JPH0246010A - 広帯域増幅器 - Google Patents

広帯域増幅器

Info

Publication number
JPH0246010A
JPH0246010A JP63196149A JP19614988A JPH0246010A JP H0246010 A JPH0246010 A JP H0246010A JP 63196149 A JP63196149 A JP 63196149A JP 19614988 A JP19614988 A JP 19614988A JP H0246010 A JPH0246010 A JP H0246010A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
trs
transistor
output
transistors
amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63196149A
Other languages
English (en)
Inventor
Minoru Tanaami
田名網 實
Michiko Naito
内藤 三智子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ENU ESU KK
Original Assignee
ENU ESU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ENU ESU KK filed Critical ENU ESU KK
Priority to JP63196149A priority Critical patent/JPH0246010A/ja
Priority to KR1019900700726A priority patent/KR900702642A/ko
Priority to US07/465,253 priority patent/US5047732A/en
Priority to AU40436/89A priority patent/AU631563B2/en
Priority to EP19890909038 priority patent/EP0380703A4/en
Priority to PCT/JP1989/000805 priority patent/WO1990001831A1/ja
Publication of JPH0246010A publication Critical patent/JPH0246010A/ja
Priority to GB9007797A priority patent/GB2229879A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/42Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
    • H03F1/48Modifications of amplifiers to extend the bandwidth of aperiodic amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/34Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/211Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3066Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the collectors of complementary power transistors being connected to the output
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30006Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor the push and the pull stages of the SEPP amplifier are both current mirrors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/30Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor
    • H03F2203/30057Indexing scheme relating to single-ended push-pull [SEPP]; Phase-splitters therefor the SEPP power transistors are realised as paralleled FETs, i.e. the push or the pull transistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はトランジスタを用いた広帯域増幅器、特に例え
ばCATVの伝送、音声、ビデオ、ハイビジラン等に用
いるトランジスタを用いた高品質、広帯域増幅器に関す
るものである。
(従来技術) 従来のCATVの伝送ケーブル等に用いる増幅器は何れ
もLCを用いた高電力分波増幅器であり、各帯域に専用
の複数の増幅器を組み合わせて用いている。
(発明が解決しようとする課題) 然しなからこのような従来の増幅器では歪除去のため負
帰還型とする必要があり、GHz帯ではこれによって発
振等を生じ不安定となるばかりでなく回路構成が複雑と
なる欠点があった。
本発明はトランジスタを用いて上記欠点を除くようにし
たものである。
(課題を解決するための手段) 本発明の広帯域増幅器は複数個のトランジスタのベース
・エミッタ間に共通に入力信号を加え、各トランジスタ
のコレクタから出力電流を取り出すように構成したこと
を特徴とする。
又本発明の広帯域増幅器は並列接続したトランジスタと
、このトランジスタの入力電源としての定電流回路と、
前記トランジスタの入力回路に並列に接続した前記トラ
ンジスタの特性と同一特性のダイオードとより成ること
を特徴とする。
(作 用) 本発明の広帯域増幅器によれば歪が小さく、又は除去さ
れGHz迄の高い周波数の信号が発振することなく高品
質で増幅されるようになる。
(実 施 例) 以下図面によって本発明の詳細な説明する。
本発明はトランジスタの出力電流を例えば10mA程度
に低下せしめればその出力の歪を大幅に減少でき且つそ
の作動上限周波数rTを3GHz程度に高められること
、及びトランジスタの出力電流の歪はこれと同一特性の
トランジスタをその入力回路に介挿することによって相
殺できる点に着目して成されたものである。
本発明においては第1図に示すように例えば10mA程
度の出力電流を得るようにしたトランジスタT r +
、Trz・・・・Tr、を複数個並列接続し、この各ト
ランジスタのベース・エミッタ間に入力信号を共通に加
え、各トランジスタのコレクタより出力電流を取り出す
ようにする。
尚RLは負荷を示す。
このように構成すれば例えばトランジスタTrを5個用
いた場合には50mAの合成出力電流を得ることができ
、その出力は5”=25倍の大出力となり例えばCAT
Vの100チヤンネル用の増幅器としてはこれで充分で
あり、DC〜3GH2程度の広帯域となし得る。しかも
各トランジスタの出力電流に含まれる歪は僅かであり、
各トランジスタの出力電流中の歪が加算して加わること
はない。
第2図はトランジスタを差動型とした本発明の他の実施
例を示す回路図である。
本発明の他の実施例においてはこの各トランジスタの出
力電流に生ずる歪を完全に除去するため第3図に示すよ
うにトランジスタに対する入力電源としてトランジスタ
Troを用いた定電流源を用い、このトランジスタTr
oのベースに入力信号■iを加えるようにすると共に、
各トランジスタTr l % T r 2・・・・Tr
、のベース・エミッタ間に並列に且つ共通に前記各トラ
ンジスタTr、、Trz・・・・Tr、のベース・エミ
ッタ特性と同一のベース・エミッタ特性を有するダイオ
ード又はダイオード接続したトランジスタTroと、前
記各トランジスタT r 1、Trz・・・・Tr、の
エミッタ抵抗R5いREl・・・・Roと等しい抵抗R
EOとの直列回路を接続せしめる。
本発明の広帯域増幅器は上記のような構成であるからト
ランジスタTraと抵抗REOの直列回路を流れる定電
流による電圧降下はトランジスタTr6が無い場合に比
ベトランジスタTr++のベース・エミッタ特性の非直
線部分に応じて変化する。従ってこのトランジスタTr
Bの無い場合、即ち一定の入力電圧が第1のトランジス
タTr+のベース・エミッタ間に加わる場合、その出力
電流はトランジスタTr、のベース・エミッタ特性に応
じた歪を有するようになるが、本発明のようにその入力
回路にトランジスタTrDを介挿しておけば、これに応
じて前述のように入力電圧が変化し、この結果各トラン
ジスタ回路のトランジスタ特性による歪が前記トランジ
スタTr(、のトランジスタ特性による歪と互いに相殺
され各トランジスタTrls Tr2・・・・Trl、
の出力電流It 、I2 ・・・・Inには歪が含まれ
ず、従って帰還型とすることなく広帯域大電力の増幅器
を極めて簡単に得ることができる。
本発明の他の実施例においては第4図に示すようにPN
P、NPN)ランジスタを用いた電流源入力型としても
良い。
(発明の効果) 以下本発明の効果を列記すれば下記の通りである。
1)DC−GHz帯迄無歪の電圧、電流増幅ができる。
2) 帰還なしで、歪がなく、温度特性もよく極めて安
定な増幅器が得られる。
3) 出力段数の二乗で出力パワーを上げることができ
る。
4)音声の出力部に用いるとB級増幅でもスイッアンプ
やクロスオーバー歪のない極めて効率の良いパワーアン
プが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明広帯域増幅器の回路図、第2図〜第4図
はそれぞれ本発明広帯域増幅器の他の実施例を示す回路
図である。 Tr、Tro、Tro、 Tr、、Tr2・・・・Tr
、l・・トランジスタ、Vi  ・・・入力信号、RE
OlRE、、R□・・・・Rい・・・抵抗、1..1゜
・・・・In  ・・・電流。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数個のトランジスタのベース・エミッタ間に共通
    に入力信号を加え、各トランジスタのコレクタから出力
    電流を取り出すように構成したことを特徴とする広帯域
    増幅器。 2、並列接続したトランジスタと、このトランジスタの
    入力電源としての定電流回路と、前記トランジスタの入
    力回路に並列に接続した前記トランジスタの特性と同一
    特性のダイオードとより成ることを特徴とする広帯域増
    幅器。
JP63196149A 1988-08-08 1988-08-08 広帯域増幅器 Pending JPH0246010A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63196149A JPH0246010A (ja) 1988-08-08 1988-08-08 広帯域増幅器
KR1019900700726A KR900702642A (ko) 1988-08-08 1989-08-07 광대역 증폭기
US07/465,253 US5047732A (en) 1988-08-08 1989-08-07 Wide band amplifier
AU40436/89A AU631563B2 (en) 1988-08-08 1989-08-07 Wide-band amplifier
EP19890909038 EP0380703A4 (en) 1988-08-08 1989-08-07 Wide-band amplifier
PCT/JP1989/000805 WO1990001831A1 (fr) 1988-08-08 1989-08-07 Amplificateur a large bande
GB9007797A GB2229879A (en) 1988-08-08 1990-04-06 Wide-band amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63196149A JPH0246010A (ja) 1988-08-08 1988-08-08 広帯域増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0246010A true JPH0246010A (ja) 1990-02-15

Family

ID=16353029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63196149A Pending JPH0246010A (ja) 1988-08-08 1988-08-08 広帯域増幅器

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5047732A (ja)
EP (1) EP0380703A4 (ja)
JP (1) JPH0246010A (ja)
KR (1) KR900702642A (ja)
AU (1) AU631563B2 (ja)
GB (1) GB2229879A (ja)
WO (1) WO1990001831A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2710798B1 (fr) * 1993-09-27 1995-11-10 Alcatel Mobile Comm France Chaîne d'amplification en mode de courant, amplificateur opérationnel, cellule de gain et élément d'amplification correspondants.
US5559472A (en) * 1995-05-02 1996-09-24 Trw Inc. Loss compensated gain cell for distributed amplifiers
US5781072A (en) * 1996-09-20 1998-07-14 Motorola, Inc. Dual push-pull amplifier circuit and method
US5898899A (en) * 1996-11-25 1999-04-27 Thomas & Betts International, Inc. RF broadband amplifier bypass method and apparatus
JPH11102916A (ja) * 1997-09-29 1999-04-13 Nec Corp 半導体集積回路装置およびその設計方法
RU2284646C1 (ru) * 2005-01-28 2006-09-27 Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса (ЮРГУЭС) Широкополосный усилитель
US20090115464A1 (en) * 2007-11-05 2009-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multiple-branching configuration for output driver to achieve fast settling time

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60163511A (ja) * 1984-02-06 1985-08-26 Hitachi Ltd ビデオモニタ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2957143A (en) * 1959-09-11 1960-10-18 Arizona Res Foundation Wideband transistor amplifier
US3531730A (en) * 1969-10-08 1970-09-29 Rca Corp Signal translating stage providing direct voltage
DE2445123C3 (de) * 1973-09-26 1980-03-06 Hitachi, Ltd. Analogsignal-Verarbeitungsschaltung
JPS5228878A (en) * 1975-08-29 1977-03-04 Nippon Gakki Seizo Kk Transistor for small signal
JPS5297651A (en) * 1976-02-12 1977-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Amplifier
US4276516A (en) * 1979-07-26 1981-06-30 National Semiconductor Corporation Thermal stress reduction in IC power transistors
DE2951928C2 (de) * 1979-12-21 1982-05-27 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Transistorgegentaktendstufe
JPS5730406A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Class b otl circuit
US4481483A (en) * 1982-01-21 1984-11-06 Clarion Co., Ltd. Low distortion amplifier circuit
JPS58159001A (ja) * 1982-03-16 1983-09-21 Clarion Co Ltd 低歪増巾回路
US4831337A (en) * 1988-04-25 1989-05-16 Motorola, Inc Wideband amplifier
JPH05297651A (ja) * 1992-04-20 1993-11-12 Fuji Xerox Co Ltd 画像形成装置の画像領域調整装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60163511A (ja) * 1984-02-06 1985-08-26 Hitachi Ltd ビデオモニタ

Also Published As

Publication number Publication date
GB2229879A (en) 1990-10-03
AU631563B2 (en) 1992-12-03
GB9007797D0 (en) 1990-07-25
EP0380703A4 (en) 1991-01-23
EP0380703A1 (en) 1990-08-08
WO1990001831A1 (fr) 1990-02-22
AU4043689A (en) 1990-03-05
KR900702642A (ko) 1990-12-08
US5047732A (en) 1991-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4249136A (en) PWM Signal power amplifier
US4511857A (en) Output following intermediate cascode circuit
JPH0246010A (ja) 広帯域増幅器
US4728903A (en) Class A high-fidelity amplifier
US4357578A (en) Complementary differential amplifier
CA1090433A (en) Audio-frequency power amplifiers
GB1516190A (en) Wideband transistor amplifier
US4823094A (en) Dual-band high-fidelity amplifier
JPH0832367A (ja) プッシュプル増幅器
US4247825A (en) Transistor amplifier
US4453134A (en) High voltage operational amplifier
EP1046282B1 (en) Display driver apparatus
JPH04273605A (ja) 負帰還増幅器
JPS6042913A (ja) ビデオ信号処理装置
US3379986A (en) Direct coupled transistorized class "b" power amplifier
JP2796348B2 (ja) 出力回路
US4330755A (en) Power-amplifying circuit
US4028630A (en) Push-pull amplifier arrangement
US4356455A (en) Amplifier
JPH0227807A (ja) 電子回路
US4746877A (en) Direct-coupled wideband amplifier
JPS5826686B2 (ja) プツシユプル増幅器
JPS5811060Y2 (ja) 増幅回路
JPS6231523B2 (ja)
JPS5811059Y2 (ja) トランジスタ増巾器