JPH02116033A - 光記憶体及びその製造方法 - Google Patents
光記憶体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02116033A JPH02116033A JP63269762A JP26976288A JPH02116033A JP H02116033 A JPH02116033 A JP H02116033A JP 63269762 A JP63269762 A JP 63269762A JP 26976288 A JP26976288 A JP 26976288A JP H02116033 A JPH02116033 A JP H02116033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- film
- memory medium
- silicon oxide
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は音響機器などに用いられる光記憶体に関する。
従来、光記憶体の一つであるコンパクトデイスクス（以
下ＣＤと記す）の金属膜等からなる反射膜の上に被覆さ
れている保護膜として、樹脂膜が使用されている。しか
し、近年、ＣＤにコンピュータデータを記録したＣＤ−
ＲＯＭが普及し、従来にも増して、高温・高湿下での保
存性の高いものが望まれている。
下ＣＤと記す）の金属膜等からなる反射膜の上に被覆さ
れている保護膜として、樹脂膜が使用されている。しか
し、近年、ＣＤにコンピュータデータを記録したＣＤ−
ＲＯＭが普及し、従来にも増して、高温・高湿下での保
存性の高いものが望まれている。
上述した従来の光記憶体は、かかる苛酷な環境下におい
て、水分、酸素等が保護膜を容易に透過し、蒸着された
金属反射膜を腐食させる。その結果、信号読み取りの指
標とされるエラーレートが増加し、上記のニーズに適応
できないという問題点があった。
て、水分、酸素等が保護膜を容易に透過し、蒸着された
金属反射膜を腐食させる。その結果、信号読み取りの指
標とされるエラーレートが増加し、上記のニーズに適応
できないという問題点があった。
本発明は、保護膜の防湿性を向上させ、光記憶体の耐腐
食性を強化し、信頼性を向上させた光記憶体を提供する
ことにある。
食性を強化し、信頼性を向上させた光記憶体を提供する
ことにある。
本発明の光記憶体は、透明基板上に設けた反射膜と、前
記反射膜上に被覆した酸化硅素からなる保護膜とを備え
て構成される。
記反射膜上に被覆した酸化硅素からなる保護膜とを備え
て構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例を示す光記憶体の部分断面図
である。
である。
第１図に示すように、強化ガラス、石英ガラス、ポリカ
ーボネート樹脂等からなる透明基板１の上に高周波マグ
ネトロンスパッタ法、イオンブレーティング法、クラス
ターイオンビーム法、プラズマＣＶＤ法等によりアルミ
ニウム、金、白金等を５０〜５００ｎｍの厚さに被覆し
て反射膜２を形成する０次に、スピンコード法により反
射膜２の上にテトラヒドキシシランのアルコール溶液を
塗布し、これを焼成して酸化硅素からなる保護膜３を形
成する。
ーボネート樹脂等からなる透明基板１の上に高周波マグ
ネトロンスパッタ法、イオンブレーティング法、クラス
ターイオンビーム法、プラズマＣＶＤ法等によりアルミ
ニウム、金、白金等を５０〜５００ｎｍの厚さに被覆し
て反射膜２を形成する０次に、スピンコード法により反
射膜２の上にテトラヒドキシシランのアルコール溶液を
塗布し、これを焼成して酸化硅素からなる保護膜３を形
成する。
ここで、耐腐食性を試験するために、第１表に示すよう
な材質の反射膜２の上に膜厚め異なる酸化硅素からなる
保護膜３を被覆して設けた４個の試料■〜■を準備した
。
な材質の反射膜２の上に膜厚め異なる酸化硅素からなる
保護膜３を被覆して設けた４個の試料■〜■を準備した
。
次に、これらの試料Ｉ〜■及び保護膜に樹脂膜を使用し
た従来品について初期のエラーレートを測定した結果、
反射膜２の材質や保護膜３の材質及び膜厚の違いにもか
かわらずすべての試料について５Ｘ１０−’の値を得た
。
た従来品について初期のエラーレートを測定した結果、
反射膜２の材質や保護膜３の材質及び膜厚の違いにもか
かわらずすべての試料について５Ｘ１０−’の値を得た
。
第１表
次に、これらの資料■〜■及び従来品に対して温度８０
℃、相対湿度９０％の雰囲気中の耐腐食性試験を１ケ月
間実施した後、信号の良否の指標となるエラーレートを
再測定した結果を第２表に示す、第２表に示すように、
従来品では測定不能となったのに対して本発明の試料Ｉ
〜■では多少の劣化がみら°れるものの充分実用できる
ものが実現できた。
℃、相対湿度９０％の雰囲気中の耐腐食性試験を１ケ月
間実施した後、信号の良否の指標となるエラーレートを
再測定した結果を第２表に示す、第２表に示すように、
従来品では測定不能となったのに対して本発明の試料Ｉ
〜■では多少の劣化がみら°れるものの充分実用できる
ものが実現できた。
第２表
護膜を使用した従来品に比べてエラーレートの劣化を低
減させて信頼性を向上させることができるという効果を
有する。
減させて信頼性を向上させることができるという効果を
有する。
第１図は本発明の一実施例を示す光記憶体の部分断面図
である。 １・・・透明基板、２・・・反射膜、３・・・保護膜。 −代理人 弁理士 内 原 晋 〔発明の効果〕
である。 １・・・透明基板、２・・・反射膜、３・・・保護膜。 −代理人 弁理士 内 原 晋 〔発明の効果〕
Claims (2)
- （１）透明基板上に設けた反射膜と、前記反射膜上に被
覆した酸化硅素からなる保護膜とを備えたことを特徴と
する光記憶体。 - （２）透明基板上に設けた反射膜の上に、テトラヒドロ
キシシランのアルコール溶液を塗布して焼成し酸化硅素
膜を形成する工程を含むことを特徴とする光記憶体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269762A JPH02116033A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 光記憶体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63269762A JPH02116033A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 光記憶体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116033A true JPH02116033A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17476797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63269762A Pending JPH02116033A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 光記憶体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02116033A (ja) |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63269762A patent/JPH02116033A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4725502A (en) | Information recording medium having Al-Ti alloy reflective layer | |
| JPH03183037A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0762919B2 (ja) | 再生専用型光ディスク | |
| JPH0264938A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0242656A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0242655A (ja) | 光記憶体 | |
| JP2893712B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JP2944127B2 (ja) | 光記憶体 | |
| JPH02281435A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298834A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298844A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298841A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298840A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298843A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298838A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298836A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298835A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0432043A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH0298839A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH07192315A (ja) | 光記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH0397137A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298837A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0298842A (ja) | 光記憶体 | |
| JPH0535490B2 (ja) | ||
| JPH04332938A (ja) | 光磁気ディスク |