと基板
回路を接合させる区域にはんだを塗布することを
含む。換言すれば、部材が接合される基板、また
は部材、または両方にはんだを付着させる。部材
を結合する基板上の区域に、二価または多価アル
コール、もしくはエーテル誘導体を塗布する。こ
の区域には、はんだがあつてもなくてもよい。次
にこの区域の上に、基板上の二価または多価アル
コール、もしくはそのエーテル誘導体、またはこ
れらの混合物の少くとも一部接触するように置
く。この部材にははんだが含まれていてもよい。
この組立品を還元雰囲気中で加熱し、これにより
部材を基板に接合させる。
接合すなわちはんだ付工程は、二価または多価
アルコール、そのエーテル誘導体、またはそれら
の混合物を除いて、すべて乾式工程である。乾式
工程は湿式工程と比較して、工程数が少なく、汚
染が少く、寸法精度の管理がし易い等の利点を有
する。
アルコール、そのエーテル誘導体、またはそれら
の混合物を除いて、すべて乾式工程である。乾式
工程は湿式工程と比較して、工程数が少なく、汚
染が少く、寸法精度の管理がし易い等の利点を有
する。
Ｅ 実施例
部材を接合する基板は、通常集積回路モジユー
ル、すなわち担体の製作に用いる基板、たとえば
セラミツク基板が好ましい。セラミツクは、土類
材料に熱の作用を加えて製造した製品または材料
である。好ましいセラミツク基板には、酸化アル
ミニウム、酸化シリコン、およびけい酸アルミニ
ウム等のけい酸塩がある。基板には、回路カード
または回路板に差し込むため、基板の裏面から突
出するように、入出力ピンを挿入する穴を設けた
ものが好ましい。このピンはまた、基板裏面に取
付けた１個または２個以上の集積回路チツプに接
続する、基板上面に設けた回路に接触するよう
に、基板上面からもわずかに突出する。このモジ
ユールのピンは、周知のいかなる型式の入出力ピ
ンでもよいので、詳細に説明しない。適当なピン
の例として、金メツキのピン、銅メツキのピン、
銅製、ニツケル合金製、銅合金製、すずメツキの
ピン等があげられる。
ル、すなわち担体の製作に用いる基板、たとえば
セラミツク基板が好ましい。セラミツクは、土類
材料に熱の作用を加えて製造した製品または材料
である。好ましいセラミツク基板には、酸化アル
ミニウム、酸化シリコン、およびけい酸アルミニ
ウム等のけい酸塩がある。基板には、回路カード
または回路板に差し込むため、基板の裏面から突
出するように、入出力ピンを挿入する穴を設けた
ものが好ましい。このピンはまた、基板裏面に取
付けた１個または２個以上の集積回路チツプに接
続する、基板上面に設けた回路に接触するよう
に、基板上面からもわずかに突出する。このモジ
ユールのピンは、周知のいかなる型式の入出力ピ
ンでもよいので、詳細に説明しない。適当なピン
の例として、金メツキのピン、銅メツキのピン、
銅製、ニツケル合金製、銅合金製、すずメツキの
ピン等があげられる。
必要であれば、ピンの取付後、組立品を洗剤水
溶液に浸漬して、油類や指紋等を除去することが
できる。本発明の実施例によれば、ピンおよび基
板に生じた酸化物は、酸素含有量10ppm未満、好
ましくは酸素含有量1ppm未満、最も好ましくは
酸素を全く含有しない水素雰囲気等の、還元雰囲
気中で、組立品を高温に曝露することにより除去
される。また、炉内雰囲気は水分が50ppm、最も
好ましくは水分を全く含有しないことが望まし
い。この水素雰囲気の温度は通常約300℃ないし
約500℃、好ましくは約350℃ないし約450℃であ
る。この洗滌は、バツチ式で行つても、ベルト・
コンベアを使用して連続式で行つてもよい。水素
雰囲気中で使用する適当なコンベア・ベルト型の
コンテナは、1984年10月25日出願の米国特許出願
番号第665404号明細書に開示された、プラチナ触
媒型コンテナである。さらに、適当な自動バツチ
形式の炉は、1983年12月20日出願の米国特許出願
番号第563434号明細書に開示されている。
溶液に浸漬して、油類や指紋等を除去することが
できる。本発明の実施例によれば、ピンおよび基
板に生じた酸化物は、酸素含有量10ppm未満、好
ましくは酸素含有量1ppm未満、最も好ましくは
酸素を全く含有しない水素雰囲気等の、還元雰囲
気中で、組立品を高温に曝露することにより除去
される。また、炉内雰囲気は水分が50ppm、最も
好ましくは水分を全く含有しないことが望まし
い。この水素雰囲気の温度は通常約300℃ないし
約500℃、好ましくは約350℃ないし約450℃であ
る。この洗滌は、バツチ式で行つても、ベルト・
コンベアを使用して連続式で行つてもよい。水素
雰囲気中で使用する適当なコンベア・ベルト型の
コンテナは、1984年10月25日出願の米国特許出願
番号第665404号明細書に開示された、プラチナ触
媒型コンテナである。さらに、適当な自動バツチ
形式の炉は、1983年12月20日出願の米国特許出願
番号第563434号明細書に開示されている。
炉内のガスの流量は通常１時間当り約0.8ない
し1.4立方ｍ（約30ないし約50標準立方フイート）
で、好ましくは１時間当たり約１ないし1.1立方
ｍ（約38ないし約40立方フイート）であり、１例
として１時間当たり1.1立方ｍ（約40標準立方フ
イート）があげられる。
し1.4立方ｍ（約30ないし約50標準立方フイート）
で、好ましくは１時間当たり約１ないし1.1立方
ｍ（約38ないし約40立方フイート）であり、１例
として１時間当たり1.1立方ｍ（約40標準立方フ
イート）があげられる。
組立品は、還元性雰囲気中に、少くとも約350
℃の温度で、少くとも約１ないし約３分露出し、
好ましくは少くとも約350℃の温度で約２ないし
約2.5分露出する。長さ約5.5ｍ（216インチ）の
コンベア型の炉では、コンベア速度は毎分約12〜
38cm、好ましくは毎分約28cmである。
℃の温度で、少くとも約１ないし約３分露出し、
好ましくは少くとも約350℃の温度で約２ないし
約2.5分露出する。長さ約5.5ｍ（216インチ）の
コンベア型の炉では、コンベア速度は毎分約12〜
38cm、好ましくは毎分約28cmである。
はんだを基板上面からわずかに突出したピンの
頭に付着させる。はんだを付着させるのに便利な
方法は、ピンの頭の直径の周囲に置くのに適した
寸法のリング状にすることである。はんだは、後
で１個または２個以上のチツプを接合する基板上
の区域に置いてもよいが、必ずしもそうする必要
はない。チツプを接合する基板上にはんだを置く
代りに、または置いた上さらに、基板に向い合つ
たチツプの表面上にはんだを置いてもよい。
頭に付着させる。はんだを付着させるのに便利な
方法は、ピンの頭の直径の周囲に置くのに適した
寸法のリング状にすることである。はんだは、後
で１個または２個以上のチツプを接合する基板上
の区域に置いてもよいが、必ずしもそうする必要
はない。チツプを接合する基板上にはんだを置く
代りに、または置いた上さらに、基板に向い合つ
たチツプの表面上にはんだを置いてもよい。
適当なはんだとして、すず・鉛はんだがあげら
れる。すず・鉛はんだは、すずが約３ないし63重
量パーセント、鉛が約97〜37重量パーセントのも
のが好ましい。ピンおよびチツプを基板に接合し
た構造については、米国特許第3229240号明細書、
および米国特許第4233620号明細書に例示されて
いる。上記のすず・鉛はんだの例として、すず３
％、鉛97％のもの、すず５％、鉛95％のもの、す
ず10％、鉛90％のもの、すず63％、鉛37％のも
の、すず60％、鉛40％のものなどがあげられる。
れる。すず・鉛はんだは、すずが約３ないし63重
量パーセント、鉛が約97〜37重量パーセントのも
のが好ましい。ピンおよびチツプを基板に接合し
た構造については、米国特許第3229240号明細書、
および米国特許第4233620号明細書に例示されて
いる。上記のすず・鉛はんだの例として、すず３
％、鉛97％のもの、すず５％、鉛95％のもの、す
ず10％、鉛90％のもの、すず63％、鉛37％のも
の、すず60％、鉛40％のものなどがあげられる。
次に、二価または多価アルコール、そのエーテ
ル誘導体またはそれらの混合物を、１個または２
個以上のチツプ、すなわち部材が基板に接合され
る区域の少くとも一部に薄く塗布する。
ル誘導体またはそれらの混合物を、１個または２
個以上のチツプ、すなわち部材が基板に接合され
る区域の少くとも一部に薄く塗布する。
使用するアルコールおよびエーテル誘導体は、
通常飽和脂肪族アルコールまたはそのエーテル
で、水酸基数が２ないし６、炭素原子数が約20ま
で、好ましくは10以下のものである。さらに、ア
ルコールおよびエーテル誘導体は、約350℃未満、
好ましくは約300℃未満の温度で蒸発または分解
するものが好ましい。
通常飽和脂肪族アルコールまたはそのエーテル
で、水酸基数が２ないし６、炭素原子数が約20ま
で、好ましくは10以下のものである。さらに、ア
ルコールおよびエーテル誘導体は、約350℃未満、
好ましくは約300℃未満の温度で蒸発または分解
するものが好ましい。
二価アルコール、多価アルコール、エーテル誘
導体の例としては、１，２エタンジオール、１，
２プロパンジオール、１，３プロパンジオール、
１，３ブタンジオール、１，４ブタンジオール、
１，５ペンタンジオール、２，５ヘキサンジオー
ル、１，６ヘキサンジオール、グリセリン、ペン
タエリスリトール、ジエチレン・グリコール、ト
リエチレン・グリコール、テトラエチレン・グリ
コール、ジプロピレン・グリコールならびに分了
量約200〜6000のポリエチレン・グリコールおよ
びポリプロピレン・グリコールがある。必要に応
じてアルコールの混合物、エーテルの混合物、ま
たはアルコールとエーテルの混合物を使用するこ
ともできる。好ましいアルコールは、プロピレ
ン・グリコール類で、中でも１，２プロパンジオ
ールが最も好ましい。一般に、好ましいアルコー
ル、エーテルまたはそれらの混合物の粘度は、室
温で少くとも約50センチポイズである。さらに、
本発明に使用する場合、アルコール、エーテルま
たはその混合物は、炭素、酸素、水素以外の原子
を有する化合物とは化合せず、はんだ付け後に基
板上に固体の残渣を残すような材料と化合しない
ものが好ましく、他のいかなる材料とも化合しな
いものが最も好ましい。
導体の例としては、１，２エタンジオール、１，
２プロパンジオール、１，３プロパンジオール、
１，３ブタンジオール、１，４ブタンジオール、
１，５ペンタンジオール、２，５ヘキサンジオー
ル、１，６ヘキサンジオール、グリセリン、ペン
タエリスリトール、ジエチレン・グリコール、ト
リエチレン・グリコール、テトラエチレン・グリ
コール、ジプロピレン・グリコールならびに分了
量約200〜6000のポリエチレン・グリコールおよ
びポリプロピレン・グリコールがある。必要に応
じてアルコールの混合物、エーテルの混合物、ま
たはアルコールとエーテルの混合物を使用するこ
ともできる。好ましいアルコールは、プロピレ
ン・グリコール類で、中でも１，２プロパンジオ
ールが最も好ましい。一般に、好ましいアルコー
ル、エーテルまたはそれらの混合物の粘度は、室
温で少くとも約50センチポイズである。さらに、
本発明に使用する場合、アルコール、エーテルま
たはその混合物は、炭素、酸素、水素以外の原子
を有する化合物とは化合せず、はんだ付け後に基
板上に固体の残渣を残すような材料と化合しない
ものが好ましく、他のいかなる材料とも化合しな
いものが最も好ましい。
アルコール、そのエーテル誘導体またはそれら
の混合物は、はんだ付け工程中にチツプを基板上
に保有する溶融性接着剤として作用する。
の混合物は、はんだ付け工程中にチツプを基板上
に保有する溶融性接着剤として作用する。
アルコール、エーテル誘導体またはそれらの混
合物の量は、非常に薄い層を形成するだけで十分
であり、この量は点眼器により塗布することがで
きる。実際に、本発明の目的としては、１滴未満
の量で十分である。もちろん、これより大量に使
用しても、本発明の方法に悪影響を与えることは
ない。
合物の量は、非常に薄い層を形成するだけで十分
であり、この量は点眼器により塗布することがで
きる。実際に、本発明の目的としては、１滴未満
の量で十分である。もちろん、これより大量に使
用しても、本発明の方法に悪影響を与えることは
ない。
次に１個または２個以上の回路チツプを、基板
上にアルコール、エーテルまたはその混合物に接
触させて置く。アルコール、エーテル誘導体、ま
たはその混合物は、ロジンまたはアビエチン酸を
含有する通常のフラツクス組成物の機能と同様
に、チツプを正しい位置に保持する。しかし、通
常のフラツクス組成物と異なり、アルコール、エ
ーテル誘導体またはその混合物は、化学的なフラ
ツクス作用は行わない。本発明によれば、化学的
フラツクス作用は、還元性雰囲気中の気体が行
う。
上にアルコール、エーテルまたはその混合物に接
触させて置く。アルコール、エーテル誘導体、ま
たはその混合物は、ロジンまたはアビエチン酸を
含有する通常のフラツクス組成物の機能と同様
に、チツプを正しい位置に保持する。しかし、通
常のフラツクス組成物と異なり、アルコール、エ
ーテル誘導体またはその混合物は、化学的なフラ
ツクス作用は行わない。本発明によれば、化学的
フラツクス作用は、還元性雰囲気中の気体が行
う。
次に組立品を還元性雰囲気中で加熱し、チツプ
を基板に接合すると同時にピンの頭を薄くさせ
る。この工程により、ピンと回路の間の電気的接
続が確実に行われる。還元性雰囲気の条件は、ピ
ンおよび基板から酸化物を除去する上記の工程と
同じである。還元性雰囲気中の酸素含有量は、
10ppm未満、好ましくは1ppm未満で、全く酸素
を含有しない場合が最も好ましい。使用する温度
は約300℃ないし約500℃で、好ましくは約35℃な
いし約450℃である。組立品をこの条件に露出す
る時間は、約１ないし約５分である。長さが約
5.5ｍのコンベア型の炉では、コンベア速度は毎
分約12〜38cm、好ましくは毎分約28cmである。
を基板に接合すると同時にピンの頭を薄くさせ
る。この工程により、ピンと回路の間の電気的接
続が確実に行われる。還元性雰囲気の条件は、ピ
ンおよび基板から酸化物を除去する上記の工程と
同じである。還元性雰囲気中の酸素含有量は、
10ppm未満、好ましくは1ppm未満で、全く酸素
を含有しない場合が最も好ましい。使用する温度
は約300℃ないし約500℃で、好ましくは約35℃な
いし約450℃である。組立品をこの条件に露出す
る時間は、約１ないし約５分である。長さが約
5.5ｍのコンベア型の炉では、コンベア速度は毎
分約12〜38cm、好ましくは毎分約28cmである。
還元性雰囲気中で加熱することにより、チツプ
のはんだ付けが行われると同時に、アルコール、
エーテル誘導体またはその化合物が、水、CO2、
ならびにプロパンおよびこれより少量のエタンお
よびメタンを含む、飽和炭素水素に変換される。
のはんだ付けが行われると同時に、アルコール、
エーテル誘導体またはその化合物が、水、CO2、
ならびにプロパンおよびこれより少量のエタンお
よびメタンを含む、飽和炭素水素に変換される。
次に組立品を従来の方法で加工し、最終モジユ
ールを形成する。
ールを形成する。
上記により理解できるように、本発明の方法は
フラツクスを使用しないはんだ付け工程と考えら
れ、これによる副生物気体およびある種の炭化水
素のみで、これは過剰の水素とともに燃焼させる
ことにより容易に除去することができる。はんだ
付け後に残渣が生じないため、有機溶剤を使用す
る通常の洗滌は不要である。
フラツクスを使用しないはんだ付け工程と考えら
れ、これによる副生物気体およびある種の炭化水
素のみで、これは過剰の水素とともに燃焼させる
ことにより容易に除去することができる。はんだ
付け後に残渣が生じないため、有機溶剤を使用す
る通常の洗滌は不要である。
本発明によれば、水素雰囲気中でチツプを基板
に接合すると同時に、ピンの頭のはんだ付けを行
うことも可能になる。もちろん必要があれば、こ
れらの工程は別に行うことも可能である。
に接合すると同時に、ピンの頭のはんだ付けを行
うことも可能になる。もちろん必要があれば、こ
れらの工程は別に行うことも可能である。
上記の方法は、説明を容易にするために、チツ
プを基板に接合する場合について述べたが、本発
明の方法は、一般の工作を基板に接合する場合に
も適用できることが理解される。
プを基板に接合する場合について述べたが、本発
明の方法は、一般の工作を基板に接合する場合に
も適用できることが理解される。
Ｆ 発明の効果
本発明の方法によれば、従来技術による上記の
フラツクス組成物を用いたものより、チツプと基
板とのはんだ接合部に、すの発生が少くなること
がわかつた。また、はんだ接合部の寿命は、従来
技術のフラツクス組成物を使用したものより長く
なることが予想される。
フラツクス組成物を用いたものより、チツプと基
板とのはんだ接合部に、すの発生が少くなること
がわかつた。また、はんだ接合部の寿命は、従来
技術のフラツクス組成物を使用したものより長く
なることが予想される。
本発明は、従来必要とした液体のフラツクス組
成物を不要とし、これによりフラツクスまたはフ
ラツクスの残渣を除去するための洗滌工程を不要
とすることを可能にする。これにより公害防止の
ための手段も不要になる。
成物を不要とし、これによりフラツクスまたはフ
ラツクスの残渣を除去するための洗滌工程を不要
とすることを可能にする。これにより公害防止の
ための手段も不要になる。
本発明の乾式工程は湿式工程よりも工程数が少
なく、汚染が少く、寸法精度の管理が容易であ
る。
なく、汚染が少く、寸法精度の管理が容易であ
る。
本発明の他の効果は、生成する副産物が、水、
少量の二酸化炭素、および炭化水素ガスのみで無
公害であることである。
少量の二酸化炭素、および炭化水素ガスのみで無
公害であることである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板に部材を接合する方法において、 (a) 上記基板に於ける上記部材を接合させるべき
領域、及び上記部材の少くとも一方にはんだを
付着させ、 (b) 部材を接合させるべき上記基板の少くとも一
部に、二価アルコール、多価アルコール、これ
らのエーテル誘導体、またはこれらの混合物か
らなる群から選ばれた材料を塗布し、 (c) 部材を上記基板上に、少くとも上記材料の一
部に接触させて置き、 (d) 生じた組立品を還元性雰囲気中で加熱して、
上記部材を上記基板に接合することを特徴とす
るはんだ接合方法。 ２ 上記部材は集積回路チツプであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 上記基板はセラミツク基板であることを特徴
とする特許請求の範囲第２項記載の方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US764710 | 1985-08-12 | ||
| US06/764,710 US4632295A (en) | 1985-08-12 | 1985-08-12 | Reduction atmosphere workpiece joining |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238757A JPS6238757A (ja) | 1987-02-19 |
| JPH0240423B2 true JPH0240423B2 (ja) | 1990-09-11 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61158133A Granted JPS6238757A (ja) | 1985-08-12 | 1986-07-07 | はんだ接合方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4632295A (ja) |
| EP (1) | EP0214396B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6238757A (ja) |
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