JPH0241423B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0241423B2 JPH0241423B2 JP57046041A JP4604182A JPH0241423B2 JP H0241423 B2 JPH0241423 B2 JP H0241423B2 JP 57046041 A JP57046041 A JP 57046041A JP 4604182 A JP4604182 A JP 4604182A JP H0241423 B2 JPH0241423 B2 JP H0241423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- laser
- printing device
- reflected
- laser printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
- B41J2/442—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレーザー光線により文字、記号その他
の所定パターンを被印刷物に刻印するためのレー
ザー印刷装置に関する。
の所定パターンを被印刷物に刻印するためのレー
ザー印刷装置に関する。
レーザー印刷装置は、例えば樹脂封止型半導体
装置のモールド樹脂層表面に製品名その他の文字
や記号を刻印する場合に用いられている。第1図
は従来のレーザー印刷装置を示す説明図である。
同図において、1は集光レンズである。レーザー
光線2はこの集光レンズ1で集光された後、所定
パターンの透孔3を有する金属マスク板4を通し
て更に集光レンズ(図示略)を通して印刷すべき
物体5の表面に照射される。こうして、物体5の
表面には金属マスク板4に形成された透孔3と同
一形状の所定パターンがレーザー光線2によつて
刻印される。
装置のモールド樹脂層表面に製品名その他の文字
や記号を刻印する場合に用いられている。第1図
は従来のレーザー印刷装置を示す説明図である。
同図において、1は集光レンズである。レーザー
光線2はこの集光レンズ1で集光された後、所定
パターンの透孔3を有する金属マスク板4を通し
て更に集光レンズ(図示略)を通して印刷すべき
物体5の表面に照射される。こうして、物体5の
表面には金属マスク板4に形成された透孔3と同
一形状の所定パターンがレーザー光線2によつて
刻印される。
上記従来のレーザー印刷装置では、第2図に示
すようにレーザー光線2が金属マスク板4で一部
反射され、この反射レーザー光線2′によつて集
光レンズ1が焼損されるという問題があつた。第
2図中のaおよびbは反射レーザー光線2′によ
り発生した焼損部である。例えばCO2レーザーに
よる印刷装置ではゲルマニウム100%の集光レン
ズ1が用いられており、一般にレーザー印刷装置
の集光レンズは極めて高価であるから、このよう
な高価な集光レンズの焼損は多大な損害をもたら
すことになる。
すようにレーザー光線2が金属マスク板4で一部
反射され、この反射レーザー光線2′によつて集
光レンズ1が焼損されるという問題があつた。第
2図中のaおよびbは反射レーザー光線2′によ
り発生した焼損部である。例えばCO2レーザーに
よる印刷装置ではゲルマニウム100%の集光レン
ズ1が用いられており、一般にレーザー印刷装置
の集光レンズは極めて高価であるから、このよう
な高価な集光レンズの焼損は多大な損害をもたら
すことになる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、反
射レーザー光線による集光レンズの焼損を防止し
たレーザー印刷装置を提供するものである。
射レーザー光線による集光レンズの焼損を防止し
たレーザー印刷装置を提供するものである。
〔発明の概要〕
本発明のレーザー印刷装置は、集光レンズと金
属マスク板との間に、該金属マスク板で反射され
た反射レーザー光線を遮蔽するための遮蔽を設
け、該遮蔽板によつて反射レーザー光線による集
光レンズの焼損を防止したものである。
属マスク板との間に、該金属マスク板で反射され
た反射レーザー光線を遮蔽するための遮蔽を設
け、該遮蔽板によつて反射レーザー光線による集
光レンズの焼損を防止したものである。
第3図は本発明の一実施例になるレーザー印刷
装置を示す説明図である。図示のように、この実
施例では集光レンズ1と金属マスク4との間に遮
蔽板6が設けられており、それ以外の構成は第1
図の従来例と同様である。この遮蔽板6には透孔
7が設けられ、レーザー光線2はこの透孔7の内
部に集光されるようになつている。
装置を示す説明図である。図示のように、この実
施例では集光レンズ1と金属マスク4との間に遮
蔽板6が設けられており、それ以外の構成は第1
図の従来例と同様である。この遮蔽板6には透孔
7が設けられ、レーザー光線2はこの透孔7の内
部に集光されるようになつている。
上記構成からなるレーザー印刷装置では、金属
マスク板4で反射された反射レーザー光線2′の
大部分は遮蔽板6で遮蔽され、集光レンズ1まで
達しない。従つて、従来のような反射レーザー光
2′による集光レンズの焼損を防止することがで
きる。
マスク板4で反射された反射レーザー光線2′の
大部分は遮蔽板6で遮蔽され、集光レンズ1まで
達しない。従つて、従来のような反射レーザー光
2′による集光レンズの焼損を防止することがで
きる。
第4図は本発明の他の実施例になるレーザー印
刷装置を示す説明図である。図示のように、この
実施例では金属マスク板4がレーザー光線2の光
軸に対して垂直でなく、傾斜して設置されてい
る。その他の構成は総て第3図の実施例と同様で
ある。この実施例によれば、反射レーザー光線
2′の方向がレーザー光線2の光軸から大きく外
れることになるから、反射レーザー光線2′が集
光レンズ1に到達する可能性は更に小さくなる。
従つて、集光レンズ1の焼損を防止する上で第3
図の実施例よりも更に大きな効果が得られる。
刷装置を示す説明図である。図示のように、この
実施例では金属マスク板4がレーザー光線2の光
軸に対して垂直でなく、傾斜して設置されてい
る。その他の構成は総て第3図の実施例と同様で
ある。この実施例によれば、反射レーザー光線
2′の方向がレーザー光線2の光軸から大きく外
れることになるから、反射レーザー光線2′が集
光レンズ1に到達する可能性は更に小さくなる。
従つて、集光レンズ1の焼損を防止する上で第3
図の実施例よりも更に大きな効果が得られる。
以上詳述したように、本発明のレーザー印刷装
置によれば、高価な集光レンズの焼損を防止して
その寿命を延長できるといつた顕著な効果を得る
ことができる。
置によれば、高価な集光レンズの焼損を防止して
その寿命を延長できるといつた顕著な効果を得る
ことができる。
第1図および第2図は従来のレーザー印刷装置
の構成とその問題点を示す説明図、第3図は本発
明の一実施例になるレーザー印刷装置を示す説明
図、第4図は本発明の他の実施例になるレーザー
印刷装置を示す説明図である。 1……集光レンズ、2……レーザー光線、2′
……反射レーザー光線、3……透孔、4……金属
マスク板、5……被印刷物、6……遮蔽板、7…
…透孔。
の構成とその問題点を示す説明図、第3図は本発
明の一実施例になるレーザー印刷装置を示す説明
図、第4図は本発明の他の実施例になるレーザー
印刷装置を示す説明図である。 1……集光レンズ、2……レーザー光線、2′
……反射レーザー光線、3……透孔、4……金属
マスク板、5……被印刷物、6……遮蔽板、7…
…透孔。
Claims (1)
- 1 レーザー光線を集光レンズにより集光し、こ
れを所定パターンの透孔を有する金属マスク板を
通して被印刷物上に照射することにより該被印刷
物に前記所定パターンを印刷するレーザー印刷装
置において、前記集光レンズと金属マスク板との
間に、この金属マスク板から反射されたレーザー
光線を遮蔽するための遮蔽板を設けたことを特徴
とするレーザー印刷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046041A JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57046041A JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162348A JPS58162348A (ja) | 1983-09-27 |
| JPH0241423B2 true JPH0241423B2 (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=12735939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57046041A Granted JPS58162348A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | レ−ザ−印刷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162348A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6194793A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS6194792A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング装置 |
| JPS61127391A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | レ−ザマ−キング方法 |
| JPS62152791A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 電子部品へのレ−ザ−捺印方法 |
| US8217302B2 (en) * | 2008-06-17 | 2012-07-10 | Electro Scientific Industries, Inc | Reducing back-reflections in laser processing systems |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5412234U (ja) * | 1977-06-29 | 1979-01-26 | ||
| JPS5740532Y2 (ja) * | 1977-07-05 | 1982-09-06 |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57046041A patent/JPS58162348A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58162348A (ja) | 1983-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900007062A (ko) | 하전입자 비임 노광법(charged particle beam exposure method) | |
| US4403151A (en) | Method of forming patterns | |
| JPH0241423B2 (ja) | ||
| US4610948A (en) | Electron beam peripheral patterning of integrated circuits | |
| KR950015591A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| US6027865A (en) | Method for accurate patterning of photoresist during lithography process | |
| US4612274A (en) | Electron beam/optical hybrid lithographic resist process in acoustic wave devices | |
| KR910001875A (ko) | 노광용 마스크의 제조방법 | |
| JPH04356392A (ja) | 光処理装置 | |
| JP3227842B2 (ja) | Lsiの製造方法 | |
| JPH0430052Y2 (ja) | ||
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| JPS6155106B2 (ja) | ||
| JPS63146435A (ja) | 半導体パタ−ニング方法 | |
| KR960001367Y1 (ko) | 패턴 마스크 구조 | |
| JPH05326356A (ja) | レーザ描画装置および方法 | |
| JPS6224220A (ja) | レ−ザマ−キング装置 | |
| KR0124967Y1 (ko) | 반도체 장치의 미세패턴 | |
| JPH0251390B2 (ja) | ||
| JPH04294561A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61148449A (ja) | ホトマスク | |
| KR960008423A (ko) | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 | |
| JPS57183033A (en) | Method for wafer exposure and device thereof | |
| KR970022524A (ko) | 해프톤 위상 반전 포토 마스크 | |
| KR19980016843A (ko) | 반도체 소자의 마스크 |