JPH0242656A - 光記憶体 - Google Patents
光記憶体Info
- Publication number
- JPH0242656A JPH0242656A JP63193820A JP19382088A JPH0242656A JP H0242656 A JPH0242656 A JP H0242656A JP 63193820 A JP63193820 A JP 63193820A JP 19382088 A JP19382088 A JP 19382088A JP H0242656 A JPH0242656 A JP H0242656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reflecting film
- film
- transparent substrate
- corrosion resistance
- thereupon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- -1 hafnium nitride Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は音響機器などに用いられる光記憶体に関する。
従来、光記憶体の一つであるコンパクトディスク(以下
、CDと記す)の反射膜として、アルミニウムが使用さ
れている。しかし、近年、CDにコンピュータデータを
記録したCD−ROMが普及し、従来にも増して、高温
・高湿下での保存性の高いものが望まれている。
、CDと記す)の反射膜として、アルミニウムが使用さ
れている。しかし、近年、CDにコンピュータデータを
記録したCD−ROMが普及し、従来にも増して、高温
・高湿下での保存性の高いものが望まれている。
上述した従来の光記憶体は、かかる過酷な環境下におい
て、蒸着された金属反射膜が腐食し、信号読み取りの指
標とされるエラーレートが増加し、上記のニーズに適応
できないという問題があった。
て、蒸着された金属反射膜が腐食し、信号読み取りの指
標とされるエラーレートが増加し、上記のニーズに適応
できないという問題があった。
本発明は、光記憶体の耐腐食性、特に反射膜の耐腐食性
を強化し、信頼性を向上させた光記憶体を提供すること
にある。
を強化し、信頼性を向上させた光記憶体を提供すること
にある。
本発明の光記憶体は、透明基板と、前記透明基板上に被
覆した窒化ハフニウムからなる反射膜と、前記反射膜上
に被覆した保護膜とを備えて構成される。
覆した窒化ハフニウムからなる反射膜と、前記反射膜上
に被覆した保護膜とを備えて構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の一実施例を示す光記憶体の部分断面図
である。
である。
第1図に示すように、強化ガラス、石英ガラス、ポリカ
ーボネート樹脂等からなる透明基板1の1に窒化ハフニ
ウムを高周波マグネトロンスパッタ法、イオンブレーテ
ィング法、クラスターイオンビーム法、プラズマCVD
法等により50〜500nmの膜厚で被覆して反射膜2
を形成し、又対膜2の上に保護膜3として樹脂膜を被覆
する、 ここで耐腐食性を試験するために、第1表に示すような
透明基板1の上に窒化ハフニウムからなる反射膜2と保
護膜3を順次被覆して設けた6個の試料工・〜■を準備
しな。
ーボネート樹脂等からなる透明基板1の1に窒化ハフニ
ウムを高周波マグネトロンスパッタ法、イオンブレーテ
ィング法、クラスターイオンビーム法、プラズマCVD
法等により50〜500nmの膜厚で被覆して反射膜2
を形成し、又対膜2の上に保護膜3として樹脂膜を被覆
する、 ここで耐腐食性を試験するために、第1表に示すような
透明基板1の上に窒化ハフニウムからなる反射膜2と保
護膜3を順次被覆して設けた6個の試料工・〜■を準備
しな。
次に、これらの試料I〜■及び反射膜にアルミニウム膜
を使用した従来品について初期のエラーレートを測定し
た結果、透明基板1の材質や反射膜2の膜厚の違いにも
かかわらずすべての試料について5X10−’の値を得
た。
を使用した従来品について初期のエラーレートを測定し
た結果、透明基板1の材質や反射膜2の膜厚の違いにも
かかわらずすべての試料について5X10−’の値を得
た。
第1−表
次に、これらの試料■〜■及び従来品に対して温度80
℃、相対湿度90%の雰囲気中の耐腐食性試験を1ケ月
間実施した後、信号の良否の指標となるエラーレートを
測定した結果を第2表に示す。第2表に示すように、従
来品では測定不能となったのに対して本発明の試料■〜
・■では多少の劣化がみられるものの充分実用できるも
のが実現できた。
℃、相対湿度90%の雰囲気中の耐腐食性試験を1ケ月
間実施した後、信号の良否の指標となるエラーレートを
測定した結果を第2表に示す。第2表に示すように、従
来品では測定不能となったのに対して本発明の試料■〜
・■では多少の劣化がみられるものの充分実用できるも
のが実現できた。
第2表
せて信頼性を向上させることができるという効果を有す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示す光記憶体の部分断面図
である。 1・・・透明基板、2・・・反射膜、3・・・保護膜。
である。 1・・・透明基板、2・・・反射膜、3・・・保護膜。
Claims (1)
- 透明基板と、前記透明基板上に被覆した窒化ハフニウム
からなる反射膜と、前記反射膜上に被覆した保護膜とを
備えたことを特徴とする光記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193820A JPH0242656A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 光記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193820A JPH0242656A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 光記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242656A true JPH0242656A (ja) | 1990-02-13 |
Family
ID=16314295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193820A Pending JPH0242656A (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | 光記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0242656A (ja) |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193820A patent/JPH0242656A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4725502A (en) | Information recording medium having Al-Ti alloy reflective layer | |
| EP0594516A2 (en) | High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk | |
| JPH06274954A (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0242656A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0242655A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH02304734A (ja) | 再生専用型光ディスク | |
| JPH0264938A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH02116033A (ja) | 光記憶体及びその製造方法 | |
| JP2944127B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JP2893712B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298838A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298843A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298836A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298835A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298834A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298840A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298844A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298841A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH02281435A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298837A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298839A (ja) | 光記憶体 | |
| JP2811743B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298842A (ja) | 光記憶体 | |
| JP2000249520A (ja) | 多層薄膜の膜厚測定方法 | |
| US20030068508A1 (en) | Magnetic recording medium, method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus |