JPH0245921A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0245921A JPH0245921A JP63196953A JP19695388A JPH0245921A JP H0245921 A JPH0245921 A JP H0245921A JP 63196953 A JP63196953 A JP 63196953A JP 19695388 A JP19695388 A JP 19695388A JP H0245921 A JPH0245921 A JP H0245921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- platen
- holder
- ion implantation
- rotary shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置に関し、特にウェハーホルダ一
部の機構に関する。
部の機構に関する。
半導体ウェハーの不純物のゲッタリング技術としては、
従来から行なわれてきたリン拡散処理、または機械的な
歪によるブラスト処置などがある。！＆近ではＬＳＩ製
造工程においてＡｒ＋などをイオン注入し、よりクリー
ンな裏面歪材を行なう事により、製品の歩留の向上を計
る試みがなされている。
従来から行なわれてきたリン拡散処理、または機械的な
歪によるブラスト処置などがある。！＆近ではＬＳＩ製
造工程においてＡｒ＋などをイオン注入し、よりクリー
ンな裏面歪材を行なう事により、製品の歩留の向上を計
る試みがなされている。
ＬＳＩ製造工程途中におけるゲッタリングはリン拡散法
もしくはイオン注入法に限られる。リン拡散法ではウェ
ハー表面がリンで汚染されないように膜等を成長させた
のち、裏面に成長させた膜を取り除かなければならない
という不便さがある。従ってリン拡散を行なおうとすれ
ば数工程を追加しなければならない。そして、ある製造
工程の途中でしかできないという不便さがある。一方イ
オン注入法ではほとんどすべての製造工程で行なう事が
できる。そして製品歩留向上のためにウェハー内部にゲ
ッタリングを起こさせるには、ウェハー裏面へのイオン
注入が注目をあびてきている。
もしくはイオン注入法に限られる。リン拡散法ではウェ
ハー表面がリンで汚染されないように膜等を成長させた
のち、裏面に成長させた膜を取り除かなければならない
という不便さがある。従ってリン拡散を行なおうとすれ
ば数工程を追加しなければならない。そして、ある製造
工程の途中でしかできないという不便さがある。一方イ
オン注入法ではほとんどすべての製造工程で行なう事が
できる。そして製品歩留向上のためにウェハー内部にゲ
ッタリングを起こさせるには、ウェハー裏面へのイオン
注入が注目をあびてきている。
しかし、現在の汎用イオン注入装置ではベルト搬送で送
られてきたウェハーは、注入室でシリコンゴムがはりつ
けられた台、もしくは金属台におかれ、ウェハーがホル
ダーで保持される構造となっている為、ウェハーの一方
の面にしかイオン注入ができない。以下第５図及び第６
図を用いて説明する。
られてきたウェハーは、注入室でシリコンゴムがはりつ
けられた台、もしくは金属台におかれ、ウェハーがホル
ダーで保持される構造となっている為、ウェハーの一方
の面にしかイオン注入ができない。以下第５図及び第６
図を用いて説明する。
ウェハー表面を保護するため表面にレジストを塗布した
ウェハーＩＡを表面を下にして注入室２内のプラテン３
ヘビンセツトを使用して載せる。
ウェハーＩＡを表面を下にして注入室２内のプラテン３
ヘビンセツトを使用して載せる。
ウェハーホルダー４でウェハーＩＡを固定し回転軸５を
介してイオンビーム６に対して約９０°回転させ、ウェ
ハーＩＡの裏面に不純物をイオン注入していた。
介してイオンビーム６に対して約９０°回転させ、ウェ
ハーＩＡの裏面に不純物をイオン注入していた。
上述した従来のイオン注入装置のウェハー保持機構では
、ＬＳＩ製造工程途中において、ウェハーの裏面へイオ
ン注入を行なおうとすれば、バターニングされたウェハ
ー表面はレジスト等で全面塗布して保護しなければなら
ない、これによりレジスト塗布という工程が追加され製
品工期が長くなる。また表面にレジストが塗布されてい
ても、表面保護の為ベルト搬送も使用できないため、ピ
ンセットでウェハーを取り扱わなければならないという
欠点もある。
、ＬＳＩ製造工程途中において、ウェハーの裏面へイオ
ン注入を行なおうとすれば、バターニングされたウェハ
ー表面はレジスト等で全面塗布して保護しなければなら
ない、これによりレジスト塗布という工程が追加され製
品工期が長くなる。また表面にレジストが塗布されてい
ても、表面保護の為ベルト搬送も使用できないため、ピ
ンセットでウェハーを取り扱わなければならないという
欠点もある。
レジストを使用する為、ウェハーホルダーにレジストの
かすが数多く付着し真空に引かれた注入室でごみが発生
する。更にドーズ量及びビーム電流が大きい場合にはレ
ジストの変質が生じ、後の工程でレジストをうまく剥離
できないという欠点もある。
かすが数多く付着し真空に引かれた注入室でごみが発生
する。更にドーズ量及びビーム電流が大きい場合にはレ
ジストの変質が生じ、後の工程でレジストをうまく剥離
できないという欠点もある。
本発明のイオン注入装置は、ウェハーの裏面を露出する
ための貫通孔を有するプラテンと、前記プラテン上に載
置されたウェハーを保持するウェハーホルダーと、前記
ウェハーの表面または裏面をイオンビームに対し垂直に
なるように前記プラテンまたはウェハーホルダーを回転
させるためのプラテンまたはウェハーホルダーに固定さ
れた回転軸とを含んで構成される。
ための貫通孔を有するプラテンと、前記プラテン上に載
置されたウェハーを保持するウェハーホルダーと、前記
ウェハーの表面または裏面をイオンビームに対し垂直に
なるように前記プラテンまたはウェハーホルダーを回転
させるためのプラテンまたはウェハーホルダーに固定さ
れた回転軸とを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のプラテンとウェハーホ
ルダの断面図、第２図はその斜視図である。
ルダの断面図、第２図はその斜視図である。
イオン注入装置の注入室２には回転軸付ウェハーホルダ
ー７と、貫通口９が設けられたプラテン８が設置されて
いる。予備室から搬送されてきたウェハー１は、プラテ
ン８に載せられ、回転軸付ウェハーホルダー７ではさま
れウェハーのエッチ部分が固定される。ウェハー１の表
面にイオン注入する時は、プラテン８に固定された第１
の回転軸１１を介してイオンビーム６に対して約９０”
になるまでプラテンとホルダー全体を回転する。
ー７と、貫通口９が設けられたプラテン８が設置されて
いる。予備室から搬送されてきたウェハー１は、プラテ
ン８に載せられ、回転軸付ウェハーホルダー７ではさま
れウェハーのエッチ部分が固定される。ウェハー１の表
面にイオン注入する時は、プラテン８に固定された第１
の回転軸１１を介してイオンビーム６に対して約９０”
になるまでプラテンとホルダー全体を回転する。
ウェハー１の裏面にイオン注入する時は、プラテン８と
回転軸付ウェハーホルダー７に固定されたプラテン反転
用回転軸１２によりプラテンとホルダー全体を１８０゛
回転させることにより、第１の回転軸１１の位置に裏面
注入するための第２の回転軸１３を位置させ、次に第２
の回転軸１３を介して上述同様に操作しウェハー裏面へ
イオン注入する。
回転軸付ウェハーホルダー７に固定されたプラテン反転
用回転軸１２によりプラテンとホルダー全体を１８０゛
回転させることにより、第１の回転軸１１の位置に裏面
注入するための第２の回転軸１３を位置させ、次に第２
の回転軸１３を介して上述同様に操作しウェハー裏面へ
イオン注入する。
従って第５図及び第６図に示した従来のプラテンと比べ
、回転軸を新たに２本設ける事により、ウェハーの表面
及び裏面へのイオン注入を行うことができる。
、回転軸を新たに２本設ける事により、ウェハーの表面
及び裏面へのイオン注入を行うことができる。
第３図は本発明の第２の実施例のプラテンとウェハーホ
ルダーの断面図、第４図はその斜視図である。
ルダーの断面図、第４図はその斜視図である。
第１の実施例と同様に、ウェハーホルダー４と、貫通口
９が設けられたプラテン８Ａにウェハー１を固定する。
９が設けられたプラテン８Ａにウェハー１を固定する。
このプラテン８Ａにはウェハーの表面と裏面注入用の第
１の回転軸１１、第２の回転軸１３が設けられている。
１の回転軸１１、第２の回転軸１３が設けられている。
ウェハー１の表面にイオン注入する時は第１の回転軸１
１を介してイオンビーム６に対して約９０° （時計方
向）になるまでプラテンとホルダー全体を回転したのち
イオン注入する。ウェハー１の裏面にイオン注入する時
は、第２の回転軸１３を介してイオンビーム６に対して
約９０° （反時計方向）になるまでプラテンとホルダ
ー全体を回転したのちイオン注入する。
１を介してイオンビーム６に対して約９０° （時計方
向）になるまでプラテンとホルダー全体を回転したのち
イオン注入する。ウェハー１の裏面にイオン注入する時
は、第２の回転軸１３を介してイオンビーム６に対して
約９０° （反時計方向）になるまでプラテンとホルダ
ー全体を回転したのちイオン注入する。
以上説明したように本発明は、イオン注入装置のプラテ
ンに貫通口を設け、更にこのプラテンまたはウェハーホ
ルダーに回転軸を設け、プラテンまたはプラテンとホル
ダー全体を回転させる事により、レジストを塗布するこ
となく、しかもウェハー表面に損傷を与える事なしに、
ウェハー裏面にもイオン注入できる効果がある。
ンに貫通口を設け、更にこのプラテンまたはウェハーホ
ルダーに回転軸を設け、プラテンまたはプラテンとホル
ダー全体を回転させる事により、レジストを塗布するこ
となく、しかもウェハー表面に損傷を与える事なしに、
ウェハー裏面にもイオン注入できる効果がある。
ン、４・・・ウェハーホルダー、５・・・回転軸、６・
・・イオンビーム、７・・・回転軸付ウェハーホルダー
、８．８Ａ・・・プラテン、９・・・貫通口、１１・・
・第１の回転軸、１２・・・プラテン反転用回転軸、１
３・・・第２の回転軸。
・・イオンビーム、７・・・回転軸付ウェハーホルダー
、８．８Ａ・・・プラテン、９・・・貫通口、１１・・
・第１の回転軸、１２・・・プラテン反転用回転軸、１
３・・・第２の回転軸。
Claims (1)
- ウェハーの裏面を露出するための貫通孔を有するプラテ
ンと、前記プラテン上に載置されたウェハーを保持する
ウェハーホルダーと、前記ウェハーの表面または裏面を
イオンビームに対し垂直になるように前記プラテンまた
はウェハーホルダーを回転させるためのプラテンまたは
ウェハーホルダーに固定された回転軸とを含むことを特
徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196953A JPH0245921A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196953A JPH0245921A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245921A true JPH0245921A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16366403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196953A Pending JPH0245921A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003005786A1 (en) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Mejiro Precision, Inc. | Method for manufacturing printed wiring board |
| US6546162B1 (en) | 1999-06-17 | 2003-04-08 | Jds Fitel Inc. | 1½×2 optical switch with a transmissive switching element |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196953A patent/JPH0245921A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6546162B1 (en) | 1999-06-17 | 2003-04-08 | Jds Fitel Inc. | 1½×2 optical switch with a transmissive switching element |
| WO2003005786A1 (en) * | 2001-07-05 | 2003-01-16 | Mejiro Precision, Inc. | Method for manufacturing printed wiring board |
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