JPH0247128B2 - Daioodogensuiki - Google Patents

Daioodogensuiki

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Publication number
JPH0247128B2
JPH0247128B2 JP12098984A JP12098984A JPH0247128B2 JP H0247128 B2 JPH0247128 B2 JP H0247128B2 JP 12098984 A JP12098984 A JP 12098984A JP 12098984 A JP12098984 A JP 12098984A JP H0247128 B2 JPH0247128 B2 JP H0247128B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
circuit
series
diode attenuator
impedance
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP12098984A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60264116A (ja
Inventor
Shigenobu Aihara
Yasuo Matsuzaki
Osamu Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS60264116A publication Critical patent/JPS60264116A/ja
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Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
    • H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00—Networks using active elements
    • H03H11/02—Multiple-port networks
    • H03H11/24—Frequency-independent attenuators

Landscapes

  • Attenuators (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はダイオード減衰器に関し、特に超高周
波帯にて使用されるπ型定インピーダンスダイオ
ード減衰器に関する。
従来技術 かかるダイオード減衰器の具体例が第1図に示
されており、定インピーダンス化のための直流バ
イアス印加点3と基準電位点(アース)との間
に、ダイオードD1、抵抗R1及びダイオードD2の
直列回路と、更にダイオードD3、抵抗R2及びダ
イオードD4の直列回路とが挿入されている。そ
して、入力端子1からバイパスコンデンサC1を
介してRF(高周波)信号が印加され、出力端子2
へバイパスコンデンサC2を介してRF信号導出さ
れる。ダイオードD2とD4とには制御電圧4及び
5が夫々印加されるようになつている。
かゝるπ型ダイオード減衰器では、抵抗R1,
R2をRF回路の特性インピーダンスに等しく設定
しかつ端子3の電位を一定に保つた場合、RF信
号入出力1及び2からみた回路インピーダンスは
各ダイオードのインピーダンスが変化しても略一
定に維持されることが知られている。
こゝで、半導体ダイオードは、その順方向電圧
対電流特性が対数特性を有していることから可変
減衰素子として良く用いられているが、そのRF
抵抗値はほぼ順方向電流により決まるために、入
力制御電圧に対して直線的に減衰量を変化させか
つ温度変化も少なくせしめることは困難となつて
いる。
発明の目的 本発明は温度変化も少なくかつ直線的な変化を
なす減衰特性を有するダイオード減衰器を提供す
ることを目的としている。
発明の構成 本発明によるダイオード減衰器は、直流バイア
ス印加点と基準電位点との間に2個のダイオード
による直列回路を2組設け、これ等直列回路の各
直列接続点を信号の入出力とするπ型定インピー
ダンスダイオード減衰器を対象とし、その特徴と
するところは、これ等ダイオードと同特性のダイ
オードと抵抗との直列回路を帰還部に有し入力に
所定制御電流が印加された演算増幅器(以下オペ
アンプと称す)を含み、このオペアンプの出力電
圧を直列回路の各直列回接続部へRFチヨーク回
路を介して供給するようにしたことにある。
実施例 以下に第2図を用いて本発明の実施例を説明す
る。
第2図において第1図と同等部分は同一符号に
より示しており、オペアンプ6の帰還部は抵抗
R11とダイオードD11との直列回路よりなつてい
る。このオペアンプ6の正相入力はアースされ、
逆相入力には抵抗R12を介して制御用電流Iiが印
加されている。このオペアンプ6の出力電圧は、
オペアンプ7、コンデンサC21,C23、抵抗R21〜
R23からなるRF信号阻止用のRFチヨーク回路
(ボルテ−ジフオロワ機能を有する)を介して制
御端子4及び5へ夫々印加されている。他の構成
は第1図のそれと同一である。
こゝで、端子4,5に同一電圧が印加されると
すれば、ダイオードD2(D4)のインピーダンスを
RD2とすれば、RF信号に対する減衰量ATTは、 ATT=20log10(2R0/RD2+1) ……(1) となる。R0はRF回路の特性インピーダンスであ
る。
一方、ダイオードの整流特性は、その温度特性
に注目して考えると、 IDAe=(q/KT)(VD-〓B) ……(2) 又は、 VD=(KT/q)log e(ID/A)+φB……(3) と表わされる。こゝに、Aは定数、qは電子電
荷、Kはボルツマン定数、Tは絶対温度、φBは
ビルデイングポテンシヤルである。
従つて、ダイオードのRF抵抗値Rは、 R=∂V/∂I=1/{q/KT)Aeq/KT(VD-〓B)}=
(KT/q)(1/ID)……(4) となる。
そして、端子4及び5に印加される電圧V0は、
(3)式より、 V0=(KT/q)log e(Ii/A)+φBR11Ii
……(5) となるから、ダイオードD2(D4)に流れる電流ID2
は、 ID2=Ae(q/KT)(V 0 -〓B)=Iie(q/KT)R11Ii ……(6) となる。(1),(4)及び(6)式より、 ATT=20log10{2R0/{(KT/q)(1/ID2)}+
1}=20log10{(q/KT)2R0Iie(q/KT)R11Ii+1} =20log10{(2R0/R11)Xex+1} ……(7) となる。こゝに、 x=(q/KT)R11Ii ……(8) である。
(7)式において、xが十分大きい場合には、 ATT≒20log10{2R0/R11)xex}=20log10(2R0/R
11)x+αx……(9) となる。αは定数である。xが十分大きければ制
御電流Iiを変化させても20log10(2R0/R11)xな
る項の変化は少なくなり、よつて、(9)式で示す
ATTはほゞオペアンプ6の印加制御電流Iiに比
例して変化することが判る。
特に、(7),(8)式は減衰量が温度変化に対しては
絶対温度に比例した印加電流変化と同程度である
ことを示し、温度変化が少ないことが判る。
また、(8)式の数値計算によれば、R11をR0の略
2倍に選べば、RF減衰量ATTはIiにほゞ比例す
ることになる。よつて、オペアンプ6の帰還抵抗
R11をRF特性インピーダンスのほゞ2倍とすれ
ば、制御電流Iiに対してほゞ直線的に変化しかつ
温度変化も少ない減衰特性が得られる。
上記例では、制御電圧印加点をダイオードD2
とR1(D4とR2)の接続点としているが、ダイオー
ドD2(D4)の直流インピーダンスはR1(R2)に比
し大とすれば、ダイオードD1とR1(D3とR2)の
接続点に制御電圧を印加しても良い。尚、この場
合にはR11はR0の2倍よりも若干大とする必要が
ある。
また、オペアンプ6の出力電圧を端子4,5へ
供給するためのRFチヨーク回路は、図示の例に
限定されることなくLCタイプのチヨーク回路を
用いても良い。
発明の効果 叙上の如く、本発明によれば、温度変化も少な
くかつ制御電流に対する直線性も良好な減衰特性
を得ることができる。特にハイブリツドIC(集積
回路)等で構成すれば更に温度安定性の良い定イ
ンピーダンス可変減衰器が実現可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のダイオード減衰器の回路図、第
2図は本発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、1,2……信号入出力
端子、3……直流バイアス印加端子、4,5……
制御電圧印加端子、6,7……オペアンプ、D1
〜D4,D11……ダイオード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 直流バイアス印加点と基準電位点との間に2
    個のダイオードを含む直列回路を2組設け、これ
    ら直列回路の各直列接続点を信号の入出力とする
    π型定インピーダンスダイオード減衰器であつ
    て、前記ダイオードと同特性のダイオードと抵抗
    との直列回路を帰還部に有し入力に所定制御電流
    が供給された演算増幅手段を含み、この演算増幅
    手段の出力電圧を前記直例回路の各直列接続部へ
    供給するようにしたことを特徴とするダイオード
    減衰器。 2 前記抵抗の抵抗値を前記信号に対する回路の
    特性インピーダンスの略2倍に選定してなること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項のダイオード
    減衰器。
JP12098984A 1984-06-13 1984-06-13 Daioodogensuiki Expired - Lifetime JPH0247128B2 (ja)

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JPS60264116A JPS60264116A (ja) 1985-12-27
JPH0247128B2 true JPH0247128B2 (ja) 1990-10-18

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