JPH02129936A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02129936A JPH02129936A JP63283354A JP28335488A JPH02129936A JP H02129936 A JPH02129936 A JP H02129936A JP 63283354 A JP63283354 A JP 63283354A JP 28335488 A JP28335488 A JP 28335488A JP H02129936 A JPH02129936 A JP H02129936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- bonding pad
- ball
- pad
- dummy pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07553—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置、特にワイヤボンディング方式を採
用するとともに、半導体チップの表面に形成した保護膜
で覆われていないボンディングパッドの腐蝕による製品
不良を極力抑制した半導体装置に関する。
用するとともに、半導体チップの表面に形成した保護膜
で覆われていないボンディングパッドの腐蝕による製品
不良を極力抑制した半導体装置に関する。
（従来の技術）
従来、一般にワイヤボンディング方式を採用した半導体
装置は、第９図及び第１０図に示すように、半導体チッ
プ１の表面に、アルミニウム製の配線２と電気的に接続
されたアルミニウム等のボンディングパッド３′が形成
され、このボンディングパッド３′を除く表面は、パッ
シベーション膜等の保護膜４で覆われている。そして、
このボンディングパッド３′の上面に、ボンディングワ
イヤ５の下端のボンディングボール６がボンディングさ
れていた。
装置は、第９図及び第１０図に示すように、半導体チッ
プ１の表面に、アルミニウム製の配線２と電気的に接続
されたアルミニウム等のボンディングパッド３′が形成
され、このボンディングパッド３′を除く表面は、パッ
シベーション膜等の保護膜４で覆われている。そして、
このボンディングパッド３′の上面に、ボンディングワ
イヤ５の下端のボンディングボール６がボンディングさ
れていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来例の場合、ワイヤボンディング
後もボンディングパッド３′の４隅部３′ ａ〜３’
ｄ及び配線２のボンディングパッド３′からの引き出
し部分２ａが外部に露出してしまう。このため、このボ
ンディングパッド３′の４隅部３’ ａ〜３’ ｄか
ら腐蝕が開始し、これが拡散によって除々に進行してボ
ンディングパッド３′の全面が腐蝕してしまったり、ま
た配線２の引き出し部２ａの表面より腐蝕が開始し、こ
れがこの内部に進行して、配線２の引き出し部２ａにお
ける断線に繋がってしまうことがあるといった問題点が
あった。
後もボンディングパッド３′の４隅部３′ ａ〜３’
ｄ及び配線２のボンディングパッド３′からの引き出
し部分２ａが外部に露出してしまう。このため、このボ
ンディングパッド３′の４隅部３’ ａ〜３’ ｄか
ら腐蝕が開始し、これが拡散によって除々に進行してボ
ンディングパッド３′の全面が腐蝕してしまったり、ま
た配線２の引き出し部２ａの表面より腐蝕が開始し、こ
れがこの内部に進行して、配線２の引き出し部２ａにお
ける断線に繋がってしまうことがあるといった問題点が
あった。
また、このパッド露出部分をなくすため、単純にパッド
面積や保護膜開口部面積を縮小することは、ボンディン
グ強度低下を引き起こすという問題があった。
面積や保護膜開口部面積を縮小することは、ボンディン
グ強度低下を引き起こすという問題があった。
本発明は上記に鑑み、ボンディング強度を低下させてし
まうことなく、ボンディングパッドが腐蝕してしまうこ
とを極力防止したものを提供することを目的とする。
まうことなく、ボンディングパッドが腐蝕してしまうこ
とを極力防止したものを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体装置は
、半導体チップの表面に形成し保護膜で覆われていない
ボンディングパッドの形状を、該ボンディングパッドの
輪郭がこの上面にワイヤボンディングするボンディング
ワイヤ下端のボンディングボールの接着面の内部に位置
するよう形成するとともに、このボンディングパッドの
周囲にボンディングボールと接合可能なダミーのパター
ンを設け、上記ボンディングボールで上記ボンディング
パッドの全表面及びダミーパターンの少なくとも一部を
覆ったものである。
、半導体チップの表面に形成し保護膜で覆われていない
ボンディングパッドの形状を、該ボンディングパッドの
輪郭がこの上面にワイヤボンディングするボンディング
ワイヤ下端のボンディングボールの接着面の内部に位置
するよう形成するとともに、このボンディングパッドの
周囲にボンディングボールと接合可能なダミーのパター
ンを設け、上記ボンディングボールで上記ボンディング
パッドの全表面及びダミーパターンの少なくとも一部を
覆ったものである。
（作 用）
上記のように構成した本発明によれば、ボンディングパ
ッドは、その全表面においてボンディングボールで覆わ
れているので、これによってボンディングパッドの露出
部分をなくしてここの腐蝕の発生を極力防止することが
できる。しかも、ボンディングボールはダミーパターン
によって十分な接合面積もってボンディングされている
ため、十分な接合面積を確保してボンディングパッドの
縮小化に伴うボンディング強度の低下を防止することが
できる。
ッドは、その全表面においてボンディングボールで覆わ
れているので、これによってボンディングパッドの露出
部分をなくしてここの腐蝕の発生を極力防止することが
できる。しかも、ボンディングボールはダミーパターン
によって十分な接合面積もってボンディングされている
ため、十分な接合面積を確保してボンディングパッドの
縮小化に伴うボンディング強度の低下を防止することが
できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図乃至第４図は第１の実施例を示し、半導体チップ
１の表面には、アルミニウム製の配線２と電気的に接続
したアルミニウム製で正方形状のボンディングパッド３
が形成されているとともに、このボンディングパッド３
の周囲には、これを囲むように略門形で、例えばその外
形が上記第９図及び第１０図に示すボンディングパッド
３′の外形とほぼ同じ大きさのアルミニウム製のダミー
のパターン７が形成されている。
１の表面には、アルミニウム製の配線２と電気的に接続
したアルミニウム製で正方形状のボンディングパッド３
が形成されているとともに、このボンディングパッド３
の周囲には、これを囲むように略門形で、例えばその外
形が上記第９図及び第１０図に示すボンディングパッド
３′の外形とほぼ同じ大きさのアルミニウム製のダミー
のパターン７が形成されている。
また、このボンディングパッド３とダミーパターン７と
の間には、所定の間隔Ｓが設けられて１、両者３，７が
接触してしまわないよう、即ちダミーパターン７に発生
した腐蝕が、ボンディングパッド３まで進行してしまう
ことがないようになされている。
の間には、所定の間隔Ｓが設けられて１、両者３，７が
接触してしまわないよう、即ちダミーパターン７に発生
した腐蝕が、ボンディングパッド３まで進行してしまう
ことがないようになされている。
上記ボンディングパッド３の大きさは、この輪郭が下記
のボンディングボール６の接合面の内部に位置するよう
に、即ち上記第９図及び第１０図に示す従来のもの比べ
てやや小さめで、ボンディングパッド３が、ボンディン
グボール６にすっぽり覆われ、この全ての部分が外部に
露出してしまうことがないように構成されている。
のボンディングボール６の接合面の内部に位置するよう
に、即ち上記第９図及び第１０図に示す従来のもの比べ
てやや小さめで、ボンディングパッド３が、ボンディン
グボール６にすっぽり覆われ、この全ての部分が外部に
露出してしまうことがないように構成されている。
ここに、ボンディングパッド３の面積は、実際の工程に
おけるボンディング位置精度を考慮ルで決定する必要が
ある。
おけるボンディング位置精度を考慮ルで決定する必要が
ある。
このように、ボンディングパッド３の大きさを第９図及
び第１０図に示す従来例に比べて縮小化すると、ボンデ
ィングボール６のボンディング強度が低下してしまう。
び第１０図に示す従来例に比べて縮小化すると、ボンデ
ィングボール６のボンディング強度が低下してしまう。
このため、上記のようにボンディングパッド３の周囲に
ボンディングボールと接合可能なダミーのパターン７を
形成し、このダミーパターン７とボンディングワイヤ５
の下端のボンディングボール６とを接合させることによ
リ、ボンディングボール６の十分な接合面積を確保して
この強度の低下を防止するようなされている。
ボンディングボールと接合可能なダミーのパターン７を
形成し、このダミーパターン７とボンディングワイヤ５
の下端のボンディングボール６とを接合させることによ
リ、ボンディングボール６の十分な接合面積を確保して
この強度の低下を防止するようなされている。
そして、上記半導体チップ１の表面は、四角形状の開口
部４ａ内にボンディングパッド３を位置させて、これを
露出させた状態で、パッシベーション膜等の保護膜４で
覆われているとともに、この保護膜４は、配線２のボン
ディングパッド３からの引き出し部２ａの近傍まで達し
ている。
部４ａ内にボンディングパッド３を位置させて、これを
露出させた状態で、パッシベーション膜等の保護膜４で
覆われているとともに、この保護膜４は、配線２のボン
ディングパッド３からの引き出し部２ａの近傍まで達し
ている。
更に、このボンディングパッド３には、ボンディングワ
イヤ５がワイヤボンディングによりボンディングされて
いるが、このボンディングワイヤ５の下端のボンディン
グボール６は、ボンディングパッドの全表面を覆うとと
もに、ダミーパターン７の側部を覆い、更に配線２の引
き出し部２ａにおいて保護膜４と交差してここを覆うよ
うになされている。
イヤ５がワイヤボンディングによりボンディングされて
いるが、このボンディングワイヤ５の下端のボンディン
グボール６は、ボンディングパッドの全表面を覆うとと
もに、ダミーパターン７の側部を覆い、更に配線２の引
き出し部２ａにおいて保護膜４と交差してここを覆うよ
うになされている。
これにより、ボンディングパッド３の全表面がボンディ
ングボール６で覆われることによって、この一部が外部
に露出してしまうことが防止されているとともに、ダミ
ーパターン７の露出部から腐蝕が発生しても、ボンディ
ングパッド３とダミーパターンとは非接触の状態に配置
されているため、この腐蝕がボンディングパッド３まで
進行しないようになされている。
ングボール６で覆われることによって、この一部が外部
に露出してしまうことが防止されているとともに、ダミ
ーパターン７の露出部から腐蝕が発生しても、ボンディ
ングパッド３とダミーパターンとは非接触の状態に配置
されているため、この腐蝕がボンディングパッド３まで
進行しないようになされている。
更に、配線２のボンディングパッド３からの引き出し部
２ａも同時にボンディングボール６で覆うことにより、
この表面からの腐蝕の発生も防止されている。
２ａも同時にボンディングボール６で覆うことにより、
この表面からの腐蝕の発生も防止されている。
第５図は第２の実施例を示すもので、ボンディングパッ
ド１３を六角形状に形成するとともに、ダミーパターン
１７も、その内形がこのボンディングパッド１３の形状
に沿った形状になし、更に保護膜４の開口部４ａも四角
形ではなく、配線２の引き出し部２ａに沿ってここを保
護膜４で覆う突出部４ｂを形成した形状となし、この突
出部４ｂの先端でボンディングボール６と交差するよう
になして、これにより配線２の全てを、この保護Ｈ４及
びボンディングボール５で完全に被覆するようにしたも
のである。
ド１３を六角形状に形成するとともに、ダミーパターン
１７も、その内形がこのボンディングパッド１３の形状
に沿った形状になし、更に保護膜４の開口部４ａも四角
形ではなく、配線２の引き出し部２ａに沿ってここを保
護膜４で覆う突出部４ｂを形成した形状となし、この突
出部４ｂの先端でボンディングボール６と交差するよう
になして、これにより配線２の全てを、この保護Ｈ４及
びボンディングボール５で完全に被覆するようにしたも
のである。
このように、ボンディングパッド１３を六角形状とする
ことにより、ボンディングの位置ずれによってボンディ
ングパッド１３のコーナ部が外部に露出してしまう危険
性を大幅に低減することができる。また保ａ膜開口部４
ａの形状を上記の様に変更することによりボンディング
強度を第１の実施例の場合よりもより向上させ、更に保
護Ｈ４とボンディングボール６との交差部分の接着強度
を向上させて、水分の内部侵入をより回避するようにす
ることができる。加えて、この交差部分の保護膜４の立
体化による保護膜４の強度の向上を図り、ボンディング
時の衝撃による保護膜４のクラックの防止に役立たせる
ことができる。
ことにより、ボンディングの位置ずれによってボンディ
ングパッド１３のコーナ部が外部に露出してしまう危険
性を大幅に低減することができる。また保ａ膜開口部４
ａの形状を上記の様に変更することによりボンディング
強度を第１の実施例の場合よりもより向上させ、更に保
護Ｈ４とボンディングボール６との交差部分の接着強度
を向上させて、水分の内部侵入をより回避するようにす
ることができる。加えて、この交差部分の保護膜４の立
体化による保護膜４の強度の向上を図り、ボンディング
時の衝撃による保護膜４のクラックの防止に役立たせる
ことができる。
なお、ボンディングパッドの形状は、上記に限ることな
く、例えばあらゆる多角形及び円や楕円形等でも良いこ
とは勿論である。
く、例えばあらゆる多角形及び円や楕円形等でも良いこ
とは勿論である。
第６図は第３の実施例を示すもので、上記第１の実施例
を異なる点は、ボンディングパッド３とダミーパターン
７とを、腐蝕の進行を十分に遅らせる程度に狭くした連
通部８を介して一体に連接してバターニングした点にあ
る。
を異なる点は、ボンディングパッド３とダミーパターン
７とを、腐蝕の進行を十分に遅らせる程度に狭くした連
通部８を介して一体に連接してバターニングした点にあ
る。
この場合、ダミーパターン７に発生した腐蝕は、この連
通部８を通じてボンディングパッド３まで除々に進行し
てしまうことになるが、ボンディングパッド３とボンデ
ィングワイヤ５との電気的なコンタクト面積を大きくす
ることができる。
通部８を通じてボンディングパッド３まで除々に進行し
てしまうことになるが、ボンディングパッド３とボンデ
ィングワイヤ５との電気的なコンタクト面積を大きくす
ることができる。
第７図及び第８図は第４の実施例を示し、上記第１の実
施例と異なる点は、ダミーパターン７の一部に、この内
側から外側に抜ける通路７ａを形成するとともに、保護
膜４の上面にポリイミド膜或いはシリコーン膜等の軟ら
かいクツション材９をコーティングした点にある。
施例と異なる点は、ダミーパターン７の一部に、この内
側から外側に抜ける通路７ａを形成するとともに、保護
膜４の上面にポリイミド膜或いはシリコーン膜等の軟ら
かいクツション材９をコーティングした点にある。
この場合、万一ボンディングパッド３と導電性パターン
７との間に水分が侵入したとしても、この水分をこの通
路７ａから外部に逃がすことによって、高温実装時にこ
の水分が気化してその蒸気圧によってボンディングボー
ル３がボンディングパッド３から剥離してしまうことを
防止することができるとともに、クツション材の効果に
よりボンディング時の衝撃で、保護膜４にクラックが発
生してしまうことを防止することができる。
７との間に水分が侵入したとしても、この水分をこの通
路７ａから外部に逃がすことによって、高温実装時にこ
の水分が気化してその蒸気圧によってボンディングボー
ル３がボンディングパッド３から剥離してしまうことを
防止することができるとともに、クツション材の効果に
よりボンディング時の衝撃で、保護膜４にクラックが発
生してしまうことを防止することができる。
なお、上記各実施例を任意に組合わせることができるこ
とは勿論である。
とは勿論である。
また複数の引き出し線を持ったボンディングパッドに関
しても、本発明と同様の手法を用いて腐食の対策をでき
ることは勿論である。
しても、本発明と同様の手法を用いて腐食の対策をでき
ることは勿論である。
本発明は上記のような構成であるので、ボンディングパ
ッドはボンディングボールによって完全に被覆されてい
るため、この露出部をなくして腐蝕の発生を極力防止す
ることができるばかりでなく、ボンディングボール下の
凹凸によって、ボンディングボールとボンディングバッ
ドとの接着性を向上させて、接着界面からのボンディン
グパッドへの水の侵入をより確実に防止することができ
る。
ッドはボンディングボールによって完全に被覆されてい
るため、この露出部をなくして腐蝕の発生を極力防止す
ることができるばかりでなく、ボンディングボール下の
凹凸によって、ボンディングボールとボンディングバッ
ドとの接着性を向上させて、接着界面からのボンディン
グパッドへの水の侵入をより確実に防止することができ
る。
更に、配線をその全てにおいて、保護膜及びボンディン
グボールで完全に被覆することができ、この場合、配線
における腐蝕の開始点をなくしてこの腐蝕による断線を
防止することができる。
グボールで完全に被覆することができ、この場合、配線
における腐蝕の開始点をなくしてこの腐蝕による断線を
防止することができる。
また、ボンディングパッドの面積の縮小化に伴うボンデ
ィング面積の縮小をダミーのパターンによって防止して
、ボンディング強度が低下してしまうことを防止すると
ともに、ボンディングの際に、これによる半導体チップ
へのダメージが大きくなってしまうことを防止すること
ができるといった効果がある。
ィング面積の縮小をダミーのパターンによって防止して
、ボンディング強度が低下してしまうことを防止すると
ともに、ボンディングの際に、これによる半導体チップ
へのダメージが大きくなってしまうことを防止すること
ができるといった効果がある。
第１図乃至第４図は本発明の第１の実施例を示し、第１
図はボンディングパッド部を拡大して示す平面図、第２
図はワイヤボンディング前の状態の第１図相当図、第３
図は第１図の■−■線断面図、第４図は同じ＜ ＴＶ−
ＩＶ線断面図、第５図は第２の実施例を示す第１図相当
図、第６図は第３の実施例を示す第１図相当図、第７図
は第４の実施例を示す第１図相当図、第８図は第７図の
■−■線断面図、第９図は従来例を示す第１図相当図、
第１０図は第９図のＸ−Ｘ線断面図である。
図はボンディングパッド部を拡大して示す平面図、第２
図はワイヤボンディング前の状態の第１図相当図、第３
図は第１図の■−■線断面図、第４図は同じ＜ ＴＶ−
ＩＶ線断面図、第５図は第２の実施例を示す第１図相当
図、第６図は第３の実施例を示す第１図相当図、第７図
は第４の実施例を示す第１図相当図、第８図は第７図の
■−■線断面図、第９図は従来例を示す第１図相当図、
第１０図は第９図のＸ−Ｘ線断面図である。
Claims (1)
- 半導体チップの表面に形成し保護膜で覆われていないボ
ンディングパッドの形状を、該ボンディングパッドの輪
郭がこの上面にワイヤボンディングするボンディングワ
イヤ下端のボンディングボールの接着面の内部に位置す
るよう形成するとともに、このボンディングパッドの周
囲にボンディングボールと接合可能なダミーのパターン
を設け、上記ボンディングボールで上記ボンディングパ
ッドの全表面及びダミーパターンの少なくとも一部を覆
ったことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283354A JPH02129936A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283354A JPH02129936A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129936A true JPH02129936A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH053137B2 JPH053137B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=17664399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283354A Granted JPH02129936A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129936A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7407270B2 (en) | 2002-03-18 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head and liquid jet apparatus |
| US8496158B2 (en) * | 2011-11-11 | 2013-07-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for monitoring free air ball (FAB) formation in wire bonding |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63283354A patent/JPH02129936A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7407270B2 (en) | 2002-03-18 | 2008-08-05 | Seiko Epson Corporation | Liquid jet head and liquid jet apparatus |
| US8496158B2 (en) * | 2011-11-11 | 2013-07-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for monitoring free air ball (FAB) formation in wire bonding |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053137B2 (ja) | 1993-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7446029B2 (en) | Semiconductor element and manufacturing method thereof | |
| US6404051B1 (en) | Semiconductor device having a protruding bump electrode | |
| JP2924840B2 (ja) | Ｔａｐｅ−ＢＧＡタイプの半導体装置 | |
| JPH01260845A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02129936A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6211499B2 (ja) | ||
| JPS61187262A (ja) | 半導体素子 | |
| JP2576626B2 (ja) | ボールボンディング用電極を備えた半導体装置 | |
| JPS6118862B2 (ja) | ||
| JPH1187572A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6015955A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63244853A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS61212050A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0652746B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04324946A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05235085A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61267333A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0462176B2 (ja) | ||
| JPH02308557A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2005045041A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JPS6381938A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59208767A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0240928A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2007527120A (ja) | 応力緩和部を備えた電子装置 | |
| JPH07161880A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |