JPS6156277A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS6156277A JPS6156277A JP17667884A JP17667884A JPS6156277A JP S6156277 A JPS6156277 A JP S6156277A JP 17667884 A JP17667884 A JP 17667884A JP 17667884 A JP17667884 A JP 17667884A JP S6156277 A JPS6156277 A JP S6156277A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum container
- particles
- sample
- molybdenum
- film forming
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、成膜装置に係り、特に真空容器内で粒子を飛
散させ該飛散した粒子を真空容器内で試料に付着させて
成膜するのに好適な成膜装置に関するものである。
散させ該飛散した粒子を真空容器内で試料に付着させて
成膜するのに好適な成膜装置に関するものである。
真空容器内で粒子を飛散させ該飛散した粒子を真空容器
内で試料に付着させて成膜する装置としては、特開昭５
７−６３６７８号公報に記載されているような装置が知
られている。
内で試料に付着させて成膜する装置としては、特開昭５
７−６３６７８号公報に記載されているような装置が知
られている。
このような成膜装置では、試料への成膜処理時に試料以
外の真空容器内面や真空容器の内部部品外面にも粒子が
付着するようになり、その後、付着した粒子が剥落して
異物となり試料に付着して試料を汚染するという問題が
あった。
外の真空容器内面や真空容器の内部部品外面にも粒子が
付着するようになり、その後、付着した粒子が剥落して
異物となり試料に付着して試料を汚染するという問題が
あった。
本発明の目的は、試料以外の場所に飛散した粒子が異物
となるのを防止することで、異物による試料の汚染を防
止できる成膜装置を提供することにある。
となるのを防止することで、異物による試料の汚染を防
止できる成膜装置を提供することにある。
本発明は、真空容器内面並びに該真空容器の内部部品の
外面の少なくとも粒子が飛散して啜る面にアルミニウム
若しくはモリブデンを添装すると共に、該添装されたア
ルミニウム若しくはモリブデンの表面粗さを２００μｍ
以上としたことを特徴とするもので、真空容器内面並び
に該真空容器の内部部品の外面に添装したアルミニウム
若しくはモリブデンに粒子を何着、捕集し、該捕集され
た粒子のアルミニウム若しくはモリブデンからの剥落を
生じさせないことで異物の発生を防１１−シようとした
ものである。
外面の少なくとも粒子が飛散して啜る面にアルミニウム
若しくはモリブデンを添装すると共に、該添装されたア
ルミニウム若しくはモリブデンの表面粗さを２００μｍ
以上としたことを特徴とするもので、真空容器内面並び
に該真空容器の内部部品の外面に添装したアルミニウム
若しくはモリブデンに粒子を何着、捕集し、該捕集され
た粒子のアルミニウム若しくはモリブデンからの剥落を
生じさせないことで異物の発生を防１１−シようとした
ものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、真空容器ｌの内面、この場合は、防着板２の内
面並びに真空容器１の内部部品、この場合は、アノード
３．シャッタ４．試料台５の外面で少なくとも粒子が飛
散してくる面には、アルミニウム若しくはモリブデン６
が添装、例えば、溶射されている。この溶射されたアル
ミニウム若しくはモリブデン６の表面粗さは、付着した
粒子の剥落を生じさせないように２００μｍ以上となっ
ている。図面で、その他、７はコイル、８は電極、９は
シャッタ４を回動させる回動装置、１０はガス導入口、
１１は排気口である。
面並びに真空容器１の内部部品、この場合は、アノード
３．シャッタ４．試料台５の外面で少なくとも粒子が飛
散してくる面には、アルミニウム若しくはモリブデン６
が添装、例えば、溶射されている。この溶射されたアル
ミニウム若しくはモリブデン６の表面粗さは、付着した
粒子の剥落を生じさせないように２００μｍ以上となっ
ている。図面で、その他、７はコイル、８は電極、９は
シャッタ４を回動させる回動装置、１０はガス導入口、
１１は排気口である。
図面で、電極８には、例えば、シリコン、モリブデンで
なるターゲット１２が設けられ、試料台５には、ターゲ
ット１２に対向して試料１３が載置される。真空容器１
内は排気口１１より真空排気装置（図示省略）で所定圧
力に減圧排気され、その後、真空容器ｌ内には、ガス導
入口１０よりガスが導入されると共に真空容器ｌ内は所
定の処理圧力に調節されて維持される。その後、コイル
７、電極８およびアノード３にそれぞれ強弱の電源が印
加されて放電が行われる。この放電期間中にターゲット
１２からは粒子が放出されて真空容器１内に飛散し、こ
の飛散した粒子の一部が試料１３に付着することで、試
料１３には成膜される。一方、飛散した残りの粒子は、
アルミニウム若しくはモリブデン６面に付着して捕集さ
れ、アルミニウム若しくはモリブデン６の表面粗さの効
果によって剥落するのを防止される。
なるターゲット１２が設けられ、試料台５には、ターゲ
ット１２に対向して試料１３が載置される。真空容器１
内は排気口１１より真空排気装置（図示省略）で所定圧
力に減圧排気され、その後、真空容器ｌ内には、ガス導
入口１０よりガスが導入されると共に真空容器ｌ内は所
定の処理圧力に調節されて維持される。その後、コイル
７、電極８およびアノード３にそれぞれ強弱の電源が印
加されて放電が行われる。この放電期間中にターゲット
１２からは粒子が放出されて真空容器１内に飛散し、こ
の飛散した粒子の一部が試料１３に付着することで、試
料１３には成膜される。一方、飛散した残りの粒子は、
アルミニウム若しくはモリブデン６面に付着して捕集さ
れ、アルミニウム若しくはモリブデン６の表面粗さの効
果によって剥落するのを防止される。
本実施例のような成膜装置では、アルミニウム若しくは
モリブデン面に付着して捕集された粒子がアルミニウム
若しくはモリブデン面から剥落しないため、異物の発生
を防止でき、異物による試料の汚染を防ＩＦできるとい
う効果がある。
モリブデン面に付着して捕集された粒子がアルミニウム
若しくはモリブデン面から剥落しないため、異物の発生
を防止でき、異物による試料の汚染を防ＩＦできるとい
う効果がある。
本発明は、以上説明したように、真空容器内面並びに該
真空容器の内部部品の外面の少な々とも粒子が飛散して
くる面にアルミニウム若しくはモリブデンを添装すると
共に、該添装されたアルミニウム若しくはモリブデンの
表面粗さを２００μｍ以上としたことで、試料以外の場
所に飛散した粒子が異物となるのを防止できるので、異
物による試料の汚染を防止できるという効果がある。
真空容器の内部部品の外面の少な々とも粒子が飛散して
くる面にアルミニウム若しくはモリブデンを添装すると
共に、該添装されたアルミニウム若しくはモリブデンの
表面粗さを２００μｍ以上としたことで、試料以外の場
所に飛散した粒子が異物となるのを防止できるので、異
物による試料の汚染を防止できるという効果がある。
図面は、本発明による成膜装置の一実施例を示す縦断面
図である。
図である。
Claims (1)
- １、真空容器内で飛散した粒子を該真空容器内で試料に
付着させて成膜する装置において、前記真空容器内面並
びに該真空容器の内部部品の外面の少なくとも前記粒子
が飛散してくる面にアルミニウム若しくはモリブデンで
添装すると共に、該添装されたアルミニウム若しくはモ
リブデンの表面粗さを２００μｍ以上としたことを特徴
とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17667884A JPS6156277A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17667884A JPS6156277A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156277A true JPS6156277A (ja) | 1986-03-20 |
Family
ID=16017805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17667884A Pending JPS6156277A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156277A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62267482A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-20 | Showa Alum Corp | 真空用金属部品 |
| JPS6389672A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-20 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS63162861A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-06 | Toshiba Corp | 薄膜堆積装置 |
| JPH01159368A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-22 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPH02153067A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-06-12 | Fuji Electric Co Ltd | スパッタリング装置のシールド体 |
| US5298287A (en) * | 1993-02-05 | 1994-03-29 | United Technologies Corporation | Method of making CVD Si3 N4 |
| JPH0718423A (ja) * | 1993-07-06 | 1995-01-20 | Japan Energy Corp | 薄膜形成装置 |
| US6045665A (en) * | 1997-06-02 | 2000-04-04 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
| JP2002105618A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 真空処理室用表面構造 |
| EP1435401A1 (en) * | 2002-10-31 | 2004-07-07 | Tosoh Corporation | Island coated part, method for producing the same, and apparatus comprising the same |
| US6855236B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Components for vacuum deposition apparatus and vacuum deposition apparatus therewith, and target apparatus |
| JP2011094239A (ja) * | 2011-01-21 | 2011-05-12 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17667884A patent/JPS6156277A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6319419B1 (en) | 1997-06-02 | 2001-11-20 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
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