JPH0247184B2 - - Google Patents
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- JPH0247184B2 JPH0247184B2 JP56015928A JP1592881A JPH0247184B2 JP H0247184 B2 JPH0247184 B2 JP H0247184B2 JP 56015928 A JP56015928 A JP 56015928A JP 1592881 A JP1592881 A JP 1592881A JP H0247184 B2 JPH0247184 B2 JP H0247184B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- signal
- input
- state
- power switch
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 53
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、電源スイツチを切忘れても、負荷
に供給される電流を一定時間経過後に遮断するこ
とができると共に、電源スイツチを複数回開閉操
作することによつて負荷に持続して電流を供給す
ることができる電源開閉制御回路に関する。
に供給される電流を一定時間経過後に遮断するこ
とができると共に、電源スイツチを複数回開閉操
作することによつて負荷に持続して電流を供給す
ることができる電源開閉制御回路に関する。
従来、廊下の電灯等の消し忘れを防止するた
め、タイマー回路を電灯のスイツチに組み込み、
スイツチが閉成されていても、一定時間経過する
と、電灯等への電流の供給を自動的に遮断するよ
うにした電源開閉制御回路がある。
め、タイマー回路を電灯のスイツチに組み込み、
スイツチが閉成されていても、一定時間経過する
と、電灯等への電流の供給を自動的に遮断するよ
うにした電源開閉制御回路がある。
廊下の電球等は消し忘れを防止することも必要
であるが、スイツチを開放するまでの間、継続し
て電球等に電流を供給して、これを点灯させるこ
とが要求されることもある。上記の電源開閉制御
回路では、消し忘れを防止することはできるが、
スイツチを開放するまでの間、電流を継続して供
給することができないという問題点があつた。
であるが、スイツチを開放するまでの間、継続し
て電球等に電流を供給して、これを点灯させるこ
とが要求されることもある。上記の電源開閉制御
回路では、消し忘れを防止することはできるが、
スイツチを開放するまでの間、電流を継続して供
給することができないという問題点があつた。
この発明は、上記の問題点を解決した電源開閉
制御回路を提供することを目的とする。
制御回路を提供することを目的とする。
以下、この発明を図示の1実施例に基づいて詳
細に説明する。第1図において、2,4は入力端
子で、入力端子2は後述するリレー6の常開接点
8を介して出力端子10に接続され、入力端子4
及び出力端子12はそれぞれ接地されている。
細に説明する。第1図において、2,4は入力端
子で、入力端子2は後述するリレー6の常開接点
8を介して出力端子10に接続され、入力端子4
及び出力端子12はそれぞれ接地されている。
入力端子2はダイオード14、リレー6の励磁
巻線16及びトランジスタ20のコレクタ・エミ
ツタ導電路を介して接地されている。この励磁巻
線16とトランジスタ20とが駆動回路を構成し
ている。なお、励磁巻線16に並列に接続されて
いるコンデンサ18は、トランジスタ20に供給
される電流を平滑するためのものである。
巻線16及びトランジスタ20のコレクタ・エミ
ツタ導電路を介して接地されている。この励磁巻
線16とトランジスタ20とが駆動回路を構成し
ている。なお、励磁巻線16に並列に接続されて
いるコンデンサ18は、トランジスタ20に供給
される電流を平滑するためのものである。
ダイオード14と励磁巻線16との接続点は抵
抗22,24、コンデンサ26の直列回路を介し
て接地され、さらにコンデンサ26には抵抗28
が並列に接続されている。これら抵抗24,2
8、コンデンサ28がトリガ回路を構成してい
る。
抗22,24、コンデンサ26の直列回路を介し
て接地され、さらにコンデンサ26には抵抗28
が並列に接続されている。これら抵抗24,2
8、コンデンサ28がトリガ回路を構成してい
る。
抵抗22,24の接続点は、ダイオード30、
コンデンサ32を介して接地され、このコンデン
サ32に並列に抵抗34が接続されている。コン
デンサ32、抵抗34が限時電源回路を構成して
いる。
コンデンサ32を介して接地され、このコンデン
サ32に並列に抵抗34が接続されている。コン
デンサ32、抵抗34が限時電源回路を構成して
いる。
抵抗24,28の接続点は、立ち下がりのパル
スに応動して低レベルの出力パルスをT1(秒)発
生するワンシヨツトマルチバイブレータ35の一
部を構成しているNAND回路36の一方の入力
端子に接続され、NAND回路36の出力端子は
コンデンサ38、抵抗40を介して接地されてい
る。NAND回路36の他方の入力端子は、
NAND回路42の出力端子及びNOR回路44の
一方の入力端子に接続され、NAND回路42の
一方の入力端子は、コンデンサ38と抵抗40と
の接続点に接続され、他方の入力端子はダイオー
ド30とコンデンサ32との接続点に接続されて
いる。またNOR回路44の他方の入力端子は接
地されている。
スに応動して低レベルの出力パルスをT1(秒)発
生するワンシヨツトマルチバイブレータ35の一
部を構成しているNAND回路36の一方の入力
端子に接続され、NAND回路36の出力端子は
コンデンサ38、抵抗40を介して接地されてい
る。NAND回路36の他方の入力端子は、
NAND回路42の出力端子及びNOR回路44の
一方の入力端子に接続され、NAND回路42の
一方の入力端子は、コンデンサ38と抵抗40と
の接続点に接続され、他方の入力端子はダイオー
ド30とコンデンサ32との接続点に接続されて
いる。またNOR回路44の他方の入力端子は接
地されている。
NOR回路44の出力端子は、RSフリツプフロ
ツプ45の一部を構成しているNOR回路46の
一方の入力端子に接続されている。NOR回路4
6の出力はNOR回路48の一方の入力端子及び
NAND回路50の一方の入力端子に接続され、
NOR回路48の出力端子は、NOR回路46の他
方の入力端子に接続されている。
ツプ45の一部を構成しているNOR回路46の
一方の入力端子に接続されている。NOR回路4
6の出力はNOR回路48の一方の入力端子及び
NAND回路50の一方の入力端子に接続され、
NOR回路48の出力端子は、NOR回路46の他
方の入力端子に接続されている。
NOR回路48の他方の入力端子は抵抗52を
介して接地されると共に、コンデンサ54を介し
てダイオード30とコンデンサ32との接続点に
接続されている。このコンデンサ54と抵抗52
とが時定数回路を構成している。またNAND回
路50の出力端子は抵抗56を介してトランジス
タ20のベースに接続されている。
介して接地されると共に、コンデンサ54を介し
てダイオード30とコンデンサ32との接続点に
接続されている。このコンデンサ54と抵抗52
とが時定数回路を構成している。またNAND回
路50の出力端子は抵抗56を介してトランジス
タ20のベースに接続されている。
またダイオード30とコンデンサ32との接続
点は、コンデンサ58、抵抗60を介して接地さ
れ、抵抗60にはダイオード63が並列に接続さ
れている。コンデンサ58と抵抗60との接続点
は抵抗62を介してトランジスタ64のベースに
接続され、トランジスタ64のコレクタは抵抗6
6を介してダイオード30とコンデンサ32との
接続点に接続され、エミツタは接地されている。
トランジスタ64のコレクタ・エミツタ間にはコ
ンデンサ68が接続され、さらにコレクタには
NOR回路70の双方の入力端子が接続されてい
る。NOR回路70の出力端子は、NAND回路7
2の双方の入力端子に接続され、さらにNAND
回路72の出力端子はNAND回路50の他方の
入力端子に接続されている。抵抗66、コンデン
サ68、NOR回路70、NAND回路72がタイ
マー回路を構成している。
点は、コンデンサ58、抵抗60を介して接地さ
れ、抵抗60にはダイオード63が並列に接続さ
れている。コンデンサ58と抵抗60との接続点
は抵抗62を介してトランジスタ64のベースに
接続され、トランジスタ64のコレクタは抵抗6
6を介してダイオード30とコンデンサ32との
接続点に接続され、エミツタは接地されている。
トランジスタ64のコレクタ・エミツタ間にはコ
ンデンサ68が接続され、さらにコレクタには
NOR回路70の双方の入力端子が接続されてい
る。NOR回路70の出力端子は、NAND回路7
2の双方の入力端子に接続され、さらにNAND
回路72の出力端子はNAND回路50の他方の
入力端子に接続されている。抵抗66、コンデン
サ68、NOR回路70、NAND回路72がタイ
マー回路を構成している。
コンデンサ32、抵抗34の接続点は、
NAND回路36,42,50,72、NOR回路
46,48,70の電源端子(図示せず)に接続
され、コンデンサ32、抵抗34の値は、入力端
子2及び4に一度電流が供給されると、少なくと
もワンシヨツトマルチバイブレータ35の出力パ
ルス幅T1(秒)よりも長い時間にわたつて上記の
NAND回路36,42,50,72、NOR回路
46,48,70に動作電流を供給することがで
きるように選択されている。
NAND回路36,42,50,72、NOR回路
46,48,70の電源端子(図示せず)に接続
され、コンデンサ32、抵抗34の値は、入力端
子2及び4に一度電流が供給されると、少なくと
もワンシヨツトマルチバイブレータ35の出力パ
ルス幅T1(秒)よりも長い時間にわたつて上記の
NAND回路36,42,50,72、NOR回路
46,48,70に動作電流を供給することがで
きるように選択されている。
この電源開閉制御回路は、入力端子2,4を電
源スイツチ74を介して電灯線76に接続し、出
力端子10,12間に負荷として電球78を接続
して使用する。
源スイツチ74を介して電灯線76に接続し、出
力端子10,12間に負荷として電球78を接続
して使用する。
この電源開閉制御回路は、一度電源スイツチ7
4を閉成して、電球78に電流を供給して点灯
し、そのままにしておくと一定時間経過後に、自
動的に電流の供給が絶たれ、電球78が消灯す
る。また、一度電源スイツチ74を閉成し、その
後に開放して、再び閉成すると、電源スイツチ7
4を開放するまで、電球78に継続して電流を供
給し、点灯を持続させる。以下、この動作につい
て第2図を参考にしながら詳細に説明する。
4を閉成して、電球78に電流を供給して点灯
し、そのままにしておくと一定時間経過後に、自
動的に電流の供給が絶たれ、電球78が消灯す
る。また、一度電源スイツチ74を閉成し、その
後に開放して、再び閉成すると、電源スイツチ7
4を開放するまで、電球78に継続して電流を供
給し、点灯を持続させる。以下、この動作につい
て第2図を参考にしながら詳細に説明する。
今、電源スイツチ74が開放され、全てのコン
デンサ26,32,38,54,58及び68は
放電状態であるとする。この状態において、電源
スイツチ74を閉成すると、ダイオード14,3
0、コンデンサ32によつて直流電流が得られ、
NAND回路36,42,50,72、NOR回路
46,48,70に動作電流が供給される。電源
スイツチ74を閉成したことによりNAND回路
42におけるダイオード30とコンデンサ32と
の接続点に接続されている入力端子は高レベルと
なり、他方の入力端子は抵抗40を介して接地さ
れているので低レベルとなり、NAND回路42
の出力は高レベルとなる。この高レベルの出力は
NOR回路44の一方の入力端子に供給されるが、
NOR回路44の他方の入力は接地されているの
で、このNOR回路44の出力、即ちNOR回路4
6の入力は低レベルとなる。一方、電源スイツチ
74が閉成されたことにより時定数回路のコンデ
ンサ54の充電が開始され、この充電が完了する
までの間、NOR回路48に高レベルの信号を供
給する。NOR回路46の入力は低レベルであり、
NOR回路48の入力が高レベルであるので、
NOR回路46の出力端子は高レベルとなる。な
お、NOR回路46の出力端子が高レベルとなる
状態は、コンデンサ54の充電が完了し、NOR
回路48の入力が低レベルとなつた後も維持され
る。
デンサ26,32,38,54,58及び68は
放電状態であるとする。この状態において、電源
スイツチ74を閉成すると、ダイオード14,3
0、コンデンサ32によつて直流電流が得られ、
NAND回路36,42,50,72、NOR回路
46,48,70に動作電流が供給される。電源
スイツチ74を閉成したことによりNAND回路
42におけるダイオード30とコンデンサ32と
の接続点に接続されている入力端子は高レベルと
なり、他方の入力端子は抵抗40を介して接地さ
れているので低レベルとなり、NAND回路42
の出力は高レベルとなる。この高レベルの出力は
NOR回路44の一方の入力端子に供給されるが、
NOR回路44の他方の入力は接地されているの
で、このNOR回路44の出力、即ちNOR回路4
6の入力は低レベルとなる。一方、電源スイツチ
74が閉成されたことにより時定数回路のコンデ
ンサ54の充電が開始され、この充電が完了する
までの間、NOR回路48に高レベルの信号を供
給する。NOR回路46の入力は低レベルであり、
NOR回路48の入力が高レベルであるので、
NOR回路46の出力端子は高レベルとなる。な
お、NOR回路46の出力端子が高レベルとなる
状態は、コンデンサ54の充電が完了し、NOR
回路48の入力が低レベルとなつた後も維持され
る。
また、電源スイツチ74を閉成したことによ
り、トランジスタ64のベースにコンデンサ58
の容量及び抵抗60の値によつて定める極わずか
の時間だけ、ベース電流が流れ、トランジスタ6
4が導通し、コンデンサ68を短絡する。
り、トランジスタ64のベースにコンデンサ58
の容量及び抵抗60の値によつて定める極わずか
の時間だけ、ベース電流が流れ、トランジスタ6
4が導通し、コンデンサ68を短絡する。
コンデンサ68の両端が短絡されると、NOR
回路70の双方の入力端子が低レベルとなり、そ
の出力端子は高レベルとなり、この高レベルの信
号はNAND回路72の双方の入力端子に供給さ
れる。これによりNAND回路72の出力、即ち、
NAND回路50の一方の入力端子は低レベルと
なる。このとき、NAND回路50の他方の入力
は、上述したように高レベルとなつているので、
NAND回路50の出力端子は高レベルとなり、
抵抗56を介してトランジスタ20にベース電流
が流れ、トランジスタ20が導通する。これによ
つて、励磁巻線16に電流が流れ、常開接点8が
閉成し、電球78が点灯する。
回路70の双方の入力端子が低レベルとなり、そ
の出力端子は高レベルとなり、この高レベルの信
号はNAND回路72の双方の入力端子に供給さ
れる。これによりNAND回路72の出力、即ち、
NAND回路50の一方の入力端子は低レベルと
なる。このとき、NAND回路50の他方の入力
は、上述したように高レベルとなつているので、
NAND回路50の出力端子は高レベルとなり、
抵抗56を介してトランジスタ20にベース電流
が流れ、トランジスタ20が導通する。これによ
つて、励磁巻線16に電流が流れ、常開接点8が
閉成し、電球78が点灯する。
やがて、コンデンサ58の充電が完了したこと
により、トランジスタ64のベース電流が流れな
くなり、トランジスタ64が非導通状態となる。
これによつて、コンデンサ68の充電が開始さ
れ、コンデンサ68の電圧は徐々に上昇し、抵抗
66の値及びコンデンサ68の容量によつて定ま
るT2(秒)後にNOR回路70の出力端子が低レ
ベルとなる。NOR回路70の出力端子が低レベ
ルとなると、NAND回路72の出力端子、即ち
NAND回路50の一方の入力端子が高レベルと
なる。NAND回路50の他方の入力端子は上述
したように高レベルであるので、NAND回路5
0の出力端子が低レベルとなる。これによつて、
トランジスタ20が非導通状態となり、励磁巻線
16に電流が流れなくなり、常開接点8が開放さ
れ、電球78にも電流が流れなくなり、消灯す
る。即ち、電源スイツチ74を閉成してからT2
(秒)経過後には、電源スイツチ74を開放する
のを忘れていても自動的に消灯する。
により、トランジスタ64のベース電流が流れな
くなり、トランジスタ64が非導通状態となる。
これによつて、コンデンサ68の充電が開始さ
れ、コンデンサ68の電圧は徐々に上昇し、抵抗
66の値及びコンデンサ68の容量によつて定ま
るT2(秒)後にNOR回路70の出力端子が低レ
ベルとなる。NOR回路70の出力端子が低レベ
ルとなると、NAND回路72の出力端子、即ち
NAND回路50の一方の入力端子が高レベルと
なる。NAND回路50の他方の入力端子は上述
したように高レベルであるので、NAND回路5
0の出力端子が低レベルとなる。これによつて、
トランジスタ20が非導通状態となり、励磁巻線
16に電流が流れなくなり、常開接点8が開放さ
れ、電球78にも電流が流れなくなり、消灯す
る。即ち、電源スイツチ74を閉成してからT2
(秒)経過後には、電源スイツチ74を開放する
のを忘れていても自動的に消灯する。
なお、電源スイツチ74を閉成した直後、トラ
ンジスタ64、コンデンサ58、抵抗60等を用
いて、短時間だけコンデンサ68を短絡している
のは、次のような理由による。もし、トランジス
タ64、コンデンサ58、抵抗60等を設けてい
ない状態で、電源スイツチ74を閉成したとき
に、コンデンサ68が完全な放電状態でないこと
があると、NOR回路70の出力が電源スイツチ
74の閉成時から低レベルとなるまでの時間が
T2(秒)よりも短くなり、電源スイツチ74の閉
成時から正確にT2(秒)後に消灯させることでき
ない。これを防止するため、電源スイツチ74が
閉成された極短時間のうちにコンデンサ68を短
絡させて、完全に放電状態とするように、トラン
ジスタ64、コンデンサ58、抵抗60等を設け
ている。
ンジスタ64、コンデンサ58、抵抗60等を用
いて、短時間だけコンデンサ68を短絡している
のは、次のような理由による。もし、トランジス
タ64、コンデンサ58、抵抗60等を設けてい
ない状態で、電源スイツチ74を閉成したとき
に、コンデンサ68が完全な放電状態でないこと
があると、NOR回路70の出力が電源スイツチ
74の閉成時から低レベルとなるまでの時間が
T2(秒)よりも短くなり、電源スイツチ74の閉
成時から正確にT2(秒)後に消灯させることでき
ない。これを防止するため、電源スイツチ74が
閉成された極短時間のうちにコンデンサ68を短
絡させて、完全に放電状態とするように、トラン
ジスタ64、コンデンサ58、抵抗60等を設け
ている。
連続的に電球78を点灯させる場合について説
明する。この場合のダイミング図を第2図の後半
に示す。この場合、電源スイツチ74を閉成する
と、上述したのと同様にして電球78が点灯す
る。このとき、無論NOR回路46の出力は高レ
ベルである。この状態で電源スイツチ74を開放
すると、電球78への電流供給が絶たれ、電球7
8は消灯する。一方、この電源スイツチ74の開
放により、コンデンサ32が放電を開始し、この
放電電流によつてNAND回路36,42,50,
72、NOR回路46,48,70に動作電流が
供給され、またNAND回路42のダイオード3
0とコンデンサ32の接続点に接続されている入
力も高レベル状態に維持される。NAND回路4
2の他方の入力は抵抗40を介して接地されてい
るので、低レベルである。従つて、NAND回路
42の出力、即ち、NAND回路36の一方の入
力は高レベルである。NAND回路36の他方の
入力は、電源スイツチ74の開放によるコンデン
サ26の放電によつて低レベルとなる。その結
果、NAND回路36の出力が高レベルとなり、
コンデンサ38の充電が開始される。その結果、
NAND回路42の抵抗40に接続されている入
力端子は高レベルとなり、NAND回路42の出
力は低レベルとなる。この低レベルの信号が
NAND回路36側に帰還されているので、コン
デンサ26の放電が完了した後も、NAND回路
36の出力を高レベルとする。そして、この
NAND回路36の高レベルの出力によつてコン
デンサ38の充電が完了するまでの間、即ちT1
(秒)の間、NAND回路42の出力は低レベルを
維持する。
明する。この場合のダイミング図を第2図の後半
に示す。この場合、電源スイツチ74を閉成する
と、上述したのと同様にして電球78が点灯す
る。このとき、無論NOR回路46の出力は高レ
ベルである。この状態で電源スイツチ74を開放
すると、電球78への電流供給が絶たれ、電球7
8は消灯する。一方、この電源スイツチ74の開
放により、コンデンサ32が放電を開始し、この
放電電流によつてNAND回路36,42,50,
72、NOR回路46,48,70に動作電流が
供給され、またNAND回路42のダイオード3
0とコンデンサ32の接続点に接続されている入
力も高レベル状態に維持される。NAND回路4
2の他方の入力は抵抗40を介して接地されてい
るので、低レベルである。従つて、NAND回路
42の出力、即ち、NAND回路36の一方の入
力は高レベルである。NAND回路36の他方の
入力は、電源スイツチ74の開放によるコンデン
サ26の放電によつて低レベルとなる。その結
果、NAND回路36の出力が高レベルとなり、
コンデンサ38の充電が開始される。その結果、
NAND回路42の抵抗40に接続されている入
力端子は高レベルとなり、NAND回路42の出
力は低レベルとなる。この低レベルの信号が
NAND回路36側に帰還されているので、コン
デンサ26の放電が完了した後も、NAND回路
36の出力を高レベルとする。そして、この
NAND回路36の高レベルの出力によつてコン
デンサ38の充電が完了するまでの間、即ちT1
(秒)の間、NAND回路42の出力は低レベルを
維持する。
NAND回路42の低レベル出力は、NOR回路
44の一方の入力にも供給されるが、他方の入力
は接地されているので、低レベルである。よつ
て、NOR回路44の出力、即ち、NOR回路46
の入力はT1(秒)の間、高レベルとなる。このと
き、コンデンサ32の放電電流がコンデンサ54
にも流れ、コンデンサ54の充電状態を維持して
いるので、NOR回路48の入力は低レベル状態
である。よつて、NOR回路46の出力、即ち
NAND回路50は高レベル状態から低レベルに
変化する。一般にNAND回路は、一方の入力が
高レベルであると、他方の入力が高レベルであろ
うと低レベルであろうと、出力は高レベルになる
ので、NAND回路50の出力はNAND回路の出
力のレベルにかかわらず、高レベルとなる。従つ
て、この状態で、電源スイツチ74を閉成する
と、トランジスタ20が導通し、ダイオード1
4、励磁巻線16、トランジスタ20と電流が流
れ、常開接点8が閉成し、電球78が点灯する。
この点灯状態は、電源スイツチ74が開放される
まで継続する。
44の一方の入力にも供給されるが、他方の入力
は接地されているので、低レベルである。よつ
て、NOR回路44の出力、即ち、NOR回路46
の入力はT1(秒)の間、高レベルとなる。このと
き、コンデンサ32の放電電流がコンデンサ54
にも流れ、コンデンサ54の充電状態を維持して
いるので、NOR回路48の入力は低レベル状態
である。よつて、NOR回路46の出力、即ち
NAND回路50は高レベル状態から低レベルに
変化する。一般にNAND回路は、一方の入力が
高レベルであると、他方の入力が高レベルであろ
うと低レベルであろうと、出力は高レベルになる
ので、NAND回路50の出力はNAND回路の出
力のレベルにかかわらず、高レベルとなる。従つ
て、この状態で、電源スイツチ74を閉成する
と、トランジスタ20が導通し、ダイオード1
4、励磁巻線16、トランジスタ20と電流が流
れ、常開接点8が閉成し、電球78が点灯する。
この点灯状態は、電源スイツチ74が開放される
まで継続する。
なお、電源スイツチ74を開放してから、再び
閉成するまでの間の時間が長くなると、コンデン
サ32,54が完全に放電し、第2図の中央に仮
想線で示すように初期状態となり、電源スイツチ
74を再び閉じても、電球78はT2(秒)経過後
に消灯する。
閉成するまでの間の時間が長くなると、コンデン
サ32,54が完全に放電し、第2図の中央に仮
想線で示すように初期状態となり、電源スイツチ
74を再び閉じても、電球78はT2(秒)経過後
に消灯する。
以上説明したように、この発明による電源開閉
制御回路によれば、1つの回路でありながら、電
源スイツチを切忘れても所定時間経過後には自動
的に負荷への電流の供給を遮断することができる
上に、一度電源スイツチを閉成してから開放し、
再び閉成すると、継続的に負荷に電流を供給する
ことができる。
制御回路によれば、1つの回路でありながら、電
源スイツチを切忘れても所定時間経過後には自動
的に負荷への電流の供給を遮断することができる
上に、一度電源スイツチを閉成してから開放し、
再び閉成すると、継続的に負荷に電流を供給する
ことができる。
上記の実施例では負荷として電球を使用した
が、モータ等の他の負荷を使用してもよい。
が、モータ等の他の負荷を使用してもよい。
第1図はこの発明による電源開閉制御回路の一
実施例の回路図、第2図は同実施例の動作タイミ
ング図である。 2,4……入力端子、8……常開接点、{16
……リレーの励磁巻線、20……トランジスタ}
駆動回路、{24,28……抵抗、26……コン
デンサ}トリガ回路、{32……コンデンサ、3
4……抵抗}限時電源回路、35……ワンシヨツ
トマルチバイブレータ、45……フリツプフロツ
プ、{52……抵抗、54……コンデンサ}時定
数回路。
実施例の回路図、第2図は同実施例の動作タイミ
ング図である。 2,4……入力端子、8……常開接点、{16
……リレーの励磁巻線、20……トランジスタ}
駆動回路、{24,28……抵抗、26……コン
デンサ}トリガ回路、{32……コンデンサ、3
4……抵抗}限時電源回路、35……ワンシヨツ
トマルチバイブレータ、45……フリツプフロツ
プ、{52……抵抗、54……コンデンサ}時定
数回路。
Claims (1)
- 1 入力端間に電源と電源スイツチとの直列回路
が接続され、出力端間に常開接点と負荷の直列回
路が接続される一対の電源ラインと、この上記電
源ライン間に設けられ付勢信号が供給されている
期間にわたつて上記常開接点を閉成する駆動回路
と、上記電源ライン間に接続され上記電源スイツ
チの閉成に応動して予め定めた第1の時間にわた
つて上記付勢信号を上記駆動回路に供給するタイ
マー回路と、2つの入力を有し一方の入力が第1
の状態の信号を受け他方の入力が第2の状態の信
号を受けたときリセツト状態とされ上記一方の入
力が第2の状態の信号を受け上記他方の入力が第
1の状態の信号を受けたときセツト状態とされこ
のセツト状態において上記駆動回路に上記付勢信
号を供給するフリツプフロツプと、上記電源ライ
ン間に接続され上記電源スイツチの閉成に応動し
て上記フリツプフロツプの上記一方の入力に予め
定めた第2の時間にわたつて第1の状態の信号を
供給し以後第2の状態の信号を供給する時定数回
路と、上記電源ライン間に接続され上記電源スイ
ツチの閉成後の開放に応動してトリガ信号を生成
するトリガ回路と、上記トリガ信号の入力前には
第2の状態の信号を上記フリツプフロツプの上記
他方の入力に入力し上記トリガ信号の入力に応動
して予め定めた第3の時間にわたつて第1の状態
の信号を上記フリツプフロツプの上記他方の入力
に供給し、以後第2の状態の信号を上記フリツプ
フロツプの上記他方の入力に供給するワンシヨツ
トマルチバイブレータと、上記電源ライン間に接
続され上記電源スイツチの開放後も第3の時間よ
りも長い第4の時間にわたつて上記フリツプフロ
ツプ及び上記ワンシヨツトマルチバイブレータに
動作電源を供給する容量のコンデンサを含む限時
電源回路とを、有する電源開閉制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56015928A JPS57132732A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Power source switching control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56015928A JPS57132732A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Power source switching control circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132732A JPS57132732A (en) | 1982-08-17 |
| JPH0247184B2 true JPH0247184B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=11902429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56015928A Granted JPS57132732A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Power source switching control circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57132732A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875433U (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-21 | 成澤 平 | 電気機器の動作切替装置 |
-
1981
- 1981-02-04 JP JP56015928A patent/JPS57132732A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132732A (en) | 1982-08-17 |
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