JPH0245345B2 - - Google Patents
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- JPH0245345B2 JPH0245345B2 JP56198191A JP19819181A JPH0245345B2 JP H0245345 B2 JPH0245345 B2 JP H0245345B2 JP 56198191 A JP56198191 A JP 56198191A JP 19819181 A JP19819181 A JP 19819181A JP H0245345 B2 JPH0245345 B2 JP H0245345B2
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- JP
- Japan
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- phase
- electrode
- photoelectric conversion
- electrodes
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置等に適用される信号電荷
転送のための電荷転送装置に関する。
転送のための電荷転送装置に関する。
電荷転送装置は、半導体基板上に絶縁膜を介し
て複数個の導電性電極を所定間隔で配設し、該導
電性電極に所定のパルス電圧あるいは直流電圧を
印加することにより、半導体中で電荷の転送を行
うものである。このような電荷転送装置は一般に
固体撮像載置によく用いられている。ところで、
一次元固体撮像装置においては近年増々多画素化
並びに微細化へと要請が高まつている。従つて、
これら装置の信号電荷の搬送手段として用いられ
ている電荷転送装置の転送手段は増々多段化し、
しかもその転送電極とアルミニウム（Al）等の
金属配線との接続孔（コンタクトホール）は微小
化を余儀なくされている。
て複数個の導電性電極を所定間隔で配設し、該導
電性電極に所定のパルス電圧あるいは直流電圧を
印加することにより、半導体中で電荷の転送を行
うものである。このような電荷転送装置は一般に
固体撮像載置によく用いられている。ところで、
一次元固体撮像装置においては近年増々多画素化
並びに微細化へと要請が高まつている。従つて、
これら装置の信号電荷の搬送手段として用いられ
ている電荷転送装置の転送手段は増々多段化し、
しかもその転送電極とアルミニウム（Al）等の
金属配線との接続孔（コンタクトホール）は微小
化を余儀なくされている。
第１図は従来の一次元固体イメージセンサに適
用した２相駆動の電荷転送装置を示している。こ
の装置において、１ａ〜１ｄはｐ−ｎフオトオー
ド等の光電変換素子、２ａ〜２ｄは第１相の転送
クロツクパルスφ1が印加される第１相転送電極、
３ａ〜３ｄは第２相の転送クロツクパルスφ2が
印加される第２相転送電極、４は第１相転送クロ
ツクパルスφ1を供給する金属配線、５は第２相
転送クロツクパルスφ2を供給する金属配線、６
は光電変換素子１ａ〜１ｄで得られた信号電荷を
電荷転送装置へシフトクロツクφSHにより移送制
御するための移送制御電極、７ａ〜７ｄは上記第
１相転送電極２ａ〜２ｄと第１相金属配線４とを
電気的に接続するコンタクトホールとしての接続
部分、８ａ〜８ｄは上記第２相転送電極３ａ〜３
ｄと第２相金属配線５とを電気的に接続するコン
タクトホールとしての接続部分、９は破線で示す
転送するチヤネル領域である。
用した２相駆動の電荷転送装置を示している。こ
の装置において、１ａ〜１ｄはｐ−ｎフオトオー
ド等の光電変換素子、２ａ〜２ｄは第１相の転送
クロツクパルスφ1が印加される第１相転送電極、
３ａ〜３ｄは第２相の転送クロツクパルスφ2が
印加される第２相転送電極、４は第１相転送クロ
ツクパルスφ1を供給する金属配線、５は第２相
転送クロツクパルスφ2を供給する金属配線、６
は光電変換素子１ａ〜１ｄで得られた信号電荷を
電荷転送装置へシフトクロツクφSHにより移送制
御するための移送制御電極、７ａ〜７ｄは上記第
１相転送電極２ａ〜２ｄと第１相金属配線４とを
電気的に接続するコンタクトホールとしての接続
部分、８ａ〜８ｄは上記第２相転送電極３ａ〜３
ｄと第２相金属配線５とを電気的に接続するコン
タクトホールとしての接続部分、９は破線で示す
転送するチヤネル領域である。
上記装置において、光電変換素子１ａ〜１ｄで
得られた信号電荷束を、移送制御電極６に所定電
圧のシフトクロツクパルスφSHを印加することに
より第１相転送電極２ａ〜２ｄ下へ並列に移送
し、第１相転送クロツクパルスφ1を第１相転送
電極２ａ〜２ｄに、第２相転送クロツクパルス
φ2を第２相転送電極３ａ〜３ｄにそれぞれ印加
することによつて、矢印で示すように右側から左
側に向つて信号電荷を順次転送する。
得られた信号電荷束を、移送制御電極６に所定電
圧のシフトクロツクパルスφSHを印加することに
より第１相転送電極２ａ〜２ｄ下へ並列に移送
し、第１相転送クロツクパルスφ1を第１相転送
電極２ａ〜２ｄに、第２相転送クロツクパルス
φ2を第２相転送電極３ａ〜３ｄにそれぞれ印加
することによつて、矢印で示すように右側から左
側に向つて信号電荷を順次転送する。
上述した電荷転送装置においては、第２相転送
電極３ａ〜３ｄは転送チヤネル領域に対して光電
変換素子１ａ〜１ｄ列が配置された側と反対側に
おいて一体に形成されているのに対し、第１相転
送電極２ａ〜２ｄは各々独立に存在し、金属配線
４及び各接続部分７ａ〜７ｄ通じてのみ転送パル
スφ1が供給される。これは、一般に接続部分７
ａ〜７ｄが光電変換素子１ａ〜１ｄから信号電荷
を受入れる側に存在した場合には、円滑なあるい
は効率的な移送が行ない難いという事実により制
約された構造となつている。つまり、第１相転送
電極２ａ〜２ｄと金属配線４との接続部分７ａ〜
７ｄのうち１つが不完全であつても、正常な転送
パルスが対応する転送電極２ａ〜２ｄへ供給され
なくなり、正常な信号電荷の転送はできなくな
る。つまり、このよう電荷転送装置では、動作原
理からも明らかなように一電極のコンタクトが不
十分であつても正常な動作が不可能であるといつ
た欠点を有していた。
電極３ａ〜３ｄは転送チヤネル領域に対して光電
変換素子１ａ〜１ｄ列が配置された側と反対側に
おいて一体に形成されているのに対し、第１相転
送電極２ａ〜２ｄは各々独立に存在し、金属配線
４及び各接続部分７ａ〜７ｄ通じてのみ転送パル
スφ1が供給される。これは、一般に接続部分７
ａ〜７ｄが光電変換素子１ａ〜１ｄから信号電荷
を受入れる側に存在した場合には、円滑なあるい
は効率的な移送が行ない難いという事実により制
約された構造となつている。つまり、第１相転送
電極２ａ〜２ｄと金属配線４との接続部分７ａ〜
７ｄのうち１つが不完全であつても、正常な転送
パルスが対応する転送電極２ａ〜２ｄへ供給され
なくなり、正常な信号電荷の転送はできなくな
る。つまり、このよう電荷転送装置では、動作原
理からも明らかなように一電極のコンタクトが不
十分であつても正常な動作が不可能であるといつ
た欠点を有していた。
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもの
で、転送電極と配線との何個所かのコンタクトが
不十分であつても正常な転送動作が可能であり、
しかも構造的に光電変換素子からの信号の受け入
れに何らの支障もきたさないようにし得る電荷転
送装置を提供することを目的とする。
で、転送電極と配線との何個所かのコンタクトが
不十分であつても正常な転送動作が可能であり、
しかも構造的に光電変換素子からの信号の受け入
れに何らの支障もきたさないようにし得る電荷転
送装置を提供することを目的とする。
本発明にあつては、同相パルスあるいは直流電
圧が印加される電極群を一端において全て一体化
形成すると共に、この一体化構造が上記各電極群
とこれら電極群へ所定電圧を供給するための金属
配線との接続のためのコンタクトホールによつて
光電変換素子からの信号電荷の受け入れに何らの
支障もきたさないように、その存在領域の電荷転
送チヤネルに対して並行した領域の一方側（チヤ
ネルに沿つた片側の領域）に限定して形成したも
のである。
圧が印加される電極群を一端において全て一体化
形成すると共に、この一体化構造が上記各電極群
とこれら電極群へ所定電圧を供給するための金属
配線との接続のためのコンタクトホールによつて
光電変換素子からの信号電荷の受け入れに何らの
支障もきたさないように、その存在領域の電荷転
送チヤネルに対して並行した領域の一方側（チヤ
ネルに沿つた片側の領域）に限定して形成したも
のである。
第２図は本発明の一実施例に係る電荷転送装置
を示している。図において、１０ａ〜１０ｄは第
１相転送クロツクパルスφ1が印加される第１相
転送電極であり、１１ａ〜１１ｄは第２相転送ク
ロツクパルスφ2が印加される第２相転送電極で
ある。その他は前述した実施例と同様であるので
その説明は省略する。上記第２相転送電極１１ａ
〜１１ｄは、転送チヤネル領域９に沿つた一方側
の領域において一体化形成されている。また、第
１相転送電極１０ａ〜１０ｄは、転送チヤネル９
に沿つた他方側、すなわち光電変換素子１ａ〜１
ｄが配設される側において一体に形成されてい
る。上記第１、第２相転送電極１０ａ〜１０ｄ，
１１ａ〜１１ｄとこれら電極へ所定電圧のクロツ
クパルスφ1，φ2を供給する金属配線４，５との
接続部分７ａ〜７ｄ，８ａ〜８ｄは、前述同様に
転送チヤネル９に沿つた片側であつて、上記転送
チヤネル９を挾んで上記光電変換素子１ａ〜１ｄ
とは反対側に配設されている。なお、前記電極１
０ａ〜１０ｄ，１１ａ〜１１ｄは、電極部材とし
て一般的に用いられる不純物をドープした多結晶
シリコンを利用して形成している。
を示している。図において、１０ａ〜１０ｄは第
１相転送クロツクパルスφ1が印加される第１相
転送電極であり、１１ａ〜１１ｄは第２相転送ク
ロツクパルスφ2が印加される第２相転送電極で
ある。その他は前述した実施例と同様であるので
その説明は省略する。上記第２相転送電極１１ａ
〜１１ｄは、転送チヤネル領域９に沿つた一方側
の領域において一体化形成されている。また、第
１相転送電極１０ａ〜１０ｄは、転送チヤネル９
に沿つた他方側、すなわち光電変換素子１ａ〜１
ｄが配設される側において一体に形成されてい
る。上記第１、第２相転送電極１０ａ〜１０ｄ，
１１ａ〜１１ｄとこれら電極へ所定電圧のクロツ
クパルスφ1，φ2を供給する金属配線４，５との
接続部分７ａ〜７ｄ，８ａ〜８ｄは、前述同様に
転送チヤネル９に沿つた片側であつて、上記転送
チヤネル９を挾んで上記光電変換素子１ａ〜１ｄ
とは反対側に配設されている。なお、前記電極１
０ａ〜１０ｄ，１１ａ〜１１ｄは、電極部材とし
て一般的に用いられる不純物をドープした多結晶
シリコンを利用して形成している。
このような構造を有する電荷転送装置において
は、上記接続部７ａ〜７ｄ，８ａ〜８ｄのうちい
くつかの第１、第２相転送電極１０ａ〜１０ｄ，
１１ａ〜１１ｄとの接続部が不完全であつても、
一体に形成された電極部材そのものを通じて転送
クロツクパルスφ1，φ2が正常に供給されるので、
何らの支障もきたさず、正常に信号電荷の転送を
実施できる。しかも、これらの一体化形成された
電極部が、光電変換素子１ａ〜１ｄからの信号電
荷の受け入れた何らの支障もきたさないように上
記コンタクトホールとしての接続部の存在領域を
限定した構造としているので、スムースな電荷転
送動作が実施できる。
は、上記接続部７ａ〜７ｄ，８ａ〜８ｄのうちい
くつかの第１、第２相転送電極１０ａ〜１０ｄ，
１１ａ〜１１ｄとの接続部が不完全であつても、
一体に形成された電極部材そのものを通じて転送
クロツクパルスφ1，φ2が正常に供給されるので、
何らの支障もきたさず、正常に信号電荷の転送を
実施できる。しかも、これらの一体化形成された
電極部が、光電変換素子１ａ〜１ｄからの信号電
荷の受け入れた何らの支障もきたさないように上
記コンタクトホールとしての接続部の存在領域を
限定した構造としているので、スムースな電荷転
送動作が実施できる。
第３図は本発明の他の実施例である電荷転送装
置を示している。本実施例では、光電変換素子列
で得られた信号を２つの電荷転送装置に振り分け
て搬送する一次元固体イメージセンサに適用して
いる。図において、１２ｂ〜１２ｈは光電変換素
子、１３は移送制御電極、１４ａは後述する第１
転送チヤネルの第１相転送クロツクパルスφ1が
印加される第１相転送電極の第１層部分、１４ｂ
は第２転送チヤネルの第１相転送クロツクパルス
φ1が印加される第１相転送電極の第１層部分、
１５ａは第１転送チヤネルの第１相転送クロツク
パルスφ1が印加される第１相転送電極の第２層
部分、１５ｂは第２転送チヤネルの第１相転送ク
ロツクパルスφ1が印加される第１相転送電極の
第２層部分、１６ａは第１転送チヤネルの第２相
転送クロツクパルスφ2が印加される第２相転送
電極の第１層部分、１６ｂは第２転送チヤネルの
第２相転送クロツクパルスφ2が印加される第２
相転送電極の第１層部分、１７ａは第１転送チヤ
ネルの第２相転送クロツクパルスφ2が印加され
る第２相転送電極の第２相部分、１７ｂは第２転
送チヤネルの第２相転送クロツクパルスφ2が印
加される第２相転送電極の第２層部分、１８ａは
第１相転送パルスφ1を第１転送チヤネルの第１
相電極群１４ａ，１５ａに供給するための金属配
線、１８ｂは第１相転送パルスφ1を第２に転送
チヤネルの第１相電極群１４ａ，１５ｂに供給す
るための金属配線、１９ａは第２相転送パルス
φ2を第１転送チヤネルの第２相電極群１６ａ，
１７ａに供給するための金属配線、１９ｂは第２
相転送パルスφ2を第２転送チヤネルの第２相電
極群１６ｂ，１７ｂに供給するための金属配線、
２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２
ｂ，２３ａ，２３ｂはそれぞれ前記金属配線１８
ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂと前記各電極１４
ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ，
１７ａ，１７ｂとを電気的に接続するための接続
部分、２４ａは第１転送チヤネル、２４ｂは第２
転送チヤネルである。
置を示している。本実施例では、光電変換素子列
で得られた信号を２つの電荷転送装置に振り分け
て搬送する一次元固体イメージセンサに適用して
いる。図において、１２ｂ〜１２ｈは光電変換素
子、１３は移送制御電極、１４ａは後述する第１
転送チヤネルの第１相転送クロツクパルスφ1が
印加される第１相転送電極の第１層部分、１４ｂ
は第２転送チヤネルの第１相転送クロツクパルス
φ1が印加される第１相転送電極の第１層部分、
１５ａは第１転送チヤネルの第１相転送クロツク
パルスφ1が印加される第１相転送電極の第２層
部分、１５ｂは第２転送チヤネルの第１相転送ク
ロツクパルスφ1が印加される第１相転送電極の
第２層部分、１６ａは第１転送チヤネルの第２相
転送クロツクパルスφ2が印加される第２相転送
電極の第１層部分、１６ｂは第２転送チヤネルの
第２相転送クロツクパルスφ2が印加される第２
相転送電極の第１層部分、１７ａは第１転送チヤ
ネルの第２相転送クロツクパルスφ2が印加され
る第２相転送電極の第２相部分、１７ｂは第２転
送チヤネルの第２相転送クロツクパルスφ2が印
加される第２相転送電極の第２層部分、１８ａは
第１相転送パルスφ1を第１転送チヤネルの第１
相電極群１４ａ，１５ａに供給するための金属配
線、１８ｂは第１相転送パルスφ1を第２に転送
チヤネルの第１相電極群１４ａ，１５ｂに供給す
るための金属配線、１９ａは第２相転送パルス
φ2を第１転送チヤネルの第２相電極群１６ａ，
１７ａに供給するための金属配線、１９ｂは第２
相転送パルスφ2を第２転送チヤネルの第２相電
極群１６ｂ，１７ｂに供給するための金属配線、
２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２
ｂ，２３ａ，２３ｂはそれぞれ前記金属配線１８
ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂと前記各電極１４
ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ，１６ａ，１６ｂ，
１７ａ，１７ｂとを電気的に接続するための接続
部分、２４ａは第１転送チヤネル、２４ｂは第２
転送チヤネルである。
本実施例は、光電変換素子列で得られた信号を
２つの電荷転送装置に振り分けて搬送する一次元
固体イメージセンサに本発明を適用したものであ
る。従つて、電荷転送装置は２相駆動形で１つの
転送段が２層構造の電極により構成されている。
この場合にも、前述同様に同一層で同一位相転送
クロツクパルスが印加される電極群が各々全て一
体に形成されている。本実施例も前述の実施例と
同様の効果を有する。
２つの電荷転送装置に振り分けて搬送する一次元
固体イメージセンサに本発明を適用したものであ
る。従つて、電荷転送装置は２相駆動形で１つの
転送段が２層構造の電極により構成されている。
この場合にも、前述同様に同一層で同一位相転送
クロツクパルスが印加される電極群が各々全て一
体に形成されている。本実施例も前述の実施例と
同様の効果を有する。
なお、本発明は、２相駆動形に限られず単相駆
動形、３相駆動形、４相駆動形にも適用できる。
例えば４相駆動形の場合には、前記第３図の第
１、第２転送電極１４ａ，１５ａ，１６ａ，１７
ａおよび１４ｂ，１５ｂ，１６ｂ，１７ｂに各々
４相の異なる転送パルスを異なる配線で供給すれ
ば良い。
動形、３相駆動形、４相駆動形にも適用できる。
例えば４相駆動形の場合には、前記第３図の第
１、第２転送電極１４ａ，１５ａ，１６ａ，１７
ａおよび１４ｂ，１５ｂ，１６ｂ，１７ｂに各々
４相の異なる転送パルスを異なる配線で供給すれ
ば良い。
本発明によれば同相パルスが印加されるべき電
極群を一端において全て一体形成しているので、
この電極群のうちいくつかの電極とこの電極群に
所定の電圧を印加するための配線とのコンタクト
が不十分であつても、正常な転送動作が可能であ
り、しかも構造的に光電変換素子からの信号の受
け入れに何らの支障もきたさないようにし得る電
荷転送装置を提供できる。
極群を一端において全て一体形成しているので、
この電極群のうちいくつかの電極とこの電極群に
所定の電圧を印加するための配線とのコンタクト
が不十分であつても、正常な転送動作が可能であ
り、しかも構造的に光電変換素子からの信号の受
け入れに何らの支障もきたさないようにし得る電
荷転送装置を提供できる。
第１図は従来の一次元固体イメージセンサに適
用した電荷転送装置の構成図、第２図は一次元固
体イメージセンサに適用した本発明の一実施例に
係る電荷転送装置の構成図、第３図は本発明の他
の実施例に係る電荷転送装置の構成図である。 １ａ〜１ｄ，１２ａ〜１２ｈ……光電変換素
子、４，５，１８ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂ…
…金属配線、６，１３……移送制御電極、７ａ〜
７ｄ，８ａ〜８ｄ，２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２
１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ……接続
部分、９，１３……転送チヤネル、１０ａ〜１０
ｄ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ……第１転
送電極、１１ａ〜１１ｄ，１６ａ，１６ｂ，１７
ａ，１７ｂ……第２転送電極。
用した電荷転送装置の構成図、第２図は一次元固
体イメージセンサに適用した本発明の一実施例に
係る電荷転送装置の構成図、第３図は本発明の他
の実施例に係る電荷転送装置の構成図である。 １ａ〜１ｄ，１２ａ〜１２ｈ……光電変換素
子、４，５，１８ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂ…
…金属配線、６，１３……移送制御電極、７ａ〜
７ｄ，８ａ〜８ｄ，２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２
１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ……接続
部分、９，１３……転送チヤネル、１０ａ〜１０
ｄ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ……第１転
送電極、１１ａ〜１１ｄ，１６ａ，１６ｂ，１７
ａ，１７ｂ……第２転送電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一列に配列された複数個の光電変換素子と、 上記光電変換素子と隣接し光電変換素子の配列
方向に延長して配設された移送制御電極と、 上記移送制御電極の上記光電変換素子とは反対
側に隣接し、互いに所定間隔をあけて配列され、
所定のパルス電圧又は直流電圧の印加により信号
電荷を転送し、上記移送制御電極側で一体形成さ
れた第１の転送電極群と、 上記第１の転送電極群の各転送電極と交互に配
設され、所定のパルス電圧又は直流電圧の印加に
より信号電荷を転送し、上記移送制御電極側とは
反対側で一体形成された第２の転送電極群と、 上記第１及び第２の転送電極群の上記移送制御
電極側とは反対側に設けられ、それぞれ第１のパ
ルス電圧又は第１の直流電圧、第２のパルス電圧
又は第２の直流電圧を供給する第１及び第２の金
属配線と、 上記第１の転送電極群の全ての各転送電極と上
記第１の金属配線とを接続する複数の接続部と、 上記第２の転送電極群の全ての各転送電極と上
記第２の金属配線とを接続する複数の接続部とを
具備したことを特徴とする電荷転送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198191A JPS5898961A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198191A JPS5898961A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 電荷転送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5898961A JPS5898961A (ja) | 1983-06-13 |
| JPH0245345B2 true JPH0245345B2 (ja) | 1990-10-09 |
Family
ID=16386981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198191A Granted JPS5898961A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5898961A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0779161B2 (ja) * | 1987-11-17 | 1995-08-23 | 三洋電機株式会社 | 電荷転送レジスタ |
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Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
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| US4236830A (en) * | 1978-12-29 | 1980-12-02 | International Business Machines Corporation | CCD Parallel-serial and serial-parallel charge transfer method and apparatus |
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| JPS5861661A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56198191A patent/JPS5898961A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5898961A (ja) | 1983-06-13 |
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