JPH0246199Y2 - - Google Patents

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JPH0246199Y2
JPH0246199Y2 JP1983188074U JP18807483U JPH0246199Y2 JP H0246199 Y2 JPH0246199 Y2 JP H0246199Y2 JP 1983188074 U JP1983188074 U JP 1983188074U JP 18807483 U JP18807483 U JP 18807483U JP H0246199 Y2 JPH0246199 Y2 JP H0246199Y2
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JP
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shield
insulating spacer
insulating
metal coating
band
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JP1983188074U
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Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案は絶縁性ガスが充てんされた管路気中送
電線路又はガス絶縁開閉装置等の管路内に配設さ
れた高圧導体を絶縁支持する絶縁スペーサに係
り、特に、シールド電極として用いられる導電性
プラスチツクシールドの電気的特性の向上をはか
るようにした絶縁スペーサに関する。
〔考案の技術的背景とその問題点〕
ガス絶縁開閉装置や管路気中送電装置では、高
電圧導体を接地金属容器内に絶縁支持するため絶
縁スペーサが用いられる。
この絶縁スペーサは、例えばSF6ガスの絶縁特
性が不平等電界で低下するのを防止する目的で、
エポキシ樹脂などの熱硬化性合成樹脂からなる絶
縁スペーサ内に、内部シールドが埋込まれてい
る。
従来、このシールドの材料としてはアルミが用
いられてきたが、最近では樹脂内にアルミ等の線
膨張係数の異なる部材を埋込むことに起因する熱
応力を緩和する目的で、特開昭56−78315号公報
に示すように、シールドが、それ自体導電性を有
する材料から成形されたプラスチツク性のものが
用いられるようになつて来た。
このプラスチツクシールドは線膨張係数がエポ
キシ樹脂のそれに極めて近いため、スペーサ成形
後の残留熱応力が著しく低減される利点がある
が、以下に示すような欠点がある。即ち、第1図
乃至第3図は、絶縁スペーサの構成例を示したも
のであるが、接地金属容器5内に挿通した高圧導
体4を絶縁スペーサ3により支持した構成で、容
器5内には絶縁ガス6を封入してある。そして絶
縁スペーサ3の接地側に埋込んだ導電性プラスチ
ツクよりなるシールド1は通常第2図、第3図に
示すように複数の接続端子2で接地される。
しかしながら、導電性プラスチツクシールド1
の固有抵抗は、金属(アルミ)のそれに比較して
かなり高く、従つてシールド1の端子2間の抵抗
も必然的に高い値になつた。このため、高圧充電
部に発生する高周波サージに対し、シールド1の
接地点間の電位分担が不均一になり、スペーサ耐
電圧特性に悪影響を与えるとともに、一時的にス
ペーサ3の接地側内部シールド1を容器5から浮
遊させておこなうコロナ測定やサージ測定等が正
確に実施できないという問題が発生した。
一方、導電性プラスチツクシールド1素材の固
有抵抗を、素材の組成を変更することにより下げ
ることは、技術的に困難であると同時に大幅なコ
ストアツプにつながり好ましくない。
また、特開昭56−78315号公報にあるように、
シールド1全体に金属被膜を設けたシールドを用
いることは、コスト上も好ましくないのと同時
に、高電界部金属被膜の表面粗さの管理が充分で
きない、被膜の不均一性など技術的にも問題点が
多い。
〔考案の目的〕
本考案は上述したような欠点を除去し、端子間
抵抗を著しく低減し、かつ、線膨張係数がエポキ
シ樹脂のそれときわめて近い、注形性の優れた導
電性プラスチツクシールドを用いた絶縁スペーサ
を提供することを目的とする。
〔考案の概要〕
かかる目的を達成するために本考案によれば、
絶縁スペーサに埋込まれる導電性プラスチツクシ
ールドの外表面に帯状金属被膜を形成することに
より、高周波サージに対する耐電圧特性を向上で
きる絶縁スペーサとすることができる。
〔考案の実施例〕
以下、図面を参照しながら、本考案について説
明する。
第4図および第5図は、本考案の一実施例を示
したものであり、それらは、各々、第2図および
第3図の−断面および−断面に対応して
いる。
第4図および第5図において、1は導電性プラ
スチツクシールドで、その外側表面に帯状金属被
膜を形成してある。シールド1に対する帯状金属
被膜7の形成に当つては、低温溶射金属で構成す
る方法、スパッタリング、導電性ペイント、メツ
キ等による方法を採用できる。尚シールド1は第
2図に示したようにリング状に形成してもよい
し、第3図のように複数個に分割したシールド単
位を用いてリング状にしてもよい。
この実施例においては、帯状金属被膜7はシー
ルド1の外側表面すなわち電界が極めて小さい個
所に設けられているため、前述したように、金属
被膜の表面粗さや、ムラはほとんど問題とならな
い。そしてシールド全体に高電界部にまでわたつ
て金属被膜を設ける場合に比べて低廉に製造でき
る利点がある。
しかも、このように帯状金属被膜7をシールド
1の周方向全体にわたつて設けることにより、シ
ールド1が周方向にわたつて均一に接地電位(浮
遊した場合は同電位)になるので、絶縁スペーサ
の高周波サージに対する耐電圧特性が向上する
し、また、コロナ測定、サージ測定も問題なく実
施できることになる。またシールド1の接続端子
2の外表面にも第4図で明らかなように帯状金属
被膜70を形成してある。そしてこの被膜70が
接続端子となり、この接続端子2を常時は第1図
で示す接地金属容器5と接続しておく。
尚、本考案の実施例では、特に接地側シールドに
限つたが、高電圧側シールドについても同様のこ
とが言える。
〔考案の効果〕
以上のように本考案によれば、導電性プラスチ
ツクシールドの外周面に帯状金属被膜を設けるこ
とにより、高周波サージに対する諸特性が著しく
改善された絶縁スペーサを提供することを目的と
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は絶縁スペーサを示す断面図、第2図は
絶縁スペーサ内部に埋込まれるシールドを示す平
面図、第3図は分割形シールドを示す平面図、第
4図及び第5図は第2図及び第3図に本案を適用
した−線及び−線断面で拡大した本考案
の一実施例を示した断面図である。 1……内部埋込シールド、2……シールド接続
端子、3……絶縁スペーサ、4……高圧導体、5
……接地金属容器、6……絶縁ガス(SF6ガス)、
7……金属被膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 接地金属容器内に絶縁ガスを充填し、内部に貫
    挿させた高圧導体を支持し、内部に材料自体に導
    電性を有するプラスチツクシールドを埋込んだ絶
    縁スペーサに於いて、前記プラスチツクシールド
    の外側表面の低電界部のみに周方向全周に亘り帯
    状金属被膜を形成したことを特徴とする絶縁スペ
    ーサ。
JP18807483U 1983-12-07 1983-12-07 絶縁スペ−サ Granted JPS6096927U (ja)

Priority Applications (1)

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JP18807483U JPS6096927U (ja) 1983-12-07 1983-12-07 絶縁スペ−サ

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JP18807483U JPS6096927U (ja) 1983-12-07 1983-12-07 絶縁スペ−サ

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Publication Number Publication Date
JPS6096927U JPS6096927U (ja) 1985-07-02
JPH0246199Y2 true JPH0246199Y2 (ja) 1990-12-06

Family

ID=30405823

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18807483U Granted JPS6096927U (ja) 1983-12-07 1983-12-07 絶縁スペ−サ

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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5423981A (en) * 1977-07-25 1979-02-22 Fuji Electric Co Ltd Insulation supporter
JPS5678315A (en) * 1979-11-29 1981-06-27 Toshiba Chem Prod Insulating spacer
JPS5728516A (en) * 1980-07-29 1982-02-16 Toshiba Chem Prod Supporting spacer

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6096927U (ja) 1985-07-02

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