JPH0246529A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0246529A JPH0246529A JP63196514A JP19651488A JPH0246529A JP H0246529 A JPH0246529 A JP H0246529A JP 63196514 A JP63196514 A JP 63196514A JP 19651488 A JP19651488 A JP 19651488A JP H0246529 A JPH0246529 A JP H0246529A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- electron beam
- magnetic recording
- polymer substrate
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は優れた磁気特性を有する垂直磁気記録媒体の製
造方法に関する。
造方法に関する。
従来の技術
次世代の高密度磁気記録方式として、垂直磁気記録が広
く研究されている。垂直磁気記録媒体としてはＣｏＣｒ
系の材料が最も広く研究されており、スパッタ法・真空
蒸着法によってＣｏＣｒ垂直磁気Ａ−７ 記録媒体（以下ＣｏＣｒ膜と略す）が研究開発されてい
る。中でも真空蒸着法を用いると毎秒数百ｎｍ以上の堆
積速度でＣｏＣｒ膜が形成出来、量産性に優れている。
く研究されている。垂直磁気記録媒体としてはＣｏＣｒ
系の材料が最も広く研究されており、スパッタ法・真空
蒸着法によってＣｏＣｒ垂直磁気Ａ−７ 記録媒体（以下ＣｏＣｒ膜と略す）が研究開発されてい
る。中でも真空蒸着法を用いると毎秒数百ｎｍ以上の堆
積速度でＣｏＣｒ膜が形成出来、量産性に優れている。
発明が解決しようとする課題
前述の様に、真空蒸着法を用いると高堆積速度でＣｏ
Ｃｒ膜の形成が可能となるが、同一基板温度においては
、堆積速度が高くなるに伴ない、膜の保磁力は低下する
。従って十分と思われる保磁力を得る為には堆積速度の
上昇に伴なって基板温度を上げる必要があるので、より
低い基板温度で高い保磁力を得る技術が望まれていた。
Ｃｒ膜の形成が可能となるが、同一基板温度においては
、堆積速度が高くなるに伴ない、膜の保磁力は低下する
。従って十分と思われる保磁力を得る為には堆積速度の
上昇に伴なって基板温度を上げる必要があるので、より
低い基板温度で高い保磁力を得る技術が望まれていた。
課題を解決するだめの手段
本発明は上記問題点を解決する為の手段であって、円筒
状キャンの周側面に沿って走行する長尺型磁気記録媒体
の製造方法において、前記磁性層が形成されつつある前
記高分子基板の表面に電子ビームを照射することを特徴
とする垂直磁気記録３べ一７′ 媒体の製造方法である。
状キャンの周側面に沿って走行する長尺型磁気記録媒体
の製造方法において、前記磁性層が形成されつつある前
記高分子基板の表面に電子ビームを照射することを特徴
とする垂直磁気記録３べ一７′ 媒体の製造方法である。
作 用
本発明によれば電子ビームを照射することによって、形
成されつつある磁性層の保磁力を高めることが出来るの
で、低基板温度で高保磁力が得られる。
成されつつある磁性層の保磁力を高めることが出来るの
で、低基板温度で高保磁力が得られる。
実施例
第１図〜第３図に本発明の一実施例を示す。巻き出しロ
ール１から巻き出されだ長尺の高分子基板２は円筒状キ
ャン３の周側面に沿って走行中にマスク７の開口部にお
いて蒸発源４よＩ）ＣｏＣｒ膜又はＣｏＣｒＮｉ膜の蒸
着を受けた後、巻き取りロール５に巻き取られる。バイ
アスローラ６は高分子基板２をキャン３に密着させる為
のものである。
ール１から巻き出されだ長尺の高分子基板２は円筒状キ
ャン３の周側面に沿って走行中にマスク７の開口部にお
いて蒸発源４よＩ）ＣｏＣｒ膜又はＣｏＣｒＮｉ膜の蒸
着を受けた後、巻き取りロール５に巻き取られる。バイ
アスローラ６は高分子基板２をキャン３に密着させる為
のものである。
その際、マスク７の開口部において、アシスト用電子銃
８から電子ビーム９が膜成長過程の高分子基板２に照射
される。アシスト用電子銃８としては直進銃及び２７ｏ
０偏向型電子銃のいずれもが使用可能であるが、基板表
面を、基板幅方向及び基板長手方向に走査することが必
要である。
８から電子ビーム９が膜成長過程の高分子基板２に照射
される。アシスト用電子銃８としては直進銃及び２７ｏ
０偏向型電子銃のいずれもが使用可能であるが、基板表
面を、基板幅方向及び基板長手方向に走査することが必
要である。
第２図は厚さ１０μｍのポリイミド基板２を用い、キャ
ン温度２０００Ｃ２堆積速度６００ｎｍ／ｓでＣｏＣｒ
膜を形成した場合のアシスト用電子ビーム電力密度Ｐと
垂直保磁力Ｈｃ土との関係を示した図である。バイアス
ローラへの印加電圧は一２００■である。第２図から分
る様に、膜形成中の高分子基板表面側から電子ビーム照
射を行なうことによシ、垂直保磁力の増大が起こる。
ン温度２０００Ｃ２堆積速度６００ｎｍ／ｓでＣｏＣｒ
膜を形成した場合のアシスト用電子ビーム電力密度Ｐと
垂直保磁力Ｈｃ土との関係を示した図である。バイアス
ローラへの印加電圧は一２００■である。第２図から分
る様に、膜形成中の高分子基板表面側から電子ビーム照
射を行なうことによシ、垂直保磁力の増大が起こる。
第３図は厚さ１２μｍのポリイミド基板２を用い、キャ
ン温度１６０℃、堆積速度５００ ｎ ｍ／ ｓでＣｏ
Ｃｒ Ｎ ｉ膜を形成した場合の、アシスト用電子ビ
ーム電力密度Ｐと垂直保磁力Ｈ３土との関係を示しだ図
である。バイアスローラ６への印加電圧は＝２００Ｖで
ある。第３図においても電子ビーム照射によって垂直保
磁力は増加している。
ン温度１６０℃、堆積速度５００ ｎ ｍ／ ｓでＣｏ
Ｃｒ Ｎ ｉ膜を形成した場合の、アシスト用電子ビ
ーム電力密度Ｐと垂直保磁力Ｈ３土との関係を示しだ図
である。バイアスローラ６への印加電圧は＝２００Ｖで
ある。第３図においても電子ビーム照射によって垂直保
磁力は増加している。
この様に電子ビーム照射によって垂直保磁力が増加する
理由は次の様に考えられる。即ち、電子ビーム９の照射
によって膜形成中の基板表面側のエネルギーが高まシ、
基板２に付着した蒸着原子の膜表面での移動可能距離が
長くなるので粒界へ５ベーノ のＣｒ偏折が進み、垂直保磁力が増大するものと思われ
る。又、イオン銃等を用いた場合には保磁力低下が起こ
る場合があるが、これと異なるのは電子の質量が小さい
為に膜に衝突してもイオンが衝突した場合に見られる様
な衝突カスケードを生成せず、粒界が保存された状態で
基板表面原子の移動可能時間のみが長くなる為と思われ
る。
理由は次の様に考えられる。即ち、電子ビーム９の照射
によって膜形成中の基板表面側のエネルギーが高まシ、
基板２に付着した蒸着原子の膜表面での移動可能距離が
長くなるので粒界へ５ベーノ のＣｒ偏折が進み、垂直保磁力が増大するものと思われ
る。又、イオン銃等を用いた場合には保磁力低下が起こ
る場合があるが、これと異なるのは電子の質量が小さい
為に膜に衝突してもイオンが衝突した場合に見られる様
な衝突カスケードを生成せず、粒界が保存された状態で
基板表面原子の移動可能時間のみが長くなる為と思われ
る。
また、バイアスローラ６にバイアス電圧を印加すること
によって基板２とキャン３は密着しているので、基板２
全体が均一に極めて高温になっているのではなく、基板
厚さ方向の熱流束が増加し、厚み方向の温度勾配が大き
くなっているものと思われ、キャン３を高温にして保磁
力を高めた場合に比べると基板２が受ける熱負荷は小さ
いと考えられる。
によって基板２とキャン３は密着しているので、基板２
全体が均一に極めて高温になっているのではなく、基板
厚さ方向の熱流束が増加し、厚み方向の温度勾配が大き
くなっているものと思われ、キャン３を高温にして保磁
力を高めた場合に比べると基板２が受ける熱負荷は小さ
いと考えられる。
発明の効果
本発明によれば、同一キャン温度における垂直保磁力を
大きくすることができ、優れた磁気特性を有する垂直磁
気記録媒体を製造することができる。
大きくすることができ、優れた磁気特性を有する垂直磁
気記録媒体を製造することができる。
Ａ−７
第１図は本発明の実施例における全体構成を示す概略図
、第２図はアシスト用電子ビーム電力密度とＣｏ Ｃｒ
膜の垂直保磁力の関係を示す図、第３図はアシスト用電
子ビーム電力密度とＣｏＣｒＮｉ膜の垂直保磁力の関係
を示す図である。 ２・・高分子基板、３・・・・・・キャン、４ ・蒸発
源、８・・・・アシスト用電子銃、９ ・・電子ビーム
。
、第２図はアシスト用電子ビーム電力密度とＣｏ Ｃｒ
膜の垂直保磁力の関係を示す図、第３図はアシスト用電
子ビーム電力密度とＣｏＣｒＮｉ膜の垂直保磁力の関係
を示す図である。 ２・・高分子基板、３・・・・・・キャン、４ ・蒸発
源、８・・・・アシスト用電子銃、９ ・・電子ビーム
。
Claims (1)
- 円筒状キャンの周側面に沿って走行する長尺の高分子基
板上に、真空蒸着法によってＣｏとＣｒ又はＣｏとＣｒ
とＮｉを主成分とする磁性層を形成する垂直磁気記録媒
体の製造方法において、前記磁性層が形成されつつある
前記高分子基板の表面に電子ビームを照射することを特
徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196514A JPH0246529A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196514A JPH0246529A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246529A true JPH0246529A (ja) | 1990-02-15 |
Family
ID=16359012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196514A Pending JPH0246529A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246529A (ja) |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196514A patent/JPH0246529A/ja active Pending
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