JPH0244692A - 直流エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
直流エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH0244692A JPH0244692A JP63194237A JP19423788A JPH0244692A JP H0244692 A JPH0244692 A JP H0244692A JP 63194237 A JP63194237 A JP 63194237A JP 19423788 A JP19423788 A JP 19423788A JP H0244692 A JPH0244692 A JP H0244692A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intermediate layer
- layer
- emitting layer
- light emitting
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は長寿命のａＷＡ直流エレクトロルミネッセンス
素子に関する。
素子に関する。
（従来の技術）
従来直流エレクトロルミネッセンス素子（以下Ｅ Ｌ索
子と略称する）は第１および第２の電極間に発光層とセ
レンなどからなる中間層を介在さセた構造が知られてい
る。
子と略称する）は第１および第２の電極間に発光層とセ
レンなどからなる中間層を介在さセた構造が知られてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
上述のような従来の直流ＥＬ素子においては、電極と発
光層、中間層に使用した材料の相互拡散が起り、負荷時
間の増加に伴い発光輝度や効率が低下するなどの特性の
劣化が起り、実用的な寿命を有する薄膜直流ＥＬ素子は
得られないという問題があった。
光層、中間層に使用した材料の相互拡散が起り、負荷時
間の増加に伴い発光輝度や効率が低下するなどの特性の
劣化が起り、実用的な寿命を有する薄膜直流ＥＬ素子は
得られないという問題があった。
本発明の目的は長期使用によっても輝度が低下しない実
用性を備えた長野命の直流Ｅ１−素子を提供するもので
ある。
用性を備えた長野命の直流Ｅ１−素子を提供するもので
ある。
（課題を解決するための手段）
本発明の直流ＥＬｌ素子、基板上に第１の電極、発光層
、中間層および第２の電極を順次積層形成した直流Ｅ
ｌ素子において、前記中間層は、前記発光層側に積層し
た硫化カドミウムよりなる第１の中間層と、前記第２の
電橋側に積層したセレンよりなる第２の中間層とにて形
成してなることを特徴とするものである。
、中間層および第２の電極を順次積層形成した直流Ｅ
ｌ素子において、前記中間層は、前記発光層側に積層し
た硫化カドミウムよりなる第１の中間層と、前記第２の
電橋側に積層したセレンよりなる第２の中間層とにて形
成してなることを特徴とするものである。
また、本発明の直流ＥＬｌ素子、前記第１の中間層と第
２の中間層との間に発光層の母体化合物よりなる第３の
中間層を介在させることもできる。
２の中間層との間に発光層の母体化合物よりなる第３の
中間層を介在させることもできる。
さらに本発明の直流ＥＬｌ素子、前記第１の中間層と第
３の中間層の少なくとも何れか一方に発光層に添加した
と同一の活性物質を添加することもできる。
３の中間層の少なくとも何れか一方に発光層に添加した
と同一の活性物質を添加することもできる。
（作用）
本発明の直流ＥＬｌ素子、硫化カドミウムよりなる第１
の中間層の介在により発光のＸ’？ｆｆ１Ｔが延長され
セレンよりなる第２の中間層は発光層に耐電圧、電流性
を附与し絶縁破壊を防ぐ。
の中間層の介在により発光のＸ’？ｆｆ１Ｔが延長され
セレンよりなる第２の中間層は発光層に耐電圧、電流性
を附与し絶縁破壊を防ぐ。
また、発光層の母体化合物よりなる第３の中間層の介在
により発光の寿命がさらに延長される。
により発光の寿命がさらに延長される。
さらに第１、第３の中間層の少なくとも−・層への発光
層に添加されたと同一の活性物質の添加は駆υ」電圧の
低下、クロストークの減少となる。
層に添加されたと同一の活性物質の添加は駆υ」電圧の
低下、クロストークの減少となる。
（実施例）
本発明のＥ［素子の実施例１ないし実施例６を第１図な
いし第６図によって説明する。
いし第６図によって説明する。
実施例１
第１図に示す実施例は、ガラス基板１上に■ＴＯＪ明電
極（Ｉｎ２Ｑ ：Ｊ −３ｎＯｚ ）よりなる第１の電
極２が形成され、この第１の電極２上に硫化亜鈴（Ｚｎ
Ｓ） 母体化合物に活性物質マンガン（Ｈｎ）を添加し
たＺｎＳ ： Ｈｎ発光層３が蒸着形成され、ざらにこ
の発光層３上に硫化カドミウム（ＣｄＳ ）よりなる第
１の中間層４、セレン（Ｓｅ）よりなる第２の中間層５
が順次蒸着形成され、この第２の中間層５上にざらに直
空蒸着によりチタン（Ｔｉ） ＩＳとアルミニウム（Ａ
ｔり ＦＭよりなるＶ４層した第２の電極６が形成され
ている。
極（Ｉｎ２Ｑ ：Ｊ −３ｎＯｚ ）よりなる第１の電
極２が形成され、この第１の電極２上に硫化亜鈴（Ｚｎ
Ｓ） 母体化合物に活性物質マンガン（Ｈｎ）を添加し
たＺｎＳ ： Ｈｎ発光層３が蒸着形成され、ざらにこ
の発光層３上に硫化カドミウム（ＣｄＳ ）よりなる第
１の中間層４、セレン（Ｓｅ）よりなる第２の中間層５
が順次蒸着形成され、この第２の中間層５上にざらに直
空蒸着によりチタン（Ｔｉ） ＩＳとアルミニウム（Ａ
ｔり ＦＭよりなるＶ４層した第２の電極６が形成され
ている。
第１の電極２の厚さは２０００人、発光層３は４０００
Å以下、ＣｄＳよりなる第１の中間層４は２０００人、
Ｓａよりなる第２の中間層５は５０００Å以下である。
Å以下、ＣｄＳよりなる第１の中間層４は２０００人、
Ｓａよりなる第２の中間層５は５０００Å以下である。
また、発光層３としては前述のＺｎＳ ： Ｈｎｇの他
に、 ２ｎＳ： ＴｂＦａ （緑色発光；高輝度）２ｎＳ
： Ｓｍ （赤色発光） ＺｎＳ ： Ｔｍ （青色発光） ＣａＳ ： Ｅｕ （赤色発光） ＣａＳ ： Ｃｅ （緑色発光） ＳｒＳ ： Ｃｃ （青緑色発光） 等が用いられる。
に、 ２ｎＳ： ＴｂＦａ （緑色発光；高輝度）２ｎＳ
： Ｓｍ （赤色発光） ＺｎＳ ： Ｔｍ （青色発光） ＣａＳ ： Ｅｕ （赤色発光） ＣａＳ ： Ｃｅ （緑色発光） ＳｒＳ ： Ｃｃ （青緑色発光） 等が用いられる。
実施例２
第２図に示す実施例は実施例１に示すＥＬｌ素子おいて
ＣｄＳよりなる第１の中間層４に活性物質としてＨｎを
添加してＣｄＳ ： Ｈｎよりなる活性化中間層４ａと
したものである。
ＣｄＳよりなる第１の中間層４に活性物質としてＨｎを
添加してＣｄＳ ： Ｈｎよりなる活性化中間層４ａと
したものである。
第１の中間層４を活性化しない実施例１のＥＬｌ素子、
活性化中間層４ａを有する実施例２のＥＬｌ素子電流−
電圧曲線を第７図に示す。
活性化中間層４ａを有する実施例２のＥＬｌ素子電流−
電圧曲線を第７図に示す。
第７図より活性化中間層４ａを有する実施例２のＥ ｌ
素子はＩ−４特性の傾斜が急になり１、駆ｉＩｊ電圧が
下がる。
素子はＩ−４特性の傾斜が急になり１、駆ｉＩｊ電圧が
下がる。
２、クロストークが少なくなる。
という特性が出る。このため実施例２のＥＬｉ子は低い
電圧で発光し、クロストーク現象即ち！１ｉ純マトリッ
クス方式のＥＬデイスプレィにおいて文字等を表示した
場合、本来は発光してはい【ノないドツトがぼんやりと
光る現象をなくすることができる。
電圧で発光し、クロストーク現象即ち！１ｉ純マトリッ
クス方式のＥＬデイスプレィにおいて文字等を表示した
場合、本来は発光してはい【ノないドツトがぼんやりと
光る現象をなくすることができる。
実施例３
第３図に示す実施例は、実施例１において、ＣｄＳより
なる第１の中間層４とＳｅよりなる第２の中間層５間に
ＺｎＳ ： Ｈｎ発光層３の母体化合物である２ｎＳよ
りなる第３の中間層７を介在させたものである。
なる第１の中間層４とＳｅよりなる第２の中間層５間に
ＺｎＳ ： Ｈｎ発光層３の母体化合物である２ｎＳよ
りなる第３の中間層７を介在させたものである。
この実施例３において、発光層３の厚さは４０００Å以
下、第１の中間層４は２０００人、第３の中間層７は１
０００人、第２の中間層５は５０００人である。
下、第１の中間層４は２０００人、第３の中間層７は１
０００人、第２の中間層５は５０００人である。
実施例４
第４図に示す実施例は、実施例３において、ＣｄＳより
なる第１の中間層４に発光層３の活性物質Ｈｎを添加し
てＣｄＳ ： Ｈｎよりなる活性化中間層４ａとしたも
のである。
なる第１の中間層４に発光層３の活性物質Ｈｎを添加し
てＣｄＳ ： Ｈｎよりなる活性化中間層４ａとしたも
のである。
実施例５
第５図に示す実施例は、実施例３において、ｌｎＳより
なる第３の中間層７に活性化物質Ｈｎを添加してＺｎＳ
：Ｈｎよりなる活性化中間層７ａとしたものである。
なる第３の中間層７に活性化物質Ｈｎを添加してＺｎＳ
：Ｈｎよりなる活性化中間層７ａとしたものである。
実施例６
第６図に示す実施例は、実施例３において、第１、第３
の中間層４．７に何れも活性物質Ｈｎを添加して活性化
中間層４ａ、 ７ａを形成したものである。
の中間層４．７に何れも活性物質Ｈｎを添加して活性化
中間層４ａ、 ７ａを形成したものである。
次に実施例１と実施例３で説明したＥし素子についての
負荷時間に対するＩａｉＩｌ！の変化を第８図に示す。
負荷時間に対するＩａｉＩｌ！の変化を第８図に示す。
また第８図において比較例としては実施例１において、
ＣｄＳよりなる第１の中間層を形成しないＥＬ素子を用
いた。
ＣｄＳよりなる第１の中間層を形成しないＥＬ素子を用
いた。
この第８図よりＣｄＳ中間層のない比較例の負荷寿命は
極めて短時間であるのに比べて実施例１は１０００時間
、実施例３はさらに負荷寿命が延長されることがわかる
。また実施例３は実施例１に比べて中間層数が多いため
輝度は低いが耐久性があることもわかる。
極めて短時間であるのに比べて実施例１は１０００時間
、実施例３はさらに負荷寿命が延長されることがわかる
。また実施例３は実施例１に比べて中間層数が多いため
輝度は低いが耐久性があることもわかる。
本発明によれば、発光層と第２の電極間に中間層として
硫化カドミウム層を介在させたため、発光の寿命を延長
させることができる。さらに、中間層数を増すことによ
りｂ命がさらに延長される。
硫化カドミウム層を介在させたため、発光の寿命を延長
させることができる。さらに、中間層数を増すことによ
りｂ命がさらに延長される。
また、硫化ノＪドミウムよりなる中間層に活性物質を添
加することにより駆動電圧を低下させ、クロスドータの
発生を少なくすることができる。
加することにより駆動電圧を低下させ、クロスドータの
発生を少なくすることができる。
第１図ないし第６図は本発明の直流エレクトロルミネッ
センス素子の夫々異なる実施例を示す拡大断面図、第７
図は電流−電圧特性図、第８図はＲ度−負荷時間特性図
である。 １・・基板、２・・第１の電極、３・・発光層、４・・
第１の中間層、５・・第２の中間層、６・・第２の電極
、７・・第３の中間層。
センス素子の夫々異なる実施例を示す拡大断面図、第７
図は電流−電圧特性図、第８図はＲ度−負荷時間特性図
である。 １・・基板、２・・第１の電極、３・・発光層、４・・
第１の中間層、５・・第２の中間層、６・・第２の電極
、７・・第３の中間層。
Claims (3)
- （１）基板上に第１の電極、発光層、中間層および第２
の電極を順次積層形成した直流エレクトロルミネッセン
ス素子において、 前記中間層は、前記発光層側に積層した硫化カドミウム
よりなる第１の中間層と、前記第２の電極側に積層した
セレンよりなる第２の中間層とにて形成したことを特徴
とする直流エレクトロルミネッセンス素子。 - （２）第１の中間層と第２の中間層の間に発光層の母体
化合物よりなる第３の中間層を介在させてなることを特
徴とする請求項１記載の直流エレクトロルミネッセンス
素子。 - （３）第１の中間層と第３の中間層の少くとも何れか一
方に発光層の活性物質を添加してなることを特徴とする
請求項１または２記載の直流エレクトロルミネッセンス
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194237A JPH0244692A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 直流エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194237A JPH0244692A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 直流エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244692A true JPH0244692A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16321258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194237A Pending JPH0244692A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 直流エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244692A (ja) |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP63194237A patent/JPH0244692A/ja active Pending
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