JPH0351299B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0351299B2 JPH0351299B2 JP60032702A JP3270285A JPH0351299B2 JP H0351299 B2 JPH0351299 B2 JP H0351299B2 JP 60032702 A JP60032702 A JP 60032702A JP 3270285 A JP3270285 A JP 3270285A JP H0351299 B2 JPH0351299 B2 JP H0351299B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- case
- semiconductor device
- heat sink
- resin part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/47—Solid or gel fillings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に充填樹脂の熱
収縮に伴う半導体装置の変形防止構造に関する。
収縮に伴う半導体装置の変形防止構造に関する。
〔発明の背景〕
第２図に示す従来の半導体装置（特開昭59−
84458号公報参照）はヒートシンク１上に絶縁板
２を介して半導体素子３を搭載しケース４をかぶ
せ半導体素子３周辺に弾性率の小さいレジン５を
充填しさらに封止用としてエポキシン等のレジン
５より強固な、換言すれば機械的強度の大きいレ
ジン６を充填硬化させた構成となつている。７は
ケース４の蓋であり、半導体素子３のリードの位
置決め用孔７ａレジン５，６の注入口７ｂを有し
ている。尚、９はヒートシンク１とケース４の接
合部から水分が浸入することを防ぐために絶縁板
２周辺に充填硬化された強固なレジンである。レ
ジン硬化後冷却すると強固なレジン６の熱収縮力
がケース４、リード８を介してヒートシンク１に
伝わり、ヒートシンク１が変形し、実用に供する
ことができないという欠点があつた。これはヒー
トシンク１より強固なレジン６の熱膨脹係数が一
般には金属性ヒートシンク１の２〜５倍と大きい
ために発生するものである。
84458号公報参照）はヒートシンク１上に絶縁板
２を介して半導体素子３を搭載しケース４をかぶ
せ半導体素子３周辺に弾性率の小さいレジン５を
充填しさらに封止用としてエポキシン等のレジン
５より強固な、換言すれば機械的強度の大きいレ
ジン６を充填硬化させた構成となつている。７は
ケース４の蓋であり、半導体素子３のリードの位
置決め用孔７ａレジン５，６の注入口７ｂを有し
ている。尚、９はヒートシンク１とケース４の接
合部から水分が浸入することを防ぐために絶縁板
２周辺に充填硬化された強固なレジンである。レ
ジン硬化後冷却すると強固なレジン６の熱収縮力
がケース４、リード８を介してヒートシンク１に
伝わり、ヒートシンク１が変形し、実用に供する
ことができないという欠点があつた。これはヒー
トシンク１より強固なレジン６の熱膨脹係数が一
般には金属性ヒートシンク１の２〜５倍と大きい
ために発生するものである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、前記したレジン６の熱収縮力
によりヒートシンク１が変形するという問題を除
去した半導体装置を提供するにある。
によりヒートシンク１が変形するという問題を除
去した半導体装置を提供するにある。
上記目的を達成する本発明の特徴とするところ
は、封止用のレジンに接して、該レジンの熱膨張
を吸収する中空部を設けたことにある。
は、封止用のレジンに接して、該レジンの熱膨張
を吸収する中空部を設けたことにある。
第１図に示した一実施例に基いて、本発明を説
明する。銅材から成るヒートシンク１上にセラミ
ツク絶縁板２を介して半導体素子３を搭載し、第
３図に示すごとく、２ヶ所にＵ次形の中空仕切壁
１０を一体成形で設けたレジンケース４をヒート
シンク１上に配置し、ケース蓋７を孔７ａにリー
ド８を通しながらかぶせ各々接着剤で接着し、強
固なレジン９を絶縁板２の周囲に充填し硬化させ
てから、弾性率の小さいシリコンレジン５を中空
仕切壁１０に十分達するまで注入し硬化させ、そ
の後エポキシレジン６を別々に設けた注入孔７ｂ
から注入し硬化させた。本半導体装置は冷却後も
全くヒートシンク１、ケース４の変形は認められ
なかつた。
明する。銅材から成るヒートシンク１上にセラミ
ツク絶縁板２を介して半導体素子３を搭載し、第
３図に示すごとく、２ヶ所にＵ次形の中空仕切壁
１０を一体成形で設けたレジンケース４をヒート
シンク１上に配置し、ケース蓋７を孔７ａにリー
ド８を通しながらかぶせ各々接着剤で接着し、強
固なレジン９を絶縁板２の周囲に充填し硬化させ
てから、弾性率の小さいシリコンレジン５を中空
仕切壁１０に十分達するまで注入し硬化させ、そ
の後エポキシレジン６を別々に設けた注入孔７ｂ
から注入し硬化させた。本半導体装置は冷却後も
全くヒートシンク１、ケース４の変形は認められ
なかつた。
その理由は、中空仕切壁１０を設けたため、レ
ジン６が３分割され、かつ、熱収縮力が中空仕切
壁１０の弾力性で吸収されるためである。
ジン６が３分割され、かつ、熱収縮力が中空仕切
壁１０の弾力性で吸収されるためである。
レジン６と蓋７の界面に水分が浸入しても、中
空仕切壁１０の中空部１０ａに水分がためられ、
半導体素子３に至らない確率が高く、このため、
本装置は耐湿性は高い。
空仕切壁１０の中空部１０ａに水分がためられ、
半導体素子３に至らない確率が高く、このため、
本装置は耐湿性は高い。
第１図、第３図に示した実施例は、ケース４の
幅方向に２個の中空仕切壁を設けているが、個数
は、レジン６の熱収縮量によつて決まるものであ
り、２個に制限されるものではない。また、ケー
ス４の長手方向に沿つた中空仕切壁を設けても良
い。中空仕切壁を構成する材料は注入硬化される
レジン６とよく接着するものが良い。中空仕切壁
の形状はＵ字状に限定されるものではなく、コ字
状、Ｖ字状でも何でもよい。
幅方向に２個の中空仕切壁を設けているが、個数
は、レジン６の熱収縮量によつて決まるものであ
り、２個に制限されるものではない。また、ケー
ス４の長手方向に沿つた中空仕切壁を設けても良
い。中空仕切壁を構成する材料は注入硬化される
レジン６とよく接着するものが良い。中空仕切壁
の形状はＵ字状に限定されるものではなく、コ字
状、Ｖ字状でも何でもよい。
実施例ではケース４に蓋７を設けているが、こ
れは省略しても良い。その場合、中空仕切壁１０
内にレジン６が注入硬化されていなければ良い。
れは省略しても良い。その場合、中空仕切壁１０
内にレジン６が注入硬化されていなければ良い。
半導体素子３は絶縁板２を介さず、ヒートシン
ク１に直接あるいは、電極板を介して搭載されて
いてもよいし、半導体素子以外の回路素子が固定
されて、所定の回路が絶縁板上に形成されていて
もよい。
ク１に直接あるいは、電極板を介して搭載されて
いてもよいし、半導体素子以外の回路素子が固定
されて、所定の回路が絶縁板上に形成されていて
もよい。
本発明によれば、ヒートシンクの変形等不具合
を除去した半導体装置を得ることができる。
を除去した半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体装置の
縦断面図、第２図は従来の半導体装置の縦断面
図、第３図は第１図に示した半導体装置に用いら
れるケースの斜視図である。 １……ヒートシンク、２……絶縁板、３……半
導体素子、４……ケース、５，６，９……レジ
ン、７……蓋、８……リード、１０……中空仕切
壁。
縦断面図、第２図は従来の半導体装置の縦断面
図、第３図は第１図に示した半導体装置に用いら
れるケースの斜視図である。 １……ヒートシンク、２……絶縁板、３……半
導体素子、４……ケース、５，６，９……レジ
ン、７……蓋、８……リード、１０……中空仕切
壁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ケースと、ケース内に搭載された半導体基体
と、半導体基体に接続されケース外に伸びるリー
ドと、ケース内に充填され、その中に半導体基体
が位置する低弾性率の第１のレジン部分と、第１
のレジン部分の表面を覆う第１のレジン部分より
機械的強度の大きい第２のレジン部分とを有する
半導体装置において、第２のレジン部分に接し、
第２のレジン部分表面から深さ方向に伸びて第１
のレジン部分に達し第２のレジン部分を分割する
中空部が設けられていることを特徴とする半導体
装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、中空部を形
成している部材はケースと一体化していることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032702A JPS61193471A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032702A JPS61193471A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193471A JPS61193471A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH0351299B2 true JPH0351299B2 (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=12366179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032702A Granted JPS61193471A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193471A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4446527A1 (de) * | 1994-12-24 | 1996-06-27 | Ixys Semiconductor Gmbh | Leistungshalbleitermodul |
| DE10340328A1 (de) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Vergußschale |
| JP2024132736A (ja) * | 2023-03-17 | 2024-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59136953A (ja) * | 1983-01-25 | 1984-08-06 | Fuji Electric Co Ltd | 複合素子 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP60032702A patent/JPS61193471A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61193471A (ja) | 1986-08-27 |
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