JPS5890755A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5890755A
JPS5890755A JP56188787A JP18878781A JPS5890755A JP S5890755 A JPS5890755 A JP S5890755A JP 56188787 A JP56188787 A JP 56188787A JP 18878781 A JP18878781 A JP 18878781A JP S5890755 A JPS5890755 A JP S5890755A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrate
semiconductor substrate
wiring
capacitance
Prior art date
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Pending
Application number
JP56188787A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuyoshi Tanahashi
棚橋　強司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5890755A publication Critical patent/JPS5890755A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/66—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors

Landscapes

  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に係９、特に高集積化が可能な半纏
体装振の構造に関する。
現在、半導体装置、特に絶縁ゲート型半導体装瀘におけ
る回路は、一般にトランジスターと容量とで栴成される
ことが多い。最近の半導体製造の進歩で高集積度の集積
回路を笑現するために、トランジスターの電気特性は改
善されてきた。一方谷意に関しては容量を形成する絶縁
膜を薄くすることによって単位面＠轟夛の容量の増加尋
で改善されてはいるが、大容量を必要とする回路の果状
には大きな面積を必要とし高集積度化の妨げになってい
る。
本発明の目的は単位面積当りの容量を増加しかつ他の信
号勢による雑音を無くした精度よい容量を形成し、集積
回路の高集＆度化を可能にする半導体装置を提供するこ
とにある。
本発明の特徴は、半導体基板上のゲート絶縁膜上に形成
した第１の電極と、この電極を酸化して成長した絶縁膜
に接して形成する第２の電極と、この第２の電極上に絶
縁膜を介して第３の電極を形成し、前記第１の電極下の
半導体基板表面と、第２の電極とを電気的に接続した半
導体装置にあるＯ 本発明によれば、容量、形成、電極と半導体基板間で容
量をもたせるだけでなく前記電極上にも薄い絶縁膜を介
して形成した電極間とにも容量を形成し、かつ咳電極は
シールド電極としての働きをなさしめることによ）、該
シールド％極上に雑音発生源ともなる任意の信号電極を
配線可能となる。
次に本兜明會図面を用いて脱期する。第１図に、本発明
の一実施例の断面図を示す。半導体基板１に薄いゲート
絶縁膜２を介して容量を形成する電極３を形成する。次
に該電極３を熱歌化することによって形成した薄い絶縁
膜４に接してシールド電極５を設けた後、層間絶縁膜６
を介して配線電極７を形成する。最仮にシールド電極５
と半導体基板１上に形成した拡散領域８とを電極９で電
気的に接続する。前記拡散層８と電極３下の半導体基板
表面２との導通は前目ピ半導体表面２に拡散領域と同導
％型の不純物を拡散することＫよυ行う。
以上、本発明の一実施例を断面融を用いて説明した。な
お１本発明実施例の評しい製造方法は、当業界一般に竹
なわれている半導体製造方法であるので鳴略する。
第１図の説明で述べたように本発明は、例えは任意の信
号配線７の下に容量成分を絶縁膜２を介して電極３と半
導体基板表面１０の間に有しかつ絶縁膜４を介して前記
電極３と電極５の間にも有す。電極５は電極３との間に
容量を吃たせると同時に配線電極７の電極３に及はす雑
音を防止するシールド電極の働きもなす。
このように本発明は一平面内に半導体基板と該基板上に
形成した三層の電極及び層間絶縁膜とをそれぞれ回路の
構成手段として利用し、高集積度な半導体装置を実現可
能にする。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明実施例の断面図である。 カお図において、１・・・・・・半導体基板、２，４゜
６・・・・・・絶縁膜、３，５，７．９・・・・・・電
極、８・・・・・・拡散層、１０・・・・・・不純物！
ｔｊ１％である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板上のケート絶縁繰上に形成した第１の電極と
    、該電極を酸化して成長した絶縁膜に接して形成する第
    ２の電極と、該第２の電極上に絶縁＠を介して形成した
    第３の電極とを含み、前記第１の＝ｍ下の前記半導体基
    板表面と前記第２の電極が一気的に接続されていること
    を特徴とする半導体装置。
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