JPH06196261A - 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子 - Google Patents
薄膜型エレクトロルミネツセンス素子Info
- Publication number
- JPH06196261A JPH06196261A JP43A JP34658492A JPH06196261A JP H06196261 A JPH06196261 A JP H06196261A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 34658492 A JP34658492 A JP 34658492A JP H06196261 A JPH06196261 A JP H06196261A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- compound
- lattice constant
- thin film
- before lamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/18—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
- C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 色純度が高く赤色系発光が可能な薄膜型ＥＬ
素子を提供する。 【構成】 発光層４が少なくとも第１の層４ａと第２の
層４ｂを積層したものからなる薄膜型ＥＬ素子におい
て、前記第１の層４ａは、前記第２の層４ｂを構成する
化合物よりも積層前の格子定数が大きい化合物を主体と
し、それに発光中心不純物としてマンガンが添加され、
前記第１の層４ａの主体化合物の積層前の格子定数と第
２の層４ｂを構成する化合物の積層前の格子定数との差
が５％以上で、前記発光層４の発光スペクトルのピーク
値が５９０ｎｍ以上であることを特徴とするものであ
る。
素子を提供する。 【構成】 発光層４が少なくとも第１の層４ａと第２の
層４ｂを積層したものからなる薄膜型ＥＬ素子におい
て、前記第１の層４ａは、前記第２の層４ｂを構成する
化合物よりも積層前の格子定数が大きい化合物を主体と
し、それに発光中心不純物としてマンガンが添加され、
前記第１の層４ａの主体化合物の積層前の格子定数と第
２の層４ｂを構成する化合物の積層前の格子定数との差
が５％以上で、前記発光層４の発光スペクトルのピーク
値が５９０ｎｍ以上であることを特徴とするものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光層が少なくとも第
１の層と第２の層を積層した薄膜型エレクトロルミネツ
センス素子（以下、薄膜型ＥＬ素子と略記する）に係
り、特に発光層の材質に関する。
１の層と第２の層を積層した薄膜型エレクトロルミネツ
センス素子（以下、薄膜型ＥＬ素子と略記する）に係
り、特に発光層の材質に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜型ＥＬ素子は、薄く表示状態が高精
細であることから、デイスプレイとして有用である。
細であることから、デイスプレイとして有用である。
【０００３】図３は薄膜型ＥＬ素子の拡大断面図であ
る。同図に示すようにガラス板などの透明基板１の上に
ＩＴＯ膜やＳｉＯ2 膜などからなる透明電極２が形成さ
れ、さらにその上にＴａ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 などの酸化
物、Ｓｉ3 Ｎ4 などの窒化物、あるいは前記酸化物膜と
窒化物膜とを積層したものからなる第１絶縁膜３をスパ
ツタリングなどによつて形成する。
る。同図に示すようにガラス板などの透明基板１の上に
ＩＴＯ膜やＳｉＯ2 膜などからなる透明電極２が形成さ
れ、さらにその上にＴａ2 Ｏ3 やＳｉＯ2 などの酸化
物、Ｓｉ3 Ｎ4 などの窒化物、あるいは前記酸化物膜と
窒化物膜とを積層したものからなる第１絶縁膜３をスパ
ツタリングなどによつて形成する。
【０００４】この第１絶縁膜３の上に超格子層からなる
発光層４が設けられ、さらに前記第１絶縁層３と同じ材
料の第２絶縁膜５が形成され、その第２絶縁膜５の上に
アルミニウムなどからなる背面電極６が設けられる。そ
して前記透明電極２と背面電極６は電源７に接続され
て、素子が駆動できるようになつている。
発光層４が設けられ、さらに前記第１絶縁層３と同じ材
料の第２絶縁膜５が形成され、その第２絶縁膜５の上に
アルミニウムなどからなる背面電極６が設けられる。そ
して前記透明電極２と背面電極６は電源７に接続され
て、素子が駆動できるようになつている。
【０００５】従来、この薄膜型ＥＬ素子として、黄橙色
材料のＺｎＳ：Ｍｎのみが実用化されている。
材料のＺｎＳ：Ｍｎのみが実用化されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】フルカラーのため、赤
色材料としてＺｎＳ：Ｓｍ，ＣａＳ：Ｅｕが検討されて
いるが、輝度、色純度のいずれも満足したものは得られ
ていない。
色材料としてＺｎＳ：Ｓｍ，ＣａＳ：Ｅｕが検討されて
いるが、輝度、色純度のいずれも満足したものは得られ
ていない。
【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、高輝度で色純度の高い赤色系発光が可能な
薄膜型ＥＬ素子を提供することにある。
点を解消し、高輝度で色純度の高い赤色系発光が可能な
薄膜型ＥＬ素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、発光層が少なくとも第１の層と第２の層
を積層したものからなる薄膜型ＥＬ素子において、前記
第１の層は、前記第２の層を構成する化合物よりも積層
前の格子定数が大きい化合物を主体とし、それに発光中
心不純物としてマンガンが添加され、前記第１の層の主
体化合物の積層前の格子定数と第２の層を構成する化合
物の積層前の格子定数との差が５％以上で、前記発光層
の発光スペクトルのピーク値が５９０ｎｍ以上であるこ
とを特徴とするものである。
め、本発明は、発光層が少なくとも第１の層と第２の層
を積層したものからなる薄膜型ＥＬ素子において、前記
第１の層は、前記第２の層を構成する化合物よりも積層
前の格子定数が大きい化合物を主体とし、それに発光中
心不純物としてマンガンが添加され、前記第１の層の主
体化合物の積層前の格子定数と第２の層を構成する化合
物の積層前の格子定数との差が５％以上で、前記発光層
の発光スペクトルのピーク値が５９０ｎｍ以上であるこ
とを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明は前述のような構成になつており、積層
前の格子定数の差が５％以上の第１の層と第２の層とを
交互に積層することにより、例えば結晶歪などを生じ
て、色純度の高い赤色系発光が可能となる。
前の格子定数の差が５％以上の第１の層と第２の層とを
交互に積層することにより、例えば結晶歪などを生じ
て、色純度の高い赤色系発光が可能となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１は実施例に係る薄膜型ＥＬ素子の要部拡大断面図、
図２は発光特性図である。
図１は実施例に係る薄膜型ＥＬ素子の要部拡大断面図、
図２は発光特性図である。
【００１１】本発明の実施例に係る薄膜型ＥＬ素子の全
体の概略構成は、前述の図３と同様であるので、それら
の説明は省略する。図２に示すように第１絶縁層３と第
２絶縁層５と間に介在される発光層４は、第１の層４ａ
と第２の層４ｂを交互に多数積層したものから構成され
ている。
体の概略構成は、前述の図３と同様であるので、それら
の説明は省略する。図２に示すように第１絶縁層３と第
２絶縁層５と間に介在される発光層４は、第１の層４ａ
と第２の層４ｂを交互に多数積層したものから構成され
ている。
【００１２】前記第１の層４ａならびに第２の層４ｂの
主体化合物は元素周期律表II族の金属の化合物からな
り、具体的にはＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，
ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，ＳｒＳ，ＳｒＳｅ，ＳｒＴｅ，Ｃ
ａＳ，ＣａＳｅ，ＣａＴａ，ＭｇＳ，ＭｇＳｅ，ＭｇＴ
ｅなどのグループから選択される。
主体化合物は元素周期律表II族の金属の化合物からな
り、具体的にはＣｄＳ，ＺｎＳ，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，
ＺｎＴｅ，ＣｄＴｅ，ＳｒＳ，ＳｒＳｅ，ＳｒＴｅ，Ｃ
ａＳ，ＣａＳｅ，ＣａＴａ，ＭｇＳ，ＭｇＳｅ，ＭｇＴ
ｅなどのグループから選択される。
【００１３】前記第１の層４ａは、前記第２の層４ｂを
構成する化合物よりも積層前の格子定数が大きい化合物
を主体とし、それに発光中心不純物としてマンガン（Ｍ
ｎ）が所定量添加されている。
構成する化合物よりも積層前の格子定数が大きい化合物
を主体とし、それに発光中心不純物としてマンガン（Ｍ
ｎ）が所定量添加されている。
【００１４】前記第１の層４ａの主体化合物の積層前の
格子定数と第２の層４ｂを構成する化合物の積層前の格
子定数との差が５％以上必要である。
格子定数と第２の層４ｂを構成する化合物の積層前の格
子定数との差が５％以上必要である。
【００１５】前記第１の層４ａ中のマンガンの濃度範囲
は、０．１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．５〜２ｍｏ
ｌ％である。
は、０．１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは０．５〜２ｍｏ
ｌ％である。
【００１６】前記第１の層４ａ、第２の層４ｂの膜厚は
１０００Å以下、好ましくは５〜１００Åである。この
ように膜厚を薄くすることにより、より高輝度の赤色発
光が得られる。
１０００Å以下、好ましくは５〜１００Åである。この
ように膜厚を薄くすることにより、より高輝度の赤色発
光が得られる。
【００１７】次に具体的な実施例について説明する。
【００１８】（実施例１）ガラス製の透明基板１上にＩ
ＴＯ膜からなる透明電極２を形成し、その上にＴａ2 Ｏ
5 を４０００Åスパツタリングして第１絶縁層３を設け
た。
ＴＯ膜からなる透明電極２を形成し、その上にＴａ2 Ｏ
5 を４０００Åスパツタリングして第１絶縁層３を設け
た。
【００１９】そして第１絶縁層３の上に、Ｍｎを１ｍｏ
ｌ％添加したＣｄＳｅ：Ｍｎからなる１０Å厚の第１の
層４ａと、ＺｎＳからなる３０Å厚の第２の層４ｂとを
交互に積層して、全体の膜厚が６０００Åの発光層４を
形成した。
ｌ％添加したＣｄＳｅ：Ｍｎからなる１０Å厚の第１の
層４ａと、ＺｎＳからなる３０Å厚の第２の層４ｂとを
交互に積層して、全体の膜厚が６０００Åの発光層４を
形成した。
【００２０】次にこの発光層４の上にＴａ2 Ｏ5 を４０
００Åスパツタリングして第２絶縁層５を設け、その後
抵抗法によりアルミニウムからなる背面電極６を形成し
て薄膜型ＥＬ素子を構成した。
００Åスパツタリングして第２絶縁層５を設け、その後
抵抗法によりアルミニウムからなる背面電極６を形成し
て薄膜型ＥＬ素子を構成した。
【００２１】この実施例において、第１の層４ａの主化
合物であるＣｄＳｅの積層前の格子定数は、第２の層４
ｂを構成するＺｎＳの積層前の格子定数よりも大きく、
その差は９％である。
合物であるＣｄＳｅの積層前の格子定数は、第２の層４
ｂを構成するＺｎＳの積層前の格子定数よりも大きく、
その差は９％である。
【００２２】（実施例２）前記実施例１において、Ｃｄ
Ｓｅ：Ｍｎからなる第１の層４ａの膜厚を３０Å、Ｚｎ
Ｓからなる第２の層４ｂの膜厚を１０Åとした以外は実
施例１と同様である。
Ｓｅ：Ｍｎからなる第１の層４ａの膜厚を３０Å、Ｚｎ
Ｓからなる第２の層４ｂの膜厚を１０Åとした以外は実
施例１と同様である。
【００２３】従つてこの実施例においても、第１の層４
ａの主化合物の積層前の格子定数と第２の層４ｂを構成
する化合物の積層前の格子定数の差は９％である。
ａの主化合物の積層前の格子定数と第２の層４ｂを構成
する化合物の積層前の格子定数の差は９％である。
【００２４】（実施例３）前記実施例１において、Ｃｄ
Ｓｅ：Ｍｎ（１０Å）の代わりにＣｄＳ：Ｍｎ（１０
Å）を用いた以外は全て同じである。
Ｓｅ：Ｍｎ（１０Å）の代わりにＣｄＳ：Ｍｎ（１０
Å）を用いた以外は全て同じである。
【００２５】この実施例において、第１の層４ａの主化
合物であるＣｄＳ：Ｍｎの積層前の格子定数は、第２の
層４ｂを構成するＺｎＳの積層前の格子定数よりも大き
く、その差は７％である。
合物であるＣｄＳ：Ｍｎの積層前の格子定数は、第２の
層４ｂを構成するＺｎＳの積層前の格子定数よりも大き
く、その差は７％である。
【００２６】（実施例４）前記実施例３において、Ｃｄ
Ｓ：Ｍｎからなる第１の層４ａの膜厚を１０００Å、Ｚ
ｎＳからなる第２の層４ｂの膜厚を１０００Åにした以
外は全て同じである。
Ｓ：Ｍｎからなる第１の層４ａの膜厚を１０００Å、Ｚ
ｎＳからなる第２の層４ｂの膜厚を１０００Åにした以
外は全て同じである。
【００２７】（実施例５）前記実施例１において、前記
Ｍｎの濃度を０．１ｍｏｌ％にした以外は全て同じであ
る。
Ｍｎの濃度を０．１ｍｏｌ％にした以外は全て同じであ
る。
【００２８】（実施例６）前記実施例１において、Ｃｄ
Ｓ：Ｍｎからなる第１の層４ａの膜厚を１０Å、ＺｎＳ
からなる第２の層４ｂの膜厚を１００Åにした以外は全
て同じである。
Ｓ：Ｍｎからなる第１の層４ａの膜厚を１０Å、ＺｎＳ
からなる第２の層４ｂの膜厚を１００Åにした以外は全
て同じである。
【００２９】（比較例１）Ｍｎを１ｍｏｌ％添加した膜
厚が６０００ÅのＺｎＳ：Ｍｎ単独からなる発光層を用
いて薄膜型ＥＬ素子を構成した。
厚が６０００ÅのＺｎＳ：Ｍｎ単独からなる発光層を用
いて薄膜型ＥＬ素子を構成した。
【００３０】（比較例２）Ｍｎを１ｍｏｌ％添したＺｎ
Ｓと、Ｍｎを添加しないＣｄＳを交互に積層した超格子
を発光層としたを用いて薄膜型ＥＬ素子を構成した。
Ｓと、Ｍｎを添加しないＣｄＳを交互に積層した超格子
を発光層としたを用いて薄膜型ＥＬ素子を構成した。
【００３１】なお、前記実施例１〜６ならびに比較例１
は、発光層が超格子膜となつている。
は、発光層が超格子膜となつている。
【００３２】前記実施例ならびに比較例に基づいて製作
された薄膜型ＥＬ素子の輝度（Ｌ60）ならびに色純度
（ＣＩＥ色度）を次の表に示す。なお、Ｌ60は、しきい
値電圧＋６０Ｖ（１ＫＨｚ正弦波）駆動により評価した
値である。
された薄膜型ＥＬ素子の輝度（Ｌ60）ならびに色純度
（ＣＩＥ色度）を次の表に示す。なお、Ｌ60は、しきい
値電圧＋６０Ｖ（１ＫＨｚ正弦波）駆動により評価した
値である。
【００３３】 表 Ｌ60（ｃｄ／ｍ2 ） ＣＩＥ色度 ｘ ｙ 実施例１ １０３０ ０．５９ ０．４０ 〃 ２ ８００ ０．６３ ０．３６ 〃 ３ ２００ ０．５８ ０．４１ 〃 ４ ３０ ０．５６ ０．４３ 〃 ５ １０ ０．５０ ０．４２ 〃 ６ ２２２ ０．５８ ０．４１ 比較例１ １２００ ０．５２ ０．４７ 〃 ２ ８００ ０．５２ ０．４７ また、前記実施例ならびに比較例に基づいて製作された
薄膜ＥＬ素子の発光強度の代表例を図２に示す。なお、
図中の曲線Ａは実施例１、曲線Ｂは実施例２、曲線Ｃは
実施例５、曲線Ｄは実施例６、曲線Ｅは比較例１、曲線
Ｆは比較例２の特性曲線である。また一点鎖線は、波長
が５９０ｎｍの所を示している。
薄膜ＥＬ素子の発光強度の代表例を図２に示す。なお、
図中の曲線Ａは実施例１、曲線Ｂは実施例２、曲線Ｃは
実施例５、曲線Ｄは実施例６、曲線Ｅは比較例１、曲線
Ｆは比較例２の特性曲線である。また一点鎖線は、波長
が５９０ｎｍの所を示している。
【００３４】前記表ならびに図２から明らかなように、
本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子は、比較例に比べて
ＣＩＥ色度のｘ値が高くかつｙ値が低いことから赤色発
光方向にシフトしていることが分かり、また発光層の発
光スペクトルのピーク値がいずれも５９０ｎｍ以上であ
ることから、色純度が高くしかも赤色発光であることを
示している。
本発明の実施例に係る薄膜ＥＬ素子は、比較例に比べて
ＣＩＥ色度のｘ値が高くかつｙ値が低いことから赤色発
光方向にシフトしていることが分かり、また発光層の発
光スペクトルのピーク値がいずれも５９０ｎｍ以上であ
ることから、色純度が高くしかも赤色発光であることを
示している。
【００３５】
【発明の効果】本発明は前述のような構成になつてお
り、積層前の格子定数の差が５％以上の第１の層と第２
の層とを交互に積層することにより、理論的根拠は今の
ところ明らかでないが、色純度の高い赤色系発光の薄膜
型ＥＬ素子を提供することができる。
り、積層前の格子定数の差が５％以上の第１の層と第２
の層とを交互に積層することにより、理論的根拠は今の
ところ明らかでないが、色純度の高い赤色系発光の薄膜
型ＥＬ素子を提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜型ＥＬ素子の要部拡
大断面図である。
大断面図である。
【図２】各試料素子の発光スペクトル特性図である。
【図３】薄膜型ＥＬ素子の断面図である。
１ 透明基板 ２ 透明電極 ３ 第１絶縁膜 ４ 発光層 ４ａ 第１の層 ４ｂ 第２の層 ５ 第２絶縁膜 ６ 背面電極 ７ 電源
Claims (5)
- 【請求項１】 発光層が少なくとも第１の層と第２の層
を積層したものからなる薄膜型エレクトロルミネツセン
ス素子において、 前記第１の層は、前記第２の層を構成する化合物よりも
積層前の格子定数が大きい化合物を主体とし、それに発
光中心不純物としてマンガンが添加され、 前記第１の層の主体化合物の積層前の格子定数と第２の
層を構成する化合物の積層前の格子定数との差が５％以
上で、 前記発光層の発光スペクトルのピーク値が５９０ｎｍ以
上であることを特徴とする薄膜型エレクトロルミネツセ
ンス素子。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記第１の層の
主体化合物の積層前の格子定数と第２の層を構成する化
合物の積層前の格子定数の差が７％以上であことを特徴
とする薄膜型エレクトロルミネツセンス素子。 - 【請求項３】 請求項１または２記載において、前記第
１の層ならびに第２の層の主体化合物が周期律表II族の
金属の化合物であることを特徴とする薄膜型エレクトロ
ルミネツセンス素子。 - 【請求項４】 請求項３記載において、前記第１の層の
主体化合物がＣｄＳ，ＣｄＴｅ，ＣｄＳｅで、前記第２
の層を構成する化合物がＺｎＳであることを特徴とする
薄膜型エレクトロルミネツセンス素子。 - 【請求項５】 請求項１または２記載において、前記第
１の層ならびに第２の層の膜厚が５０Å以下であること
を特徴とする薄膜型エレクトロルミネツセンス素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06196261A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子 |
| US08/171,433 US5635307A (en) | 1992-12-25 | 1993-12-22 | Thin-film electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP43A JPH06196261A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196261A true JPH06196261A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18384413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP43A Withdrawn JPH06196261A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 薄膜型エレクトロルミネツセンス素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5635307A (ja) |
| JP (1) | JPH06196261A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3584574B2 (ja) * | 1995-11-01 | 2004-11-04 | 株式会社デンソー | Ｅｌ素子及びその製造方法 |
| WO2000065879A1 (en) * | 1999-04-28 | 2000-11-02 | Emagin Corporation | Organic electroluminescence device with high efficiency reflecting element |
| US6856086B2 (en) * | 2001-06-25 | 2005-02-15 | Avery Dennison Corporation | Hybrid display device |
| US6727970B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-04-27 | Avery Dennison Corporation | Method of making a hybrid display device having a rigid substrate and a flexible substrate |
| AU2002320149A1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-01-08 | Avery Dennison Corporation | Hybrid display device |
| US6811815B2 (en) | 2002-06-14 | 2004-11-02 | Avery Dennison Corporation | Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films |
| US20060026919A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-09 | Cerainteed Corporation | Imitation stone siding system |
| DE102009003544B4 (de) * | 2009-02-26 | 2012-10-18 | Q-Cells Se | Verfahren zur Überprüfung von Solarzellenoberflächen |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2708183B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1998-02-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| US5153889A (en) * | 1989-05-31 | 1992-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
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