JPH0241865Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、厚膜基板に取付ける集積素子の疲労
防止装置に関するものである。

（従来技術） 集積素子を厚膜基板に載せて半田付けにより固
定する構造としたものでは、集積素子と厚膜基板
との間にシリコンゲル等を充填して、耐湿性向上
を図ることが行なわれる。この場合において従来
にあつては、集積素子（たとえばモノリシツク
IC）と厚膜基板との間に充填されたシリコンゲ
ル等の充填物が熱膨張して集積素子を押し上げ、
冷却時に元の状態に復帰するのを繰り返えし、接
続部の半田付部分等に疲労を与える問題点があつ
た。

（考案の目的） 本考案はこの点に鑑みて成されたもので、簡単
な構造で、上記した従来のものが有する問題を解
決したものである。

（考案の構成） 本考案は上記目的を達成するため、厚膜基板に
集積素子を取付け、これを樹脂で封止するものに
おいて、前記集積素子と厚膜基板との間に介在物
を介装し、該介在物と前記集積素子または厚膜基
板との間に、集積素子、厚膜基板および介在物の
各々の熱膨張を吸収し、かつ、前記樹脂が浸入し
ない大きさのクリアランスを形成した構成とし、
これによつて集積素子と厚膜基板との間に樹脂の
浸入がないようにして、浸入があつたときに生ず
る、充填剤の収縮によるストレスをなくし、半田
付部分の劣化等の防止を図るようにしたものであ
る。

（実施例） 以下、本考案の一実施例を図について説明す
る。図示するものはハイブリツドICと称される
もので、１は厚膜基板、２はその上部に載置され
たモノリシツクICのチツプ（以下MICチツプと
いう）、３はこのMICチツプ２を厚膜基板１の表
面の導電膜４に電気的に接続すると共に、これら
を機械的に結合する半田付部である。厚膜基板１
とMICチツプ２の間には、シリコンゲル以外の
材質から成る介在物５が介装されている。これら
全体はケース６内に収容され、防湿を目的とした
シリコンゲル７で浸されている。ケース６の底部
は放熱板８になつており、この放熱板８と厚膜基
板１との間には接着剤９が介在している。

以上の構成において、介在物５は厚膜基板（通
常はセラミツク）１側に一体成型しても良いし、
MICチツプ２側に一体成型しても良い。また、
このようにせず、別体で製作して、いずれかに貼
着するようにしても良い。なお、介在物５と
MICチツプ２または厚膜基板１との間に、MIC
チツプ２、厚膜基板１、および介在物５のそれぞ
れ熱膨張を吸収し、かつシリコンゲル７が浸入し
ない大きさ、すなわち、シリコンゲル７の液状時
の表面張力以下となるクリアランスを設けてあ
る。

（考案の効果） 本考案は以上説明したように構成したものであ
るから、介在物５により、シリコンゲル７が
MICチツプ２と厚膜基板１の間に浸入すること
がないので、従来のものが、シリコンゲル等の樹
脂が集積素子と厚膜基板との間に浸入する可能性
があつたために生ずることがあつた半田付部３の
疲労を効果的に防止できることになる。

【図面の簡単な説明】

図は本考案の一実施例の縦断面図である。 １……厚膜基板、２……MICチツプ、３……
半田付部、５……介在物、７……シリコンゲル。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 厚膜基板に集積素子を取付け、これを樹脂で封
   止するものにおいて、前記集積素子と厚膜基板と
   の間に介在物を介装し、該介在物と前記集積素子
   または厚膜基板との間に、集積素子、厚膜基板お
   よび介在物の各々の熱膨張を吸収し、かつ、前記
   樹脂が浸入しない大きさのクリアランスを形成し
   たことを特徴とする集積素子の疲労防止装置。