JPH0244091A - 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 - Google Patents

単結晶製造炉用不活性ガス回収装置

Info

Publication number
JPH0244091A
JPH0244091A JP19326888A JP19326888A JPH0244091A JP H0244091 A JPH0244091 A JP H0244091A JP 19326888 A JP19326888 A JP 19326888A JP 19326888 A JP19326888 A JP 19326888A JP H0244091 A JPH0244091 A JP H0244091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inert gas
single crystal
vacuum pump
furnace
producing furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19326888A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuji Sato
修治 佐藤
Mitsuhiro Ogura
小椋 光洋
Tatsuji Suzuki
鈴木 辰二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP19326888A priority Critical patent/JPH0244091A/ja
Publication of JPH0244091A publication Critical patent/JPH0244091A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコンなどの単結晶製造炉に用いられる不活
性ガスの回収装置に関する。
〔従来の技術〕
シリコンなどの単結晶製造炉では、炉内雰囲気ガスとし
てアルゴンなどの不活性ガスが使用されている。過去に
おいては、雰囲気ガスとして使用された後の不活性ガス
は大気中に放出されていたが、このような不活性ガスは
高価であるため、回収して循環使用するようになってき
ている。
従来、このための不活性ガス回収装置としては、例えば
製造炉、油回転式の真空ポンプ(ロータリーポンプ)、
フィルター、精製装置により不活性ガスの循環系を形成
したものが考えられていた。
しかし、この不活性ガス回収装置では、ロータリーポン
プから発生するオイルミストが分解して生成するco、
co2などのガスが単結晶に及ぼす悪影響、及び製造炉
内で溶融シリコンと石英ガラスるつぼとの反応により生
成したSiO微粉がロータリーポンプに及ぼす悪影響が
問題となる。
そこで、特開昭61−97187号には、上述した問題
が生じない不活性ガス回収装置が提案されている。
この不活性ガス回収装置は、第3図に示すように、製造
炉1、水封式真空ポンプ2、精製装置3を順次接続して
不活性ガスの循環系を形成したものである。このように
水封式真空ポンプ2を用いれば、オイルミストが発生す
ることがな(、また封水によって不活性ガス中のSiO
を除去することができるので、単結晶の品質への悪影響
及びポンプへの悪影響と同時に解消することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、第3図に示す装置で、水封式真空ポンプ2に
よる真空度をロータリーポンプと同等まで上げようとす
る場合、製造炉1と水封式真空ポンプ2との間にメカニ
カルブースタを設けることが考えられる。
しかしながら、上記のようにメカニカルブースタを設け
た場合、使用後の不活性ガス中に含まれるSiO微粉が
メカニカルブースタ内に堆積し、シール部が磨耗されて
高真空度が保てなくなったり、シール部が破損するとい
う問題があった。
このように高真空度が得られないと、製造炉内の不活性
ガスを正常に排気することができなくなり、製造される
単結晶の品質に悪影響を及ぼすことになる。このため、
メカニカルブースタの修理交換を頻繁に行わなければな
らないという問題があった。
なお、不活性ガス中のSiO微粉を捕集する手段として
フィルターを使用することが考えられる。
しかし、この場合にはフィルターの目詰まりによって真
空度が低下するため、フィルターを頻繁に交換しなけれ
ばならず、根本的な解決策とはならない。
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであ
り、製造炉内の単結晶の品質を悪化させることのない液
封式真空ポンプを用い、ロータリーポンプと同等の真空
度が得られ、かつ修理交換の頻度が少ない不活性ガス回
収装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の単結晶製造炉用不活性ガス回収装置は、単結晶
製造炉に液封式真空ポンプ及び精製装置を接続し、製造
炉内に流される不活性ガスの循環系を形成した単結晶製
造炉用不活性ガス回収装置において、上記製造炉と液封
式真空ポンプとの間に、コールドトラップ及びメカニカ
ルブースタを順次設けたことを特徴とするものである。
〔作用〕
このような不活性ガス回収装置によれば、コールドトラ
ップにより不活性ガス中のSiO微粉を捕集できるので
、液封式真空ポンプの前にメカニカルブースタを設けて
も、メカニカルブースタ内にSiO微粉が堆積すること
がなく、メカニカルブースタの修理交換の頻度は少なく
なる。そして、製造炉内の単結晶の品質を悪化させるこ
となく、ロータリーポンプと同等の真空度が得られる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を第1図及び第2図を参照して説
明する。
第1図は本発明の不活性ガス回収装置の系統図である。
第1図において、単結晶製造炉1には、コールドトラッ
プ4、メカニカルブースタ5、水封式真空ポンプ2、精
製装置3が順次接続され、単結晶製造炉1内に流される
不活性ガス(アルゴンガス)の循環系が形成されている
上記コールドトラップ4は第2図に示すような構造を有
している。第2図において、ケーシング11には不活性
ガス吸入口12及び不活性ガス排出口13が設けられ、
ケーシング11内部には冷却フィンチューブI4が設け
られてその内部に冷却水が流される。
このコールドトラップ4では、吸入口12から入った使
用済アルゴンガス中のSiO微粉は冷却フィンチューブ
14の外表面に付着してアルゴンガス中から除去される
。このように冷却フィンチューブ14外表面に付着した
SiOは冷却フィンチューブ14を交換することにより
簡単に処理できる。
また、SiO微粉か除去されたアルゴンガスは排出口1
3から排出され、メカニカルブースタ5へ吸引された後
、水封式真空ポンプ2へ吸引される。
この際、上記コールドトラップ4で除去されなかったわ
ずかなSiO微粉は水封式真空ポンプ2て水と接触する
ことにより除去される。
更に、精製装置3ではアルゴンガス中に含まれる02、
N2などを触媒などによって所定値以下まで除去し、単
結晶製造炉1へ高純度のアルゴンガスを循環させる。な
お、精製装置はこのようなものに限らず、一般の精製装
置を用いることも可能である。
〔発明の効果〕
本発明の不活性ガス回収装置によれば、コールドトラッ
プにより不活性ガス中のSiO微粉を捕集できるので、
液封式真空ポンプの前にメカニカルブースタを設けても
、メカニカルブースタ内にSiO微粉が堆積することが
なく、シール部の磨耗、破損を防止できる。したがって
、メカニカルブースタの修理交換の頻度は少なくなる。
そして、製造炉内の単結晶の品質を悪化させることなく
、ロータリーポンプと同等の真空度が得られる。また、
コールドトラップによりSiO微粉を捕集するため、フ
ィルターを用いる場合のように目詰まりによる真空度の
低下の問題もない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例における単結晶製造炉用不活性
ガス回収装置の系統図、第2図は同装置に用いられるコ
ールドトラップを一部破断して示す正面図、第3図は従
来の単結晶製造炉用不活性ガス回収装置の系統図である
。 1・・・単結晶製造炉、2・・・水封式真空ポンプ、3
・・・精製装置、4・・・コールドトラップ、5・・・
メカニカルブースタ、11・・・ケーシング、12・・
・不活性ガス吸入口、13・・・不活性ガス排出口、1
4・・・冷却フィンチューブ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 単結晶製造炉に液封式真空ポンプ及び精製装置を接続し
    、製造炉内に流される不活性ガスの循環系を形成した単
    結晶製造炉用不活性ガス回収装置において、上記製造炉
    と液封式真空ポンプとの間に、コールドトラップ及びメ
    カニカルブースタを順次設けたことを特徴とする単結晶
    製造炉用不活性ガス回収装置。
JP19326888A 1988-08-02 1988-08-02 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 Pending JPH0244091A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19326888A JPH0244091A (ja) 1988-08-02 1988-08-02 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19326888A JPH0244091A (ja) 1988-08-02 1988-08-02 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0244091A true JPH0244091A (ja) 1990-02-14

Family

ID=16305114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19326888A Pending JPH0244091A (ja) 1988-08-02 1988-08-02 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0244091A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013011582A1 (ja) * 2011-07-20 2013-01-24 Ftb研究所株式会社 シリコン単結晶成長装置の真空配管トラップシステム及びそのシステムを利用した配管清掃方法
US10280980B2 (en) 2012-09-24 2019-05-07 Ntn Corporation Cooling structure for bearing device
CN117888197A (zh) * 2023-12-29 2024-04-16 连城凯克斯科技有限公司 一种单晶炉炉体控压装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6197187A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置
JPS62207794A (ja) * 1986-03-06 1987-09-12 Toshiba Mach Co Ltd シリコン単結晶引上機のバツフアタンク

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6197187A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置
JPS62207794A (ja) * 1986-03-06 1987-09-12 Toshiba Mach Co Ltd シリコン単結晶引上機のバツフアタンク

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013011582A1 (ja) * 2011-07-20 2013-01-24 Ftb研究所株式会社 シリコン単結晶成長装置の真空配管トラップシステム及びそのシステムを利用した配管清掃方法
US10280980B2 (en) 2012-09-24 2019-05-07 Ntn Corporation Cooling structure for bearing device
CN117888197A (zh) * 2023-12-29 2024-04-16 连城凯克斯科技有限公司 一种单晶炉炉体控压装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4655800A (en) Waste gas exhaust system for vacuum process apparatus
JPH0244091A (ja) 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置
US5131825A (en) Multi-stage vacuum pump with reaction chamber between stages
JPH08172083A (ja) 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法
JP2002029884A (ja) 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置
JP2011051872A (ja) シリコン酸化物除去装置及びシリコン単結晶製造装置の不活性ガス回収設備
JP2000068212A (ja) ガス循環機構を有する半導体製造方法及び装置
JPH029408A (ja) ダストトラップ装置
JPH0244092A (ja) 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置
JP2853757B2 (ja) 単結晶引上装置における不活性ガス回収装置
JPS6197187A (ja) 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置
JP3434315B2 (ja) フッ素系エキシマレーザ装置における不純物除去装置の再生方法
JP4262334B2 (ja) エッチング装置
JP3727147B2 (ja) エピタキシャルウェハの製造方法およびその製造装置
JP3603578B2 (ja) 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置
JP3246060B2 (ja) フッ化物原料の精製方法
JP3393998B2 (ja) 未反応ガス浄化装置におけるガス成分堆積電極構造
KR100234686B1 (ko) 저압 화학증착 시스템의 석영튜브
KR20020044187A (ko) 반도체 제조장비의 이물질 제거장치
KR100790282B1 (ko) 반도체 제조 장치의 배기 시스템 및 이에 적용된트랩부에서의 액상 티이오에스 배출 방법
US4666684A (en) Process for producing uranium dioxide
Harris et al. Vacuum purification of liquid metal
Lossius et al. Removing impurities from secondary alumina fines
JP4406280B2 (ja) シリコン精錬におけるNa除去方法
JP3949217B2 (ja) ガス充填用容器内の清浄化方法