JPH0240928A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPH0240928A
JPH0240928A JP63191625A JP19162588A JPH0240928A JP H0240928 A JPH0240928 A JP H0240928A JP 63191625 A JP63191625 A JP 63191625A JP 19162588 A JP19162588 A JP 19162588A JP H0240928 A JPH0240928 A JP H0240928A
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JP
Japan
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wiring
opening
ball
bonding wire
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP63191625A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Okamura
健司 岡村
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に耐湿性に優
れたワイヤボンディング構造の樹脂封止型半導体装置に
関する。
〔従来の技術〕
従来のワイヤボンディング構造の樹脂封止型半導体装置
は、第３図にそのボンディングパッド部の構造を示すよ
うに、半導体基板１１のシリコン酸化Ｍ１２上にアルミ
ニウム配４１１３を形成し、このアルミニウム配線１３
上の保護膜１４の一部を開口１４ａしてアルミニウム配
線１３を露出することによりボンディングパッド部を構
成している。そして、このボンディングパッド部にボン
ディングワイヤ１５の一端を接続し、かつその他端をパ
ッケージ等の外部導出リードに接続することにより電気
的な接続を行い、かつ全体を樹脂で封止することにより
半導体装置を構成している。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体装置では、ワイヤボンディング位
置の位置ずれ等に対処するために、ボンディングパッド
部の保護膜１４の開口１４ａの形状は、方形でかつボン
ディングワイヤ１５のボール１５ａの径寸法に比較して
十分大きい寸法に形成している。このため、ボンディン
グワイヤのボール１５ａの周囲において、ボンディング
パッド部のアルミニウムが露呈された状態で樹脂封止さ
れることになる。
一般に樹脂は水分を僅かではあるが透過させる性質があ
るため、不純物を含んだ樹脂を使用したり、不純物を含
んだ湿気中で稼働させると、腐蝕性の水分が樹脂を通し
てボンディングパッド部の露出面に到達し、アルミニウ
ムを腐蝕させ、場合によっては断線させて不良を発生す
るという問題が生じる。
本発明は樹脂を通して侵入される水分からボンディング
パッドの腐蝕を防止して、不良の発生を未然に防止する
樹脂封止型半導体装置を提供することを目的としている
。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型半導体装置は、アルミニウム配線を
覆う保護膜の一部を開口し、この開口部分にアルミニウ
ム配線を露出させてボンディングパッドを構成する半導
体装置において、その保護膜の開口をボンディングワイ
ヤのボールよりも小さい面積の形状に形成し、該ボンデ
ィングワイヤのボールで開口を被覆するように構成して
いる。
〔作用〕
上述した構成では、アルミニウム配線はボンディングワ
イヤのボールによって被覆されてアルミニウム面が露出
されることがないので、樹脂を通して半導体装置内に侵
入される水分がアルミニウム配線にまで到達することは
な（、アルミニウム配線の腐蝕を防止する。
〔実施例〕
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示しており、第
２図は要部の平面図、第１図はそのＡ−Ａ線に沿う断面
図である。図において、半導体基板１の上面のシリコン
酸化膜２上にはアルミニウム配線３を形成し、このアル
ミニウム配線３の一部にボンディングパッド部を構成し
ている。そして、このアルミニウム配線３上の保護膜４
の一部を開口４ａすることによりアルミニウム配線３を
ボンディングパッド部で一部露出させている。ここで、
保護膜４の開口４ａの形状は、ボンディングワイヤ５の
ボール５ａの径寸法よりも若干率さい円形に設定してい
る。なお、ボンディングワイヤ５には腐蝕に強い金や金
合金を用いている。
この構成によれば、ボンディングパッド部にボンディン
グワイヤ５を接続したときには、ボンディングワイヤ５
のボール５ａが保護膜４の開口４ａを塞ぐ形でアルミニ
ウム配線３に接続されることになる。このため、アルミ
ニウム配線３はボンディングワイヤ５によって被覆され
、アルミニウム配線３がボンディングワイヤ５の周囲位
置で露出されることは全くない。したがって、この半導
体装置を樹脂封止した後に、樹脂を通して不純物を含む
水分がボンディングパッド部にまで到達しても、水分が
直接アルミニウム配線３に接触されることはなく、アル
ミニウム配線３の腐蝕を防止する。これにより、この腐
蝕による断線を有効に防止し、半導体装置の耐湿性を向
上させる。
なお、保護膜４の開口４ａの平面形状は円形に近い多角
形（例えば、六角形）に形成してもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ポンプイングツくラドを
構成するために形成する保護膜の開口を、ボンディング
ワイヤのボールよりも小さい面積の形状に形成し、かつ
この開口をボンディングワイヤのボールで被覆するよう
に構成しているので、アルミニウム配線はボンディング
ワイヤのボールによって被覆されてその表面が露出され
ることがない。このため、樹脂を通して半導体装置内に
侵入される水分がアルミニウム配線に接触することはな
く、アルミニウム配線の腐蝕を防止し、アルミニウム配
線の断線による不良の発生を未然に防止できる効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図のＡ−Ａ線に
沿う断面図、第２図は第１図の実施例の平面図、第３図
は従来構造の断面図である。 １．１１・・・半導体基板、２．１２・・・シリコン酸
化膜、３，１３・・・アルミニウム配線、４．１４・・
・保護膜、４ａ、１４ａ・・・開口、５，１５・・・ボ
ンデイ第 図 ５　庄、゛°ンテネン２バクイヤ 第２ 図 ａ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体基板上に設けたアルミニウム配線を覆う保護
    膜の一部を開口してアルミニウム配線を露出させ、この
    露出部分にボンディングパッドを構成してボンディング
    ワイヤを接続してなる樹脂封止型半導体装置において、
    前記保護膜の開口をボンディングワイヤのボールよりも
    小さい面積の形状に形成し、該ボンディングワイヤのボ
    ールで前記開口を被覆するように構成したことを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
JP63191625A 1988-07-30 1988-07-30 樹脂封止型半導体装置 Pending JPH0240928A (ja)

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JP63191625A JPH0240928A (ja) 1988-07-30 1988-07-30 樹脂封止型半導体装置

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JPH0240928A true JPH0240928A (ja) 1990-02-09

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5891745A (en) * 1994-10-28 1999-04-06 Honeywell Inc. Test and tear-away bond pad design
JP2008187109A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Toshiba Corp 積層型半導体装置とその製造方法
JP2010039211A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Fujitsu Ltd 表示装置及びその製造方法

Cited By (4)

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US8039970B2 (en) 2007-01-31 2011-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked semiconductor device and method of manufacturing the same
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