JPH0245966A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH0245966A JPH0245966A JP63196877A JP19687788A JPH0245966A JP H0245966 A JPH0245966 A JP H0245966A JP 63196877 A JP63196877 A JP 63196877A JP 19687788 A JP19687788 A JP 19687788A JP H0245966 A JPH0245966 A JP H0245966A
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- semiconductor device
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- plating
- lead
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に異物の
付着を防止した半導体装置の外部リードの成形方法に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for molding external leads of a semiconductor device that prevents the attachment of foreign matter.
第2図は外部リードが成形され、パッケージされた半導
体装置を示す斜視図である。また、第3図(a)〜(f
>は成形加工金型により、外部リードを例えば、第2図
に示す所定の形状に成形するプロセスを示す部分拡大図
である。FIG. 2 is a perspective view showing a packaged semiconductor device with external leads molded thereon. In addition, Fig. 3(a) to (f)
> is a partially enlarged view showing a process of molding an external lead into the predetermined shape shown in FIG. 2, for example, using a molding die.
第3図において、1はパンチ、2は曲げグイ、3はパッ
ケージされた半導体装置、4は前記半導体装置3より突
設された外部リード、5は前記パンチ1が外部リード4
と接触することにより、外部リード4の表面の半田メッ
キが削られてパンチ1の側面にヒゲ状になって固着した
半田ヒゲである。In FIG. 3, 1 is a punch, 2 is a bending pin, 3 is a packaged semiconductor device, 4 is an external lead protruding from the semiconductor device 3, and 5 is the punch 1 connected to an external lead 4.
The solder plating on the surface of the external lead 4 is scraped off by contact with the punch 1, and the solder plating is fixed to the side surface of the punch 1 in the shape of a whisker.
次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.
外部リード4は、パンチ1によって第3図に示す工程に
従って所定の形状に成形加工される。すなわち、第3図
(a)に示すように、曲げダイ2にセットされた外部リ
ード4をパンチ1の下降動作とともに挟持し、第3図(
b)に示すように、外部リード4の曲げ加工が行われる
。この時、パンチ1が外部リード4の表面と接触するた
め表面の半田メッキがパンチ1により第3図(C)のよ
うに削り取られる。このように削り取られた半田ヒゲ5
はパンチ1の側面に第3図(d)に示すような形で固着
する。初期の段階では、この半田ヒゲ5は小さいが、何
回もプレスするに従い第3図(e)に示すように成長し
、ある大きさまで達すると、第3図(f)に示すように
、パンチ1から離れて、外部リード4に固着してしまう
。この様子を第4図に示す。The external lead 4 is formed into a predetermined shape using the punch 1 according to the steps shown in FIG. That is, as shown in FIG. 3(a), the external lead 4 set in the bending die 2 is clamped with the downward movement of the punch 1, and as shown in FIG.
As shown in b), the external lead 4 is bent. At this time, since the punch 1 comes into contact with the surface of the external lead 4, the solder plating on the surface is scraped off by the punch 1 as shown in FIG. 3(C). Solder beard 5 shaved off like this
is fixed to the side surface of the punch 1 in the form shown in FIG. 3(d). At the initial stage, the solder beard 5 is small, but as it is pressed many times, it grows as shown in FIG. 3(e), and when it reaches a certain size, it becomes a punch as shown in FIG. 1 and becomes stuck to the external lead 4. This situation is shown in FIG.
上記のような半田ヒゲ5の固着を防止するため、定期的
に金型の掃除を行っているが、この金型掃除は、製造ラ
インより金型をラインオフして金型の半田メッキをパフ
布等で機械的にこずって除去する方法であった。In order to prevent the solder whiskers 5 from sticking as described above, the mold is cleaned regularly, but this mold cleaning is done by taking the mold off the production line and puffing the solder plating on the mold. The method was to mechanically remove it with a cloth or the like.
従来の半導体装置の製造方法は、以上のような工程によ
り成形加工が行われているため、半田ヒゲ5が発生し、
これが外部リード4間をン−I−1・させるという問題
点があった。In the conventional semiconductor device manufacturing method, since the molding process is performed through the steps described above, solder whiskers 5 occur,
This caused a problem in that the external leads 4 were connected to each other.
また、定期的に金型掃除を行うため、製造ラインが長時
間停止して、生産効率が悪くなる問題点があった。In addition, since the molds are cleaned regularly, the production line is stopped for a long time, resulting in poor production efficiency.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半田ヒゲの発生を防止するとともに、生産
効率を向上させた半導体装置の製造方法を提供するもの
である。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and provides a method for manufacturing a semiconductor device that prevents the generation of solder whiskers and improves production efficiency.
この発明に係る半導体装置の製造方法は、外部リードの
成形加工時に、前記外部リードに施した外装メッキ材と
異なるメッキ材により、メッキが施された外部リードを
備えたダミー半導体装置を成形工程中に量産工程中の半
導体装置の間に挿入し、このダミー半導体装置の外部リ
ードの成形加工を行うものである。In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, during the molding process of an external lead, a dummy semiconductor device having an external lead plated with a plating material different from an exterior plating material applied to the external lead is formed during the molding process. The dummy semiconductor device is inserted between semiconductor devices during the mass production process, and the external leads of this dummy semiconductor device are formed.
この発明においては、半導体装置の外部リードの成形工
程中に、半田ヒゲを除去するため外装メッキ材と異なる
メッキ材が施された外部リードを備えたダミー半導体装
置を正規の半導体装置の間に挿入するようにし、加工金
型と量産工程中の外部リードの半田メッキの付着力より
も、ダミー半導体装置の外部リードのメッキと、量産工
程中の外部リードの半田メッキの付着力の方が強いこと
を利用することから、外部リードの成形工程中に加工金
型がダミー半導体装置の外部リードに圧着した際、加工
金型に付着した半田メッキくず等の異物を加工金型より
引きはがすことになり、量産工程中の半導体装置の外部
リードに異物が付着することはない。In this invention, during the process of molding the external leads of a semiconductor device, a dummy semiconductor device with external leads coated with a plating material different from the exterior plating material is inserted between regular semiconductor devices in order to remove solder whiskers. The adhesion between the solder plating on the external leads of the dummy semiconductor device and the solder plating on the external leads during the mass production process is stronger than the adhesion between the processing mold and the solder plating on the external leads during the mass production process. Because of this, when the processing mold is crimped onto the external lead of the dummy semiconductor device during the external lead molding process, foreign matter such as solder plating scraps attached to the processing mold must be peeled off from the processing mold. Therefore, foreign matter does not adhere to the external leads of the semiconductor device during the mass production process.
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
第1図(a)〜(d)において、第3図と同一符号は同
じものを示し、6は量産工程中のあるタイミングで挿入
されたダミー半導体装置の外部リードで、これには加工
金型であるパンチ1に付着した異物、例えばAgメッキ
が施されている。In FIGS. 1(a) to (d), the same reference numerals as in FIG. A foreign substance attached to the punch 1, for example, Ag plating is applied.
次に半導体装置の外部リード4の成形工程について説明
する。Next, a process for forming the external leads 4 of the semiconductor device will be explained.
第1図(a)は半田メッキを施した外部リード4を成形
した状態を示す。この図より、半田ヒゲ5が大きく成長
していることがわかる。このように半田ヒゲ5が大きく
なったままで成形作業を続けろと、パンチ1の側面の半
田ヒゲ5が外部り一ド4に固着されて外部リード4間を
シa l−させてしまう。そこで、第1図(b)〜(
d)に示すように、外部リード4のメッキと異なる、例
えばAgメッキを施した外部リード6を量産工程中に挿
入して成形加工することにより、パンチ1の側面の半田
ヒゲ5はこの外部リード6に固着し完全に除去する乙と
ができる。このため、通常の量産品には、半田ヒゲ5の
固着が全くない外部リード4の成形力万可能となる。FIG. 1(a) shows the solder-plated external lead 4 in a molded state. From this figure, it can be seen that the solder whiskers 5 have grown significantly. If the molding operation is continued while the solder whiskers 5 remain large as described above, the solder whiskers 5 on the side surface of the punch 1 will be stuck to the outer leads 4, causing a seal between the outer leads 4. Therefore, Fig. 1(b)-(
As shown in d), by inserting and molding an external lead 6 plated with Ag, which is different from the plating of the external lead 4, during the mass production process, the solder whiskers 5 on the side surface of the punch 1 are formed by this external lead. It is possible to stick to 6 and completely remove it. For this reason, it is possible to form the external lead 4 without any adhesion of the solder whiskers 5 in a normal mass-produced product.
なお、外部リード4のメッキと異なるAgメッキを施し
た外部リード6を通常の量産工程の中に挿入して成形加
工する頻度は、加工条件等により適宜な間隔を選べばよ
い。The frequency at which the external leads 6 coated with Ag plating, which is different from the plating of the external leads 4, is inserted into the normal mass production process and molded may be determined at an appropriate interval depending on the processing conditions and the like.
また、上記実施例では、外装メッキを半田とした場合、
パンチ1等に付着した異物を除去するものとして、Ag
メッキを施した外部リード6を使用した場合を示したが
、どんな種類の外装メッキでもよく、要はパンチ1等に
付着した半田ヒゲ5等を剥離して除去できるような異種
のメッキを施したものであれば、上記実施例と同様の効
果が得られる。In addition, in the above embodiment, when the exterior plating is solder,
Ag is used to remove foreign matter attached to punch 1, etc.
Although the case where a plated external lead 6 is used is shown, any type of exterior plating may be used, and in short, a different type of plating is applied so that the solder hair 5 etc. attached to the punch 1 etc. can be peeled off and removed. If this is the case, the same effects as in the above embodiment can be obtained.
以上説明したようにこの発明によれば、外部リードの成
形加工時に、外部リードに施した外装メッキ材と異なる
メッキ材により、メッキが施された外部リードを備えた
ダミー半導体装置を成形工程中に量産工程中の半導体装
置の間に挿入し、このダミー半導体装置の外部リードの
成形加工を行って加工金型に付着した異物の除去を行う
ようにしたので、加工金型に付着した半田ヒゲ等の異物
はダミー半導体装置の外部リードに付着して除去される
。したがって、このダミー半導体装置を加工条件等によ
り適宜な間隔で挿入すれば通常の量産工程中の外部リー
ドには半田ヒゲが固着することがなくなり、成形工程中
に所要間隔で挿入されたダミー半導体装置の外部リード
により、成形加工時に加工金型に付着した半田ヒゲが除
去される。As explained above, according to the present invention, during the molding process of the external lead, a dummy semiconductor device having the external lead plated with a plating material different from the exterior plating material applied to the external lead is formed during the molding process. This dummy semiconductor device is inserted between semiconductor devices during the mass production process, and the external leads of this dummy semiconductor device are molded to remove foreign matter attached to the processing mold, so solder whiskers etc. attached to the processing mold are removed. The foreign matter adheres to the external leads of the dummy semiconductor device and is removed. Therefore, if these dummy semiconductor devices are inserted at appropriate intervals depending on the processing conditions, solder whiskers will not stick to the external leads during the normal mass production process, and the dummy semiconductor devices inserted at the required intervals during the molding process will The external lead removes solder whiskers that adhere to the processing die during molding.
したがって、外部リード間をショートさせろという不具
合が全く生じない高歩留り、高品質の半導体装置が安価
に製造できる効果がある。Therefore, there is an effect that a high-yield, high-quality semiconductor device can be manufactured at low cost without any problems such as short-circuiting between external leads.
第1図は乙の発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
説明するための断面図、第2図は成形加工された外部リ
ードを備えた一般的な半導体装置の斜視図、第3図は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図、第
4図は外部リードに半田ヒゲが固着した状態を示す従来
の半導体装置の拡大斜視図である。
図において、1はパンチ、2は曲げグイ、3は半導体装
置、4は外部リード、5は半田ヒゲ、6はAgメッキが
施された外部リードである。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図
第1図
第
図
第
図
第
図
第
図FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining an embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to B's invention, FIG. 2 is a perspective view of a general semiconductor device with molded external leads, and FIG. 3 4 is a cross-sectional view for explaining a conventional method of manufacturing a semiconductor device, and FIG. 4 is an enlarged perspective view of the conventional semiconductor device showing a state in which solder whiskers are fixed to external leads. In the figure, 1 is a punch, 2 is a bending pin, 3 is a semiconductor device, 4 is an external lead, 5 is a solder beard, and 6 is an external lead plated with Ag. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent: Masuo Oiwa (2 others) Figure 1 Figure 1 Figure 1 Figure Figure Figure Figure
Claims (1)
前記外部リードを所要形状に成形する半導体装置の製造
工程において、前記外部リードの成形加工時に、前記外
部リードに施した外装メッキ材と異なるメッキ材により
、メッキが施された外部リードを備えたダミー半導体装
置を前記成形工程中に量産工程中の半導体装置の間に挿
入し、このダミー半導体装置の外部リードの成形加工を
行って加工金型に付着した異物の除去を行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法。Supplying semiconductor devices with external leads at predetermined intervals,
In the manufacturing process of a semiconductor device in which the external lead is molded into a desired shape, a dummy is provided with an external lead plated with a plating material different from an exterior plating material applied to the external lead during the molding process of the external lead. A semiconductor device characterized in that the semiconductor device is inserted between the semiconductor devices in the mass production process during the molding process, and the external leads of the dummy semiconductor device are molded to remove foreign matter attached to the processing mold. Method of manufacturing the device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196877A JPH0245966A (en) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196877A JPH0245966A (en) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245966A true JPH0245966A (en) | 1990-02-15 |
Family
ID=16365137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196877A Pending JPH0245966A (en) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245966A (en) |
-
1988
- 1988-08-06 JP JP63196877A patent/JPH0245966A/en active Pending
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