JPH0244478A - 半導体記憶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体記憶素子に係シ、特に原パターンのドツ
トデータに対してより精細な拡大パターンのドツトデー
タ生成回路ブロックに関する。

〔従来の技術〕

従来は、この種の拡大パターンのデータは、原パターン
のドツトデータを半導体記憶素子から読出した後に、別
途図形拡大演算を行って得ていた。

あるいは、図形拡大演算を行った後に、図形平滑化演算
を行って、精細な拡大パターンのドツトデータを得てい
る場合もあった。

〔発明が解決しようとする課題」 前述した従来の構成は、次のような欠点がある。

ます、単純にそのまま原パターンを拡大した場合には、
解像度は原パターンのま１であり、とくに斜線部や曲線
部等ではキザギザのいわゆる階段状のパターンとなシ、
円滑性のない不自然なパターンとなる欠点があるうさら
に図形拡大演算のためにソフトウェアやハードウェア上
の負担が増大するという欠点がある。また、図形拡大演
算後に、図形平滑化演算を施す方法もあるが、この場合
には一層ン７トウエアやハードウェアが増大するという
欠点がある。

さらに、別の方法として、同種のパターンに対して、粗
雑なものから精細なパターンまで用意する方法があるが
、多大な費用を要するという欠点がある。

本発明の目的は、前記欠点が解決され、ソフトウェアや
ハードウェア上の負担が増大せず、良好な拡大パターン
のドツトデータが得られるようにした半導体記憶素子を
提供することにある。

〔課題を解決するだめの手段〕

本発明の構成は、パターンデータをドツトデータとして
書込み及び読出しを行なう半導体記憶素子において、拡
大パターン要求に対するパターン読出し時に、原ドア）
パターンより精細なドツトパターンを発生せしめる図形
拡大平滑化回路を含むことを特徴とする。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例の半導体記憶素子内の回路ブ
ロックを示す回路図である。同図において、本実施例の
半導体記憶素子は、拡大パターンデータの読出しに関す
るデータ部１と読出し部２とを備えている。

データ部１には、原パターンのデータが記憶されている
。読出し部２は、読出し回路３と図形拡大平滑化回路４
は図形拡大演算回路５と図形平滑化演算回路６とより構
成されておシ、この図形拡大演算回路５には拡大サイズ
信号線７が接続されている。

読出し回路３によシ、データ部１よシ読出された原パタ
ーンのドツトデータ８は、拡大ブイズ信号巌７の指定拡
大サイズに応じて、拡大演算回路５により処理されて、
拡大パターンのドツトデータ９を出力する。このデータ
９を図形平滑化演算回路６により処理して、梢細な拡大
パターンのド、トデータ１０を得ることができる◇ 即ち、従来では半導体記憶素子の外部で行っていた拡大
パターン処理を、本実施例では半導体記憶素子内部で処
理をしている。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、半導体記憶素子のデー
タ続出し部に図形拡大平滑化回路を付加することによシ
、次の効果がある。

まず、拡大された棺細なパターンが半導体記憶素子よＱ
直接人手できるため、従来表示の際にパターン拡大平滑
化処理に安したハードウェアやソフトウェア上の負担を
軽減できる効果がある。

また、任意の拡大サイズのパターンのドツトデータを、
１つの原パターンのドツトデータから生成できるため、
同種のパターンについて多種類のドツトデータを用意す
る必要が無く、スペースや費用を節減できる効果がある
。

・ン

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体記ｌ素子のデータ続
出し部を示す回路ブロック図である。 １・・・・・・データ部、２・・・・・・読出し部、３
・・・・・・読出し回路、４・・・・・・図形拡大平滑
化回路、５・・・・・・図形拡大演算回路、６・・・・
・・図形平滑化演算回路、７・・・・・・拡大サイズ信
号線、８・・・・・・原パターンのドツトデータ、９・
・・・・・拡大パターンのドツトデータ、１０・・・・
・・精細な拡大パターンのドツトデータ。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. パターンデータをドットデータとして書込み及び読出し
   を行なう半導体記憶素子において、拡大パターン要求に
   対するパターン読出し時に、原ドットパターンより精細
   なドットパターンを発生せしめる図形拡大平滑化回路を
   含むことを特徴とする半導体記憶素子。