JPH024254A - レジスト組成物 - Google Patents
レジスト組成物Info
- Publication number
- JPH024254A JPH024254A JP15447388A JP15447388A JPH024254A JP H024254 A JPH024254 A JP H024254A JP 15447388 A JP15447388 A JP 15447388A JP 15447388 A JP15447388 A JP 15447388A JP H024254 A JPH024254 A JP H024254A
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- resist
- compd
- parts
- alkali
- polymer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子の微細加工用レジスト材料に関し
、さらに詳しくは、遠紫外光、ＫｒＦエキシマレーザ−
光などの照射によるパターン形成材料に関するものであ
る。
、さらに詳しくは、遠紫外光、ＫｒＦエキシマレーザ−
光などの照射によるパターン形成材料に関するものであ
る。
（従来の技術）
半導体素子を製造する場合、シリコンウェハ表面にレジ
ストを塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成
し、次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成
するリソグラフィー技術によって画像を得ている。
ストを塗布して感光膜を作り、光を照射して潜像を形成
し、次いでそれを現像してネガまたはポジの画像を形成
するリソグラフィー技術によって画像を得ている。
ところが、ＩＣ，ＬＳＩさらにｖＬＳＩへと半導体素子
の高集積化、高密度化、小型化に伴って、１μｍ以下の
微細パターンを形成する技術が要求されている。しかし
ながら、従来の近紫外線又は可視光線を用いる通常のフ
ォトリソグラフィーを使用する方法では、１μｍ以下の
パターンを精度よく形成することは極めて困難である。
の高集積化、高密度化、小型化に伴って、１μｍ以下の
微細パターンを形成する技術が要求されている。しかし
ながら、従来の近紫外線又は可視光線を用いる通常のフ
ォトリソグラフィーを使用する方法では、１μｍ以下の
パターンを精度よく形成することは極めて困難である。
同時に歩留りの低下も著しいので、通常のフォトリソグ
ラフィーを使用する方法は、１μｍ以下のパターンの形
成には、対応できない。
ラフィーを使用する方法は、１μｍ以下のパターンの形
成には、対応できない。
このため、光（紫外線３５０〜４５０ｎｍ波長）を利用
する従来のフォトリソグラフィーに代わって、更に波長
の短い遠紫外線、 ＫｒＦエキシマレーザ−光などを用
いるリソグラフィー技術が研究されている。
する従来のフォトリソグラフィーに代わって、更に波長
の短い遠紫外線、 ＫｒＦエキシマレーザ−光などを用
いるリソグラフィー技術が研究されている。
このリソグラフィー技術の中心となるレジスト材料に対
する要求性能としては、感度、解像度。
する要求性能としては、感度、解像度。
耐エツチング性、保存安定性など広範な要求があるが、
従来開発された材料はこれら全ての性能を充分に満足す
るものではなく、性能の向上が強く望まれている。
従来開発された材料はこれら全ての性能を充分に満足す
るものではなく、性能の向上が強く望まれている。
例えば、ポリメタクリル酸グリシジルのようなネガ型レ
ジストは高感度であるが、解像度や耐ドライエツチング
性が劣り、改善が望まれている。
ジストは高感度であるが、解像度や耐ドライエツチング
性が劣り、改善が望まれている。
又、ポリメタクリル酸メチルのようなポジ型レジストで
は解像度は良好であるが、感度や耐ドライエツチング性
が劣り、実用上問題であった。また、従来のフォトリソ
グラフィーに用いられているノボラック系ポジ型フォト
レジストを遠紫外線で露光するとレジスト自体の光吸収
が大きすぎるために、良好なパターンの形成ができない
。そこで、バランスのとれた新規なレジストの開発が強
く望まれている。
は解像度は良好であるが、感度や耐ドライエツチング性
が劣り、実用上問題であった。また、従来のフォトリソ
グラフィーに用いられているノボラック系ポジ型フォト
レジストを遠紫外線で露光するとレジスト自体の光吸収
が大きすぎるために、良好なパターンの形成ができない
。そこで、バランスのとれた新規なレジストの開発が強
く望まれている。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し、感度、
解像度、耐エツチング性、保存安定性などのレジスト特
性一般のバランスのとれた、特に波長の短い遠紫外線、
ＫｒＦエキシマレーザ−光を用いるリソグラフィーに
適したレジスト材料を提供することである。
解像度、耐エツチング性、保存安定性などのレジスト特
性一般のバランスのとれた、特に波長の短い遠紫外線、
ＫｒＦエキシマレーザ−光を用いるリソグラフィーに
適したレジスト材料を提供することである。
（課題を解決するための手段）
本発明のこの目的は、フェノール類とアルデヒド類との
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物及びイソプロペニルフェノール系重合体から選ば
れるアルカリ可溶性フェノール樹脂の水素添加物並びに
感光性化合物を含んでなることを特徴とするレジスト組
成物により達成される。
縮合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応
生成物及びイソプロペニルフェノール系重合体から選ば
れるアルカリ可溶性フェノール樹脂の水素添加物並びに
感光性化合物を含んでなることを特徴とするレジスト組
成物により達成される。
本発明において用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂の水素添加物は、フェノール類とアルデヒド類との縮
合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生
成物、イソプロペニルフェノール系重合体を水素添加反
応することによって得られる。
脂の水素添加物は、フェノール類とアルデヒド類との縮
合反応生成物、フェノール類とケトン類との縮合反応生
成物、イソプロペニルフェノール系重合体を水素添加反
応することによって得られる。
ここで用いるフェノール類の具体例としては、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ピロカテコール、
ハイドロキノン、ビスフェノールＡ、ピロガロール、な
どが挙げられる。
ル、クレゾール、キシレノール、エチルフェノール、フ
ェニルフェノール、レゾルシノール、ピロカテコール、
ハイドロキノン、ビスフェノールＡ、ピロガロール、な
どが挙げられる。
アルデヒド類の具体例としては、ホルムアルデヒド、ア
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデ
ヒドなどが挙げられる。
セトアルデヒド、ベンズアルデヒド、テレフタルアルデ
ヒドなどが挙げられる。
ケトン類の具体例としては、アセトン、メチルエチルケ
トン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げら
れる。
トン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げら
れる。
これらの縮合反応は常法に従って行うことができる。
また、イソプロペニルフェノール系重合体は、イソプロ
ペニルフェノールの単独重合体又はイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。これらの共重合可能な成分は重合体中０〜８０モル％
の割合で使用される。
ペニルフェノールの単独重合体又はイソプロペニルフェ
ノールと共重合可能な成分との共重合体から選択される
。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸誘導
体、メタクリル酸誘導体、スチレン誘導体、無水マレイ
ン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリルなどが挙げられる
。これらの共重合可能な成分は重合体中０〜８０モル％
の割合で使用される。
上記アルカリ可溶性フェノール樹脂の水素添加反応は、
任意の公知の方法によって実施することが可能であって
、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂を有機溶剤に溶解
し、均−系または不均一系の水素添加触媒の存在下、水
素を導入することによって達成される。アルカリ可溶性
フェノール樹脂溶液の濃度は、１〜７０重量％好ましく
は１〜４０重量％である。溶媒としては、触媒に悪影響
を与えないで、水素添加反応される樹脂を溶解させるも
のであればとくに制限はない。本発明において用いられ
る水素添加触媒は、水素添加反応の活性を有する金属あ
るいは非金属触媒であればとくに限定はない。具体例と
しては、ｐ ｅ ＋ Ｃ０１Ｎ １ ＋ Ｒｕ ＋Ｒｈ
＋Ｐｄ、Ｉｒ、 Ｏｓ、Ｐｔ、Ｃｒ４ｅＪｎ、Ｔｉ、Ｖ
、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗなどがあげられる。これらの触媒は、
単独あるいは併用することもできる。反応温度は０〜３
００℃であり、好ましくは２０〜１５０℃である。３０
０℃以上でもさしつかえないが、副反応が起こり水素添
加反応上好ましくない。反応水素圧は大気圧〜４００ｋ
ｇ／ａｄの範囲であり、好ましくは５〜２００ｋｇ ／
ｃｒｌである。水素添加反応後、再沈精製、沈降法、
遠心分離法、濾過法などにより、水素添加反応樹脂溶液
から触媒を除去することが可能である。
任意の公知の方法によって実施することが可能であって
、上記アルカリ可溶性フェノール樹脂を有機溶剤に溶解
し、均−系または不均一系の水素添加触媒の存在下、水
素を導入することによって達成される。アルカリ可溶性
フェノール樹脂溶液の濃度は、１〜７０重量％好ましく
は１〜４０重量％である。溶媒としては、触媒に悪影響
を与えないで、水素添加反応される樹脂を溶解させるも
のであればとくに制限はない。本発明において用いられ
る水素添加触媒は、水素添加反応の活性を有する金属あ
るいは非金属触媒であればとくに限定はない。具体例と
しては、ｐ ｅ ＋ Ｃ０１Ｎ １ ＋ Ｒｕ ＋Ｒｈ
＋Ｐｄ、Ｉｒ、 Ｏｓ、Ｐｔ、Ｃｒ４ｅＪｎ、Ｔｉ、Ｖ
、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｗなどがあげられる。これらの触媒は、
単独あるいは併用することもできる。反応温度は０〜３
００℃であり、好ましくは２０〜１５０℃である。３０
０℃以上でもさしつかえないが、副反応が起こり水素添
加反応上好ましくない。反応水素圧は大気圧〜４００ｋ
ｇ／ａｄの範囲であり、好ましくは５〜２００ｋｇ ／
ｃｒｌである。水素添加反応後、再沈精製、沈降法、
遠心分離法、濾過法などにより、水素添加反応樹脂溶液
から触媒を除去することが可能である。
本発明において用いられる感光性化合物は、永松元太部
、乾英夫著「感光性高分子Ｊ （１９８０）講談社（東
京）、デフォレスト著「フォトレジスト」（１９７５）
マクグロウヒルインコーボレーテッドにューヨーク）な
どに記載されているものであれば、特に限定されるもの
ではない。その具体例として、１．２−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，１−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２．１
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルある
いは、これらの誘導体、２−ジアゾ−シクロヘキサン−
１，３−ジオン、５−ジアゾ−メルドラム酸エステル、
３−ジアゾ−ピロリジン−２，４−ジオン。
、乾英夫著「感光性高分子Ｊ （１９８０）講談社（東
京）、デフォレスト著「フォトレジスト」（１９７５）
マクグロウヒルインコーボレーテッドにューヨーク）な
どに記載されているものであれば、特に限定されるもの
ではない。その具体例として、１．２−ベンゾキノンジ
アジド−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフトキノ
ンジアジド−４−スルホン酸エステル、１．２−ナフト
キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，１−ナ
フトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２．１
−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルある
いは、これらの誘導体、２−ジアゾ−シクロヘキサン−
１，３−ジオン、５−ジアゾ−メルドラム酸エステル、
３−ジアゾ−ピロリジン−２，４−ジオン。
３−シアシーピペリジン−２，４−ジオン、ジアゾフォ
スフェニルケトン化合物あるいはこれらの誘導体などの
ジアゾケトン化合物、０−ニトロベンジルエステル、０
−ニトロベンジルスルホン酸エステル、０．０−ジニト
ロベンジルエステル、０．０−ジニトロベンジルスルホ
ン酸エステルなどの０ニトロベンジル化合物、ヨードニ
ウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、アンモニウ
ム塩などのオニウム塩、ｌ−アジドピレン、ｐ−アジド
ベンゾフェノン、４′−メトキシ−４−アジドジフェニ
ルアミン、４−アジドベンザル−２′−メトキシアセト
フェノン、４−アジド−４′−二トロフェニルアゾベン
ゼンなどのモノアジド化合物、４．４′−ジアジドベン
ゾフェノン、 ４．４ ’−ジアジドベンゾメタン、
４．４ −ジアジドスチルベン。
スフェニルケトン化合物あるいはこれらの誘導体などの
ジアゾケトン化合物、０−ニトロベンジルエステル、０
−ニトロベンジルスルホン酸エステル、０．０−ジニト
ロベンジルエステル、０．０−ジニトロベンジルスルホ
ン酸エステルなどの０ニトロベンジル化合物、ヨードニ
ウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、アンモニウ
ム塩などのオニウム塩、ｌ−アジドピレン、ｐ−アジド
ベンゾフェノン、４′−メトキシ−４−アジドジフェニ
ルアミン、４−アジドベンザル−２′−メトキシアセト
フェノン、４−アジド−４′−二トロフェニルアゾベン
ゼンなどのモノアジド化合物、４．４′−ジアジドベン
ゾフェノン、 ４．４ ’−ジアジドベンゾメタン、
４．４ −ジアジドスチルベン。
４．４ −ジアジドカルコン、４．４ −ジアジドジフ
ェニルスルホン、３，４ −ジアジドジフェニルスルホ
ン、３．３ −ジアジドジフェニルスルホン。
ェニルスルホン、３，４ −ジアジドジフェニルスルホ
ン、３．３ −ジアジドジフェニルスルホン。
２．６−ジ（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノン
、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）４−メチルシク
ロヘキサノンなどのビスアジド化合物、モノスルホニル
アジド化合物、ビススルホニルアジド化合物などが挙げ
られる。
、２，６−ジ（４′−アジドベンザル）４−メチルシク
ロヘキサノンなどのビスアジド化合物、モノスルホニル
アジド化合物、ビススルホニルアジド化合物などが挙げ
られる。
これらの感光性化合物の配合量は、上記重合体１００重
合部に対して１−１００重量部であり、好ましくは３〜
３０重量部である。１重量部未満ではパターンの形成が
不可能となり、１００３１量部を越えると、現像残が発
生し易くなる。
合部に対して１−１００重量部であり、好ましくは３〜
３０重量部である。１重量部未満ではパターンの形成が
不可能となり、１００３１量部を越えると、現像残が発
生し易くなる。
本発明のレジスト組成物は、上記水素添加したアルカリ
可溶性フェノール樹脂及び感光性化合物を溶剤に溶解し
て用いる。溶剤としては、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテ−１・などの
セロソルブエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素類などが挙げられる。これらは単独でも用い
られるが、２種類以上を混合しても良い。
可溶性フェノール樹脂及び感光性化合物を溶剤に溶解し
て用いる。溶剤としては、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン類、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類、メチルセロソ
ルブアセテート、エチルセロソルブアセテ−１・などの
セロソルブエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素類などが挙げられる。これらは単独でも用い
られるが、２種類以上を混合しても良い。
更に、本発明のレジスト組成物には、必要に応じて、界
面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止
剤などを添加することもできる。
面活性剤、保存安定剤、増感剤、ストリエーション防止
剤などを添加することもできる。
本発明のレジスト組成物の現像液としてはアルカリの水
溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機
アルカリ類、エチルアミンプロピルアミンなどの第一ア
ミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第三
アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの
第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩などが挙げら
れる。
溶液を用いるが、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニアなどの無機
アルカリ類、エチルアミンプロピルアミンなどの第一ア
ミン類、ジエチルアミン、ジプロピルアミンなどの第三
アミン類、トリメチルアミン、トリエチルアミンなどの
第三アミン類、ジエチルエタノールアミン、トリエタノ
ールアミンなどのアルコールアミン類、テトラメチルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシドなどの第四級アンモニウム塩などが挙げら
れる。
更に必要に応して上記アルカリの水溶液にメタノール、
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、樹脂の溶解抑制剤などを
適量添加することができる。
エタノール、プロパツール、エチレングリコールなどの
水溶性有機溶剤、界面活性剤、樹脂の溶解抑制剤などを
適量添加することができる。
（実施例）
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する
。なお、実施例中の部及び％はとくに断りのないかぎり
重量基準である。
。なお、実施例中の部及び％はとくに断りのないかぎり
重量基準である。
合成例１
＋１１＋ｐ−タレゾールノボラック（以下ＮＶＫと略す
）５０ｇとエタノール４５０ｇをオートクレーブに仕込
み、よく混合し重合体を溶解させた。次いでラネーＮｉ
６ｇを添加し、系内を窒素置換した後、２０℃に保ちな
がら水素圧を５０ｋｇ／ｃｊかけ３０分間保った。その
後このオートクレーブを５０℃の温浴槽につけ３時間反
応させた。反応後の溶液からラネーＮｉを濾別し、反応
溶液を水中に投入して重合体を析出させた。さらに、得
られた重合体をエタノールに溶解させ水中に投入して重
合体を析出させた。次いで、この重合体をジオキサンに
溶解し、３６時間凍結乾燥を行い乾燥重合体を得た。収
率は９０％であった。
）５０ｇとエタノール４５０ｇをオートクレーブに仕込
み、よく混合し重合体を溶解させた。次いでラネーＮｉ
６ｇを添加し、系内を窒素置換した後、２０℃に保ちな
がら水素圧を５０ｋｇ／ｃｊかけ３０分間保った。その
後このオートクレーブを５０℃の温浴槽につけ３時間反
応させた。反応後の溶液からラネーＮｉを濾別し、反応
溶液を水中に投入して重合体を析出させた。さらに、得
られた重合体をエタノールに溶解させ水中に投入して重
合体を析出させた。次いで、この重合体をジオキサンに
溶解し、３６時間凍結乾燥を行い乾燥重合体を得た。収
率は９０％であった。
上記重合体のゲルパーミエイションクロマトグラフィ−
（ＧＰＣ）測定の結果Ｍｗ＝６０００．核磁気共鳴スペ
クトル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は３０％であ
った。また、ＵＶスペクトルの測定結果、原料ＮＶＫに
比べて水素添加したＮＶＫは２５０ｎｍの透過率が約２
倍に向上した。
（ＧＰＣ）測定の結果Ｍｗ＝６０００．核磁気共鳴スペ
クトル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は３０％であ
った。また、ＵＶスペクトルの測定結果、原料ＮＶＫに
比べて水素添加したＮＶＫは２５０ｎｍの透過率が約２
倍に向上した。
合成例２
ピロガロールとアセトンの縮合体（以下ＰＡと略す）を
合成例１と同じ条件で処理し乾燥重合体を得た。収率は
９０％であった。
合成例１と同じ条件で処理し乾燥重合体を得た。収率は
９０％であった。
上記重合体のゲルパーミエイションクロマトグラフィ−
（Ｇ Ｐ Ｃ）測定の結果Ｍｗ＝４０００、核磁気共鳴
スペクトル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は２５％
であった。また、ＵＶスペクトルの測定の結果、原料Ｐ
Ａに比べて水素添加したＰＡは２５０ｎｍの透過率が約
２倍に向上した。
（Ｇ Ｐ Ｃ）測定の結果Ｍｗ＝４０００、核磁気共鳴
スペクトル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は２５％
であった。また、ＵＶスペクトルの測定の結果、原料Ｐ
Ａに比べて水素添加したＰＡは２５０ｎｍの透過率が約
２倍に向上した。
合成例３
イソプロペニルフェノール８０モル％とスチレン２０モ
ル％との共重合体（以下ｒｐｐ／ｓｔと略す）５０ｇと
エタノール４５０ｇをオートクレーブに仕込み、よく混
合し重合体を溶解させた。
ル％との共重合体（以下ｒｐｐ／ｓｔと略す）５０ｇと
エタノール４５０ｇをオートクレーブに仕込み、よく混
合し重合体を溶解させた。
次いでラネーＮｉ４ｇを添加し、系内を窒素置換した後
、２０℃に保ちながら水素圧を５０ｋｇ／ｃＪかけ３０
分間保った。その後このオートクレーブを４０℃の温浴
槽につけ５時間反応させた。反応後の溶液からラネーＮ
ｉを濾別し、反応溶液を水中に投入して重合体を析出さ
せた。さらに、得られた重合体をエタノールに溶解させ
水中に投入して重合体を析出させた。次いで、この重合
体をジオキサンに溶解し、４０時間凍結乾燥を行い乾燥
重合体を得た。収率は９５％であった。
、２０℃に保ちながら水素圧を５０ｋｇ／ｃＪかけ３０
分間保った。その後このオートクレーブを４０℃の温浴
槽につけ５時間反応させた。反応後の溶液からラネーＮ
ｉを濾別し、反応溶液を水中に投入して重合体を析出さ
せた。さらに、得られた重合体をエタノールに溶解させ
水中に投入して重合体を析出させた。次いで、この重合
体をジオキサンに溶解し、４０時間凍結乾燥を行い乾燥
重合体を得た。収率は９５％であった。
上記重合体のゲルパーミエイションクロマトグラフィ−
（ＧＰＣ）測定の結果Ｍｗ＝８０００、核磁気共鳴スペ
クトル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は２０％であ
った。また、ＵＶスペクトルの測定の結果、原料ＩＰＰ
／Ｓｔに比べて水素添加したＩＰＰ／Ｓｔは２５０ｎｍ
の透過率が約２倍に向上した。
（ＧＰＣ）測定の結果Ｍｗ＝８０００、核磁気共鳴スペ
クトル（ＮＭＲ）測定の結果、水素添加率は２０％であ
った。また、ＵＶスペクトルの測定の結果、原料ＩＰＰ
／Ｓｔに比べて水素添加したＩＰＰ／Ｓｔは２５０ｎｍ
の透過率が約２倍に向上した。
尖夾桝土
合成例１の水素添加したＮＶＫ １００部、 ２，３゜
４−トリヒドロキシベンゾフェノンの一〇Ｈ基の７０％
以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物２０部をエチル
セロソルフアセテート４００部に溶解し、０．１μｍの
テフロンフィルター（ミリポア社製）で濾過しレジスト
溶液を調製した。
４−トリヒドロキシベンゾフェノンの一〇Ｈ基の７０％
以上が１．２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸
のエステルであるキノンジアジド化合物２０部をエチル
セロソルフアセテート４００部に溶解し、０．１μｍの
テフロンフィルター（ミリポア社製）で濾過しレジスト
溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、８５℃で２０分間ベータし、厚さ０．９μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ （キャノン社製）とテスト用
マスクを用いて露光を行った。次に、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法
により現像し、ポジ型パターンをえた。
布した後、８５℃で２０分間ベータし、厚さ０．９μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡ （キャノン社製）とテスト用
マスクを用いて露光を行った。次に、テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法
により現像し、ポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４μｍのライン＆スペースが解
像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステッ
プ２００ （テンコー社製）で測定すると０．８μｍで
あった。
で観察したところ、０．４μｍのライン＆スペースが解
像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステッ
プ２００ （テンコー社製）で測定すると０．８μｍで
あった。
さらに、このパターンの形成されたウェハーをドライエ
ツチング装置ＤＥＭ−４５１７（日型アネルバ社製）を
用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ ％ガス
ＣＦ４ ／Ｈ＝３０／１０．周波数１３．５６ ＭＨｚ
でエツチングしたところ、パターンのなかったところの
みエツチングされていることが観察された。
ツチング装置ＤＥＭ−４５１７（日型アネルバ社製）を
用いてパワー３００Ｗ、圧力０．０３Ｔｏｒｒ ％ガス
ＣＦ４ ／Ｈ＝３０／１０．周波数１３．５６ ＭＨｚ
でエツチングしたところ、パターンのなかったところの
みエツチングされていることが観察された。
犬、Ｉｆ！１（ＪＩ＋２
合成例１と同様の方法で水素添加したＮＶＫ（Ｍｗ＝
４０００、水素添加率４５％）１００部。
４０００、水素添加率４５％）１００部。
２−ジアゾ−シクロヘキサン−１，３−ジオン１２部を
エチルセロソルブアセテート４００部に溶解し、０．１
μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製
した。
エチルセロソルブアセテート４００部に溶解し、０．１
μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製
した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、７５℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスクを用いて露光
を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３°Ｃ２１分間、浸漬法により現像し、ポ
ジ型パターンをえた。
布した後、７５℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスクを用いて露光
を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３°Ｃ２１分間、浸漬法により現像し、ポ
ジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を膜厚計アルファステッ
プ２００で測定すると０．８μｍであった。
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を膜厚計アルファステッ
プ２００で測定すると０．８μｍであった。
大財１津１
合成例１と同様の方法で調製した水素添加ＮＶＫ（Ｍｗ
＝６０００、水素添加率３０％）１００部。
＝６０００、水素添加率３０％）１００部。
５−ジアゾメルドラム酸２５部をエチルセロソルブアセ
テート４００部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィル
ターで濾過しレジスト溶液を調製した。
テート４００部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィル
ターで濾過しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、７０℃で１０分間ベータし、厚さ０．８μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスクを用いて露光
を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像し、ポジ
型パターンをえた。
布した後、７０℃で１０分間ベータし、厚さ０．８μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスクを用いて露光
を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３℃、１分間、浸漬法により現像し、ポジ
型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．７μｍであった。
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．７μｍであった。
去ｍ支
実施例２で使用したＮＶＫ １００部、０．０ジニトロ
コ一レート１８部、フッ素系界回活性剤０．０２部をシ
クロへキサノン４００部に溶解し、０、１μｍのテフロ
ンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
コ一レート１８部、フッ素系界回活性剤０．０２部をシ
クロへキサノン４００部に溶解し、０、１μｍのテフロ
ンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ０．９μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスクを用いて露光
を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３“ｃ、 １分間、浸漬法により現像し
、ポジ型パターンをえた。
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ０．９μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーを遠紫外線照射
装置ＰＬＡ−５２１ＦＡとテスト用マスクを用いて露光
を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド水溶液で２３“ｃ、 １分間、浸漬法により現像し
、ポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．７μｍであった。
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．７μｍであった。
実４１粗ｉ
合成例２の水素添加したＰＡ１００部、テトラフルオロ
ホウ酸ジフェニルヨードニウム１０部をエチルセロソル
ブアセテート４００部に溶解し、０．１μｍのテフロン
フィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
ホウ酸ジフェニルヨードニウム１０部をエチルセロソル
ブアセテート４００部に溶解し、０．１μｍのテフロン
フィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプトン／
フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６（浜松ホトニクス社製）とテスト用マスクを用いて露
光を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３°ｃ、 １分間、浸漬法により現像
し、ポジ型パターンをえた。
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプトン／
フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６（浜松ホトニクス社製）とテスト用マスクを用いて露
光を行った。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で２３°ｃ、 １分間、浸漬法により現像
し、ポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９μｍであった。
で観察したところ、０．４５μｍのライン及スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９μｍであった。
スｍ影
合成例３の水素添加したＩＰＰ／５ｔ１００部。
２．３．４−）リヒドロキシアセトフエノンの一〇Ｈ基
の７０％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルフ
ォン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１９部、
フッ素系界面活性剤０．０２部をシクロヘキサノン４０
０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィルターで濾過
しレジスト溶液を調製した。
の７０％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルフ
ォン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１９部、
フッ素系界面活性剤０．０２部をシクロヘキサノン４０
０部に溶解し、０．１μｍのテフロンフィルターで濾過
しレジスト溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプトン／
フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６とテスト用マスクを用いて露光を行った。次に、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１
分間、浸漬法により現像し、ポジ型パターンをえた。
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプトン／
フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６とテスト用マスクを用いて露光を行った。次に、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１
分間、浸漬法により現像し、ポジ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．７μｍであったゆ 実財ｊｉ（ｐ１７ 合成例３と同様の方法で調製した水素添加イソプロペニ
ルフェノール重合体（以下ＩＰＰと略す。
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．７μｍであったゆ 実財ｊｉ（ｐ１７ 合成例３と同様の方法で調製した水素添加イソプロペニ
ルフェノール重合体（以下ＩＰＰと略す。
Ｍｗ ８０００、水素添加率２０％） １００部、４．
４゛−ジアジドジフェニルスルホン１２部、フッ素系界
面活性剤０．０２部をシクロへキサノン４００部に溶解
し、０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト
溶液を調製した。
４゛−ジアジドジフェニルスルホン１２部、フッ素系界
面活性剤０．０２部をシクロへキサノン４００部に溶解
し、０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト
溶液を調製した。
上記レジスト溶液をシリコンウェハー上にスピナーで塗
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプトン／
フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６とテスト用マスクを用いて露光を行った。次に、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１
分間、浸漬法により現像し、ネガ型パターンをえた。
布した後、８０℃で１０分間ベータし、厚さ１．０μｍ
のレジスト膜を形成した。このウェハーをクリプトン／
フッ素のガスを封入したエキシマレーザ−装置Ｃ２９２
６とテスト用マスクを用いて露光を行った。次に、テト
ラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１
分間、浸漬法により現像し、ネガ型パターンをえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９μｍであった。
で観察したところ、０．４５μｍのライン＆スペースが
解像していた。パターンの膜厚を、膜厚計アルファステ
ップ２００で測定すると０．９μｍであった。
、比較１０−
通常の市販のノボラック系ポジ型フォトレジストをシリ
コンウェハー上にスピナーで塗布した後、８５℃で１５
分間ベータし、厚さ１．０μｍのレジスト膜を形成した
。このウェハーをクリプトン／フッ素のガスを封入した
エキシマレーザ−装置Ｃ２９２６とテスト用マスクを用
いて露光を行った。
コンウェハー上にスピナーで塗布した後、８５℃で１５
分間ベータし、厚さ１．０μｍのレジスト膜を形成した
。このウェハーをクリプトン／フッ素のガスを封入した
エキシマレーザ−装置Ｃ２９２６とテスト用マスクを用
いて露光を行った。
次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で
２３℃、１分間、浸漬法により現像し、ポジ型パターン
をえた。
２３℃、１分間、浸漬法により現像し、ポジ型パターン
をえた。
パターンの形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡
で観察したところ、０．５５μｍのライン＆スペースが
解像していたが、ラインの細りが激しく、パターンの形
状も悪く実用上問題がある。
で観察したところ、０．５５μｍのライン＆スペースが
解像していたが、ラインの細りが激しく、パターンの形
状も悪く実用上問題がある。
ル較斑ｌ
実施例７の水素添加前の原料ｌＰＰ１００部、４．４゛
−ジアジドジフェニルスルホン１２部、フッ素系界面活
性剤０．０２部をシクロへキサノン４００部に溶解し、
０．ＩＩＪｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶
液を調製した。
−ジアジドジフェニルスルホン１２部、フッ素系界面活
性剤０．０２部をシクロへキサノン４００部に溶解し、
０．ＩＩＪｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶
液を調製した。
実施例７と同様の方法でパターニングを行い、パターン
の形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡で観察し
たところ、０．６５μｍのライン＆スペースが解像して
いたが、パターン形状が不良であった。
の形成されたウェハーを取り出して電子顕微鏡で観察し
たところ、０．６５μｍのライン＆スペースが解像して
いたが、パターン形状が不良であった。
（発明の効果）
本発明によれば、感度、解像度、耐エツチング性、保存
安定性などのバランスのとれたレジスト材料が得られる
。
安定性などのバランスのとれたレジスト材料が得られる
。
特許出願人 日本ゼオン株式会社
Claims (1)
- （１）フェノール類とアルデヒド類との縮合反応生成物
、フェノール類とケトン類との縮合反応生成物及びイソ
プロペニルフェノール系重合体から選ばれるアルカリ可
溶性フェノール樹脂の水素添加物並びに感光性化合物を
含んでなることを特徴とするレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15447388A JP2618688B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15447388A JP2618688B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH024254A true JPH024254A (ja) | 1990-01-09 |
| JP2618688B2 JP2618688B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=15585021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15447388A Expired - Lifetime JP2618688B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2618688B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229752A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH02140746A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH0534921A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Mitsubishi Kasei Corp | ネガ型感光性組成物 |
| EP0704718A1 (en) | 1989-12-01 | 1996-04-03 | Tosoh Corporation | Positive photosensitive composition for forming lenses |
| US5585218A (en) * | 1993-06-02 | 1996-12-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition containing alkyletherified polyvinylphenol |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP15447388A patent/JP2618688B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229752A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-01-31 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| JPH02140746A (ja) * | 1988-11-21 | 1990-05-30 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト組成物 |
| EP0704718A1 (en) | 1989-12-01 | 1996-04-03 | Tosoh Corporation | Positive photosensitive composition for forming lenses |
| JPH0534921A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Mitsubishi Kasei Corp | ネガ型感光性組成物 |
| US5585218A (en) * | 1993-06-02 | 1996-12-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Photoresist composition containing alkyletherified polyvinylphenol |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2618688B2 (ja) | 1997-06-11 |
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