JPH0832367A - プッシュプル増幅器 - Google Patents

プッシュプル増幅器

Info

Publication number
JPH0832367A
JPH0832367A JP19108494A JP19108494A JPH0832367A JP H0832367 A JPH0832367 A JP H0832367A JP 19108494 A JP19108494 A JP 19108494A JP 19108494 A JP19108494 A JP 19108494A JP H0832367 A JPH0832367 A JP H0832367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
signal
signals
amplifying
collector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19108494A
Other languages
English (en)
Inventor
Kuniya Araki
木 邦 彌 荒
Jun Hirai
井 順 平
Takeyoshi Watanabe
辺 健 芳 渡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
N F KAIRO SEKKEI BLOCK KK
Original Assignee
N F KAIRO SEKKEI BLOCK KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by N F KAIRO SEKKEI BLOCK KK filed Critical N F KAIRO SEKKEI BLOCK KK
Priority to JP19108494A priority Critical patent/JPH0832367A/ja
Publication of JPH0832367A publication Critical patent/JPH0832367A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】B級と同等の効率を維持しつつ原理的にクロス
オーバー歪の発生を発生しないプッシュプル増幅器を提
供する。 【構成】同極性で互いのベースが接続されたトランジス
タ101、102と、それとは逆極性で、互いのベース
が接続されたトランジスタ103、104を有し、トラ
ンジスタ101とトランジスタ103のエミッタ間の接
続点に入力信号が接続され、トランジスタ102および
104のエミッタが接続され、トランジスタ101およ
び104のコレクタとベース間が接続され、トランジス
タ104のコレクタには電流源が、トランジスタ102
のコレクタには一定の電位が接続され、トランジスタ1
01とトランジスタ103のコレクタから上記一対の信
号を出力するように構成することにより、プッシュプル
増幅器の出力波形がクロスオーバー歪を発生せず、且つ
アイドリング電流が少なくなるように予め入出力特性を
非線形化している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はプッシュプル増幅器に関
し、特に出力段のアイドリング電流を増加させることな
くクロスオーバー歪を除去し、且つ、高効率なプッシュ
プル増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】プッシュプル増幅器の無歪動作時の入出
力特性を得るには次のような条件が必要である。今、プ
ッシュプル増幅器の半サイクルを受け持つ能動素子(出
力電流が入力電圧のみで規定される理想能動素子)の入
力電圧をx、出力電流をyとすると、その伝達特性は
(1)式で表わされる。 y=f(x) (1) また、そのプッシュプル増幅器の残りの半サイクルを受
け持つ能動素子の伝達特性は、図形的に考えるとf
(x)を原点を中心にして180度回転させた(2)式
で表わされる。 y=−f(−x) (2) プッシュプル動作の合成伝達特性yは、(1)、(2)
式で表わされる特性を縦軸方向に重ね合わせた特性で
(3)式で表わせる。 y=f(x)−f(−x) (3) この合成伝達特性が線形(リニア)、つまりクロスオー
バ歪が無いための条件はyが直線であること、即ち f(x)−f(−x)=kx (kは定数) (4) である。ここで、クロスオーバー歪とはプッシュプル動
作の場合に合成波形のつなぎ目で生ずる歪のことであ
る。
【0003】(4)式の両辺をxで微分すると、(5)
式が得られる。 f'(x)+f'(−x)=k (5) f'(x)は、gm(相互コンダクタンス)にほかなら
ないので、(4)式のプッシュプル増幅器における線形
(即ち無歪)条件は、また gm(x)+gm(−x)=k (6) のようにも表すことができる。
【0004】上述したように、プッシュプル増幅器にお
いては、その伝達特性が(4)式を満足するとき線形動
作が得られる。
【0005】上記特性の能動素子がもつ従来型のA級プ
ッシュプル増幅器のバイアス回路が図6に示されてい
る。トランジスタ501、502によりドライブ段が構
成され、出力段はパワートランジスタ508,509,
511,512から成る2段ダーリントンエミッタホロ
ワで構成されている。抵抗513及び514は、それぞ
れ抵抗値RE1とRE2を有する熱暴走を防ぐための抵抗で
ある。
【0006】このプッシュプル増幅器のバイアス回路
は、シリコンダイオード503〜506と可変抵抗器5
07との直列回路で構成されており、パワートランジス
タ508,509,511,512に必要な(7)式で
表わせるアイドリング電流Iidを供給している。 Iid=(Vbias−ΣVbe)/(2Re) (7) ここで、ΣVbeはパワートランジスタ508,509,
511,512の各ベース・エミッタ間電圧の総和、V
biasはバイアス回路の端子電圧、Reは各トランジスタ
のエミッタ抵抗であり、2Re =RE1+RE2 である。
シリコンダイオード503〜506は、パワートランジ
スタと同じく約0.6Vの順方向電圧と約−2.3mV
/℃の温度係数を有しているため、4個のダイオードを
直列に接続すれば必要なバイアス電圧が得られ、且つ温
度補償も行なうことができる。 パワートランジスタ5
08,509,511,512の動作点(アイドリング
電流)は、A級の場合には最大出力の1/2に設定され
る。可変抵抗器507によりアイドリング電流が調節さ
れる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のような構成の従
来のプッシュプル増幅器は、A級動作ではクロスオーバ
ー歪は発生しないが、アイドリング電流が大きいので効
率が悪いという問題がある。効率を改善するためには、
B級動作が望ましいが、B級動作では、クロスオーバー
歪が大きいという問題がある。
【0008】そこで、本発明の目的は、B級と同等の効
率を維持しつつ原理的にクロスオーバー歪を発生しない
高効率なプッシュプル増幅器を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め本発明の一態様によるプッシュプル増幅器は、入力信
号に応答して、位相が互いに180度異なる一対の信号
を出力する信号発生手段と、前記信号発生手段のそれぞ
れの出力信号を増幅する第1の増幅手段と第2の増幅手
段と、前記第1の増幅手段と第2の増幅手段のそれぞれ
の出力信号を合成して共通の負荷に信号を取り出す信号
合成手段を有するプッシュプル増幅器において、前記信
号発生手段は、同極性で互いのベースが接続された第1
と第2のトランジスタと、前記第1と第2のトランジス
タとは逆極性で、互いのベースが接続された第3と第4
のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタと第3
のトランジスタのエミッタ間が接続され、この接続点に
前記入力信号が接続され、前記第2と第4のトランジス
タのエミッタが接続され、前記第1のトランジスタ及び
前記第4のトランジスタはそれぞれコレクタとベース間
が接続されており、前記第4のトランジスタのコレクタ
には電流源が接続され、前記第2のトランジスタのコレ
クタは一定の電位に接続され、前記第1のトランジスタ
と第3のトランジスタのコレクタから前記一対の信号が
出力されるように構成される。
【0010】本発明の他の態様によるプッシュプル増幅
器は、入力信号に応答して、位相が互いに180度異な
る一対の信号を出力する信号発生手段と、前記信号発生
手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増幅手段と
第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2の増幅手
段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷に信号を
取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増幅器にお
いて、前記信号発生手段は、同極性で互いのベースが接
続された第1と第2のトランジスタと、前記第1と第2
のトランジスタとは逆極性で、互いのベースが接続され
た第3と第4のトランジスタを有し、前記第1のトラン
ジスタと第3のトランジスタのエミッタ間が接続され、
この接続点に前記入力信号が接続され、前記第2と第4
のトランジスタのエミッタが接続され、前記第2のトラ
ンジスタ及び前記第4のトランジスタはそれぞれコレク
タとベース間が接続されており、前記第4のトランジス
タのコレクタには電流源が接続され、前記第2のトラン
ジスタのコレクタは一定の電位に接続され、前記第1の
トランジスタと第3のトランジスタのコレクタから前記
一対の信号が出力されるように構成される。
【0011】本発明の更に他の態様によるプッシュプル
増幅器は、入力信号に応答して、位相が互いに180度
異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記信号
発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増幅手
段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2の増
幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷に信
号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増幅器
において、前記信号発生手段は、同極性で互いのベース
が接続された第1と第2のトランジスタと、前記第1と
第2のトランジスタとは逆極性で、互いのベースが接続
された第3と第4のトランジスタを有し、前記第1のト
ランジスタと第3のトランジスタのエミッタ間が接続さ
れ、この接続点に前記入力信号が接続され、前記第2と
第4のトランジスタのエミッタが接続され、前記第2の
トランジスタ及び前記第4のトランジスタはそれぞれコ
レクタとベース間が接続されており、前記第4のトラン
ジスタのコレクタは一定の電位に接続され、前記第2の
トランジスタのコレクタには電流源が接続され、前記第
1のトランジスタと第3のトランジスタのコレクタから
前記一対の信号が出力されるように構成される。
【0012】上記プッシュプル増幅器において、前記コ
レクタとベース間が接続されたトランジスタのすべて若
しくは一部をダイオードに置き替えることもできる。
【0013】本発明の更にまた他の態様によるプッシュ
プル増幅器は、入力信号Iに応答して、位相が互いに1
80度異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前
記信号発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の
増幅手段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第
2の増幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負
荷に信号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル
増幅器において、前記入力信号Iと、前記信号発生手段
からの一対の信号を構成する第1の信号I1と第2の信
号I2のうち、該第1の信号I1は、前記入力信号Iが正
の値に対しては前記入力信号Iの増加とともにI1=I
に漸近し、一方、前記入力信号Iが零の近傍および負の
値に対しては予め定めた一定値に漸近する第1の関数で
表わされ、前記第2の信号I2は前記第1の信号I1との
合成出力が直線的関係になる第2の関数で表わされるよ
うに構成される。
【0014】本発明の他の態様によるプッシュプル増幅
器は、入力信号Iに応答して、位相が互いに180度異
なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記信号発
生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増幅手段
と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2の増幅
手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷に信号
を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増幅器に
おいて、前記入力信号Iと、前記信号発生手段からの一
対の信号を構成する第1の信号I1と第2の信号I2のう
ち、該第1の信号I1は前記入力信号Iと、前記入力信
号Iとは無関係な一定値K1、K2とにより、K1(I+
√(I2+K2))なる第1の関数で表わされ、前記第2
の信号I2は前記第1の信号I1との合成出力が直線的関
係になる第2の関数で表わされるように構成される。
【0015】
【作用】本発明の一例においては、入力信号に応答して
発生された位相が互いに180度異なる一対の信号を、
同一特性を有する第1の増幅手段と第2の増幅手段で増
幅し、増幅出力を信号合成するプッシュプル増幅器で、
上記一対の信号を発生する回路は、同極性で互いのベー
スが接続された第1と第2のトランジスタと、上記第1
と第2のトランジスタとは逆極性で、互いのベースが接
続された第3と第4のトランジスタを有し、上記第1の
トランジスタと第3のトランジスタのエミッタ間が接続
され、この接続点に上記入力信号が接続され、上記第2
と第4のトランジスタのエミッタが接続され、上記第1
のトランジスタ及び上記第4のトランジスタはそれぞれ
コレクタとベース間が接続されており、、上記第4のト
ランジスタのコレクタには電流源が接続され、上記第2
のトランジスタのコレクタは一定の電位に接続され、上
記第1のトランジスタと第3のトランジスタのコレクタ
から上記一対の信号が出力されるように構成することに
より、プッシュプル増幅器の合成波形(出力波形)がク
ロスオーバー歪を発生せず、且つアイドリング電流が少
なくなるように予め入出力特性(伝達特性)を非線形化
している。
【0016】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。図1は本発明によるプッシュプル増幅
器の一実施例を示す回路図で、バイアス回路100を用
いた電圧入力−電流出力の電力増幅器(コンダクタンス
・アンプ)であり、出力トランジスタ7、10に流すア
イドリング電流を最大出力電流の1/10〜1/20に
抑えてもA級プッシュプルと同様にクロスオーバー歪を
原理的に発生しないという特徴を有している。
【0017】信号源1(電圧源ei)からの信号が、コ
ンダクタンスgm をもつ増幅器2で増幅され、電流I1
がバイアス回路100に供給される。バイアス回路10
0は、同一特性を有する一対のトランジスタ101と1
02及びトランジスタ103と104、更には電流源1
05を有する。
【0018】トランジスタ101と103のエミッタ
間、トランジスタ102と104のエミッタ間がそれぞ
れ接続され、トランジスタ101と102のベース間、
トランジスタ103と104のベース間がそれぞれ接続
され、トランジスタ101と103のエミッタ及びベー
ス間、トランジスタ102と104のエミッタ及びベー
ス間が接続され、トランジスタ101と103のエミッ
タに増幅器2からの電流I1 が供給されている。また、
トランジスタ101のコレクタとベースが、トランジス
タ104のコレクタとベースがそれぞれ接続されてい
る。トランジスタ104のコレクタと電源−V間には電
流源105が挿入されており、トランジスタ102のコ
レクタには電源+Vが接続されている。トランジスタ1
01のコレクタには、ベースが電源+Vに接続されてい
るトランジスタ5のエミッタが接続され、トランジスタ
5のコレクタには抵抗3(R1)を介して電源+VB が
接続されている。一方、トランジスタ103のコレクタ
が抵抗4(R2)を介して電源−VB に接続されてい
る。
【0019】こうして、抵抗3と4には、それぞれ入力
電流I1に応答して、互いに位相が180度異なる電流
I1(+)とI1(−)が流れる。電流I1(+)及びI1
(−)は、オペアンプ6とトランジスタ7及びオペアン
プ9とトランジスタ10によりそれぞれ増幅され、電流
Io(+)とIo(−)が得られ、両電流の合成電流I
oが出力電流とされる。尚、トランジスタ7と10のエ
ミッタには、抵抗8と11を介して、それぞれ電源+V
B と−VB が接続されている。
【0020】バイアス回路100の動作を図2を参照し
て説明する。なお、簡単のため各トランジスタのベース
電流は無視するものとする。また、トランジスタ101
の特性はトランジスタ102の特性に等しく、トランジ
スタ103の特性はトランジスタ104の特性に等しい
ものとする。
【0021】今、図2において、入力電流Iiがゼロと
すると、図中のIo(+)、Io(−)はそれぞれ次のよ
うに表わせる。 Io(+)=Is・exp(aV1) (8) −Io(−)=Is・exp(aV3) (9) ここでIs=逆方向飽和電流、a=q/kT(q=電子
の電荷、k=ボルツマン定数、T=絶対温度)である。
【0022】従って、V1+V3 は次のようになる。 V1+V3=(1/a)〔ln(−Io(+)・Io(−)/Is2)〕 (10) 一方、バイアス電流Irと、V2、V4との間には次の様
な関係がある。 Ir=Is・exp(aV2) (11) Ir=Is・exp(aV4) (12) よって、V2+V4は次のように表わせる。 V2+V4=(1/k)・ln(Ir2/Is2) (13) ここで、V1+V3=V2+V4 であるので (1/k)〔ln(−Io(+)・Io(−)/Is2)〕 =(1/k)・ln(Ir2/Is2) (14) となる。これから、Io(+)、Io(−)、Ir の間に
は次のような関係が成立する。 −Io(+)・Io(−)=Ir2 (15)
【0023】次に入力電流I1を考慮すると、Io(−)
=−Io(+)+Iiであるから、(15)式は Io(+)・(Io(+)−Ii)=Ir2 (16) となり、これを整理すると次の方程式が得られる。 Io(+)2−Ii・Io(+)−Ir2=0 (17) この方程式をIo(+)について解き、Io(+)≧0で
あることを考慮すると、Io(+)は次のように表わさ
れる。 Io(+)=(1/2)(Ii+√(Ii2+4Ir2)) (18)
【0024】ところで、入力電流Iiは、Io(+)とI
o(−)とに分流するので、 Io(+)=Ii−Io(−) であることを考慮すると、Io(−)は次式のようにな
る。 Io(−)=(1/2)(Ii−√(Ii2+4Ir2)) (19)
【0025】プッシュプルの線形条件である式(4)に
おいて、f(x)=Io(+)、f(−x)=−Io
(−)とすると、f(x)−f(−x)=Iiとなり、
右辺はIiの1次式となり、(4)式を満足する。従っ
て、このことから本発明による図2のバイアス回路はプ
ッシュプル増幅器に使用した場合、線形無歪動作を行な
うことがわかる。
【0026】図3には、Io(+)とIo(−)の特性及
びその合成特性が従来例(A級プッシュプル)とともに
示されている。図において、一点鎖線は従来のプッシュ
プル増幅器のA級プッシュプルの特性例であり、太い実
線は本発明によるプッシュプル増幅器の特性例であり、
細い実線は従来例と本発明に共通な合成特性である。I
fは最大出力値であり、A級プッシュプル(一点鎖線)
の場合の動作点は図3に示す如くIf/2である。
【0027】本発明におけるバイアス特性の特長は、ア
イドリング電流と呼ばれるなるべく少ない方が望ましい
無信号時のバイアス電流(=Ir)がA級プッシュプル
の場合に比べて大幅に減少(図3の斜線部)しているこ
とであり、バイアス回路の効率が改善されている。ま
た、その合成特性は前述のように線形無歪の動作条件を
満足しているため、A級プッシュプル並みの良好な直線
性が得られる。つまり、B級プッシュプルの効率と、A
級プッシュプルの直線性を兼ね備えている。
【0028】この特性で動作点(即ちバイアス点)Ir
は調整可能であり、通常は出力電流の1/10〜1/2
0に設定される。
【0029】図1に示す実施例におけるバイアス回路1
00の他の構成例が図4に示されている。図4(A)
は、図1のバイアス回路100のトランジスタ101の
コレクタとベース間の接続をなくし、トランジスタ10
2のコレクタとベース間を接続したものである。図4
(B)は、図1のバイアス回路100のトランジスタ1
01〜104の極性をすべて異なる極性のトランジスタ
に置き換えたものである。図4(C)も、図4(A)の
バイアス回路100のトランジスタ101〜104の極
性をすべて異なる極性のトランジスタに置き換えたもの
である。このように、バイアス回路におけるPNPとN
PNのトランジスタを入れ替えた回路でも同じ効果を奏
する。
【0030】また、図1及び図4(A)〜図4(C)に
示すような、コレクタとベース間を接続したトランジス
タは、それぞれダイオードで置き換えることができるこ
とは明らかである。このとき、図4(A)に示す回路の
コレクタとベース間が接続されたトランジスタ102と
104をダイオードに置き換えた回路が図4(D)に示
されている。また、図4(C)の回路のトランジスタを
ダイオードに置き換えた回路が図4(E)に示されてい
る。
【0031】さて、図4(A)において、入力電流Ii
がゼロとすると、図中のIo(+)、Io(−)はそれぞ
れ次のように表わせる。 Io(+)=Is・exp(aV1) (20) −Io(−)=Is・exp(aV3) (21) ここでIs=逆方向飽和電流、a=q/kT(q=電子
の電荷、k=ボルツマン定数、T=絶対温度)である。
【0032】従って、V1+V3 は次のようになる。 V1+V3=(1/a)〔ln(−Io(+)・Io(−)/Is2)〕 (22) 一方、バイアス電流Irと、V2、V4との間には次の様
な関係がある。 Ir=Is・exp(aV2) (23) Ir=Is・exp(aV4) (24) よって、V2+V4は次のように表わせる。 V2+V4=(1/k)・ln(Ir2/Is2) (25) ここで、V1+V3=V2+V4 であるので (1/k)〔ln(−Io(+)・Io(−)/Is2)〕 =(1/k)・ln(Ir2/Is2) (26) となる。これから、Io(+)、Io(−)、Ir の間に
は次のような関係が成立する。 −Io(+)・Io(−)=Ir2 (27)
【0033】次に入力電流I1を考慮すると、Io(−)
=−Io(+)+Iiであるから、(27)式は Io(+)・(Io(+)−Ii)=Ir2 (28) となり、これを整理すると次の方程式が得られる。 Io(+)2−Ii・Io(+)−Ir2=0 (29) この方程式をIo(+)について解き、Io(+)≧0で
あることを考慮すると、Io(+)は次のように表わさ
れる。 Io(+)=(1/2)(Ii+√(Ii2+4Ir2)) (30)
【0034】ところで、入力電流Iiは、Io(+)とI
o(−)とに分流するので、 Io(+)=Ii−Io(−) であることを考慮すると、Io(−)は次式のようにな
る。 Io(−)=(1/2)(Ii−√(Ii2+4Ir2)) (31) したがって、図4(A)の回路の動作も図1のバイアス
回路100と同じ動作を行なうことがわかる。
【0035】以上の関係は、図4(C)についても同様
に適用される。又、図4(A),図4(C)は、電圧源
と電流源を入れ替えても同じ関係が得られる。
【0036】さて、前述したように、信号源1は本電力
増幅器の入力信号源であり、相互コンダクタンスgm を
有する増幅器2に印加され、その出力はバイアス回路1
00に入力される。このバイアス回路100の出力に
は、(18)、(19)式に従って非線形変換された電
流Io(+)、Io(−)がそれぞれ抵抗3と抵抗4とに
流れる。
【0037】抵抗3とオペアンプ6とトランジスタ7と
抵抗8から成る回路、及び抵抗4とオペアンプ9とトラ
ンジスタ10と抵抗11から成る回路は、それぞれ定電
流源回路を構成しており、R0=R3=R4、Ri=R1=
R2とするとバイアス電流(アイドリング電流)IBは IB=(RO/Ri)・Ir (32) となり、出力電流Ioは Io=gm・(Ro/Ri)・ei (33) となる。
【0038】以上説明したように、本発明のバイアス回
路を用いれば、アイドリング電流が出力電流Ioの5〜
10%程度であっても、そのプッシュプル合成特性は線
形性が保障される。これは従来のA級増幅器におけるア
イドリング電流が出力電流の50%必要であったことを
考えると、本発明のバイアス回路を用いた場合は格段に
効率がアップすることがわかる。また、このように効率
が良い上に、B級プッシュプルと違い、回路のどの部分
もカットオフしていないため、バイポーラトランジスタ
において問題となる少数キャリア蓄積による悪影響を避
けることが出来るため、高速・広帯域化が容易に実現で
きるということも他のメリットとして挙げることができ
る。
【0039】図5は本発明によるプッシュプル増幅器の
第2の実施例であり、電流モード・フィードバック機能
を有する電力増幅器に本発明のバイアス回路100,2
00を適用した例である。図1の場合と同じように、出
力トランジスタ315,319に流すアイドリング電流
を最大出力電流の1/10〜1/20に抑えてもA級プッ
シュプルと同様にクロスオーバー歪を発生しないという
優れた特長を有している。
【0040】入力信号源301からの出力は、トランジ
スタ302,303,308,309から成るアンプに
印加される。このアンプの出力の一方(トランジスタ3
08のコレクタ側)は、上記バイアス回路100に入力
され、このアンプの出力の他方(トランジスタ309の
コレクタ側)もバイアス回路100と同様なバイアス回
路200に入力される。
【0041】トランジスタ302,303,308,3
09は、図示の如く接続され、トランジスタ302と3
03のエミッタは、それぞれ定電流源304と305を
介して電源+Vccと−Vccに接続されている。また、定
電流源306及び307が、定電流源304とトランジ
スタ308のコレクタ間及び定電流源305とトランジ
スタ309のコレクタ間に、それぞれ挿入されている。
こうして、図示方向の電流Is(+)とIs(−)がバイ
アス回路100と200に入力されている。
【0042】また、図1のトランジスタ5、オぺアンプ
6、トランジスタ7及び抵抗3,8と同様な動作をする
トランジスタ310,オペアンプ313,トランジスタ
315及び抵抗312,314,更には、トランジスタ
311,オペアンプ317,トランジスタ319及び抵
抗316,318から成る回路を有する。更に、トラン
ジスタ315と319のコレクタ間の接続点とトランジ
スタ308と309のエミッタ間には、抵抗320が挿
入され、抵抗321が当該エミッタと接地間に挿入され
ている。
【0043】抵抗312、オペアンプ313,トランジ
スタ315及び抵抗314から成る回路、及び抵抗31
6,オペアンプ317,トランジスタ319及び抵抗3
18から成る回路は、それぞれ定電流回路を構成してお
り、抵抗312,316に流れる電流に比例した電流が
この定電流回路の出力に流れ、出力Voを出力する。
【0044】本回路の出力は、抵抗320と321を介
してトランジスタ308と309のエミッタに電圧信号
VNF(抵抗320と321の分圧電圧)としてフィード
バックされ、それぞれのバイアス回路100と200の
出力側には、非線形変換された電流I1(+)とI1
(−)が得られる。
【0045】本実施例も図1に示す実施例と同様に、バ
イアス電流が出力電流の10%程度であってもそのプッ
シュプル合成特性は直線となる。このため、B級プッシ
ュプルと遜色のない効率を有すると同時に、A級プッシ
ュプルの場合と同様にクロスオーバー歪は発生しないと
いう優れた特性を示す。
【0046】更に、このように効率が良い上に、B級プ
ッシュプルと違い、回路のどの部分もカットオフしてい
ないためバイポーラトランジスタにおいて問題となる少
数キャリア蓄積による悪影響を避けることができるた
め、高速・広帯域化が容易に実現できるというメリット
もある。
【0047】
【発明の効果】本発明のバイアス回路を用いることによ
り、プッシュプル増幅器の出力素子にバイポーラトラン
ジスタが用いられていてもA級増幅器と同様に原理的に
クロスオーバー歪を発生しないため、アイドリング電流
をA級増幅器に比べて少なくすることができる。このた
め、歪の低減と効率のアップという相異なる要求を具現
化した低歪・高効率の増幅器を実現できる。また、B級
プッシュプルと同等の出力効率であるにもかかわらず、
B級プッシュプルと違い、回路がカットオフすることが
ないため高速・広帯域の増幅器を容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるプッシュプル増幅器の一実施例を
示す回路図である。
【図2】図1に示す実施例の基本部の回路図である。
【図3】図1に示す実施例の動作を説明するための図で
ある。
【図4】図1に示す実施例の他の構成回路図である。
【図5】本発明によるプッシュプル増幅器の他の実施例
を示す回路図である。
【図6】従来のプッシュプル増幅器の回路図である。
【符号の説明】
1,301 信号源 2 増幅器 3,4,8,11,312,314,316,318,
320,321,510,513,514 抵抗 5,7,10,101〜104,201〜204,30
2,303,308〜311,315,319,50
1,502,508,509,511,512
トランジスタ 6,9,313,317 オペアンプ 100,200,500 バイアス回路 105,205,304〜307 電流源 106 電圧源 503〜506 ダイオード 507 可変抵抗器

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力信号に応答して、位相が互いに180
    度異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記信
    号発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増幅
    手段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2の
    増幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷に
    信号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増幅
    器において、 前記信号発生手段は、同極性で互いのベースが接続され
    た第1と第2のトランジスタと、前記第1と第2のトラ
    ンジスタとは逆極性で、互いのベースが接続された第3
    と第4のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタ
    と第3のトランジスタのエミッタ間が接続され、この接
    続点に前記入力信号が接続され、前記第2と第4のトラ
    ンジスタのエミッタが接続され、前記第1のトランジス
    タ及び前記第4のトランジスタはそれぞれコレクタとベ
    ース間が接続されており、前記第4のトランジスタのコ
    レクタには電流源が接続され、前記第2のトランジスタ
    のコレクタは一定の電位に接続され、前記第1のトラン
    ジスタと第3のトランジスタのコレクタから前記一対の
    信号が出力されることを特徴とするプッシュプル増幅
    器。
  2. 【請求項2】入力信号に応答して、位相が互いに180
    度異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記信
    号発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増幅
    手段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2の
    増幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷に
    信号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増幅
    器において、 前記信号発生手段は、同極性で互いのベースが接続され
    た第1と第2のトランジスタと、前記第1と第2のトラ
    ンジスタとは逆極性で、互いのベースが接続された第3
    と第4のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタ
    と第3のトランジスタのエミッタ間が接続され、この接
    続点に前記入力信号が接続され、前記第2と第4のトラ
    ンジスタのエミッタが接続され、前記第2のトランジス
    タ及び前記第4のトランジスタはそれぞれコレクタとベ
    ース間が接続されており、前記第4のトランジスタのコ
    レクタには電流源が接続され、前記第2のトランジスタ
    のコレクタは一定の電位に接続され、前記第1のトラン
    ジスタと第3のトランジスタのコレクタから前記一対の
    信号が出力されることを特徴とするプッシュプル増幅
    器。
  3. 【請求項3】入力信号に応答して、位相が互いに180
    度異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記信
    号発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増幅
    手段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2の
    増幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷に
    信号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増幅
    器において、 前記信号発生手段は、同極性で互いのベースが接続され
    た第1と第2のトランジスタと、前記第1と第2のトラ
    ンジスタとは逆極性で、互いのベースが接続された第3
    と第4のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタ
    と第3のトランジスタのエミッタ間が接続され、この接
    続点に前記入力信号が接続され、前記第2と第4のトラ
    ンジスタのエミッタが接続され、前記第2のトランジス
    タ及び前記第4のトランジスタはそれぞれコレクタとベ
    ース間が接続されており、前記第4のトランジスタのコ
    レクタは一定の電位に接続され、前記第2のトランジス
    タのコレクタには電流源が接続され、前記第1のトラン
    ジスタと第3のトランジスタのコレクタから前記一対の
    信号が出力されることを特徴とするプッシュプル増幅
    器。
  4. 【請求項4】前記コレクタとベース間が接続されたトラ
    ンジスタのすべて若しくは一部をダイオードに置き替え
    た請求項1、2または3に記載されたプッシュプル増幅
    器。
  5. 【請求項5】入力信号Iに応答して、位相が互いに18
    0度異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記
    信号発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増
    幅手段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2
    の増幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷
    に信号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増
    幅器において、 前記入力信号Iと、前記信号発生手段からの一対の信号
    を構成する第1の信号I1と第2の信号I2のうち、該第
    1の信号I1は、前記入力信号Iが正の値に対しては前
    記入力信号Iの増加とともにI1=Iに漸近し、一方、
    前記入力信号Iが零の近傍および負の値に対しては予め
    定めた一定値に漸近する第1の関数で表わされ、前記第
    2の信号I2は前記第1の信号I1との合成出力が直線的
    関係になる第2の関数で表わされることを特徴とするプ
    ッシュプル増幅器。
  6. 【請求項6】入力信号Iに応答して、位相が互いに18
    0度異なる一対の信号を出力する信号発生手段と、前記
    信号発生手段のそれぞれの出力信号を増幅する第1の増
    幅手段と第2の増幅手段と、前記第1の増幅手段と第2
    の増幅手段のそれぞれの出力信号を合成して共通の負荷
    に信号を取り出す信号合成手段を有するプッシュプル増
    幅器において、 前記入力信号Iと、前記信号発生手段からの一対の信号
    を構成する第1の信号I1と第2の信号I2のうち、該第
    1の信号I1は前記入力信号Iと、前記入力信号Iとは
    無関係な一定値K1、K2とにより、K1(I+√(I2
    K2))なる第1の関数で表わされ、前記第2の信号I2
    は前記第1の信号I1との合成出力が直線的関係になる
    第2の関数で表わされることを特徴とするプッシュプル
    増幅器。
JP19108494A 1994-07-20 1994-07-20 プッシュプル増幅器 Pending JPH0832367A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19108494A JPH0832367A (ja) 1994-07-20 1994-07-20 プッシュプル増幅器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19108494A JPH0832367A (ja) 1994-07-20 1994-07-20 プッシュプル増幅器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0832367A true JPH0832367A (ja) 1996-02-02

Family

ID=16268598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19108494A Pending JPH0832367A (ja) 1994-07-20 1994-07-20 プッシュプル増幅器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0832367A (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010083415A (ko) * 2000-02-12 2001-09-01 김홍기 모니터의 크로스 오버 왜곡 보상 회로
KR20030087089A (ko) * 2002-05-06 2003-11-13 엘지이노텍 주식회사 고주파 전력 증폭기용 엠엠아이씨 다이 칩의 바이어스 회로
US6741133B2 (en) 2001-07-31 2004-05-25 Agilent Technologies, Inc. High output amplifier for stable operation
JP2006128916A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nf Corp 電力増幅回路および電力増幅器
JP2011009906A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 New Japan Radio Co Ltd 出力回路
KR101322682B1 (ko) * 2009-04-09 2013-10-30 한국델파이주식회사 선형 전력 모듈의 입력 전압 레벨 보정 회로
EP3713082A1 (en) 2019-03-22 2020-09-23 Yamaha Corporation Amplification circuit
KR20210073811A (ko) * 2019-12-11 2021-06-21 한국해양대학교 산학협력단 전기화학적 임피던스 측정 회로의 미소 충방전 신호를 동일하게 출력 가능한 옵셋회로
JP2025500372A (ja) * 2022-08-15 2025-01-09 クローズド-アップ ジョイント-ストック カンパニー ドライブ 信号伝送のための信号供給装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010083415A (ko) * 2000-02-12 2001-09-01 김홍기 모니터의 크로스 오버 왜곡 보상 회로
US6741133B2 (en) 2001-07-31 2004-05-25 Agilent Technologies, Inc. High output amplifier for stable operation
KR20030087089A (ko) * 2002-05-06 2003-11-13 엘지이노텍 주식회사 고주파 전력 증폭기용 엠엠아이씨 다이 칩의 바이어스 회로
JP2006128916A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Nf Corp 電力増幅回路および電力増幅器
KR101322682B1 (ko) * 2009-04-09 2013-10-30 한국델파이주식회사 선형 전력 모듈의 입력 전압 레벨 보정 회로
JP2011009906A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 New Japan Radio Co Ltd 出力回路
EP3713082A1 (en) 2019-03-22 2020-09-23 Yamaha Corporation Amplification circuit
KR20210073811A (ko) * 2019-12-11 2021-06-21 한국해양대학교 산학협력단 전기화학적 임피던스 측정 회로의 미소 충방전 신호를 동일하게 출력 가능한 옵셋회로
JP2025500372A (ja) * 2022-08-15 2025-01-09 クローズド-アップ ジョイント-ストック カンパニー ドライブ 信号伝送のための信号供給装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4272728A (en) Differential-input amplifier circuit
JPH0783219B2 (ja) 信号変換回路
JP3118393B2 (ja) 差動増幅回路
JPH0832367A (ja) プッシュプル増幅器
US7471150B2 (en) Class AB folded cascode stage and method for low noise, low power, low-offset operational amplifier
US5673000A (en) Dynamically invariant AB linear operation amplifier
JPH04369107A (ja) 差動増幅器
CN114268284A (zh) 单端差分跨阻抗放大器
JP4076858B2 (ja) 全差動可変利得増幅器および多次元増幅器構成
US6078220A (en) Complementary class AB current amplifier
JPH0752815B2 (ja) プツシユプル増幅器
JPS6313571B2 (ja)
US4453134A (en) High voltage operational amplifier
JP3991306B2 (ja) 増幅回路
JPH04369105A (ja) 増幅器
JP3922906B2 (ja) 広帯域差動増幅回路
US4935704A (en) Low distortion linear amplifier with high-level output
US7061300B2 (en) Low supply voltage analog multiplier
US5914639A (en) Amplifier with common base input stage
JP2661358B2 (ja) レベルシフト回路
JP3733215B2 (ja) 増幅回路
US6281750B1 (en) Transistor amplifier
JPS61219208A (ja) 利得可変増幅器
JP2520219Y2 (ja) 電力増幅器
JPH0198307A (ja) トランジスタ増幅器