JPS607757A - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置

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JPS607757A
JPS607757A JP58115525A JP11552583A JPS607757A JP S607757 A JPS607757 A JP S607757A JP 58115525 A JP58115525 A JP 58115525A JP 11552583 A JP11552583 A JP 11552583A JP S607757 A JPS607757 A JP S607757A
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JP
Japan
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electrode
shape
semiconductor device
lead frame
metal wire
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Application number
JP58115525A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Yokoyama
横山　均
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止形半導体装置に係り、特に半導体ダイ
を搭載するリードフレーム部分と、外部へ接続するリー
ドフレーム部分とが設けられ、前記半導体ダイの電極と
、前記外部へ接続するり一ドフレーム部分とが、金属細
線で接続された倒脂封止形半導体装置咳関する。
近年、樹脂封止形半導体装置が、保護絶縁膜、耐重材料
、封と技術等の発展に伴ない、民生用機器全中心として
広く普及しつつある。
樹脂封止形半導体装置は、低価格、高量産性という長所
を持つ一方で、気密封止形半導体装置に比較して特に高
温高湿下の使用環境において、配線金属の腐食が起こり
得るという重大な欠点を有している。この内子導体ダイ
の内部配線金属の腐食に対しては、保護絶縁膜等、製造
プロセスの改良を進めることにより、今後、樹脂封止形
半導体装置と言えども、十分な耐湿性を実現することは
可能と考えられる。
一方、現在の樹脂封止形半導体装置においては、第１図
に示す様に、リードフレーム（図示していない）上の半
導体ダイｌ上の電極２は保護絶縁膜３のｌｌｌ５’を除
去し、開孔部４ａ′ｔ−設け、リードフレーム５と電極
２とを金属線［６により接続している。この際金属細線
６が電極２上と接触する接続部７は、第２図に示す様に
丸くつぶれた形状となる。
これに対して、現在の樹脂封止形半導体装置においては
、開孔部４の形状が、第３図に示す様に４角形のため半
導体ダイ１上の配線金属が、電極２０開孔部４ａにおい
ては保護絶縁膜３に覆われずむき出しになっている。
従って、樹脂封止形半導体全高温高湿下で保管ないし、
動作させると外部高湿環境から侵入した水分により、む
き出しの電極部は保護絶縁膜に覆われた内部の配線より
先に腐食奮起こし易く、実用上支障が起こる場合がある
。
したがって本発明の目的は上記従来技術の欠点金除去し
た有効な樹脂封止形半導体装置を提供することであり、
その特徴は半導体ダイを覆う保護絶縁膜の、電極上開孔
部の形状全、電極部への金属細線の接続部の形状に近い
多角形にすることにある。
次に本発明を実施例により説明する。
第４図は本発明の一実施例を斜めから見た図であるう図
において、半導体ダイｌ上の電極の開孔部４ｂは、金属
細線６の接続部７の丸い形に合わせて六角形にしている
。
開孔部の形状奮発かり易く示すために上から見た図全第
５図に示す。開孔部４ｂの形状を六角形にしたために、
むき出しの電極部分は第５図ではほとんど見えない様に
なっているつ 開孔部の形状は六角形以上の円形に近い多角形でも良い
が、現状のマスク技術では斜めのパターンは４５度が容
易に精度の高いマスク製作が出来る形であるので、本実
施例では主要な一例として。
六角形の開孔について示しである。
この様に開孔部を円形に近い多角形にすることにより、
電極の、保護絶縁膜が覆っていないむき出しの金属の面
積を大巾に減らし、電極部の腐食を防ぐことが出来る。
なおかつ、本実施例の様に開孔部の形状全第４図、第５
図で示す様な六角形にすれば、現在のマスク技術で容易
に精度の高いパターンを実現でさる。
また、この方法は樹脂封止形半導体装置の製造プロセス
において、なんら特別な追加工程を必要とせずきわめて
容易に実現できることを特徴としている。
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂封止形半導体装置の断面図、第２図は従来
の電極上開孔部の形状を示し文斜視図、第３図は第２図
全土部から見た図、第４図は本発明における一実施例の
電極上開孔部の形状上水した斜視図、第５図は第４図を
上部から見た図である。 尚、図において、１・・・・・・半導体ダイ、２・・・
・・・電極、３・・・・・・保護絶縁膜、４・・・・・
・開孔部３．５・・・・・・リードフレーム、６・・・
・・・金属細線、７・・・・・・接続部である。 、　゛へ 代理人　弁理士　内　原　１　パｈ ゛−−２，・′” ％　４　図 奉Ｓ　目 −９へ１−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体ダイを搭載するリードフレーム部分と。 外部へ接続するリードフレーム部分とが設けられ、前記
    半導体ダイの電極と、前記外部へ接続するリードフレー
    ム部分とが金属細線で接続されｌｉｔ脂封市形半導体装
    置において、少なくとも半導体ダイ全項う保護絶縁膜の
    、電極上開孔部形状が、五角形以上の多角形であること
    を特徴とする樹脂封止形半導体装置。
JP58115525A 1983-06-27 1983-06-27 樹脂封止形半導体装置 Pending JPS607757A (ja)

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JP58115525A JPS607757A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 樹脂封止形半導体装置

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JP58115525A JPS607757A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 樹脂封止形半導体装置

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JPS607757A true JPS607757A (ja) 1985-01-16

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JP58115525A Pending JPS607757A (ja) 1983-06-27 1983-06-27 樹脂封止形半導体装置

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