JPH0245197B2 - - Google Patents
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- JPH0245197B2 JPH0245197B2 JP56137929A JP13792981A JPH0245197B2 JP H0245197 B2 JPH0245197 B2 JP H0245197B2 JP 56137929 A JP56137929 A JP 56137929A JP 13792981 A JP13792981 A JP 13792981A JP H0245197 B2 JPH0245197 B2 JP H0245197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- voltage
- charging
- driving
- applying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依つてEL（Electro
Luminescence）発光を呈する薄膜EL表示装置の
駆動方法に関するものである。
Luminescence）発光を呈する薄膜EL表示装置の
駆動方法に関するものである。
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜
EL素子に関して、発光層に規則的に高い交流電
界（106V／cm程度）を印加し、絶縁耐圧、発光
効率及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜
2.0Wt％のMn（あるいはCu，Al，Br等）をドー
プしたZnS，ZnSe等の半導体発光層をY2O3，
TiO2等の誘電体薄膜でサンドイツチした三層構
造ZnS：Mn（又はZnSe：Mn）EL素子が開発さ
れ、発光諸特性の向上が確かめられている。この
薄膜EL素子は数ＫHzの交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有
している。
EL素子に関して、発光層に規則的に高い交流電
界（106V／cm程度）を印加し、絶縁耐圧、発光
効率及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜
2.0Wt％のMn（あるいはCu，Al，Br等）をドー
プしたZnS，ZnSe等の半導体発光層をY2O3，
TiO2等の誘電体薄膜でサンドイツチした三層構
造ZnS：Mn（又はZnSe：Mn）EL素子が開発さ
れ、発光諸特性の向上が確かめられている。この
薄膜EL素子は数ＫHzの交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有
している。
薄膜EL素子の１例としてZnS：Mn薄膜EL素
子の基本的構造を第１図に示す。
子の基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に
説明すると、ガラス基板１上に1n2O3，SnO2等の
透明電極２、さらにその上に積層してY2O3，
TiO2，Al2O3，Si3N4，SiO2等からなる第１の誘
電体層３がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることより得られるZnS発光層４が形成されてい
る。この時蒸着用のZnS：Mn焼結ペレツトには
活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定さ
れたペレツトが使用される。ZnS発光層４上には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更その上にAl等から成る
背面電極６が蒸着形成されている。透明電極２と
背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜EL素
子が駆動される。
説明すると、ガラス基板１上に1n2O3，SnO2等の
透明電極２、さらにその上に積層してY2O3，
TiO2，Al2O3，Si3N4，SiO2等からなる第１の誘
電体層３がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることより得られるZnS発光層４が形成されてい
る。この時蒸着用のZnS：Mn焼結ペレツトには
活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定さ
れたペレツトが使用される。ZnS発光層４上には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更その上にAl等から成る
背面電極６が蒸着形成されている。透明電極２と
背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜EL素
子が駆動される。
電極２，６間にAC電圧を印加すると、ZnS発
光層４の両側の誘電体層３，５間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層４内
に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、自由電
子となつて発光層界面へ誘引され、この界面で蓄
積されて内部分極を形成する。この時に高速移動
する自由電子が直接Nm発光センターを励起し、
励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でZnS発光層４中の発光センター
であるZnサイトに入つたMn原子の電子を励起
し、基底状態に落ちる時、略々5850Åをピークに
幅広い波長領域で、強いEL発光を放射する。活
性物質としてMn以外に希土類の弗化物を用いた
場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色
が得られる。
光層４の両側の誘電体層３，５間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層４内
に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、自由電
子となつて発光層界面へ誘引され、この界面で蓄
積されて内部分極を形成する。この時に高速移動
する自由電子が直接Nm発光センターを励起し、
励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でZnS発光層４中の発光センター
であるZnサイトに入つたMn原子の電子を励起
し、基底状態に落ちる時、略々5850Åをピークに
幅広い波長領域で、強いEL発光を放射する。活
性物質としてMn以外に希土類の弗化物を用いた
場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色
が得られる。
上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペー
ス・フアクタの利点を生かした平面薄型デイスプ
レイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコン
ピユーターの出力表示端末機器その他種々の表示
装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手
段として利用することができる。平面薄型表示装
置としての薄膜ELパネルは従来のブラウン管
（CRT）と比較して動作電圧が低く、同じ平面型
バイスプレイ・デバイスであるブラズマデイスプ
レイパネル（PDP）と比較すれば重量や強度面
で優れており、液晶（LCD）に比べて動作可能
温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの利点を
有している。また純固体マトリツクス型パネルと
して使用できるため動作寿命が長く、そのアドレ
スの正確さとともにコンピユーター等の入出力表
示手段として非常に有効なものである。
ス・フアクタの利点を生かした平面薄型デイスプ
レイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコン
ピユーターの出力表示端末機器その他種々の表示
装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手
段として利用することができる。平面薄型表示装
置としての薄膜ELパネルは従来のブラウン管
（CRT）と比較して動作電圧が低く、同じ平面型
バイスプレイ・デバイスであるブラズマデイスプ
レイパネル（PDP）と比較すれば重量や強度面
で優れており、液晶（LCD）に比べて動作可能
温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの利点を
有している。また純固体マトリツクス型パネルと
して使用できるため動作寿命が長く、そのアドレ
スの正確さとともにコンピユーター等の入出力表
示手段として非常に有効なものである。
上記従来の薄膜EL素子は、これをコンデンサ
ーの如き動作を行なう容量性の素子と見ることが
できる。ところで、この薄膜EL素子は駆動電圧
が200V程度と非常に高くまたその容量も約
6nF／cm2程度を大きい値を呈する。このため発光
表示駆動に於ける消費電力を求めるに際し発光に
関与する電力を省略し、単なるコンデンサーへの
充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消費
される電力と大差はない。従つて、上記薄膜EL
素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧V0を１
回充放電するのに必要な電力量を求める。まず、 従来から行なわれている駆動方法に於ける充放
電動作を簡略化して第２図に示す。スイツチS2を
OFF、スイツチS1をONすることによつて容量Ｃ
を抵抗Ｒを通して電圧V0で充電する場合次式が
成立する。
ーの如き動作を行なう容量性の素子と見ることが
できる。ところで、この薄膜EL素子は駆動電圧
が200V程度と非常に高くまたその容量も約
6nF／cm2程度を大きい値を呈する。このため発光
表示駆動に於ける消費電力を求めるに際し発光に
関与する電力を省略し、単なるコンデンサーへの
充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消費
される電力と大差はない。従つて、上記薄膜EL
素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧V0を１
回充放電するのに必要な電力量を求める。まず、 従来から行なわれている駆動方法に於ける充放
電動作を簡略化して第２図に示す。スイツチS2を
OFF、スイツチS1をONすることによつて容量Ｃ
を抵抗Ｒを通して電圧V0で充電する場合次式が
成立する。
Ri＋１／Ｃ∫idt＝Ｅ ……(1)
(1)式を電荷ｑで書き改めると
Ｒdq／dt＋１／Ｃｑ＝Ｅ ……(2)
となる。
この式の一般解はよく知られている。（但し、
ｔ＝ｏにおいてｑ＝ｏと考える。） 即ち、 ｑ＝CV0（１−e-1/CRt） ……(3) ｉ＝dq／dt＝Ｖ／Ｒe-t/CR ……(4) 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量WR，WCは
各々次式から算出される。
ｔ＝ｏにおいてｑ＝ｏと考える。） 即ち、 ｑ＝CV0（１−e-1/CRt） ……(3) ｉ＝dq／dt＝Ｖ／Ｒe-t/CR ……(4) 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量WR，WCは
各々次式から算出される。
WR＝∫t pi2Rdt＝１／２CV0 2（１−e-2/CRt） ……(5)
WC＝∫t pVidt＝１／２CV0 2（１−e-1/CRt）2 ……(6)
ｔ→∞において、(5)式(6)式は次の値を示す。
WR＝WC＝１／２CV0 2 ……(7)
(7)式は電源から供給したエネルギーの内１／２を
抵抗Ｒ中で消費し残り１／２が容量Ｃに蓄積された
ことを示している。また、容量Ｃに蓄積されたエ
ネルギーは、スイツチS1をOFF、スイツチS2を
ONすることによつて放電される時抵抗Ｒで全て
消費される。従つて、従来の方法において容量Ｃ
に電圧V0を充放電するのに必要な消費電力は合
計電圧V0 2となることは明らかである。
ネルギーは、スイツチS1をOFF、スイツチS2を
ONすることによつて放電される時抵抗Ｒで全て
消費される。従つて、従来の方法において容量Ｃ
に電圧V0を充放電するのに必要な消費電力は合
計電圧V0 2となることは明らかである。
第３図は従来の薄膜EL表示装置に於ける駆動
回路の構成を示す回路図である。また第４図は第
３図に示す駆動回路の各端子及び薄膜EL素子８
に入力される電圧波形図である。
回路の構成を示す回路図である。また第４図は第
３図に示す駆動回路の各端子及び薄膜EL素子８
に入力される電圧波形図である。
電源電圧V0が供給されている回路の各端子IN
１，IN２，IN３，IN４に第４図で示すタイミン
グでパルス電圧を印加することによりトランジス
タのTrのベース電位が切換えられてスイツチン
グや行なわれ薄膜EL素子８には交番パルス電界
が印加されてシーソー駆動されることになり、
EL発光が得られる。即ち、端子IN１及びIN４に
パルスが印加されるとトランジスタTr1及びTr4
が導通状態になり、トランジスタTr1より薄膜EL
素子８を介してトランジスタTr4方向へ電流が流
れ、薄膜EL素子８は充電状態となる。次の期間
で端子IN２のみにパルスを印加するとトランジ
スタTr2が導通状態となり、薄膜EL素子８の電荷
は放電される。次に端子IN２及びIN３にパルス
が印加されるとトランジスタTr2及びTr3が導通
状態となり、トランジスタTr3より薄膜EL素子８
を介してトランジスタTr2方向へ電流が流れ、薄
膜EL素子８は上記とは逆極性の充電状態となる。
次の期間で端子IN４のみにパルスを印加すると
トランジスタTr4が導通状態となり、薄膜EL素子
８の電荷は放電される。
１，IN２，IN３，IN４に第４図で示すタイミン
グでパルス電圧を印加することによりトランジス
タのTrのベース電位が切換えられてスイツチン
グや行なわれ薄膜EL素子８には交番パルス電界
が印加されてシーソー駆動されることになり、
EL発光が得られる。即ち、端子IN１及びIN４に
パルスが印加されるとトランジスタTr1及びTr4
が導通状態になり、トランジスタTr1より薄膜EL
素子８を介してトランジスタTr4方向へ電流が流
れ、薄膜EL素子８は充電状態となる。次の期間
で端子IN２のみにパルスを印加するとトランジ
スタTr2が導通状態となり、薄膜EL素子８の電荷
は放電される。次に端子IN２及びIN３にパルス
が印加されるとトランジスタTr2及びTr3が導通
状態となり、トランジスタTr3より薄膜EL素子８
を介してトランジスタTr2方向へ電流が流れ、薄
膜EL素子８は上記とは逆極性の充電状態となる。
次の期間で端子IN４のみにパルスを印加すると
トランジスタTr4が導通状態となり、薄膜EL素子
８の電荷は放電される。
上記パルス電圧の印加により薄膜EL素子８は
交流駆動され、EL発光パターンが得られる。
交流駆動され、EL発光パターンが得られる。
本発明は技術的手段を駆動することにより表示
駆動のための上記消費電力を低減し得る新規有用
な薄膜EL表示装置の駆動方法を提供することを
目的とするものである。
駆動のための上記消費電力を低減し得る新規有用
な薄膜EL表示装置の駆動方法を提供することを
目的とするものである。
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら詳説する。
がら詳説する。
第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明
する回路の簡略構成図である。
する回路の簡略構成図である。
以下、第５図に基いて本発明の１実施例を説明
する。
する。
スイツチS1，S2をOFF、スイツチS3をONと
し、電源WV0（Ｏ＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量
Ｃ（薄膜EL素子）を充電する。次にスイツチS2，
S3をOFFスイツチS1をONにし、電源V0で容量Ｃ
を充電する。以後この充電方法をステツプ駆動法
と称することとする。放電時においては従来の方
法と同様スイツチS2のみONし放電する。次にこ
のステツプ駆動法による充放電に必要な電力量を
求めると次の如くとなる。
し、電源WV0（Ｏ＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量
Ｃ（薄膜EL素子）を充電する。次にスイツチS2，
S3をOFFスイツチS1をONにし、電源V0で容量Ｃ
を充電する。以後この充電方法をステツプ駆動法
と称することとする。放電時においては従来の方
法と同様スイツチS2のみONし放電する。次にこ
のステツプ駆動法による充放電に必要な電力量を
求めると次の如くとなる。
電源KVJからの充電によつて抵抗Ｒおよび容
量Ｃにおける電力量は(7)式より次の値が求まる。
量Ｃにおける電力量は(7)式より次の値が求まる。
WR′＝WC′＝１／２Ｃ（KV0）2 ……(8)
次に電源V0から容量Ｃを充電する場合の電力
量は(2)式およびｔ＝ｏのときq0＝CKV0であるこ
とから WR＝V0 2（１−Ｋ）2／Ｒ∫t pe-2/RCtdt ……(9) WC″＝V0 2（１−Ｋ）／Ｒ∫t pe-t/CR｛１ −（１−Ｋ）e-t/CR｝dt ……(10) となる。
量は(2)式およびｔ＝ｏのときq0＝CKV0であるこ
とから WR＝V0 2（１−Ｋ）2／Ｒ∫t pe-2/RCtdt ……(9) WC″＝V0 2（１−Ｋ）／Ｒ∫t pe-t/CR｛１ −（１−Ｋ）e-t/CR｝dt ……(10) となる。
ｔ→∞において(9)式(10)式は次の値を示す。
WR″＝１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2 ……(11)
WC″＝Ｃ（１−Ｋ）V0 2−１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2
……(12)
従つてステツプ駆動法による充電時の抵抗Ｒ、
容量Ｃにおける電力量の各々の合計WRS，WCSは
(8)式(11)式(12)式より次の値を示す。
容量Ｃにおける電力量の各々の合計WRS，WCSは
(8)式(11)式(12)式より次の値を示す。
WRS＝１／２CK2V0 2＋１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2
……（13）
WCS＝１／２CV0 2 ……（14）
なお（14）式で示される容量Ｃに蓄積されたエ
ネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。従
つて、 ステツプ駆動法において容量Ｃに電圧V0を充
放電するのに必要な消費電力WSは（13）式（14）
式より次の値をとる。
ネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。従
つて、 ステツプ駆動法において容量Ｃに電圧V0を充
放電するのに必要な消費電力WSは（13）式（14）
式より次の値をとる。
WS＝WRS＋WCS
＝｛（Ｋ−１／２）2＋３／４｝CV0 2 ……（15）
（15）式の消費電力WSとパラメータＫとの関
係を第６図に示す。
係を第６図に示す。
図中の一点鎖線P1は従来の駆動法であり、曲
線P2は本実施例のステツプ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにＫ＝１／２では消費電力 WSは最小値をとり、従来の方法と比較して消費
電力は４／３になることが分る。
線P2は本実施例のステツプ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにＫ＝１／２では消費電力 WSは最小値をとり、従来の方法と比較して消費
電力は４／３になることが分る。
またステツプ駆動法により薄膜EL表示装置を
駆動した場合上記原理とよく一致する実験的結果
を得ている。
駆動した場合上記原理とよく一致する実験的結果
を得ている。
第７図は上記ステツプ駆動法を実現するための
駆動回路の１実施例を示す回路構成図である。第
８図は第７図に示す駆動回路の各端子及び薄膜
EL素子８に入力されるパルス電圧の電圧波形図
である。
駆動回路の１実施例を示す回路構成図である。第
８図は第７図に示す駆動回路の各端子及び薄膜
EL素子８に入力されるパルス電圧の電圧波形図
である。
端子IN１′，IN２′，IN３′及びIN４′には第
４図同様にパルス電圧が印加される。ステツプ駆
動法は端子IN５に印加されるパルスによつて行
なわれ、薄膜EL素子８に印加される駆動パルス
の立ち上りは端子IN５に印加されるパルスの立
ち上りに同期して２段階に上昇する。また薄膜
EL素子８に充電された電荷は端子IN２′，IN
４′を選択してパルス電圧を印加することにより
従来と同様に放電される。トランジスタTr1と
Tr4及びTr2とTr3を交互に導通させることにより
薄膜EL素子８が交流駆動され、薄膜EL素子８へ
印加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジ
スタTr5を導通させることによりシーソー駆動法
にステツプ駆動法が重畳された駆動方式が確立さ
れる。
４図同様にパルス電圧が印加される。ステツプ駆
動法は端子IN５に印加されるパルスによつて行
なわれ、薄膜EL素子８に印加される駆動パルス
の立ち上りは端子IN５に印加されるパルスの立
ち上りに同期して２段階に上昇する。また薄膜
EL素子８に充電された電荷は端子IN２′，IN
４′を選択してパルス電圧を印加することにより
従来と同様に放電される。トランジスタTr1と
Tr4及びTr2とTr3を交互に導通させることにより
薄膜EL素子８が交流駆動され、薄膜EL素子８へ
印加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジ
スタTr5を導通させることによりシーソー駆動法
にステツプ駆動法が重畳された駆動方式が確立さ
れる。
以上詳設した如く本発明は薄膜EL素子が容量
性素子であることを利用し、特にV0の駆動電圧
を印加充電するに際して、V0の１／２近傍の電圧， V0の電圧を順次加えることにより、薄膜EL素子
のV0の電圧印加充電工程に、同一方向から印加
充電される、１／２V0近傍の電圧と、V0の電圧のス テツプ状充電状態を持たせ、従来の３／４もの駆動 電力を低減したものであり、薄膜EL表示装置の
駆動方法として非常に有効な技術である。
性素子であることを利用し、特にV0の駆動電圧
を印加充電するに際して、V0の１／２近傍の電圧， V0の電圧を順次加えることにより、薄膜EL素子
のV0の電圧印加充電工程に、同一方向から印加
充電される、１／２V0近傍の電圧と、V0の電圧のス テツプ状充電状態を持たせ、従来の３／４もの駆動 電力を低減したものであり、薄膜EL表示装置の
駆動方法として非常に有効な技術である。
第１図は薄膜EL素子の基本的構造を示す構成
図である。第２図は従来の駆動方法に於ける充放
電動作を説明する説明図である。第３図は従来の
薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構成を示す
回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路に
入力される電圧波形を示すタイミング波形図であ
る。第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説
明する回路の簡略構成図である。第６図は従来の
駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電力を比較
して説明する説明図である。第７図は本発明の１
実施例を示す薄膜EL表示装置の駆動回路の構成
図である。第８図は第７図に示す駆動回路に入力
される電圧波形を示すタイミング波形図である。 ８…薄膜EL素子、Tr1，Tr2，Tr3，Tr4，Tr5
…トランジスタ。
図である。第２図は従来の駆動方法に於ける充放
電動作を説明する説明図である。第３図は従来の
薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構成を示す
回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路に
入力される電圧波形を示すタイミング波形図であ
る。第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説
明する回路の簡略構成図である。第６図は従来の
駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電力を比較
して説明する説明図である。第７図は本発明の１
実施例を示す薄膜EL表示装置の駆動回路の構成
図である。第８図は第７図に示す駆動回路に入力
される電圧波形を示すタイミング波形図である。 ８…薄膜EL素子、Tr1，Tr2，Tr3，Tr4，Tr5
…トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電圧の印加に応答してEL発光を呈する容量
性を有する薄膜EL表示装置の駆動方法に於いて、
容量性を有する薄膜EL表示素子にV0の値の駆動
電圧を印加充電するに際して、前記V0の１／２近傍 の値を有する電圧で前記薄膜EL表示素子を印加
充電した後、前記１／２近傍の電圧印加と同じ方向 から引き続き、V0の値を有する電圧で前記同一
の薄膜EL表示素子を印加充電することにより、
前記薄膜EL表示素子のV0の電圧の印加充電工程
に、同一方向から印加充電される、１／２V0近傍の 電圧と、V0の電圧のステツプ状充電状態を持た
せたことを特徴とする薄膜EL表示装置の駆動方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13792981A JPS5838996A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
| US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
| DE19823232389 DE3232389A1 (de) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Verfahren und treiberschaltung zum erregen von duennschicht-elektrolumineszenz-anzeigetafeln |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13792981A JPS5838996A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838996A JPS5838996A (ja) | 1983-03-07 |
| JPH0245197B2 true JPH0245197B2 (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=15209981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13792981A Granted JPS5838996A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838996A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5942311B2 (ja) * | 1974-06-05 | 1984-10-13 | シャープ株式会社 | 発光素子の書込み状態時の信号電流分離方法 |
| JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13792981A patent/JPS5838996A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5838996A (ja) | 1983-03-07 |
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