JPH0244725A - 半導体製造装置の洗浄方法 - Google Patents
半導体製造装置の洗浄方法Info
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- JPH0244725A JPH0244725A JP19664088A JP19664088A JPH0244725A JP H0244725 A JPH0244725 A JP H0244725A JP 19664088 A JP19664088 A JP 19664088A JP 19664088 A JP19664088 A JP 19664088A JP H0244725 A JPH0244725 A JP H0244725A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
高周波洗浄機構を有する気相成長装置等の半導体製造装
置に係り、特に反応室内に生じる生成物を剥離除去する
半導体製造装置の洗浄方法に関し、高周波洗浄による残
留生成物の除去が可能な半導体製造装置の洗浄方法の提
供を目的とし、ウェハーサセプタと当該ウェハーサセプ
タに対向する排気口を具備する半導体製造装置の反応室
内にエツチングガスを導入し、当該エツチングガスの雰
囲気内でプラズマを発生させる高周波電圧を前記ウェハ
ーサセプタを一方の電極として印加することにより前記
反応室（１）内の洗浄を行う方法において、前記ウェハ
ーサセプタに対向して前記反応室および排気口の内壁に
沿って絶縁された容器状の電極板を設け、当該電極板と
前記ウェハーサセプタとの間に前記高周波電圧を印加す
ると共に、前記エツチングガスを前記反応室および排気
口の内壁に沿って同時に噴出させるシャワー管を設けて
構成し、前記エツチングガスは三弗化窒素ガス、あるい
は四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスで構成する。
置に係り、特に反応室内に生じる生成物を剥離除去する
半導体製造装置の洗浄方法に関し、高周波洗浄による残
留生成物の除去が可能な半導体製造装置の洗浄方法の提
供を目的とし、ウェハーサセプタと当該ウェハーサセプ
タに対向する排気口を具備する半導体製造装置の反応室
内にエツチングガスを導入し、当該エツチングガスの雰
囲気内でプラズマを発生させる高周波電圧を前記ウェハ
ーサセプタを一方の電極として印加することにより前記
反応室（１）内の洗浄を行う方法において、前記ウェハ
ーサセプタに対向して前記反応室および排気口の内壁に
沿って絶縁された容器状の電極板を設け、当該電極板と
前記ウェハーサセプタとの間に前記高周波電圧を印加す
ると共に、前記エツチングガスを前記反応室および排気
口の内壁に沿って同時に噴出させるシャワー管を設けて
構成し、前記エツチングガスは三弗化窒素ガス、あるい
は四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスで構成する。
本発明は、高周波洗浄機構を有する気相成長装置等の半
導体製造装置に係り、特に反応室内に生じる生成物を剥
離除去する半導体製造装置の洗浄方法に関する。
導体製造装置に係り、特に反応室内に生じる生成物を剥
離除去する半導体製造装置の洗浄方法に関する。
従来、気相成長（ＣＶＤ ）装置等の半導体製造装置に
おいて、被処理基板に対して所定の薄膜等の成長を終了
した後に、反応室内に生成される残留生成物の剥離除去
のために三弗化窒素（ＮＦ＋）ガス、あるいは四弗化炭
素（ＣＦ４．）ガスと酸素（０□）の混合ガス等のエツ
チングガスの雰囲気内で高周波発振器によるプラズマ発
生を利用した高周波洗浄の方法が用いられている。通常
このような三弗化窒素ガス等による高周波洗浄のサイク
ル時間は、例えば薄膜の成長時間１時間に対して高周波
洗浄も約１時間行う方法が用いられている。
おいて、被処理基板に対して所定の薄膜等の成長を終了
した後に、反応室内に生成される残留生成物の剥離除去
のために三弗化窒素（ＮＦ＋）ガス、あるいは四弗化炭
素（ＣＦ４．）ガスと酸素（０□）の混合ガス等のエツ
チングガスの雰囲気内で高周波発振器によるプラズマ発
生を利用した高周波洗浄の方法が用いられている。通常
このような三弗化窒素ガス等による高周波洗浄のサイク
ル時間は、例えば薄膜の成長時間１時間に対して高周波
洗浄も約１時間行う方法が用いられている。
第３図は従来の気相成長装置の要部断面図を示す。図に
おいて、■は反応室であってステンレス部材の容器で構
成され、その底部には排気口２が設けられている。３は
ヒータ、４は回転自在に設けられたウェハーサセプタで
あって複数の被処理基板５を搭載できる構造になってい
る。６は反応ガス導入管であって、被処理基板５の載置
可能数に対応して設けられ、各パルプ６ａ〜６ｅを介し
てそれぞれ三弗化窒素（Ｎｈ）、酸素（０□）、窒素（
ＮＺ）、フォスフイン（Ｐ）Ｉｚ） 、シラン（ＳｉＨ
４）等のガスが導入される。反応ガス導入管６はアルミ
材で形成されたガス吹出盤７に連結され、その反応ガス
導入管６とガス吹出盤７とは反応室１に対してアルミナ
製の絶縁台８で絶縁されており、ガス吹出盤７とウェハ
ーサセプタ４との間隔は絶縁台８の厚み調整によって所
定値に保持されている。
おいて、■は反応室であってステンレス部材の容器で構
成され、その底部には排気口２が設けられている。３は
ヒータ、４は回転自在に設けられたウェハーサセプタで
あって複数の被処理基板５を搭載できる構造になってい
る。６は反応ガス導入管であって、被処理基板５の載置
可能数に対応して設けられ、各パルプ６ａ〜６ｅを介し
てそれぞれ三弗化窒素（Ｎｈ）、酸素（０□）、窒素（
ＮＺ）、フォスフイン（Ｐ）Ｉｚ） 、シラン（ＳｉＨ
４）等のガスが導入される。反応ガス導入管６はアルミ
材で形成されたガス吹出盤７に連結され、その反応ガス
導入管６とガス吹出盤７とは反応室１に対してアルミナ
製の絶縁台８で絶縁されており、ガス吹出盤７とウェハ
ーサセプタ４との間隔は絶縁台８の厚み調整によって所
定値に保持されている。
高周波洗浄に際しては、図示しない高周波発振器の出力
はウェハーサセプタ４とガス吹出盤７、すなわち電気的
に接続された反応ガス導入管６とをそれぞれ電極として
印加される。
はウェハーサセプタ４とガス吹出盤７、すなわち電気的
に接続された反応ガス導入管６とをそれぞれ電極として
印加される。
８はノズルを有するシャワー管であって、シャワー導入
管９とバルブ９ａ〜９ｃに連結され、高周波洗浄後に窒
素ガスＮ Ｚ ＋ 弗酸水溶液、アンモニア水溶液等が
ヒータ１０にて加熱され、ノズルから噴射されることに
より反応室内を洗浄する手段として知られたものである
。
管９とバルブ９ａ〜９ｃに連結され、高周波洗浄後に窒
素ガスＮ Ｚ ＋ 弗酸水溶液、アンモニア水溶液等が
ヒータ１０にて加熱され、ノズルから噴射されることに
より反応室内を洗浄する手段として知られたものである
。
第４図は従来のシャワー管の詳細図であって、第４図ｔ
ａ＋は平面図、第４図（ｂ）は側面図を示す。両図にお
いて、８ａはノズルであって環状の管の周囲に多数植設
され、第４図（ｂ）の矢印に示す方向に霧状に噴射する
機能を持っている。第３図に示すシャワー管８はガス吹
出盤７毎に上下２段に囲み、シャワー導入管９により連
結されている。電気的には反応室１の外筺と同電位であ
る。
ａ＋は平面図、第４図（ｂ）は側面図を示す。両図にお
いて、８ａはノズルであって環状の管の周囲に多数植設
され、第４図（ｂ）の矢印に示す方向に霧状に噴射する
機能を持っている。第３図に示すシャワー管８はガス吹
出盤７毎に上下２段に囲み、シャワー導入管９により連
結されている。電気的には反応室１の外筺と同電位であ
る。
従来の高周波洗浄においては、反応室１の室内の側壁お
よび電極となるガス吹出盤７より離れた床、排気口２の
内壁面（第３図の黒点表示領域）等に高周波洗浄後もか
なりの生成物が付着したまま残留し、パーティクル（微
小粉塵）発生原因となる欠点がある。
よび電極となるガス吹出盤７より離れた床、排気口２の
内壁面（第３図の黒点表示領域）等に高周波洗浄後もか
なりの生成物が付着したまま残留し、パーティクル（微
小粉塵）発生原因となる欠点がある。
この残留生成物を剥離除去するには長時間を必要とする
ため、装置稼動率が低下するといった問題があった。
ため、装置稼動率が低下するといった問題があった。
本発明は、上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、高
周波洗浄による残留生成物の除去が可能な半導体製造装
置の洗浄方法の提供を目的とする。
周波洗浄による残留生成物の除去が可能な半導体製造装
置の洗浄方法の提供を目的とする。
第１図は、本発明の構成を示す要部断面図である。ウェ
ハーサセプタ４と当Ｂ亥ウェハーサセプタ４に対向する
排気口２を具備する半導体製造装置の反応室１内にエツ
チングガスを導入し、当該エツチングガスの雰囲気内で
プラズマを発生させる高周波電圧を前記ウェハーサセプ
タ４を一方の電極として印加することにより前記反応室
１内の洗浄を行う方法において、前記ウェハーサセプタ
４に対向して前記反応室１および排気口２の内壁に沿っ
て絶縁された容器状の電極板９を設け、当該電極板９と
前記ウェハーサセプタ４との間に前記高周波電圧を印加
すると共に、前記エツチングガスを前記反応室１および
排気口２の内壁に沿って噴出させるシャワー管８．１３
を設けて構成し、前記エツチングガスは三弗化窒素ガス
、あるいは四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスにて構成す
る。
ハーサセプタ４と当Ｂ亥ウェハーサセプタ４に対向する
排気口２を具備する半導体製造装置の反応室１内にエツ
チングガスを導入し、当該エツチングガスの雰囲気内で
プラズマを発生させる高周波電圧を前記ウェハーサセプ
タ４を一方の電極として印加することにより前記反応室
１内の洗浄を行う方法において、前記ウェハーサセプタ
４に対向して前記反応室１および排気口２の内壁に沿っ
て絶縁された容器状の電極板９を設け、当該電極板９と
前記ウェハーサセプタ４との間に前記高周波電圧を印加
すると共に、前記エツチングガスを前記反応室１および
排気口２の内壁に沿って噴出させるシャワー管８．１３
を設けて構成し、前記エツチングガスは三弗化窒素ガス
、あるいは四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスにて構成す
る。
ウェハーサセプタ４に対向する側の容器状の電極板を反
応室内の側壁、床面、排気口内壁まで全面的に対向して
設けたことによりプラズマ効果が拡大され、かつ同時に
エツチングガスをシャワー管８，１３を利用して洗浄面
に噴射させることにより残留生成物を除去可能となった
。これにより洗浄後のパーティクル発生も消滅するよう
になった。
応室内の側壁、床面、排気口内壁まで全面的に対向して
設けたことによりプラズマ効果が拡大され、かつ同時に
エツチングガスをシャワー管８，１３を利用して洗浄面
に噴射させることにより残留生成物を除去可能となった
。これにより洗浄後のパーティクル発生も消滅するよう
になった。
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
なお、構成、動作の説明を理解し易くするために全図を
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。
第１図は本発明の構成を示す要部断面図である。
図において、１１は導電性の例えばアルミ材にて形成し
た排気口２を有する容器状の電極板であって、ウェハー
サセプタ４と対向し、反応室１の内壁（側壁、床面）お
よび排気口２の内壁に沿い、かつ当該内壁から絶縁板１
２によって絶縁されている。
た排気口２を有する容器状の電極板であって、ウェハー
サセプタ４と対向し、反応室１の内壁（側壁、床面）お
よび排気口２の内壁に沿い、かつ当該内壁から絶縁板１
２によって絶縁されている。
絶縁板１２は耐熱性の石英等にて形成し、かつその厚さ
を選ぶことによりガス吹出盤７とウェハーサセプタ４と
の間隔を所定値に保持している。 ガス吹出盤７および
反応ガス導入管６は電極板１１と接触しているため同一
電位を保ち、かつ反応室１とは絶縁された構造になって
いる。この構造に対して図示しない高周波発振器からウ
ェハーサセプタ４と電極板１１との間に高周波電圧を印
加することによりプラズマ発生領域は第３図に黒点表示
領域にて示した部分にも拡大される結果、殆どの残留生
成物を除去できるようになった。
を選ぶことによりガス吹出盤７とウェハーサセプタ４と
の間隔を所定値に保持している。 ガス吹出盤７および
反応ガス導入管６は電極板１１と接触しているため同一
電位を保ち、かつ反応室１とは絶縁された構造になって
いる。この構造に対して図示しない高周波発振器からウ
ェハーサセプタ４と電極板１１との間に高周波電圧を印
加することによりプラズマ発生領域は第３図に黒点表示
領域にて示した部分にも拡大される結果、殆どの残留生
成物を除去できるようになった。
また、シャワー管８は第３図の従来例においては高周波
洗浄後に弗酸水溶液とアンモニア水溶液とを加熱して反
応室ｌ内に噴射させる用途のものであったが、第１図の
本発明においてはその機構を利用して高周波洗浄と同時
に三弗化窒素ガスの噴射に用いるものである。シャワー
管１３は排気口２の内壁に沿って螺旋状のパイプに多数
のノズルを植設したものである。
洗浄後に弗酸水溶液とアンモニア水溶液とを加熱して反
応室ｌ内に噴射させる用途のものであったが、第１図の
本発明においてはその機構を利用して高周波洗浄と同時
に三弗化窒素ガスの噴射に用いるものである。シャワー
管１３は排気口２の内壁に沿って螺旋状のパイプに多数
のノズルを植設したものである。
第２図はシャワー管の構造図であって第２図（ａ）は平
面図、第２図（ｂ）は側面図を示す。第２図（ａ）に示
す矢印はノズル１３ａの噴射方向を示す。第２図（ｂ）
のシャワー管の一端は閉塞され、他端は第１図のシャワ
ー管８に連結されている。シャワー管８゜１３はいずれ
も電極板１１に対しては絶縁されて設けられ、同時に噴
射可能に連結されている。
面図、第２図（ｂ）は側面図を示す。第２図（ａ）に示
す矢印はノズル１３ａの噴射方向を示す。第２図（ｂ）
のシャワー管の一端は閉塞され、他端は第１図のシャワ
ー管８に連結されている。シャワー管８゜１３はいずれ
も電極板１１に対しては絶縁されて設けられ、同時に噴
射可能に連結されている。
このようにシャワー管８，１３を用いて三弗化窒素ガス
を高周波洗浄と同時に洗浄部分に噴射することにより残
留生成物を除去効果は更に増大する。
を高周波洗浄と同時に洗浄部分に噴射することにより残
留生成物を除去効果は更に増大する。
洗浄ガスとしてここでは三弗化窒素ガスを用いて説明し
たが、四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスＣＦ４ ＋Ｑ７
、あるいは六弗化エタンガスと酸素の混合カスＣＺＦ６
＋０□等の付着物をエツチングするガスでもよい。
たが、四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスＣＦ４ ＋Ｑ７
、あるいは六弗化エタンガスと酸素の混合カスＣＺＦ６
＋０□等の付着物をエツチングするガスでもよい。
本発明の電極構造は気相成長装置に限らず、蒸着装置、
スパッタリング装置等にも適用できることは言うまでも
ない。
スパッタリング装置等にも適用できることは言うまでも
ない。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、生成物
の剥離洗浄ができるようになり、パーティクルの発生を
防止する効果がある。
の剥離洗浄ができるようになり、パーティクルの発生を
防止する効果がある。
第１図は本発明の構成を示す要部断面図、第２図は第１
図のシャワー管１３の構造図、第３図は従来の気相成長
装置の要部断面図、第４図は従来のシャワー管の詳細図
を示す。 第１図において、 １は反応室、 ２は排気口、 はウェハーサセプタ、 極板をそれぞれ示す。 ８と１３はシャワー管、 １１は電 漆沁−ｍｌ清八゛？ネＴＦ印跡面ｍ 第１図
図のシャワー管１３の構造図、第３図は従来の気相成長
装置の要部断面図、第４図は従来のシャワー管の詳細図
を示す。 第１図において、 １は反応室、 ２は排気口、 はウェハーサセプタ、 極板をそれぞれ示す。 ８と１３はシャワー管、 １１は電 漆沁−ｍｌ清八゛？ネＴＦ印跡面ｍ 第１図
Claims (2)
- （１）ウェハーサセプタ（４）と当該ウェハーサセプタ
（４）に対向する排気口（２）を具備する半導体製造装
置の反応室（１）内にエッチングガスを導入し、当該エ
ッチングガスの雰囲気内でプラズマを発生させる高周波
電圧を前記ウェハーサセプタ（４）を一方の電極として
印加することにより前記反応室（１）内の洗浄を行う方
法において、 前記ウェハーサセプタ（４）に対向して前記反応室（１
）および排気口（２）の内壁に沿って絶縁された容器状
の電極板（１１）を設け、当該電極板（１１）と前記ウ
ェハーサセプタ（４）との間に前記高周波電圧を印加す
ると共に、前記エッチングガスを前記反応室（１）およ
び排気口（２）の内壁に沿って同時に噴出させるシャワ
ー管（８、１３）を設けてなることを特徴とする半導体
製造装置の洗浄方法。 - （２）前記エッチングガスは三弗化窒素ガス、あるいは
四弗化炭素ガスと酸素の混合ガスであることを特徴とす
る請求項（１）記載の半導体製造装置の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196640A JP2745549B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196640A JP2745549B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244725A true JPH0244725A (ja) | 1990-02-14 |
| JP2745549B2 JP2745549B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16361135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196640A Expired - Fee Related JP2745549B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 半導体製造装置の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745549B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243775A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Iwatani Internatl Corp | プラズマ内蔵式セラミックス膜形成装置内の汚染物清浄用ガス |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196640A patent/JP2745549B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03243775A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Iwatani Internatl Corp | プラズマ内蔵式セラミックス膜形成装置内の汚染物清浄用ガス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2745549B2 (ja) | 1998-04-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |