JPS648828B2 - - Google Patents
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- JPS648828B2 JPS648828B2 JP13793081A JP13793081A JPS648828B2 JP S648828 B2 JPS648828 B2 JP S648828B2 JP 13793081 A JP13793081 A JP 13793081A JP 13793081 A JP13793081 A JP 13793081A JP S648828 B2 JPS648828 B2 JP S648828B2
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Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依つてEL（Electro
Luminescence）発光を呈する薄膜EL表示装置の
駆動回路に関するものである。
Luminescence）発光を呈する薄膜EL表示装置の
駆動回路に関するものである。
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜
EL素子に関して、発光層に規則的に高い交流電
界（106V／cm程度）を印加し、絶縁耐圧、発光
効率及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜
2.0wt％のMn（あるいはCu，Al，Br等）をドー
プしたZnS，ZnSe等の半導体発光層をY2O3，
TiO2等の誘電体薄膜でサンドイツチした三層構
造ZnS：Mn（又はZnSe：Mn）EL素子が開発さ
れ、発光諸特性の向上が確かめられている。この
薄膜EL素子は数ＫHzの交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有
している。
EL素子に関して、発光層に規則的に高い交流電
界（106V／cm程度）を印加し、絶縁耐圧、発光
効率及び動作の安定性等を高めるために、0.1〜
2.0wt％のMn（あるいはCu，Al，Br等）をドー
プしたZnS，ZnSe等の半導体発光層をY2O3，
TiO2等の誘電体薄膜でサンドイツチした三層構
造ZnS：Mn（又はZnSe：Mn）EL素子が開発さ
れ、発光諸特性の向上が確かめられている。この
薄膜EL素子は数ＫHzの交流電界印加によつて高
輝度発光し、しかも長寿命であるという特徴を有
している。
薄膜EL素子の１例としてZnS：Mn薄膜EL素
子の基本的構造を第１図に示す。
子の基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜EL素子の構造を具体的に
説明すると、ガラス基板１上にln2O3，SnO2等の
透明電極２、さらにその上に積層してY2O3，
TiO2，Al2O3，Si3N4，SiO2等からなる第１の誘
電体層３がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることにより得られるZnS発光層４が形成されて
いる。この時蒸着用のZnS：Mn焼結ペレツトに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレツトが使用される。ZnS発光層４には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更にその上にAl等から成
る背面電極６が蒸着形成されている。透明電極２
と背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜EL
素子が駆動される。
説明すると、ガラス基板１上にln2O3，SnO2等の
透明電極２、さらにその上に積層してY2O3，
TiO2，Al2O3，Si3N4，SiO2等からなる第１の誘
電体層３がスパツタあるいは電子ビーム蒸着法等
により重畳形成されている。第１の誘電体層３上
にはZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸着す
ることにより得られるZnS発光層４が形成されて
いる。この時蒸着用のZnS：Mn焼結ペレツトに
は活性物質となるMnが目的に応じた濃度に設定
されたペレツトが使用される。ZnS発光層４には
第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更にその上にAl等から成
る背面電極６が蒸着形成されている。透明電極２
と背面電極６は交流電源７に接続され、薄膜EL
素子が駆動される。
電極２，６間にAC電圧を印加すると、ZnS発
光層４の両側の誘電体層３，５間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層４内
に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、自由電
子となつて発光層界面へ誘引され、この界面で蓄
積されて内部分極を形成する。この時に高速移動
する自由電子が直接Mn発光センターを励起し、
励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でZnS発光層４中の発光センター
であるZnサイトに入つたMn原子の電子を励起
し、基底状態に落ちる時、略々5850Åをピークに
幅広い波長領域で、強いEL発光を放射する。活
性物質としてMn以外に希土類の弗化物を用いた
場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色
が得られる。
光層４の両側の誘電体層３，５間に上記AC電圧
が誘起されることになり、従つてZnS発光層４内
に発生した電界によつて伝導帯に励起されかつ加
速されて充分なエネルギーを得た電子が、自由電
子となつて発光層界面へ誘引され、この界面で蓄
積されて内部分極を形成する。この時に高速移動
する自由電子が直接Mn発光センターを励起し、
励起されたMn発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加
速された自由電子が発光層の界面から他方の界面
へ移動する過程でZnS発光層４中の発光センター
であるZnサイトに入つたMn原子の電子を励起
し、基底状態に落ちる時、略々5850Åをピークに
幅広い波長領域で、強いEL発光を放射する。活
性物質としてMn以外に希土類の弗化物を用いた
場合にはこの希土類に特有の緑色その他の発光色
が得られる。
上記の如き構造を有する薄膜EL素子はスペー
ス・フアクタの利点を生かした平面薄型デイスプ
レイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコン
ピユーターの出力表示端末機器その他種々の表示
装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手
段として利用することができる。平面薄型表示装
置としての薄膜ELパネルは従来のブラウン管
（CRT）と比較して動作電圧が低く、同じ平面型
デイスプレイ・デバイスであるプラズマデイスプ
レイパネル（PDP）と比較すれば重量や強度面
で優れており、液晶（LCD）に比べて動作可能
温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの利点を
有している。また純固体マトリツクス型パネルと
して使用できるため動作寿命が長く、そのアドレ
スの正確とともにコンピユーター等の入出力表示
手段として非常に有効なものである。
ス・フアクタの利点を生かした平面薄型デイスプ
レイ・デバイスとして、文字及び図形を含むコン
ピユーターの出力表示端末機器その他種々の表示
装置に文字、記号、静止画像、動画像等の表示手
段として利用することができる。平面薄型表示装
置としての薄膜ELパネルは従来のブラウン管
（CRT）と比較して動作電圧が低く、同じ平面型
デイスプレイ・デバイスであるプラズマデイスプ
レイパネル（PDP）と比較すれば重量や強度面
で優れており、液晶（LCD）に比べて動作可能
温度範囲が広く、応答速度が速い等多くの利点を
有している。また純固体マトリツクス型パネルと
して使用できるため動作寿命が長く、そのアドレ
スの正確とともにコンピユーター等の入出力表示
手段として非常に有効なものである。
上記従来の薄膜EL素子は、これをコンデンサ
ーの如き動作を行なう容量性の素子と見ることが
できる。ところで、この薄膜EL素子は駆動電圧
が200V程度と非常に高くまたその容量も約
6nF／cm2程度と大きい値を呈する。このため発光
表示駆動に於ける消費電力を求めるに際し発光に
関与する電力を省略し、単なるコンデンサーへの
充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消費
される電力と大差はない。従つて、上記薄膜EL
素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧V0を１
回充放電するのに必要な電力量を求める。まず、
従来から行なわれている駆動方法に於ける充放電
動作を簡略化して第２図に示す。スイツチS2を
OFF，スイツチS1をONすることによつて容量Ｃ
を抵抗Ｒを通して電圧V0で充電する場合次式が
成立する。
ーの如き動作を行なう容量性の素子と見ることが
できる。ところで、この薄膜EL素子は駆動電圧
が200V程度と非常に高くまたその容量も約
6nF／cm2程度と大きい値を呈する。このため発光
表示駆動に於ける消費電力を求めるに際し発光に
関与する電力を省略し、単なるコンデンサーへの
充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消費
される電力と大差はない。従つて、上記薄膜EL
素子を単なるコンデンサーＣと考え電圧V0を１
回充放電するのに必要な電力量を求める。まず、
従来から行なわれている駆動方法に於ける充放電
動作を簡略化して第２図に示す。スイツチS2を
OFF，スイツチS1をONすることによつて容量Ｃ
を抵抗Ｒを通して電圧V0で充電する場合次式が
成立する。
Ri＋１／Ｃ∫idt＝Ｅ ……(1)
(1)式を電荷ｑで書き改めると
Ｒdq／dt＋１／Ｃｑ＝Ｅ ……(2)
となる。
この式の一般解はよく知られている（但し、ｔ
＝０においてｑ＝０と考える。） 即ち 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量WR，WCは
各々次式から算出される。
＝０においてｑ＝０と考える。） 即ち 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量WR，WCは
各々次式から算出される。
ｔ→∞において、(5)式(6)式は次の値を示す。
WR＝WC＝１／２CV0 2 ……(7)
(7)式は電源から供給したエネルギーの内1/2を
抵抗Ｒ中で消費した残り1/2が容量Ｃに蓄積され
たことを示している。また、容量Ｃに蓄積された
エネルギーはスイツチS1をOFF，スイツチS2を
ONすることによつて放電される時抵抗Ｒで全て
消費される。従つて、従来の方法において容量Ｃ
に電圧V0を充放電するのに必要な消費電力は合
計CV0となることは明らかである。
抵抗Ｒ中で消費した残り1/2が容量Ｃに蓄積され
たことを示している。また、容量Ｃに蓄積された
エネルギーはスイツチS1をOFF，スイツチS2を
ONすることによつて放電される時抵抗Ｒで全て
消費される。従つて、従来の方法において容量Ｃ
に電圧V0を充放電するのに必要な消費電力は合
計CV0となることは明らかである。
第３図は従来の薄膜EL表示装置に於ける駆動
回路の構成を示す回路図である。また第４図は第
３図に示す駆動回路の各端子及び薄膜EL素子８
に入力される電圧波形図である。電源電圧V0が
供給されている駆動回路の各端子IN１，IN２，
IN３，IN４に第４図で示すタイミングでパルス
電圧を印加することによりトランジスタのベース
電位が切換えられてスイツチングが行なわれ薄膜
EL素子８には交番パルス電界が印加されてシー
ソー駆動さることになり、EL発光が得られる。
即ち、端子IN１及びIN４にパルスが印加される
とトランジスタTr1及びTr4が導通状態となり、
トランジスタTr1より薄膜EL素子８を介してトラ
ンジスタTr4方向へ電流が流れ、薄膜EL素子８は
充電状態となる。次の期間で端子IN２のみにパ
ルスを印加するとトランジスタTR2が導通状態と
なり、薄膜EL素子８の電荷は放電される。次に
端子IN２及びIN３にパルスが印加されるとトラ
ンジスタTr2及びTr3が導通状態となり、トラン
ジスタTr3より薄膜EL素子８を介してトランジス
タTr2方向へ電流が流れ、薄膜EL素子８は上記と
は逆極性の充電状態となる。次の期間で端子IN
４のみにパルスを印加するとトランジスタTr4が
導通状態となり、薄膜EL素子８の電荷は放電さ
れる。
回路の構成を示す回路図である。また第４図は第
３図に示す駆動回路の各端子及び薄膜EL素子８
に入力される電圧波形図である。電源電圧V0が
供給されている駆動回路の各端子IN１，IN２，
IN３，IN４に第４図で示すタイミングでパルス
電圧を印加することによりトランジスタのベース
電位が切換えられてスイツチングが行なわれ薄膜
EL素子８には交番パルス電界が印加されてシー
ソー駆動さることになり、EL発光が得られる。
即ち、端子IN１及びIN４にパルスが印加される
とトランジスタTr1及びTr4が導通状態となり、
トランジスタTr1より薄膜EL素子８を介してトラ
ンジスタTr4方向へ電流が流れ、薄膜EL素子８は
充電状態となる。次の期間で端子IN２のみにパ
ルスを印加するとトランジスタTR2が導通状態と
なり、薄膜EL素子８の電荷は放電される。次に
端子IN２及びIN３にパルスが印加されるとトラ
ンジスタTr2及びTr3が導通状態となり、トラン
ジスタTr3より薄膜EL素子８を介してトランジス
タTr2方向へ電流が流れ、薄膜EL素子８は上記と
は逆極性の充電状態となる。次の期間で端子IN
４のみにパルスを印加するとトランジスタTr4が
導通状態となり、薄膜EL素子８の電荷は放電さ
れる。
上記パルス電圧の印加により薄膜EL素子８は
交流駆動され、EL発光パターンが得られる。
交流駆動され、EL発光パターンが得られる。
本発明は技術的手段を駆動することにより表示
駆動のための上記消費電力を低減し得る新規有用
な薄膜EL表示装置の駆動方法を確立し、その駆
動回路を提供することを目的とするものである。
駆動のための上記消費電力を低減し得る新規有用
な薄膜EL表示装置の駆動方法を確立し、その駆
動回路を提供することを目的とするものである。
以下、本発明を実施例に従つて図面を参照しな
がら詳説する。
がら詳説する。
第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明
する回路の簡略構成図である。
する回路の簡略構成図である。
以下、第５図に基いて本発明の１実施例を説明
する。
する。
スイツチS1，S2をOFF、スイツチS3をONと
し、電源KV0（０＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量
Ｃ（薄膜EL素子）を充電する。次にスイツチS2，
S3をOFF，スイツチS1をONにし、電源V0で容量
Ｃを充電する。以後この充電方法をステツプ駆動
法と呼ぶ。放電時においては従来の方法と同様ス
イツチS2のみONし放電する。
し、電源KV0（０＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量
Ｃ（薄膜EL素子）を充電する。次にスイツチS2，
S3をOFF，スイツチS1をONにし、電源V0で容量
Ｃを充電する。以後この充電方法をステツプ駆動
法と呼ぶ。放電時においては従来の方法と同様ス
イツチS2のみONし放電する。
次にこのステツプ駆動法による充放電に必要な
電力量を求めると次の如くとなる。
電力量を求めると次の如くとなる。
電源KV0からの充電によつて抵抗Ｒおよび容
量Ｃにおける電力量は(7)式より次の値が求まる。
量Ｃにおける電力量は(7)式より次の値が求まる。
W′R＝W′C＝１／２Ｃ（KV0）2 ……(8)
次に電源V0から容量Ｃを充電する場合の電力量
は(2)式およびｔ＝０のときq0＝CKV0であること
から となる。
は(2)式およびｔ＝０のときq0＝CKV0であること
から となる。
ｔ→∞において(9)式(10)式は次の値を示す。
W″R＝１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2 ……(11)
W″C＝Ｃ（１−Ｋ）V0 2
−１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2 ……(12)
従つてステツプ駆動法による充電時の抵抗Ｒ、容
量Ｃにおける電力量の各々の合計WRS，WCSは(8)
式(11)式(12)式より次の値を示す。
量Ｃにおける電力量の各々の合計WRS，WCSは(8)
式(11)式(12)式より次の値を示す。
WRS＝１／２CK2V0 2＋１／２Ｃ（１−Ｋ）2V0 2……(13
) WCS＝１／２CV0 2 ……(14) なお、(14)式で示される容量Ｃに蓄積されたエ
ネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。従
つて、ステツプ駆動法において容量Ｃに電圧V0
を充放電するのに必要な消費電力WSは(13)式(14)
式より次の値をとる。
) WCS＝１／２CV0 2 ……(14) なお、(14)式で示される容量Ｃに蓄積されたエ
ネルギーは放電時に抵抗Ｒで全て消費される。従
つて、ステツプ駆動法において容量Ｃに電圧V0
を充放電するのに必要な消費電力WSは(13)式(14)
式より次の値をとる。
WS＝WRS＋WCS
＝｛（Ｋ−１／２）2＋３／４｝CV0 2 ……(15)
(15)式の消費電力WSとパラメータＫとの関係を
第６図に示す。
第６図に示す。
図中の一点鎖線P1は従来の駆動法であり、曲
線P2は本実施例のステツプ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにＫ＝1/2では消費電力
WSは最小値をとり、従来の方法と比較して消費
電力は3/4になることが分る。
線P2は本実施例のステツプ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにＫ＝1/2では消費電力
WSは最小値をとり、従来の方法と比較して消費
電力は3/4になることが分る。
またステツプ駆動法により薄膜EL表示装置を
駆動した場合上記原理とよく一致する実験的結果
を得ている。
駆動した場合上記原理とよく一致する実験的結果
を得ている。
第７図は上記ステツプ駆動法を実現するための
駆動回路を第３図の回路構成に基いて構成した回
路構成図である。第８図は第７図に示す駆動回路
の各端子及び薄膜EL素子８に入力されるパルス
電圧の電圧波形図である。
駆動回路を第３図の回路構成に基いて構成した回
路構成図である。第８図は第７図に示す駆動回路
の各端子及び薄膜EL素子８に入力されるパルス
電圧の電圧波形図である。
端子IN１′，IN２′，IN３′及びIN４′には第
４図同様にパルス電圧が印加される。ステツプ駆
動法は端子IN５に印加されるパルスによつて行
なわれ、薄膜EL素子８に印加される駆動パルス
の立ち上りは端子IN５に印加されるパルスの立
ち上りに同期して２段階に上昇する。また薄膜
EL素子８に充電された電荷は端子IN２′，IN
４′を選択してパルス電圧を印加することにより
従来と同様に放電される。トランジスタTr1と
Tr4及びTr2とTr3を交互に導通させることにより
薄膜EL素子８が交流駆動され薄膜EL素子８へ印
加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジス
タTr5を導通させることによりシーソー駆動法に
ステツプ駆動法が重畳された駆動方式が確立され
る。
４図同様にパルス電圧が印加される。ステツプ駆
動法は端子IN５に印加されるパルスによつて行
なわれ、薄膜EL素子８に印加される駆動パルス
の立ち上りは端子IN５に印加されるパルスの立
ち上りに同期して２段階に上昇する。また薄膜
EL素子８に充電された電荷は端子IN２′，IN
４′を選択してパルス電圧を印加することにより
従来と同様に放電される。トランジスタTr1と
Tr4及びTr2とTr3を交互に導通させることにより
薄膜EL素子８が交流駆動され薄膜EL素子８へ印
加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジス
タTr5を導通させることによりシーソー駆動法に
ステツプ駆動法が重畳された駆動方式が確立され
る。
ところでこのステツプ駆動法の欠点として外部
電源がKV0とV0の２電源必要となり、装置の利
便性が損なわれる。
電源がKV0とV0の２電源必要となり、装置の利
便性が損なわれる。
尚、外部電源としての電圧V0の単電源を用い
ている第２図においてスイツチS2をOFFし、ス
イツチS1をONし容量Ｃの両端電圧がKV0に達し
た時スイツチS1をOFFし、その後再びスイツチ
S1をONし容量Ｃの両端電圧がV0になるまで充電
した場合には容量Ｃの印加波形としてステツプ状
のものを得ることができる。しかしながら、この
場合には抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける充電時の合
計の電力量は(7)式で示した値と同じになることは
次のことから明かである。単純化の為Ｋ＝1/2の
時を考える。まず容量Ｃの両端電圧が1/2V0に達
した時の抵抗Ｒ及び容量Ｃにおける電気量WR，
WCを求めると、(3)式より (16)式を(5)式(6)式に代入して WR＝３／８CV0 2 ……(17) WC＝１／８CV0 2 ……(18) 次にV0／２からV0までの電気量W′R，W′Cを求め る。この場合(11)式(12)式にＫ＝1/2を代入すること
によつて求まる。
ている第２図においてスイツチS2をOFFし、ス
イツチS1をONし容量Ｃの両端電圧がKV0に達し
た時スイツチS1をOFFし、その後再びスイツチ
S1をONし容量Ｃの両端電圧がV0になるまで充電
した場合には容量Ｃの印加波形としてステツプ状
のものを得ることができる。しかしながら、この
場合には抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける充電時の合
計の電力量は(7)式で示した値と同じになることは
次のことから明かである。単純化の為Ｋ＝1/2の
時を考える。まず容量Ｃの両端電圧が1/2V0に達
した時の抵抗Ｒ及び容量Ｃにおける電気量WR，
WCを求めると、(3)式より (16)式を(5)式(6)式に代入して WR＝３／８CV0 2 ……(17) WC＝１／８CV0 2 ……(18) 次にV0／２からV0までの電気量W′R，W′Cを求め る。この場合(11)式(12)式にＫ＝1/2を代入すること
によつて求まる。
W′R＝１／８CV0 2 ……(19)
W′C＝３／８CV0 2 ……(20)
(17)，(18)，(19)，(19)式より合計CV0 2となり消
費電力は低減されない。
費電力は低減されない。
従つて、本実施例はこの点を改良して駆動回路
を構成している。
を構成している。
第９図は本発明の１実施例を示す薄膜EL表示
装置の駆動回路の構成図である。第１０図は第９
図に入力される電圧波形のタイミング波形図であ
る。
装置の駆動回路の構成図である。第１０図は第９
図に入力される電圧波形のタイミング波形図であ
る。
外部電源として電圧値KV0のＫ＝1/2に相当す
る1/2V0の電圧値を有する電源を使用する。端子
INA及びINDにパルスを印加してそれぞれにベ
ース端が接続されているトランジスタTrA及び
TrDを導通させ、薄膜EL素子８に1/2V0の電圧を
印加する。引き続いて端子INEにパルスを印加し
てトランジスタTrEを導通させ、コンデンサC0と
の結合による２倍電圧電源を形成してV0の電圧
を薄膜EL素子８に印加する。これにより薄膜EL
素子８には２段階に1/2V0，V0の電圧が連続して
印加され、EL発光が得られる。次に端子INBに
パルスを印加してトランジスタTrBを導通させ、
薄膜EL素子８の充電電荷を放電させる。また端
子INFにパルスを印加してコンデンサC0を接地す
るトランジスタTrFを導通させせる。更に端子
INB及びINCにパルスを印加してトランジスタ
TrB及びTrCを導通させ、薄膜EL素子８に上記と
は逆極性の電圧1/2V0を印加し、引き続いて端子
INEにパルスを印加してトランジスタTrEを導通
させ、コンデンサC0の充電電荷を重畳した２倍
電圧V0を印加する。従つて薄膜EL素子８はこの
逆極性パルス電圧の印加により再び発光する。次
に端子INDにパルスを印加してトランジスタTrD
を導通させ、薄膜EL素子８を放電させまた端子
INFにパルスを印加してトランジスタTrFを導通
させ、コンデンサC0を接地する。以上の動作を
反復することにより薄膜EL素子８は単一電源で
シーソー駆動にステツプ駆動が重畳された発光表
示駆動されることになる。
る1/2V0の電圧値を有する電源を使用する。端子
INA及びINDにパルスを印加してそれぞれにベ
ース端が接続されているトランジスタTrA及び
TrDを導通させ、薄膜EL素子８に1/2V0の電圧を
印加する。引き続いて端子INEにパルスを印加し
てトランジスタTrEを導通させ、コンデンサC0と
の結合による２倍電圧電源を形成してV0の電圧
を薄膜EL素子８に印加する。これにより薄膜EL
素子８には２段階に1/2V0，V0の電圧が連続して
印加され、EL発光が得られる。次に端子INBに
パルスを印加してトランジスタTrBを導通させ、
薄膜EL素子８の充電電荷を放電させる。また端
子INFにパルスを印加してコンデンサC0を接地す
るトランジスタTrFを導通させせる。更に端子
INB及びINCにパルスを印加してトランジスタ
TrB及びTrCを導通させ、薄膜EL素子８に上記と
は逆極性の電圧1/2V0を印加し、引き続いて端子
INEにパルスを印加してトランジスタTrEを導通
させ、コンデンサC0の充電電荷を重畳した２倍
電圧V0を印加する。従つて薄膜EL素子８はこの
逆極性パルス電圧の印加により再び発光する。次
に端子INDにパルスを印加してトランジスタTrD
を導通させ、薄膜EL素子８を放電させまた端子
INFにパルスを印加してトランジスタTrFを導通
させ、コンデンサC0を接地する。以上の動作を
反復することにより薄膜EL素子８は単一電源で
シーソー駆動にステツプ駆動が重畳された発光表
示駆動されることになる。
以上詳説した如く本発明は薄膜EL素子が容量
性素子であることを利用して薄膜EL表示素子に
V0の電圧を印加充電する際、その消費電力を従
来に比して3/4に低減し、また1/2V0の電源とコ
ンデンサをもつて簡単に構成できるものであり、
薄膜EL表示装置の駆動回路として非常に有効な
技術である。
性素子であることを利用して薄膜EL表示素子に
V0の電圧を印加充電する際、その消費電力を従
来に比して3/4に低減し、また1/2V0の電源とコ
ンデンサをもつて簡単に構成できるものであり、
薄膜EL表示装置の駆動回路として非常に有効な
技術である。
第１図は薄膜EL素子の基本的構造を示す構成
図である。第２図は従来の駆動方法に於ける充放
電動作を説明する説明図である。第３図は従来の
薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構成を示す
回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路に
入力される電圧波形を示すタイミング波形図であ
る。第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説
明する回路の簡略構成図である。第６図は従来の
駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電力を比較
して説明する説明図である。第７図はステツプ駆
動を実現するための薄膜EL表示装置の駆動回路
の構成図である。第８図は第７図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図で
ある。第９図は本発明の１実施例を示す薄膜EL
表示装置の駆動回路の構成図である。第１０図は
第９図に入力される電圧波形のタイミング波形図
である。 ８……薄膜EL素子、C0……コンデンサ、INA，
INB，INC，IND，INE，INF……端子、TrA，
TrB，TrC，TrD，TrE，TrF……トランジスタ。
図である。第２図は従来の駆動方法に於ける充放
電動作を説明する説明図である。第３図は従来の
薄膜EL表示装置に於ける駆動回路の構成を示す
回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路に
入力される電圧波形を示すタイミング波形図であ
る。第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説
明する回路の簡略構成図である。第６図は従来の
駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電力を比較
して説明する説明図である。第７図はステツプ駆
動を実現するための薄膜EL表示装置の駆動回路
の構成図である。第８図は第７図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図で
ある。第９図は本発明の１実施例を示す薄膜EL
表示装置の駆動回路の構成図である。第１０図は
第９図に入力される電圧波形のタイミング波形図
である。 ８……薄膜EL素子、C0……コンデンサ、INA，
INB，INC，IND，INE，INF……端子、TrA，
TrB，TrC，TrD，TrE，TrF……トランジスタ。
Claims (1)
- １ 電圧の印加に応答してEL発光を呈する薄膜
EL表示装置の駆動回路に於いて、薄膜EL表示素
子に印加充電する電圧V0の1/2の値を有する電源
と、該電源と結合されて２倍電圧電源を形成する
コンデンサとを備え、前記電源の1/2V0の電圧で
前記薄膜EL表示素子を印加充電した後、前記1/2
V0の電圧印加と同じ方向から引き続き、前記コ
ンデンサを介して得られるV0の電圧で前記同一
の薄膜EL表示素子を印加充電することにより、
前記薄膜EL表示素子のV0の電圧の印加充電工程
に、同一方向から充電される、1/2V0の電圧と、
V0の電圧のステツプ状充電状態を持たせるスイ
ツチ回路を設けてなることを特徴とする薄膜EL
表示装置の駆動回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13793081A JPS5838997A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
| GB08224801A GB2105085B (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Drive for thin-film electroluminescent display panel |
| DE19823232389 DE3232389A1 (de) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Verfahren und treiberschaltung zum erregen von duennschicht-elektrolumineszenz-anzeigetafeln |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13793081A JPS5838997A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838997A JPS5838997A (ja) | 1983-03-07 |
| JPS648828B2 true JPS648828B2 (ja) | 1989-02-15 |
Family
ID=15210004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13793081A Granted JPS5838997A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838997A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5942311B2 (ja) * | 1974-06-05 | 1984-10-13 | シャープ株式会社 | 発光素子の書込み状態時の信号電流分離方法 |
| JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13793081A patent/JPS5838997A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5838997A (ja) | 1983-03-07 |
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