JPH0578822A - 薄膜の製造方法 - Google Patents
薄膜の製造方法Info
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- JPH0578822A JPH0578822A JP3243083A JP24308391A JPH0578822A JP H0578822 A JPH0578822 A JP H0578822A JP 3243083 A JP3243083 A JP 3243083A JP 24308391 A JP24308391 A JP 24308391A JP H0578822 A JPH0578822 A JP H0578822A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜の製造方法において、高分子基板等の支
持基体上に薄膜を形成する場合、支持基体と円筒状キャ
ンの密着性が不充分であると支持基体が熱損傷を受けて
薄膜が形成できないという課題を解決し、支持基体の熱
損傷なしに真空中で金属等の薄膜を形成できる薄膜の製
造方法を提供する。 【構成】 真空中で長尺の支持基体１を円筒状キャン３
に沿って走行させつつ支持基体１上に直接または下地層
を介して薄膜を形成する際に、円筒状キャン３の表面を
絶縁体１３で被覆し、薄膜の形成に先立ち円筒状キャン
３の表面に電子ビーム，イオンビーム等の荷電粒子１５
を照射する。
持基体上に薄膜を形成する場合、支持基体と円筒状キャ
ンの密着性が不充分であると支持基体が熱損傷を受けて
薄膜が形成できないという課題を解決し、支持基体の熱
損傷なしに真空中で金属等の薄膜を形成できる薄膜の製
造方法を提供する。 【構成】 真空中で長尺の支持基体１を円筒状キャン３
に沿って走行させつつ支持基体１上に直接または下地層
を介して薄膜を形成する際に、円筒状キャン３の表面を
絶縁体１３で被覆し、薄膜の形成に先立ち円筒状キャン
３の表面に電子ビーム，イオンビーム等の荷電粒子１５
を照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体や装飾用
包装紙等において用いる薄膜の製造方法に関する。
包装紙等において用いる薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近代社会において薄膜の果たす役割は大
きく、その利用範囲の中でも装飾包装紙や磁気記録媒体
などにおいては大面積の金属薄膜を高速度・低コストで
形成すことが要求されている。大面積の金属薄膜を形成
する代表的な方法の一つとして、真空蒸着法を応用した
連続蒸着法がある。
きく、その利用範囲の中でも装飾包装紙や磁気記録媒体
などにおいては大面積の金属薄膜を高速度・低コストで
形成すことが要求されている。大面積の金属薄膜を形成
する代表的な方法の一つとして、真空蒸着法を応用した
連続蒸着法がある。
【０００３】図２は従来の薄膜の製造方法において使用
する装置を示すものであり、この装置による方法は図に
示すように長尺の支持基体１を真空中で供給ロール２よ
り巻き出しつつ円筒状キャン３に沿って走行させながら
所望の蒸気入射角で電子ビーム４を照射して蒸発源５よ
り金属薄膜の蒸着を行い、その後巻き取りロール６に巻
き取る方法であり、この方法を用いることにより、金属
薄膜を高速かつ連続して形成することができる。例えば
磁気テープの製造においては、図２でポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）などの高分子フィルム基板よりな
る支持基体１が円筒状キャン３の周面に沿って走行中
に、磁性材料が充填された蒸発源５から磁性層を電子ビ
ーム蒸着することによって磁気テープの量産ができる。
なお、図において、７は支持基体１の走行方向、８は開
口部９を備えたマスク、１０は排気系１１によって真空
排気された真空槽である。
する装置を示すものであり、この装置による方法は図に
示すように長尺の支持基体１を真空中で供給ロール２よ
り巻き出しつつ円筒状キャン３に沿って走行させながら
所望の蒸気入射角で電子ビーム４を照射して蒸発源５よ
り金属薄膜の蒸着を行い、その後巻き取りロール６に巻
き取る方法であり、この方法を用いることにより、金属
薄膜を高速かつ連続して形成することができる。例えば
磁気テープの製造においては、図２でポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）などの高分子フィルム基板よりな
る支持基体１が円筒状キャン３の周面に沿って走行中
に、磁性材料が充填された蒸発源５から磁性層を電子ビ
ーム蒸着することによって磁気テープの量産ができる。
なお、図において、７は支持基体１の走行方向、８は開
口部９を備えたマスク、１０は排気系１１によって真空
排気された真空槽である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】連続法によって金属薄
膜を形成する場合、支持基体１と円筒状キャン３との密
着性は安定した金属薄膜形成のためには非常に重要な問
題である。すなわち高速度で薄膜の形成を行うので、支
持基体１に付着する原子の凝縮熱は非常に大きく、支持
基体１と円筒状キャン３の密着性が不十分であると支持
基体１は熱損傷を受けるという課題がある。
膜を形成する場合、支持基体１と円筒状キャン３との密
着性は安定した金属薄膜形成のためには非常に重要な問
題である。すなわち高速度で薄膜の形成を行うので、支
持基体１に付着する原子の凝縮熱は非常に大きく、支持
基体１と円筒状キャン３の密着性が不十分であると支持
基体１は熱損傷を受けるという課題がある。
【０００５】支持基体１から円筒状キャン３への熱の逃
げを十分にするために円筒状キャン３の表面を平滑にす
ることも一般に行われている。さらに支持基体１と円筒
状キャン３を静電引力によって張り付かせることも有効
である。その手段として、図３に示すように支持基体１
の表面に電子ビーム１２を照射することが提案されてい
るが、支持基体１への電子打ち込みによる悪影響、特に
積層膜の場合の繰り返し電子照射によって支持基体１が
劣化するという課題がある。
げを十分にするために円筒状キャン３の表面を平滑にす
ることも一般に行われている。さらに支持基体１と円筒
状キャン３を静電引力によって張り付かせることも有効
である。その手段として、図３に示すように支持基体１
の表面に電子ビーム１２を照射することが提案されてい
るが、支持基体１への電子打ち込みによる悪影響、特に
積層膜の場合の繰り返し電子照射によって支持基体１が
劣化するという課題がある。
【０００６】本発明は上記課題を解決するものであり、
支持基体を何ら損傷することなく金属薄膜等を形成する
ことができる薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
支持基体を何ら損傷することなく金属薄膜等を形成する
ことができる薄膜の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、真空中で長尺の支持基体を円筒状キャンに沿
って走行させつつ支持基体上に直接または下地層を介し
て金属薄膜を形成する薄膜の製造方法において、円筒状
キャンの表面を絶縁体で被覆し、金属薄膜の形成に先立
ち円筒状キャンの表面に荷電粒子を照射するものであ
る。
本発明は、真空中で長尺の支持基体を円筒状キャンに沿
って走行させつつ支持基体上に直接または下地層を介し
て金属薄膜を形成する薄膜の製造方法において、円筒状
キャンの表面を絶縁体で被覆し、金属薄膜の形成に先立
ち円筒状キャンの表面に荷電粒子を照射するものであ
る。
【０００８】
【作用】したがって本発明によれば、表面が絶縁体であ
る円筒状キャンに荷電粒子を照射することにより、円筒
状キャン表面が帯電状態になり、この円筒状キャンに沿
って支持基体を走行させることによって支持基体は円筒
状キャンの表面に静電引力によって密着する。これによ
って蒸着時に支持基体が熱損傷を受けることなく、金属
薄膜が形成できる。また円筒状キャンに荷電粒子を照射
するので金属薄膜を積層形成する場合にも荷電粒子の繰
り返し照射による支持基体の劣化を防止することができ
る。
る円筒状キャンに荷電粒子を照射することにより、円筒
状キャン表面が帯電状態になり、この円筒状キャンに沿
って支持基体を走行させることによって支持基体は円筒
状キャンの表面に静電引力によって密着する。これによ
って蒸着時に支持基体が熱損傷を受けることなく、金属
薄膜が形成できる。また円筒状キャンに荷電粒子を照射
するので金属薄膜を積層形成する場合にも荷電粒子の繰
り返し照射による支持基体の劣化を防止することができ
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１ととも
に図２、図３と同一部分には同一番号を付して詳しい説
明を省略し、相違する点について説明する。図に示すよ
うに、排気系１１によって真空排気された真空槽１０の
中で供給ロール２から走行方向７に沿って巻出された長
尺の高分子基板よりなる支持基体１は金属薄膜形成用の
円筒状キャン３の周面に沿って走行中に電子ビーム４を
照射されている蒸発源５よりマスク８の開口部９より金
属薄膜の蒸着を受けた後に、巻き取りロール６に巻き取
られる。この際円筒状キャン３の周表面は絶縁体１３で
覆われており、この部分に密着用電子ビーム源１４から
電子ビーム１５の照射を行う。また金属薄膜の多層化は
この工程を繰り返し行うことによって行われる。
に図２、図３と同一部分には同一番号を付して詳しい説
明を省略し、相違する点について説明する。図に示すよ
うに、排気系１１によって真空排気された真空槽１０の
中で供給ロール２から走行方向７に沿って巻出された長
尺の高分子基板よりなる支持基体１は金属薄膜形成用の
円筒状キャン３の周面に沿って走行中に電子ビーム４を
照射されている蒸発源５よりマスク８の開口部９より金
属薄膜の蒸着を受けた後に、巻き取りロール６に巻き取
られる。この際円筒状キャン３の周表面は絶縁体１３で
覆われており、この部分に密着用電子ビーム源１４から
電子ビーム１５の照射を行う。また金属薄膜の多層化は
この工程を繰り返し行うことによって行われる。
【００１０】（実施例１）支持基体１として厚さ１０μ
ｍのポリエチレンテレフタレート基板（以下、ＰＥＴ基
板と記す）を用い、酸素ガスを導入しつつ蒸着を行うこ
とにより、金属薄膜として厚さ２００ｎｍのＣｏ−Ｏ金
属薄膜（図示せず）を形成した。また、円筒状キャン３
の周表面は厚さ５０μｍのＳｉＯ2よりなる絶縁体１３
で被覆した。密着用電子ビーム源１４から円筒状キャン
３までの距離３０ｃｍから電子ビーム１５を照射しなが
ら、膜堆積速度４００ｎｍ／ｓで円筒状キャン３の温度
を変化させて蒸着を行った。
ｍのポリエチレンテレフタレート基板（以下、ＰＥＴ基
板と記す）を用い、酸素ガスを導入しつつ蒸着を行うこ
とにより、金属薄膜として厚さ２００ｎｍのＣｏ−Ｏ金
属薄膜（図示せず）を形成した。また、円筒状キャン３
の周表面は厚さ５０μｍのＳｉＯ2よりなる絶縁体１３
で被覆した。密着用電子ビーム源１４から円筒状キャン
３までの距離３０ｃｍから電子ビーム１５を照射しなが
ら、膜堆積速度４００ｎｍ／ｓで円筒状キャン３の温度
を変化させて蒸着を行った。
【００１１】電子ビーム１５を照射しない場合、円筒状
キャン３の温度が１０゜Ｃ以下ではＣｏ−Ｏ層の蒸着が
できたが、円筒状キャン３の温度が１０゜Ｃを超えると
ＰＥＴ基板１の熱損傷が発生し、その温度が３０゜Ｃ以
上ではＰＥＴ基板１が分解して全く蒸着はできなかっ
た。
キャン３の温度が１０゜Ｃ以下ではＣｏ−Ｏ層の蒸着が
できたが、円筒状キャン３の温度が１０゜Ｃを超えると
ＰＥＴ基板１の熱損傷が発生し、その温度が３０゜Ｃ以
上ではＰＥＴ基板１が分解して全く蒸着はできなかっ
た。
【００１２】これに対して密着用電子ビーム源１４を用
いて電子ビーム１５を照射した場合には、例えば加速電
圧２ｋＶ、ビーム電流２００ｍＡとすることによって円
筒状キャン３の温度が３０゜Ｃまで安定な蒸着を行うこ
とができた。同様の実験を円筒状キャン３の表面のＳｉ
Ｏ2よりなる絶縁体１３の厚みのみを変えて行ったとこ
ろ、絶縁体１３の厚さが１０μｍの時蒸着可能な円筒状
キャン３の温度は１５゜Ｃ、２０μｍの時は２０゜Ｃであ
った。
いて電子ビーム１５を照射した場合には、例えば加速電
圧２ｋＶ、ビーム電流２００ｍＡとすることによって円
筒状キャン３の温度が３０゜Ｃまで安定な蒸着を行うこ
とができた。同様の実験を円筒状キャン３の表面のＳｉ
Ｏ2よりなる絶縁体１３の厚みのみを変えて行ったとこ
ろ、絶縁体１３の厚さが１０μｍの時蒸着可能な円筒状
キャン３の温度は１５゜Ｃ、２０μｍの時は２０゜Ｃであ
った。
【００１３】（実施例２）支持基体１として実施例と同
じＰＥＴ基板を用い、酸素ガスを導入しつつ蒸着を行う
ことにより、金属薄膜として厚さ１００ｎｍのＣｏ−Ｏ
金属薄膜を形成した。これを２回繰り返すことによって
２００ｎｍのＣｏ−Ｏ金属薄膜を形成した。
じＰＥＴ基板を用い、酸素ガスを導入しつつ蒸着を行う
ことにより、金属薄膜として厚さ１００ｎｍのＣｏ−Ｏ
金属薄膜を形成した。これを２回繰り返すことによって
２００ｎｍのＣｏ−Ｏ金属薄膜を形成した。
【００１４】円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍの
ＳｉＯ2よりなる絶縁体１３で被覆し、密着用電子ビー
ム源１４から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍから電
子ビーム１５を照射しながら膜堆積速度を４００ｎｍ／
ｓで円筒状キャン温度を変化させて蒸着を行った。
ＳｉＯ2よりなる絶縁体１３で被覆し、密着用電子ビー
ム源１４から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍから電
子ビーム１５を照射しながら膜堆積速度を４００ｎｍ／
ｓで円筒状キャン温度を変化させて蒸着を行った。
【００１５】電子ビーム１５を照射しない場合、２層目
形成時の円筒状キャン３の温度が０゜Ｃ以下ではＣｏ−
Ｏ層の蒸着ができたが、その温度が０゜Ｃを超えるとＰ
ＥＴ基板１の熱損傷が発生し、２層目形成時の円筒状キ
ャン３の温度が１５゜Ｃ以上になるとＰＥＴ基板１が分
解して全く蒸着はできなかった。これに対して密着用電
子ビーム源１４を用いて電子ビーム１５を照射した場合
には、例えば加速電圧２ｋＶ、ビーム電流２００ｍＡと
することによって２層目形成時の円筒状キャン３の温度
が３５゜Ｃまで安定な蒸着を行うことができた。
形成時の円筒状キャン３の温度が０゜Ｃ以下ではＣｏ−
Ｏ層の蒸着ができたが、その温度が０゜Ｃを超えるとＰ
ＥＴ基板１の熱損傷が発生し、２層目形成時の円筒状キ
ャン３の温度が１５゜Ｃ以上になるとＰＥＴ基板１が分
解して全く蒸着はできなかった。これに対して密着用電
子ビーム源１４を用いて電子ビーム１５を照射した場合
には、例えば加速電圧２ｋＶ、ビーム電流２００ｍＡと
することによって２層目形成時の円筒状キャン３の温度
が３５゜Ｃまで安定な蒸着を行うことができた。
【００１６】（実施例３）支持基体１として厚さ１０μ
ｍのポリイミド基板（以下、ＰＩ基板と記す）を用い、
金属薄膜として厚さ２００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ金属薄膜を
形成した。また円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍ
のＳｉＯ2よりなる絶縁体１３で被覆した。密着用電子
ビーム源１４から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍか
ら電子ビーム１５を照射しながら膜堆積速度６００ｎｍ
／ｓで円筒状キャン３の温度を変化させて蒸着を行っ
た。
ｍのポリイミド基板（以下、ＰＩ基板と記す）を用い、
金属薄膜として厚さ２００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ金属薄膜を
形成した。また円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍ
のＳｉＯ2よりなる絶縁体１３で被覆した。密着用電子
ビーム源１４から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍか
ら電子ビーム１５を照射しながら膜堆積速度６００ｎｍ
／ｓで円筒状キャン３の温度を変化させて蒸着を行っ
た。
【００１７】電子ビーム１５を照射しない場合、円筒状
キャン３の温度が５０゜Ｃ以下ではＣｏ−Ｃｒ層の蒸着
はできたが、その温度が５０゜Ｃを超えるとＰＩ基板１
の熱損傷が発生し、円筒状キャン３の温度が８０゜Ｃ以
上ではＰＩ基板１が分解して全く蒸着はできなかった。
これに対して密着用電子ビーム源１４を用いて電子ビー
ム１５を照射した場合には、例えば加速電圧２ｋＶ、ビ
ーム電流２００ｍＡとすることによって円筒状キャン３
の温度が２５０゜Ｃまで安定な蒸着を行うことができ
た。
キャン３の温度が５０゜Ｃ以下ではＣｏ−Ｃｒ層の蒸着
はできたが、その温度が５０゜Ｃを超えるとＰＩ基板１
の熱損傷が発生し、円筒状キャン３の温度が８０゜Ｃ以
上ではＰＩ基板１が分解して全く蒸着はできなかった。
これに対して密着用電子ビーム源１４を用いて電子ビー
ム１５を照射した場合には、例えば加速電圧２ｋＶ、ビ
ーム電流２００ｍＡとすることによって円筒状キャン３
の温度が２５０゜Ｃまで安定な蒸着を行うことができ
た。
【００１８】（実施例４）支持基体１として実施例３と
同じＰＩ基板を用い、金属薄膜として厚さ１００ｎｍの
Ｃｏ−Ｃｒ金属薄膜を形成した。これを２回繰り返すこ
とによって２００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ金属薄膜を形成し
た。円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍのＳｉＯ2
よりなる絶縁体１３で被覆し、密着用電子ビーム源１４
から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍから電子ビーム
１５を照射しながら膜堆積速度６００ｎｍ／ｓで円筒状
キャン３の温度を変化させて蒸着を行った。
同じＰＩ基板を用い、金属薄膜として厚さ１００ｎｍの
Ｃｏ−Ｃｒ金属薄膜を形成した。これを２回繰り返すこ
とによって２００ｎｍのＣｏ−Ｃｒ金属薄膜を形成し
た。円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍのＳｉＯ2
よりなる絶縁体１３で被覆し、密着用電子ビーム源１４
から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍから電子ビーム
１５を照射しながら膜堆積速度６００ｎｍ／ｓで円筒状
キャン３の温度を変化させて蒸着を行った。
【００１９】電子ビーム１５を照射しない場合、２層目
形成時の円筒状キャン３の温度が３０゜Ｃ以下ではＣｏ
−Ｃｒ層の蒸着はできたが、その温度が３０゜Ｃを超え
るとＰＩ基板１の熱損傷が発生し、２層目形成時の円筒
状キャン３の温度が５０゜Ｃ以上ではＰＩ基板１が分解
して全く蒸着はできなかった。これに対して密着用電子
ビーム源１４を用いて電子ビーム１５を照射した場合に
は、例えば加速電圧２ｋＶ、ビーム電流２００ｍＡとす
ることによって２層目形成時の円筒状キャン３の温度が
３００゜Ｃまで安定な蒸着を行うことができた。
形成時の円筒状キャン３の温度が３０゜Ｃ以下ではＣｏ
−Ｃｒ層の蒸着はできたが、その温度が３０゜Ｃを超え
るとＰＩ基板１の熱損傷が発生し、２層目形成時の円筒
状キャン３の温度が５０゜Ｃ以上ではＰＩ基板１が分解
して全く蒸着はできなかった。これに対して密着用電子
ビーム源１４を用いて電子ビーム１５を照射した場合に
は、例えば加速電圧２ｋＶ、ビーム電流２００ｍＡとす
ることによって２層目形成時の円筒状キャン３の温度が
３００゜Ｃまで安定な蒸着を行うことができた。
【００２０】（実施例５）支持基体１として厚さ６μｍ
を有する実施例１と同じＰＥＴ基板を用い、金属薄膜と
して厚さ５０ｎｍのＣｏ−Ｏ金属薄膜を形成した。これ
を４回繰り返すことにより２００ｎｍのＣｏ−Ｏ金属薄
膜を形成した。円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍ
のＳｉＯ2より絶縁体１３で被覆し、密着用電子ビーム
源１４から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍから電子
ビーム１５を照射しながら膜堆積速度４００ｎｍ／ｓで
円筒状キャン３の温度を変化させて蒸着を行った。
を有する実施例１と同じＰＥＴ基板を用い、金属薄膜と
して厚さ５０ｎｍのＣｏ−Ｏ金属薄膜を形成した。これ
を４回繰り返すことにより２００ｎｍのＣｏ−Ｏ金属薄
膜を形成した。円筒状キャン３の周表面は厚さ５０μｍ
のＳｉＯ2より絶縁体１３で被覆し、密着用電子ビーム
源１４から円筒状キャン３までの距離３０ｃｍから電子
ビーム１５を照射しながら膜堆積速度４００ｎｍ／ｓで
円筒状キャン３の温度を変化させて蒸着を行った。
【００２１】電子ビーム１５を照射しない場合、２層目
形成時の円筒状キャン３の温度を０゜Ｃとした場合でも
ＰＥＴ基板１の熱損傷がひどく金属薄膜の形成はできな
かった。また図３に示す従来の製造方法によって４層の
積層を行った場合には、円筒状キャン３の温度が１５゜
Ｃを超えると積層を繰り返すにしたがってＰＥＴ基板１
の熱損傷が顕著に認められるが、本発明の方法を用いた
場合には円筒状キャン３の温度が２５゜Ｃにおいても４
層の積層がＰＥＴ基板１の熱損傷なしに行うことができ
た。
形成時の円筒状キャン３の温度を０゜Ｃとした場合でも
ＰＥＴ基板１の熱損傷がひどく金属薄膜の形成はできな
かった。また図３に示す従来の製造方法によって４層の
積層を行った場合には、円筒状キャン３の温度が１５゜
Ｃを超えると積層を繰り返すにしたがってＰＥＴ基板１
の熱損傷が顕著に認められるが、本発明の方法を用いた
場合には円筒状キャン３の温度が２５゜Ｃにおいても４
層の積層がＰＥＴ基板１の熱損傷なしに行うことができ
た。
【００２２】（実施例６）支持基体１として実施例１と
同じＰＥＴ基板を用い、酸素ガスを導入しつつ蒸着を行
うことにより、金属薄膜として厚さ２００ｎｍのＣｏ−
Ｏ金属薄膜を形成した。また円筒状キャン３の周表面は
厚さ５０μｍのＳｉＯ2よりなる絶縁体１２で被覆し
た。図１に示す密着用電子ビーム源１４の代わりにイオ
ン源を用い、イオン源から円筒状キャン３までの距離３
０ｃｍから電子ビーム１５の代わりにイオンビームを照
射しながら膜堆積速度４００ｎｍ／ｓで円筒状キャン３
の温度を変化させて蒸着を行った。
同じＰＥＴ基板を用い、酸素ガスを導入しつつ蒸着を行
うことにより、金属薄膜として厚さ２００ｎｍのＣｏ−
Ｏ金属薄膜を形成した。また円筒状キャン３の周表面は
厚さ５０μｍのＳｉＯ2よりなる絶縁体１２で被覆し
た。図１に示す密着用電子ビーム源１４の代わりにイオ
ン源を用い、イオン源から円筒状キャン３までの距離３
０ｃｍから電子ビーム１５の代わりにイオンビームを照
射しながら膜堆積速度４００ｎｍ／ｓで円筒状キャン３
の温度を変化させて蒸着を行った。
【００２３】イオンビームを照射しない場合、円筒状キ
ャン３の温度が１０゜Ｃ以下ではＣｏ−Ｏ層の蒸着がで
きたが、円筒状キャン３の温度が１０゜Ｃを超えるとＰ
ＥＴ基板１の熱損傷が発生し、円筒状キャン３の温度が
３０゜Ｃ以上ではＰＥＴ基板１が分解して全く蒸着はで
きなかった。これに対してイオンビームを照射した場合
には、例えばビーム電圧５００Ｖ、ビーム電流１００ｍ
Ａとすることによって円筒状キャン３の温度が２５゜Ｃ
まで安定な蒸着を行うことができた。
ャン３の温度が１０゜Ｃ以下ではＣｏ−Ｏ層の蒸着がで
きたが、円筒状キャン３の温度が１０゜Ｃを超えるとＰ
ＥＴ基板１の熱損傷が発生し、円筒状キャン３の温度が
３０゜Ｃ以上ではＰＥＴ基板１が分解して全く蒸着はで
きなかった。これに対してイオンビームを照射した場合
には、例えばビーム電圧５００Ｖ、ビーム電流１００ｍ
Ａとすることによって円筒状キャン３の温度が２５゜Ｃ
まで安定な蒸着を行うことができた。
【００２４】このように上記実施例によれば、真空中で
長尺の支持基体１を円筒状キャン３に沿って走行させつ
つ金属薄膜を形成する際に、円筒状キャン３の表面を絶
縁体１３で被覆し、円筒状キャン３の表面に電子ビーム
１５やイオンビーム等の荷電粒子を照射することによ
り、支持基体１と円筒状キャン３との密着性を高め、支
持基体１の熱損傷を小さくして金属薄膜の形成を行うこ
とができる。
長尺の支持基体１を円筒状キャン３に沿って走行させつ
つ金属薄膜を形成する際に、円筒状キャン３の表面を絶
縁体１３で被覆し、円筒状キャン３の表面に電子ビーム
１５やイオンビーム等の荷電粒子を照射することによ
り、支持基体１と円筒状キャン３との密着性を高め、支
持基体１の熱損傷を小さくして金属薄膜の形成を行うこ
とができる。
【００２５】支持基体１と円筒状キャン３の密着性は円
筒状キャン３の表面の絶縁体１３と支持基体１上に形成
されている金属薄膜層との間の静電引力による。したが
って、支持基体１上に予め金属薄膜層が形成されている
場合には金属薄膜層の形成初期から支持基体１と円筒状
キャン３は強い密着状態にあるが、支持基体１上に予め
金属薄膜層が形成されていない場合には真空プロセスで
の製膜によって金属薄膜層が多少形成されてより後に支
持基体１と円筒状キャン３との静電引力による密着が得
られる。
筒状キャン３の表面の絶縁体１３と支持基体１上に形成
されている金属薄膜層との間の静電引力による。したが
って、支持基体１上に予め金属薄膜層が形成されている
場合には金属薄膜層の形成初期から支持基体１と円筒状
キャン３は強い密着状態にあるが、支持基体１上に予め
金属薄膜層が形成されていない場合には真空プロセスで
の製膜によって金属薄膜層が多少形成されてより後に支
持基体１と円筒状キャン３との静電引力による密着が得
られる。
【００２６】したがって、熱損傷防止の効果は支持基体
１上に予め金属薄膜層が形成されている場合の方が大き
い。したがって、どちらかといえば本発明は多層膜の積
層時により大きな効果を発揮するものであり、（実施例
１）、（実施例２）の結果もこれを示唆している。（実
施例３）、（実施例４）の比較においても同様である。
１上に予め金属薄膜層が形成されている場合の方が大き
い。したがって、どちらかといえば本発明は多層膜の積
層時により大きな効果を発揮するものであり、（実施例
１）、（実施例２）の結果もこれを示唆している。（実
施例３）、（実施例４）の比較においても同様である。
【００２７】また、その際に円筒状キャン３の表面の絶
縁体１３の厚みはある程度大きいほうがより強い密着性
が得られ、円筒状キャン３の温度が高くても蒸着可能で
あることが（実施例１）の結果から分かる。これは次の
理由によると考察される。
縁体１３の厚みはある程度大きいほうがより強い密着性
が得られ、円筒状キャン３の温度が高くても蒸着可能で
あることが（実施例１）の結果から分かる。これは次の
理由によると考察される。
【００２８】電子ビーム１５やイオンビーム等の荷電粒
子の照射による静電引力は絶縁体１３と円筒状キャン３
の本体間、および絶縁体１３と支持基体１の表面の金属
薄膜層間の両方に働くが、実際に熱損傷防止に寄与する
後者の静電引力の成分が、絶縁体１３の厚みの増加とと
もに大きくなるためと思われる。
子の照射による静電引力は絶縁体１３と円筒状キャン３
の本体間、および絶縁体１３と支持基体１の表面の金属
薄膜層間の両方に働くが、実際に熱損傷防止に寄与する
後者の静電引力の成分が、絶縁体１３の厚みの増加とと
もに大きくなるためと思われる。
【００２９】したがって絶縁体１３の厚みは支持基体１
の厚みと同等以上であることがより好ましい。
の厚みと同等以上であることがより好ましい。
【００３０】なお、実施例としては、支持基体１として
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）・ポリイミド
（ＰＩ）を用いた場合についてのみ述べてきたが、ポリ
エチレンナフタレート、ポリアミド，アラミド等の他の
基板を用いた場合にも同様の効果が得られる。
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）・ポリイミド
（ＰＩ）を用いた場合についてのみ述べてきたが、ポリ
エチレンナフタレート、ポリアミド，アラミド等の他の
基板を用いた場合にも同様の効果が得られる。
【００３１】また、金属薄膜としてＣｏ−Ｏ，Ｃｏ−Ｃ
ｒを形成する場合についてのみ述べたが、そのほかの磁
性材料および磁性材料以外の金属薄膜や、非金属薄膜を
形成する場合にも本発明が有効であることは言うまでも
ない。
ｒを形成する場合についてのみ述べたが、そのほかの磁
性材料および磁性材料以外の金属薄膜や、非金属薄膜を
形成する場合にも本発明が有効であることは言うまでも
ない。
【００３２】また真空製膜法としては、真空蒸着法につ
いてのみ述べたが、スパッタ法，イオンプレーティング
法，クラスターイオンビーム蒸着法などの真空蒸着法以
外の真空製膜方法についても有効であることは言うまで
もない。
いてのみ述べたが、スパッタ法，イオンプレーティング
法，クラスターイオンビーム蒸着法などの真空蒸着法以
外の真空製膜方法についても有効であることは言うまで
もない。
【００３３】
【発明の効果】上記実施例より明らかなように本発明
は、円筒状キャンの表面を絶縁体で被覆し、支持基体上
に金属薄膜を形成するときに円筒状キャンの表面に荷電
粒子を照射するものであり、支持基体に熱損傷を与える
ことなく薄膜を形成することができる。
は、円筒状キャンの表面を絶縁体で被覆し、支持基体上
に金属薄膜を形成するときに円筒状キャンの表面に荷電
粒子を照射するものであり、支持基体に熱損傷を与える
ことなく薄膜を形成することができる。
【図１】本発明の一実施例の薄膜の製造方法を実施する
ための装置の部分断面正面図
ための装置の部分断面正面図
【図２】従来の薄膜の製造方法に使用される装置の部分
断面正面図
断面正面図
【図３】同他の装置の部分断面正面図
１ 支持基体 ３ 円筒状キャン １０ 真空槽 １３ 絶縁体 １５ 電子ビーム（荷電粒子）
Claims (3)
- 【請求項１】真空中で長尺の支持基体を円筒状キャンに
沿って走行させつつ前記支持基体上に直接または下地層
を介して金属薄膜を形成する薄膜の製造方法において、
前記円筒状キャンの表面を絶縁体で被覆し、前記金属薄
膜の形成に先立ち前記円筒状キャンの表面に荷電粒子を
照射することを特徴とする薄膜の製造方法。 - 【請求項２】円筒状キャンの表面を被覆する絶縁体の厚
みが支持基体の厚みと同等以上であることを特徴とする
請求項１記載の薄膜の製造方法。 - 【請求項３】支持基体上に下地層として予め金属薄膜層
が形成されていることを特徴とする請求項１または２記
載の薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243083A JPH0578822A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3243083A JPH0578822A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578822A true JPH0578822A (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=17098530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3243083A Pending JPH0578822A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0578822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263740A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Toray Ind Inc | 金属酸化物薄膜付きシートの製造方法および製造装置 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3243083A patent/JPH0578822A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009263740A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Toray Ind Inc | 金属酸化物薄膜付きシートの製造方法および製造装置 |
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