JPH0245966A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0245966A JPH0245966A JP63196877A JP19687788A JPH0245966A JP H0245966 A JPH0245966 A JP H0245966A JP 63196877 A JP63196877 A JP 63196877A JP 19687788 A JP19687788 A JP 19687788A JP H0245966 A JPH0245966 A JP H0245966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- external lead
- plating
- lead
- external
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に異物の
付着を防止した半導体装置の外部リードの成形方法に関
するものである。
付着を防止した半導体装置の外部リードの成形方法に関
するものである。
第２図は外部リードが成形され、パッケージされた半導
体装置を示す斜視図である。また、第３図（ａ）〜（ｆ
＞は成形加工金型により、外部リードを例えば、第２図
に示す所定の形状に成形するプロセスを示す部分拡大図
である。
体装置を示す斜視図である。また、第３図（ａ）〜（ｆ
＞は成形加工金型により、外部リードを例えば、第２図
に示す所定の形状に成形するプロセスを示す部分拡大図
である。
第３図において、１はパンチ、２は曲げグイ、３はパッ
ケージされた半導体装置、４は前記半導体装置３より突
設された外部リード、５は前記パンチ１が外部リード４
と接触することにより、外部リード４の表面の半田メッ
キが削られてパンチ１の側面にヒゲ状になって固着した
半田ヒゲである。
ケージされた半導体装置、４は前記半導体装置３より突
設された外部リード、５は前記パンチ１が外部リード４
と接触することにより、外部リード４の表面の半田メッ
キが削られてパンチ１の側面にヒゲ状になって固着した
半田ヒゲである。
次に動作について説明する。
外部リード４は、パンチ１によって第３図に示す工程に
従って所定の形状に成形加工される。すなわち、第３図
（ａ）に示すように、曲げダイ２にセットされた外部リ
ード４をパンチ１の下降動作とともに挟持し、第３図（
ｂ）に示すように、外部リード４の曲げ加工が行われる
。この時、パンチ１が外部リード４の表面と接触するた
め表面の半田メッキがパンチ１により第３図（Ｃ）のよ
うに削り取られる。このように削り取られた半田ヒゲ５
はパンチ１の側面に第３図（ｄ）に示すような形で固着
する。初期の段階では、この半田ヒゲ５は小さいが、何
回もプレスするに従い第３図（ｅ）に示すように成長し
、ある大きさまで達すると、第３図（ｆ）に示すように
、パンチ１から離れて、外部リード４に固着してしまう
。この様子を第４図に示す。
従って所定の形状に成形加工される。すなわち、第３図
（ａ）に示すように、曲げダイ２にセットされた外部リ
ード４をパンチ１の下降動作とともに挟持し、第３図（
ｂ）に示すように、外部リード４の曲げ加工が行われる
。この時、パンチ１が外部リード４の表面と接触するた
め表面の半田メッキがパンチ１により第３図（Ｃ）のよ
うに削り取られる。このように削り取られた半田ヒゲ５
はパンチ１の側面に第３図（ｄ）に示すような形で固着
する。初期の段階では、この半田ヒゲ５は小さいが、何
回もプレスするに従い第３図（ｅ）に示すように成長し
、ある大きさまで達すると、第３図（ｆ）に示すように
、パンチ１から離れて、外部リード４に固着してしまう
。この様子を第４図に示す。
上記のような半田ヒゲ５の固着を防止するため、定期的
に金型の掃除を行っているが、この金型掃除は、製造ラ
インより金型をラインオフして金型の半田メッキをパフ
布等で機械的にこずって除去する方法であった。
に金型の掃除を行っているが、この金型掃除は、製造ラ
インより金型をラインオフして金型の半田メッキをパフ
布等で機械的にこずって除去する方法であった。
従来の半導体装置の製造方法は、以上のような工程によ
り成形加工が行われているため、半田ヒゲ５が発生し、
これが外部リード４間をン−Ｉ−１・させるという問題
点があった。
り成形加工が行われているため、半田ヒゲ５が発生し、
これが外部リード４間をン−Ｉ−１・させるという問題
点があった。
また、定期的に金型掃除を行うため、製造ラインが長時
間停止して、生産効率が悪くなる問題点があった。
間停止して、生産効率が悪くなる問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、半田ヒゲの発生を防止するとともに、生産
効率を向上させた半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
れたもので、半田ヒゲの発生を防止するとともに、生産
効率を向上させた半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、外部リードの
成形加工時に、前記外部リードに施した外装メッキ材と
異なるメッキ材により、メッキが施された外部リードを
備えたダミー半導体装置を成形工程中に量産工程中の半
導体装置の間に挿入し、このダミー半導体装置の外部リ
ードの成形加工を行うものである。
成形加工時に、前記外部リードに施した外装メッキ材と
異なるメッキ材により、メッキが施された外部リードを
備えたダミー半導体装置を成形工程中に量産工程中の半
導体装置の間に挿入し、このダミー半導体装置の外部リ
ードの成形加工を行うものである。
この発明においては、半導体装置の外部リードの成形工
程中に、半田ヒゲを除去するため外装メッキ材と異なる
メッキ材が施された外部リードを備えたダミー半導体装
置を正規の半導体装置の間に挿入するようにし、加工金
型と量産工程中の外部リードの半田メッキの付着力より
も、ダミー半導体装置の外部リードのメッキと、量産工
程中の外部リードの半田メッキの付着力の方が強いこと
を利用することから、外部リードの成形工程中に加工金
型がダミー半導体装置の外部リードに圧着した際、加工
金型に付着した半田メッキくず等の異物を加工金型より
引きはがすことになり、量産工程中の半導体装置の外部
リードに異物が付着することはない。
程中に、半田ヒゲを除去するため外装メッキ材と異なる
メッキ材が施された外部リードを備えたダミー半導体装
置を正規の半導体装置の間に挿入するようにし、加工金
型と量産工程中の外部リードの半田メッキの付着力より
も、ダミー半導体装置の外部リードのメッキと、量産工
程中の外部リードの半田メッキの付着力の方が強いこと
を利用することから、外部リードの成形工程中に加工金
型がダミー半導体装置の外部リードに圧着した際、加工
金型に付着した半田メッキくず等の異物を加工金型より
引きはがすことになり、量産工程中の半導体装置の外部
リードに異物が付着することはない。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）において、第３図と同一符号は同
じものを示し、６は量産工程中のあるタイミングで挿入
されたダミー半導体装置の外部リードで、これには加工
金型であるパンチ１に付着した異物、例えばＡｇメッキ
が施されている。
じものを示し、６は量産工程中のあるタイミングで挿入
されたダミー半導体装置の外部リードで、これには加工
金型であるパンチ１に付着した異物、例えばＡｇメッキ
が施されている。
次に半導体装置の外部リード４の成形工程について説明
する。
する。
第１図（ａ）は半田メッキを施した外部リード４を成形
した状態を示す。この図より、半田ヒゲ５が大きく成長
していることがわかる。このように半田ヒゲ５が大きく
なったままで成形作業を続けろと、パンチ１の側面の半
田ヒゲ５が外部り一ド４に固着されて外部リード４間を
シａ ｌ−させてしまう。そこで、第１図（ｂ）〜（
ｄ）に示すように、外部リード４のメッキと異なる、例
えばＡｇメッキを施した外部リード６を量産工程中に挿
入して成形加工することにより、パンチ１の側面の半田
ヒゲ５はこの外部リード６に固着し完全に除去する乙と
ができる。このため、通常の量産品には、半田ヒゲ５の
固着が全くない外部リード４の成形力万可能となる。
した状態を示す。この図より、半田ヒゲ５が大きく成長
していることがわかる。このように半田ヒゲ５が大きく
なったままで成形作業を続けろと、パンチ１の側面の半
田ヒゲ５が外部り一ド４に固着されて外部リード４間を
シａ ｌ−させてしまう。そこで、第１図（ｂ）〜（
ｄ）に示すように、外部リード４のメッキと異なる、例
えばＡｇメッキを施した外部リード６を量産工程中に挿
入して成形加工することにより、パンチ１の側面の半田
ヒゲ５はこの外部リード６に固着し完全に除去する乙と
ができる。このため、通常の量産品には、半田ヒゲ５の
固着が全くない外部リード４の成形力万可能となる。
なお、外部リード４のメッキと異なるＡｇメッキを施し
た外部リード６を通常の量産工程の中に挿入して成形加
工する頻度は、加工条件等により適宜な間隔を選べばよ
い。
た外部リード６を通常の量産工程の中に挿入して成形加
工する頻度は、加工条件等により適宜な間隔を選べばよ
い。
また、上記実施例では、外装メッキを半田とした場合、
パンチ１等に付着した異物を除去するものとして、Ａｇ
メッキを施した外部リード６を使用した場合を示したが
、どんな種類の外装メッキでもよく、要はパンチ１等に
付着した半田ヒゲ５等を剥離して除去できるような異種
のメッキを施したものであれば、上記実施例と同様の効
果が得られる。
パンチ１等に付着した異物を除去するものとして、Ａｇ
メッキを施した外部リード６を使用した場合を示したが
、どんな種類の外装メッキでもよく、要はパンチ１等に
付着した半田ヒゲ５等を剥離して除去できるような異種
のメッキを施したものであれば、上記実施例と同様の効
果が得られる。
以上説明したようにこの発明によれば、外部リードの成
形加工時に、外部リードに施した外装メッキ材と異なる
メッキ材により、メッキが施された外部リードを備えた
ダミー半導体装置を成形工程中に量産工程中の半導体装
置の間に挿入し、このダミー半導体装置の外部リードの
成形加工を行って加工金型に付着した異物の除去を行う
ようにしたので、加工金型に付着した半田ヒゲ等の異物
はダミー半導体装置の外部リードに付着して除去される
。したがって、このダミー半導体装置を加工条件等によ
り適宜な間隔で挿入すれば通常の量産工程中の外部リー
ドには半田ヒゲが固着することがなくなり、成形工程中
に所要間隔で挿入されたダミー半導体装置の外部リード
により、成形加工時に加工金型に付着した半田ヒゲが除
去される。
形加工時に、外部リードに施した外装メッキ材と異なる
メッキ材により、メッキが施された外部リードを備えた
ダミー半導体装置を成形工程中に量産工程中の半導体装
置の間に挿入し、このダミー半導体装置の外部リードの
成形加工を行って加工金型に付着した異物の除去を行う
ようにしたので、加工金型に付着した半田ヒゲ等の異物
はダミー半導体装置の外部リードに付着して除去される
。したがって、このダミー半導体装置を加工条件等によ
り適宜な間隔で挿入すれば通常の量産工程中の外部リー
ドには半田ヒゲが固着することがなくなり、成形工程中
に所要間隔で挿入されたダミー半導体装置の外部リード
により、成形加工時に加工金型に付着した半田ヒゲが除
去される。
したがって、外部リード間をショートさせろという不具
合が全く生じない高歩留り、高品質の半導体装置が安価
に製造できる効果がある。
合が全く生じない高歩留り、高品質の半導体装置が安価
に製造できる効果がある。
第１図は乙の発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
説明するための断面図、第２図は成形加工された外部リ
ードを備えた一般的な半導体装置の斜視図、第３図は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図、第
４図は外部リードに半田ヒゲが固着した状態を示す従来
の半導体装置の拡大斜視図である。 図において、１はパンチ、２は曲げグイ、３は半導体装
置、４は外部リード、５は半田ヒゲ、６はＡｇメッキが
施された外部リードである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第１図 第 図 第 図 第 図 第 図
説明するための断面図、第２図は成形加工された外部リ
ードを備えた一般的な半導体装置の斜視図、第３図は従
来の半導体装置の製造方法を説明するための断面図、第
４図は外部リードに半田ヒゲが固着した状態を示す従来
の半導体装置の拡大斜視図である。 図において、１はパンチ、２は曲げグイ、３は半導体装
置、４は外部リード、５は半田ヒゲ、６はＡｇメッキが
施された外部リードである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第１図 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 外部リードを備えた半導体装置を所定の間隔で供給し、
前記外部リードを所要形状に成形する半導体装置の製造
工程において、前記外部リードの成形加工時に、前記外
部リードに施した外装メッキ材と異なるメッキ材により
、メッキが施された外部リードを備えたダミー半導体装
置を前記成形工程中に量産工程中の半導体装置の間に挿
入し、このダミー半導体装置の外部リードの成形加工を
行って加工金型に付着した異物の除去を行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196877A JPH0245966A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196877A JPH0245966A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245966A true JPH0245966A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16365137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196877A Pending JPH0245966A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245966A (ja) |
-
1988
- 1988-08-06 JP JP63196877A patent/JPH0245966A/ja active Pending
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