JPH01235242A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01235242A JPH01235242A JP6146688A JP6146688A JPH01235242A JP H01235242 A JPH01235242 A JP H01235242A JP 6146688 A JP6146688 A JP 6146688A JP 6146688 A JP6146688 A JP 6146688A JP H01235242 A JPH01235242 A JP H01235242A
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- JP
- Japan
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- wafer
- polysilicon
- polysilicon film
- single crystal
- deposition
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
シリコンウェーハを用いた半導体装置の製造方法、特に
、シリコンウェーへの裏面にポリシリコンを堆積してゲ
ッタリングサイトを形成する方法に関し、 プロセス熱処理中でのゲッタリング能力が維持されるも
のにすることを目的とし、 ポリシリコンの堆積に先立ち、単結晶シリコン上のポリ
シリコンが単結晶に固相成長するのを抑制する不純物を
ウェーハの裏面にイオン注入するように構成する。
、シリコンウェーへの裏面にポリシリコンを堆積してゲ
ッタリングサイトを形成する方法に関し、 プロセス熱処理中でのゲッタリング能力が維持されるも
のにすることを目的とし、 ポリシリコンの堆積に先立ち、単結晶シリコン上のポリ
シリコンが単結晶に固相成長するのを抑制する不純物を
ウェーハの裏面にイオン注入するように構成する。
本発明は、シリコンウェーハを用いた半導体装置の製造
方法に係り、特に、シリコンウェーへの裏面にポリシリ
コンを堆積してゲッタリングサイトを形成する方法に関
する。
方法に係り、特に、シリコンウェーへの裏面にポリシリ
コンを堆積してゲッタリングサイトを形成する方法に関
する。
シリコンウェーハを用いた半導体装置の製造においては
、ウェーハプロセス途上の汚染により導入されて素子特
性を劣化させる重金属やナトリウムなどの不純物を除去
・捕獲するため、ゲッタリング法が通用される。
、ウェーハプロセス途上の汚染により導入されて素子特
性を劣化させる重金属やナトリウムなどの不純物を除去
・捕獲するため、ゲッタリング法が通用される。
その一つ合である従来例は、第３図（ａ）の側断面図に
示すように、シリコンウェーハ１の裏面にポリシリコン
を堆積して厚さ１μｍ程度のポリシリコン膜２を形成し
、ポリシリコン膜２の粒界やつ工−ハ１とポリシリコン
膜２の界面を、プロセスの熱処理中に上記不純物を捕獲
するゲッタリングサイトにするものである。これは、所
謂エクストリンシック・ゲッタリング法の一つであり、
ポリシリコン膜２の形成は、ウェーハプロセスの初期ま
たは途中の適時に行う。
示すように、シリコンウェーハ１の裏面にポリシリコン
を堆積して厚さ１μｍ程度のポリシリコン膜２を形成し
、ポリシリコン膜２の粒界やつ工−ハ１とポリシリコン
膜２の界面を、プロセスの熱処理中に上記不純物を捕獲
するゲッタリングサイトにするものである。これは、所
謂エクストリンシック・ゲッタリング法の一つであり、
ポリシリコン膜２の形成は、ウェーハプロセスの初期ま
たは途中の適時に行う。
しかしながら上記従来例は、ポリシリコン膜２がウェー
ハｌである単結晶シリコン上にあって熱処理により単結
晶に固相成長するため、熱処理が重なるに従い、ポリシ
リコン膜２は、第３図（ｂｌの側断面図に示すようにウ
ェーハｌの側が単結晶化領域２ａとなってポリシリコン
領域２ｂが薄くなり、甚だしくはポリシリコン領域２ｂ
が消失するに至る。
ハｌである単結晶シリコン上にあって熱処理により単結
晶に固相成長するため、熱処理が重なるに従い、ポリシ
リコン膜２は、第３図（ｂｌの側断面図に示すようにウ
ェーハｌの側が単結晶化領域２ａとなってポリシリコン
領域２ｂが薄くなり、甚だしくはポリシリコン領域２ｂ
が消失するに至る。
このため、ゲッタリングサイトが減少してゲッタリング
能力が低下してくる問題がある。
能力が低下してくる問題がある。
そこで本発明は、シリコンウェーハの裏面にポリシリコ
ンを堆積してゲッタリングサイトを形成する方法におい
て、プロセス熱処理中でのゲッタリング能力が維持され
るものにすることを目的とする。
ンを堆積してゲッタリングサイトを形成する方法におい
て、プロセス熱処理中でのゲッタリング能力が維持され
るものにすることを目的とする。
上記目的は、ポリシリコンの堆積に先立ち、単結晶シリ
コン上のポリシリコンが単結晶に固相成長するのを抑制
する不純物をウェーハの裏面にイオン注入する本発明の
方法によって達成される。
コン上のポリシリコンが単結晶に固相成長するのを抑制
する不純物をウェーハの裏面にイオン注入する本発明の
方法によって達成される。
上記イオン注入した不純物は、堆積形成したポリシリコ
ン膜が固相成長するのを抑制する。このため熱処理が重
なっても、ポリシリコン膜はポリシリコン領域の目減り
が少なくなり、ゲッタリングサイトは減少が抑えられて
ゲッタリング能力を維持する。
ン膜が固相成長するのを抑制する。このため熱処理が重
なっても、ポリシリコン膜はポリシリコン領域の目減り
が少なくなり、ゲッタリングサイトは減少が抑えられて
ゲッタリング能力を維持する。
上記不純物としては、窒素、酸素またはアルゴンなどが
好適である。
好適である。
以下本発明の実施例について第１図及び第２図を用いて
説明する。第１図は実施例を説明する側断面図、第２図
は裏面イオン注入のための表面保護を示す側断面図、で
あり、全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
説明する。第１図は実施例を説明する側断面図、第２図
は裏面イオン注入のための表面保護を示す側断面図、で
あり、全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第１図において、実施例では、表裏面が平滑に仕上げら
れたシリコンウェーハ１の裏面に、先に述べた不純物で
ある窒素、酸素またはアルゴンを３で示すようにイオン
注入してからポリシリコン膜２を形成している。
れたシリコンウェーハ１の裏面に、先に述べた不純物で
ある窒素、酸素またはアルゴンを３で示すようにイオン
注入してからポリシリコン膜２を形成している。
イオン注入の条件は、ドーズ量Ｉ ＸＩＯ”／ｃｍでエ
ネルギ４０ＫｅＶ程度である。
ネルギ４０ＫｅＶ程度である。
ポリシリコン膜２は、ＣＶＤ （化学気相成長）法によ
り堆積形成し、成長温度は６５０℃、厚さは約１μ―で
ある。堆積が表裏の両面に行われる場合は、堆積の後に
表面の分を除去すれば良い。
り堆積形成し、成長温度は６５０℃、厚さは約１μ―で
ある。堆積が表裏の両面に行われる場合は、堆積の後に
表面の分を除去すれば良い。
このようにしてポリシリコン膜２が形成されたウェーハ
１は、従来例で述べたようにゲッタリングサイトが形成
されている。そして、ウェット洗浄してから通常のウェ
ーハプロセスに投入して半導体装置の製造に使用する。
１は、従来例で述べたようにゲッタリングサイトが形成
されている。そして、ウェット洗浄してから通常のウェ
ーハプロセスに投入して半導体装置の製造に使用する。
さすれば、ポリシリコン膜２は、不純物３により固相成
長が抑制されてプロセスの終段までポリシリコン領域を
目減りの少ない状態で保持し、ゲッタリングサイトはそ
のゲッタリング能力を維持する。
長が抑制されてプロセスの終段までポリシリコン領域を
目減りの少ない状態で保持し、ゲッタリングサイトはそ
のゲッタリング能力を維持する。
上述したゲッタリングサイトの形成は、従来例の場合と
同様にウェーハプロセス途上の適時に行っても良いこと
はいうまでもない。
同様にウェーハプロセス途上の適時に行っても良いこと
はいうまでもない。
ところで、イオン注入をウェーハｌの裏面に行う場合に
は、表面をイオン注入装置のウェーハチャックに当接さ
せてウェーハ１を保持する必要があることから、表面の
汚染防止のため第２図に示すように、ウェーハ１の表面
にレジストを塗布して保護膜４を形成しておくのが一般
である。この保護膜４はイオン注入の後に除去される。
は、表面をイオン注入装置のウェーハチャックに当接さ
せてウェーハ１を保持する必要があることから、表面の
汚染防止のため第２図に示すように、ウェーハ１の表面
にレジストを塗布して保護膜４を形成しておくのが一般
である。この保護膜４はイオン注入の後に除去される。
しかしながら、保持されたウェーハｌの面方向がほぼ垂
直であること、レジスト膜がチャッキングに対して馴染
の悪い場合があること、のために、一部のウェーハ１が
落下して破損する場合がある。
直であること、レジスト膜がチャッキングに対して馴染
の悪い場合があること、のために、一部のウェーハ１が
落下して破損する場合がある。
そのような場合には、保護膜４の材料をＣＶＤ法による
二酸化シリコンまたはスピン・オン・ガラス（Ｓｐｉｎ
ｏｎ ｇｌａｓｓ）にすることによりチャッキングを
確実にさせることができる。このことは、製造歩留りを
確保するため留意せねばならない事項である。
二酸化シリコンまたはスピン・オン・ガラス（Ｓｐｉｎ
ｏｎ ｇｌａｓｓ）にすることによりチャッキングを
確実にさせることができる。このことは、製造歩留りを
確保するため留意せねばならない事項である。
以上説明したように本発明の構成によれば、シリコンウ
ェーへの裏面にポリシリコンを堆積してゲッタリングサ
イトを形成する方法において、プロセス熱処理中でのゲ
ッタリング能力が維持されるものにすることを可能にさ
せる効果がある。
ェーへの裏面にポリシリコンを堆積してゲッタリングサ
イトを形成する方法において、プロセス熱処理中でのゲ
ッタリング能力が維持されるものにすることを可能にさ
せる効果がある。
第１図は実施例を説明する側断面図、
第２図は裏面イオン注入のための表面保護を示す側断面
図、 第３図は従来例を説明する側断面図、 である。 図において、 １はシリコンウェーハ・ ２はポリシリコン膜、 ２ａは単結晶化領域、 ２ｂはポリシリコン領域、 ３はイオン注入した不純物、 ４は表面の保護膜、 である。
図、 第３図は従来例を説明する側断面図、 である。 図において、 １はシリコンウェーハ・ ２はポリシリコン膜、 ２ａは単結晶化領域、 ２ｂはポリシリコン領域、 ３はイオン注入した不純物、 ４は表面の保護膜、 である。
Claims (1)
- シリコンウェーハの裏面にポリシリコンを堆積してゲ
ッタリングサイトを形成するに際して、ポリシリコンの
堆積に先立ち、単結晶シリコン上のポリシリコンが単結
晶に固相成長するのを抑制する不純物をウェーハの裏面
にイオン注入することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146688A JPH01235242A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146688A JPH01235242A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235242A true JPH01235242A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13171848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6146688A Pending JPH01235242A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235242A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5374842A (en) * | 1992-02-21 | 1994-12-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a gettering sink material layer |
| US5389551A (en) * | 1991-02-21 | 1995-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor substrate |
| US5970366A (en) * | 1996-07-16 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Method of removing metallic contaminants from simox substrate |
| US6221741B1 (en) | 1997-05-16 | 2001-04-24 | Nec Corporation | Process of fabricating a semiconductor substrate with semi-insulating polysilicon gettering site layer |
| US6300680B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-10-09 | Nec Corporation | Semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6146688A patent/JPH01235242A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5389551A (en) * | 1991-02-21 | 1995-02-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor substrate |
| US5374842A (en) * | 1992-02-21 | 1994-12-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with a gettering sink material layer |
| US5516706A (en) * | 1992-02-21 | 1996-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device with a gettering sink material layer |
| US5970366A (en) * | 1996-07-16 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Method of removing metallic contaminants from simox substrate |
| US6300680B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-10-09 | Nec Corporation | Semiconductor substrate and manufacturing method thereof |
| US6221741B1 (en) | 1997-05-16 | 2001-04-24 | Nec Corporation | Process of fabricating a semiconductor substrate with semi-insulating polysilicon gettering site layer |
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