JPH0245987A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0245987A JPH0245987A JP19685288A JP19685288A JPH0245987A JP H0245987 A JPH0245987 A JP H0245987A JP 19685288 A JP19685288 A JP 19685288A JP 19685288 A JP19685288 A JP 19685288A JP H0245987 A JPH0245987 A JP H0245987A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- electrode
- contact
- laser chip
- semiconductor laser
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体レーザ装置に係り、特にレーザチッ
プのストレスを除去した絶縁膜と電極との多層構造に関
するものである。
プのストレスを除去した絶縁膜と電極との多層構造に関
するものである。
（従来の技術）
第３図は従来の半導体レーザ装置のレーザチップの断面
図で、活性層の両脇にメサが形成された構造における絶
縁膜と電極の構造の一例である。
図で、活性層の両脇にメサが形成された構造における絶
縁膜と電極の構造の一例である。
この図で、１はレーザチップ、２は活性層、３は絶縁膜
、４は電極、７はブロック層である。この半導体レーザ
装置は、レーザチップ１の活性層２の両脇にメサを形成
した後、バターニングによりコンタクトを形成する面以
外に絶縁膜３を形成し、さらに、コンタクトを形成する
面を含む全面に電極４を形成したものである。
、４は電極、７はブロック層である。この半導体レーザ
装置は、レーザチップ１の活性層２の両脇にメサを形成
した後、バターニングによりコンタクトを形成する面以
外に絶縁膜３を形成し、さらに、コンタクトを形成する
面を含む全面に電極４を形成したものである。
次に動作について説明する。
この構造では、活性層２の両脇にメサが形成されている
ためメサの内側のみに電流が流れ、メサの外側とは電気
的に分離される。したがって、メサの外側に直流電流が
流れることはない。一方、高周波変調を行った場合には
、メサの内側では比較的容量の大きなｐｎｐｎ構造によ
るブロック層７を介して電流が流れ、メサの外側では比
較的容量の小さなレーザチップ１表面、絶縁膜３．電極
４とからなるＭＩＳ構造を介して電流が流れる。
ためメサの内側のみに電流が流れ、メサの外側とは電気
的に分離される。したがって、メサの外側に直流電流が
流れることはない。一方、高周波変調を行った場合には
、メサの内側では比較的容量の大きなｐｎｐｎ構造によ
るブロック層７を介して電流が流れ、メサの外側では比
較的容量の小さなレーザチップ１表面、絶縁膜３．電極
４とからなるＭＩＳ構造を介して電流が流れる。
したがって、メサを形成することによりレーザチップ１
の容量は、面積の大部分を占める比較的容量の小さなＭ
ＩＳ構造に依存するため、全体の容量を低減化できる。
の容量は、面積の大部分を占める比較的容量の小さなＭ
ＩＳ構造に依存するため、全体の容量を低減化できる。
さらに、絶縁膜３の膜厚を厚くすることにより、容量の
低減化が可能となる。
低減化が可能となる。
しかしながら、上記のような従来の半導体レーザ装置の
容量の低減化には、第３図の絶縁膜３はできる限り厚く
する方が良いが、絶縁膜３を厚くし過ぎると絶縁膜３の
応力が活性層２を含むレーザチップ１にストレスを与え
、レーザの寿命に悪影響を与えるという問題点があった
。
容量の低減化には、第３図の絶縁膜３はできる限り厚く
する方が良いが、絶縁膜３を厚くし過ぎると絶縁膜３の
応力が活性層２を含むレーザチップ１にストレスを与え
、レーザの寿命に悪影響を与えるという問題点があった
。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、レーザチップにストレスを与えることなく
、容量を低減化することができる半導体レーザ装置を得
ることを目的とする。
れたもので、レーザチップにストレスを与えることなく
、容量を低減化することができる半導体レーザ装置を得
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明に係る半導体レーザ装置は、コンタクトを形成
する面以外のレーザチップの上面に絶縁膜と電極を交互
に多層構造に積層するとともに、コンタクト面と接触す
る電極を他の電極と絶縁して形成したものである。
する面以外のレーザチップの上面に絶縁膜と電極を交互
に多層構造に積層するとともに、コンタクト面と接触す
る電極を他の電極と絶縁して形成したものである。
この発明における多層構造に積層した絶縁膜と電極はそ
れぞれが容量の役割をなし、それらが直列に接続された
ものになっている。したがって、全体として容量を低減
化でき、しかも各絶縁膜の応力は比較的柔らかな電極で
緩和されるため、レーザチップにストレスを与えること
がない。
れぞれが容量の役割をなし、それらが直列に接続された
ものになっている。したがって、全体として容量を低減
化でき、しかも各絶縁膜の応力は比較的柔らかな電極で
緩和されるため、レーザチップにストレスを与えること
がない。
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
断面図である。この図で、第３図と同一符号は同一構成
部分を示すが、ここでは絶縁膜３を第１の絶縁膜といい
、電極４を第１の電極という。５は前記第１の電極４上
に形成された第２の絶縁膜、６は前記第２の絶縁膜５上
に形成された第２の電極である。
断面図である。この図で、第３図と同一符号は同一構成
部分を示すが、ここでは絶縁膜３を第１の絶縁膜といい
、電極４を第１の電極という。５は前記第１の電極４上
に形成された第２の絶縁膜、６は前記第２の絶縁膜５上
に形成された第２の電極である。
次に、この発明の製造プロセスを第２図（ａ）〜（Ｃ）
について説明する。
について説明する。
まず、第２図（ａ）において、活性層２の脇にメサを形
成したレーザチップ１の表面上に、第２図（ｂ）に示す
ように、バターニングによりコンタクトを形成する面以
外に第１の絶縁膜３とその上面に第１の電極４を形成す
る。次に、第２図（Ｃ）に示すように、バターニングに
よりコンタクトを形成する面以外に第１の電極４が露出
しないようにして第２の絶縁膜５を形成する。最後に、
上面全面に第２の電極６を形成し、第１図のような多層
構造を得る。
成したレーザチップ１の表面上に、第２図（ｂ）に示す
ように、バターニングによりコンタクトを形成する面以
外に第１の絶縁膜３とその上面に第１の電極４を形成す
る。次に、第２図（Ｃ）に示すように、バターニングに
よりコンタクトを形成する面以外に第１の電極４が露出
しないようにして第２の絶縁膜５を形成する。最後に、
上面全面に第２の電極６を形成し、第１図のような多層
構造を得る。
次に動作について説明する。
この構造では、活性層２の両脇にメサが形成されている
ために、メサの内側のみに電流が流れ、メサの外側とは
電気的に分離される。したがって、メサの外側に直流電
流が流れることはない。
ために、メサの内側のみに電流が流れ、メサの外側とは
電気的に分離される。したがって、メサの外側に直流電
流が流れることはない。
一方、高周波変調を行った場合には、メサの内側では比
較的容量の大きなｐｎｐｎ構造によるブロック層７を介
して電流が流れ、メサの外側ではレーザチップ１表面、
第１の絶縁膜３．第１の電極４、第２の絶縁膜５および
第２の電極６とからなる２層のＭＩＳ構造を介して電流
が流れる。このＭＩＳ構造では第１の電極４を第１の絶
縁膜３と第２の絶縁膜６との間に挿入することにより、
容量を直列に接続した構造となっている。したがつて、
この２層のＭＩＳ構造の容量が低減化され、しかも、こ
の２層のＭＩＳ構造の領域はレーザチップ１の上面の面
積の大部分を占めるため、全体の容量が低減化される。
較的容量の大きなｐｎｐｎ構造によるブロック層７を介
して電流が流れ、メサの外側ではレーザチップ１表面、
第１の絶縁膜３．第１の電極４、第２の絶縁膜５および
第２の電極６とからなる２層のＭＩＳ構造を介して電流
が流れる。このＭＩＳ構造では第１の電極４を第１の絶
縁膜３と第２の絶縁膜６との間に挿入することにより、
容量を直列に接続した構造となっている。したがつて、
この２層のＭＩＳ構造の容量が低減化され、しかも、こ
の２層のＭＩＳ構造の領域はレーザチップ１の上面の面
積の大部分を占めるため、全体の容量が低減化される。
以上説明したようにこの発明は、コンタクトを形成する
面以外のレーザチップの上面に絶縁膜と電極を交互に多
層構造に積層するとともに、コンタクト面と接触する電
極を他の電極と絶縁して形成したので、半導体レーザ装
誼の容量を低減化できるとともに、絶縁膜の応力による
ストレスをレーザチップに与えることがなくなり、長寿
命の半導体レーザ装置を得ることができる。
面以外のレーザチップの上面に絶縁膜と電極を交互に多
層構造に積層するとともに、コンタクト面と接触する電
極を他の電極と絶縁して形成したので、半導体レーザ装
誼の容量を低減化できるとともに、絶縁膜の応力による
ストレスをレーザチップに与えることがなくなり、長寿
命の半導体レーザ装置を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ装置を
示す断面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製
造プロセスを示す断面図、第３図は従来の半導体レーザ
装置を示す断面図である。 図において、１はレーザチップ、２は活性層、３は第１
の絶縁膜、４は第１の電極、５は第２の絶縁膜、 ６は第２の電極、 ７はブロック層であ る。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
示す断面図、第２図はこの発明の半導体レーザ装置の製
造プロセスを示す断面図、第３図は従来の半導体レーザ
装置を示す断面図である。 図において、１はレーザチップ、２は活性層、３は第１
の絶縁膜、４は第１の電極、５は第２の絶縁膜、 ６は第２の電極、 ７はブロック層であ る。 なお、 各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- メサ型のレーザチップのコンタクトを形成する面以外の
上面に、絶縁膜と電極を交互に多層構造に積層するとと
もに、コンタクト面と接触する電極を他の電極と絶縁し
て形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19685288A JPH0245987A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19685288A JPH0245987A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0245987A true JPH0245987A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16364730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19685288A Pending JPH0245987A (ja) | 1988-08-06 | 1988-08-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245987A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223387A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2006324427A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
-
1988
- 1988-08-06 JP JP19685288A patent/JPH0245987A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223387A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2006324427A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
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