JPH0242721A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH0242721A JPH0242721A JP19383288A JP19383288A JPH0242721A JP H0242721 A JPH0242721 A JP H0242721A JP 19383288 A JP19383288 A JP 19383288A JP 19383288 A JP19383288 A JP 19383288A JP H0242721 A JPH0242721 A JP H0242721A
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- Japan
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- substrate holder
- substrate
- aluminum nitride
- cooling section
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ドライエツチング装置に関し、特に低温冷却
できる基板台部を有するドライエツチング装置に関する
ものである。
できる基板台部を有するドライエツチング装置に関する
ものである。
（従来の技術）
従来の装置は、基板を冷却するためには、基板台部の内
部に冷媒や液体窒素を循環させ、また、エツチングレー
トや選択比を制御するために基板ホルダーに高周波電力
を印加している。この場合、基板ホルダーに高周波電力
を印加しつつ冷却可能にするために、基板ホルダーと冷
却部の間に、絶縁性の高い材料としてテフロン、石英が
挿入されており、また絶縁性と共に熱伝導性の良い材料
としてアルミナが挿入されている。
部に冷媒や液体窒素を循環させ、また、エツチングレー
トや選択比を制御するために基板ホルダーに高周波電力
を印加している。この場合、基板ホルダーに高周波電力
を印加しつつ冷却可能にするために、基板ホルダーと冷
却部の間に、絶縁性の高い材料としてテフロン、石英が
挿入されており、また絶縁性と共に熱伝導性の良い材料
としてアルミナが挿入されている。
（発明が解決しようとする課題）
アルミナは、絶縁性においては優れているが、熱伝導性
は、石英やテフロンに比較すれば−良いものの基板の冷
却に対しては冷却効率が悪く、十分な基板冷却ができな
い。
は、石英やテフロンに比較すれば−良いものの基板の冷
却に対しては冷却効率が悪く、十分な基板冷却ができな
い。
本発明の目的は、基板ホルダーと冷却部の間に絶縁性に
優れ、しかも熱伝導性が高い材料を用いることにより、
基板ホルダーに高周波電力を印加しつつ、効率の良い冷
却ができるドライエツチング装置を提供することにある
。
優れ、しかも熱伝導性が高い材料を用いることにより、
基板ホルダーに高周波電力を印加しつつ、効率の良い冷
却ができるドライエツチング装置を提供することにある
。
（課題を解決するための手段）
上記目的は、基板が冷却できるドライエツチング装置に
おいて、窒化アルミニウム、炭化ケイ素またはダイヤモ
ンドを基板ホルダーと冷却部の間に挿入した基板台部を
有することにより達成される。
おいて、窒化アルミニウム、炭化ケイ素またはダイヤモ
ンドを基板ホルダーと冷却部の間に挿入した基板台部を
有することにより達成される。
（作用）
窒化アルミニウム、炭化ケイ素及びダイヤモンドは、絶
縁抵抗においては、アルミナと同程度の絶縁抵抗を有し
、熱伝導率では、常温でアルミナの１０倍〜１００倍と
高いため、これを基板ホルダーと冷却部の間に挿入する
ことにより、基板に高周波電力を印加しつつ、効率の良
い基板冷却ができる。また、窒化アルミニウムは、１０
０に付近で常温の３〜４倍の熱伝導率になり、炭化ケイ
素、ダイヤモンドに至っては、７〜８倍の熱伝導率にな
るため、１００に付近の低温に冷却するためにより、冷
却効率は更に良くなる。
縁抵抗においては、アルミナと同程度の絶縁抵抗を有し
、熱伝導率では、常温でアルミナの１０倍〜１００倍と
高いため、これを基板ホルダーと冷却部の間に挿入する
ことにより、基板に高周波電力を印加しつつ、効率の良
い基板冷却ができる。また、窒化アルミニウムは、１０
０に付近で常温の３〜４倍の熱伝導率になり、炭化ケイ
素、ダイヤモンドに至っては、７〜８倍の熱伝導率にな
るため、１００に付近の低温に冷却するためにより、冷
却効率は更に良くなる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ型エ
ツチング装置を第１図により説明する。真空容器３内に
基板ホルダー５が置かれ、冷却部７どの間に厚さ５ｍｍ
程度の窒化アルミニウム板６が挿入されている。基板ホ
ルダー５、窒化アルミニウム板６、冷却部７で基板台部
を構成している。また基板ホルダー５には高周波電源８
が接続されている。基板ホルダー上方にはマグネット１
、マイクロ波導波管２が設けである。
ツチング装置を第１図により説明する。真空容器３内に
基板ホルダー５が置かれ、冷却部７どの間に厚さ５ｍｍ
程度の窒化アルミニウム板６が挿入されている。基板ホ
ルダー５、窒化アルミニウム板６、冷却部７で基板台部
を構成している。また基板ホルダー５には高周波電源８
が接続されている。基板ホルダー上方にはマグネット１
、マイクロ波導波管２が設けである。
なお本実施例では、窒化アルミニウムを用いたが、炭化
ケイ素やダイヤモンドを用いても良い。
ケイ素やダイヤモンドを用いても良い。
更に、基板冷却は基板ホルダーと基板の間に気体を流す
ことにより基板冷却を行っているが、基板ホルダーに基
板を接触させて行っても良い。
ことにより基板冷却を行っているが、基板ホルダーに基
板を接触させて行っても良い。
また、基板は基板ホルダーに機械的に固定されても良い
し静電吸着されても良い。
し静電吸着されても良い。
更に、基板の温度制御は、基板ホルダーに設置するヒー
タにより行っても良い。
タにより行っても良い。
基板冷却に関しては、チラーによる冷却や液体窒素を循
環させるなどの方式を用いても良いが、基板台部が結露
する恐れがあるため、クライオ冷凍機にて冷却部のヘッ
ドのみを冷却し、結露のない冷却方式を用いて良い。
環させるなどの方式を用いても良いが、基板台部が結露
する恐れがあるため、クライオ冷凍機にて冷却部のヘッ
ドのみを冷却し、結露のない冷却方式を用いて良い。
（発明の効果）
本発明によれば基板は、熱伝導性の良好な窒化アルミニ
ウム、炭化ケイ素、ダイヤモンドを通して効率の良い低
温冷却が行われ、かつ、基板に高周波電極を印加しつつ
、エツチングが可能なためサイドエッチ量が０，０１μ
ｍ程度の異方性をもち、選択比も１００倍以上の高い値
が得られる効果がある。
ウム、炭化ケイ素、ダイヤモンドを通して効率の良い低
温冷却が行われ、かつ、基板に高周波電極を印加しつつ
、エツチングが可能なためサイドエッチ量が０，０１μ
ｍ程度の異方性をもち、選択比も１００倍以上の高い値
が得られる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例であるドライエツチング装
置を示す断面図である。 １、マグネット ２、マイクロ波導波管 ３、真空容器 ４、基板 ５、基板ホルダー ６、窒化アルミニウム板 ７、冷却部 ８、高周波電源 第１図
置を示す断面図である。 １、マグネット ２、マイクロ波導波管 ３、真空容器 ４、基板 ５、基板ホルダー ６、窒化アルミニウム板 ７、冷却部 ８、高周波電源 第１図
Claims (1)
- 基板が冷却できるドライエッチング装置において、窒化
アルミニウム、炭化ケイ素または、ダイヤモンドを基板
ホルダーと冷却部の間に挿入した基板台部を有すること
を特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193832A JP2692162B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63193832A JP2692162B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0242721A true JPH0242721A (ja) | 1990-02-13 |
| JP2692162B2 JP2692162B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=16314481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63193832A Expired - Lifetime JP2692162B2 (ja) | 1988-08-02 | 1988-08-02 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2692162B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456757A (en) * | 1993-05-27 | 1995-10-10 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for vapor deposition |
| WO2000054315A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma |
| JP2006295205A (ja) * | 1999-03-05 | 2006-10-26 | Tadahiro Omi | プラズマプロセス用装置 |
| JP2015106667A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 太平洋セメント株式会社 | 基板載置装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155727A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hitachi Ltd | 低温ドライエツチング装置 |
-
1988
- 1988-08-02 JP JP63193832A patent/JP2692162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155727A (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | Hitachi Ltd | 低温ドライエツチング装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456757A (en) * | 1993-05-27 | 1995-10-10 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for vapor deposition |
| WO2000054315A1 (fr) * | 1999-03-05 | 2000-09-14 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement au plasma |
| US6423178B1 (en) | 1999-03-05 | 2002-07-23 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for plasma process |
| KR100390665B1 (ko) * | 1999-03-05 | 2003-07-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 프로세스용 장치 |
| JP2006295205A (ja) * | 1999-03-05 | 2006-10-26 | Tadahiro Omi | プラズマプロセス用装置 |
| JP2015106667A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 太平洋セメント株式会社 | 基板載置装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2692162B2 (ja) | 1997-12-17 |
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Legal Events
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