JPH0247453B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はフエノキシ化合物誘導体の合成法に関
し、更に詳しくは、 一般式： 〔ただし、R₁、R₂、R₃は、水素原子、水酸基、
Rp｛ただしRpは、

【式】（ｎは０もし くは１〜19の整数）で表わされるプレノキシ基も
しくはポリプレノキシ基を意味する｝で示される
基またはRq｛ただしRqは、一般式−Ｏ−（CH₂−）_n
COOR（Ｒは水素原子もしくはアルキル基を、ｍ
は１〜５の整数を意味する）で表わされる基を意
味する｝で示される基を意味し、R₄は、水素原
子、アルキル基または一般式

【式】もしくは

【式】｛ただし、R₅、R₆、R₇は 水素原子、水酸基、RpもしくはRq（ただし、Rp、
Rqは前述の通り）を意味する｝で表わされる基
を意味するものとする。 ただし、R₁、R₂、R₃、R₅、R₆、R₇のうち少く
とも一つは水酸基を示す。〕 で表わされるフエノール誘導体と、 一般式： （ただし、ｎは０もしくは１〜19の整数を示す） で表わされる塩化プレニルもしくは塩化ポリプレ
ニル、または一般式： Cl（CH₂）_nCOOR …… （ただしＲは、水素原子もしくはアルキル基を、
ｍは１〜５の整数を示す） で表わされるモノクロルカルボン酸誘導体とを、
塩基の存在下に反応せしめフエノキシ化合物誘導
体を製造するに当り、触媒として第四級アンモニ
ウムブロマイド、第四級アンモニウムアイオダイ
ド、第四級ホスホニウムブロマイド、第四級ホス
ホニウムアイオダイドおよびクラウンエーテル化
合物よりなる群から選ばれる少くとも１種の化合
物の存在下に反応を行うことを特徴とする、フエ
ノキシ化合物誘導体を製造する方法に関するもの
である。 一般式の化合物および一般式もしくはの
化合物より製造されるフエノキシ化合物誘導体
は、医薬品の製造に極めて有用な化合物であり、
就中、カルコン誘導体及びジヒドロカルコン誘導
体は強い抗消化性潰瘍作用を示し（Chem
Pharm Bull.、27、2943（1979））非常に有用な化
合物である。すなわち、本発明は主として抗消化
性潰瘍剤として有用なカルコン誘導体、ジヒドロ
カルコン誘導体あるいはそれらの中間体の製造方
法に関する。 従来一般式で示されるある種合の化合物より
フエノキシ化合物誘導体を製造するに当つて、一
般式で示されるある種のフエノール誘導体と臭
化プレニルまたはモノブロム酢酸誘導体を原料と
する場合には、概して高収率で反応が進行するこ
とが知られている。 たとえば、後述の参考例１の如く、２，４−ジ
ハイドロキシアセトフエノンを炭酸カリウムの存
在下、臭化プレニルと反応せしめると、２−ハイ
ドロキシ−４−プレノキシアセトフエノンが
75.8mol％の高収率で得られ、また参考例２の如
く、２−ハイドロキシ−４−プレノキシアセトフ
エノンを炭酸カリウムの存在下、モノブロム酢酸
エチルと反応せしめると、２−エトキシカルボニ
ルメトキシ−４−プレノキシアセトフエノンが
79.6mol％の高収率で得られる。 しかしながら原料の臭素化物は塩素化物に比し
て著しく高価であり、経済的に問題があるのみな
らず、臭化（ポリ）プレニルにおいては塩化（ポ
リ）プレニルに比してその安定性が遥かに劣るた
め貯蔵が困難であつたり、またモノブロムカルボ
ン酸エステルは催涙性が大であるため、製造操作
上不都合な点が多い。 このため原料の臭素化物を塩素化物に代えるこ
とも考えられるが（特開昭53−116355号）、例え
ば塩化プレニルに関して実施例１において比較デ
ータを示した如く、またモノクロル酢酸メチルに
関しては実施例16で比較データを示した如く、単
に塩素化物に変更しただけでは目的物の収率が著
しく低く（例えば前記比較データでは収率が夫々
38.1および27.7mol％）、工業的に有効な方法とは
なり得ない。 本発明者らは、かかる実情に鑑み塩素化物を利
用した効果的な合成法につき鋭意研究を行つた結
果、前記の各塩素化物を用いる場合に触媒として
特定の第四級化合物またはクラウンエーテル化合
物を存在させることの有効性を見出し、更に検討
を進めたところ、それらの例に限られず一般式
またはで表わされる塩素化物全般に有効である
ことを知り本発明に到達した。即ち、本発明は、
反応系に相間移動触媒の機能を有することで知ら
れている第四級アンモニウムブロマイド、第四級
アンモニウムアイオダイド、第四級ホスホニウム
ブロマイド、第四級ホスホニウムアイオダイドお
よびクラウンエーテル化合物より成る群から選ば
れる少くとも１種の化合物を存在させることを特
徴とするものである。そして本発明によれば、有
機反応溶媒中において、相間移動触媒の働きによ
り反応種のイオン化性が高められ、溶媒に固相、
水溶液相等として分散する塩基による脱ハロゲン
水素が効果的に促進されることによつて、一方の
原料として臭素化物に比してより安価でかつ取扱
いの容易な塩素化物を用い、短い反応時間にも拘
らず高収率で目的物が得られ、目的とするフエノ
キシ化合物誘導体の経済的な製造法が確立され
る。 本発明に於いて使用し得る触媒は、相間移動触
媒として作用する次のものである。 (i) 第四級アンモニウムブロマイド：たとえば、
テトラアルキルアンモニウムブロマイド（テト
ラメチルアンモニウムブロマイド、テトラエチ
ルアンモニウムブロマイド、ｎ−オクチルトリ
アルキルアンモニウムブロマイド、ｎ−デシル
トリアルキルアンモニウムブロマイド等）、ベ
ンジルトリアルキルアンモニウムブロマイド
（ベンジルトリエチルアンモニウムブロマイド
等）、フエニルトリアルキルアンモニウムブロ
マイド（フエニルトリメチルアンモニウムブロ
マイド等）、β−ブロモアルキルトリアルキル
アンモニウムブロマイド（β−ブロモエチルト
リメチルアンモニウムブロマイド等）、フエロ
セニルアルキルトリアルキルアンモニウムブロ
マイド（フエロセニルメチルトリメチルアンモ
ニウムブロマイド等）、メトニウムブロマイド
（ヘキサメトニウムブロマイド、デカメトニウ
ムブロマイド等）、環状アンモニウムブロマイ
ド（１−アルキルピリジウムブロマイド、１−
アミノピリジウムブロマイド、ベンジルメチル
モルホリウムブロマイド等）等。 (ii) 第四級アンモニウムアイオダイド：たとえ
ば、テトラアルキルアンモニウムアイオダイド
（テトラメチルアンモニウムアイオダイド、テ
トラエチルアンモニウムアイオダイド、ｎ−オ
クチルトリアルキルアンモニウムアイオダイ
ド、ｎ−デシルトリアルキルアンモニウムアイ
オダイド等）、ベンジルトリアルキルアンモニ
ウムアイオダイド（ベンジルトリエチルアンモ
ニウムアイオダイド等）、フエニルトリアルキ
ルアンモニウムアイオダイド（フエニルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド等）、β−アル
キルコリンアイオダイド（β−メチルコリンア
イオダイド等）、フエロセニルアルキルトリア
ルキルアンモニウムアイオダイド（フエロセニ
ルメチルトリメチルアンモニウムアイオダイド
等）、メトニウムアイオダイド（ヘキサメトニ
ウムアイオダイド、デカメトニウムアイオダイ
ド等）、環状アンモニウムアイオダイド（１−
アルキルピリジウムアイオダイド、１−アミノ
ピリジウムアイオダイド、ベンジルメチルモル
ホリウムアイオダイド等）等。 (iii) 第四及ホスホニウムブロマイド：たとえば、
アルキルトリフエニルホスホニウムブロマイド
（ｎ−ブチルトリフエニルホスホニウムブロマ
イド、ｎ−アミルトルフエニルホスホニウムブ
ロマイド等）、テトラアルキルホスホニウムブ
ロマイド（テトラエチルホスホニウムブロマイ
ド、テトラブチルホスホニウムブロマイド、ト
リブチルヘキサデシルホスホニウムブロマイ
ド、テトラフエニルホスホニウムブロマイド
等）等。 (iv) 第四級ホスホニウムアイオダイド：たとえ
ば、アルキルトリフエニルホスホニウムアイオ
ダイド（メチルトリフエニルホスホニウムアイ
オダイド、ｎ−ブチルトリフエニルホスホニウ
ムアイオダイド等）、テトラアルキルホスホニ
ウムアイオダイド（テトラエチルホスホニウム
アイオダイド、テトラブチルホスホニウムアイ
オダイド、テトラフエニルホスホニウムアイオ
ダイド、トリブチルヘキサデシルホスホニウム
アイオダイド等）等。 (v) クラウンエーテル化合物：たとえば、クラウ
ンエーテル（12−クラウン４、15−クラウン−
５、18−クラウン−６、ジベンゾ−18−クラウ
ン−６、ジシクロヘキシル−18−クラウン−６
等）、クリプテート（Merck社、商品名、クリ
プトフイツクス５、クリプトフイツクス22、ク
リプトフイツクス222、クリプトフイツクス
222D、クリプトフイツクス222Bポリマー等）
等。 又、本発明は反応系に於いて、アミン類あるい
はホスフイン化合物と有機臭化物あるいは有機ヨ
ウ化物を存在せしめて、第四級臭化物あるいは第
四級ヨウ化物が生成する場合や、第四級水酸化物
あるいは第四級塩化物と無機臭化物、無機ヨウ化
物、有機臭化物あるいは有機ヨウ化物を存在せし
めて、第四級臭化物あるいは第四級ヨウ化物が生
成する場合ももちろん包含する。 本発明に於いて上記化合物はそれぞれ単独で使
用できるばかりでなく、所望により２種あるいは
それ以上を併用できる。又、ここに記載の化合物
のみに限定されるものではないことは勿論であ
る。 本発明に於いてフエノール誘導体とは一般式

【式】（但し、R₁、R₂、R₃、 R₄は前述の定義のとうりである。）で示されるも
のであり、これらを具体的に例示するならば２−
ハイドロキシベンズアルデヒド、３−ハイドロキ
シベンズアルデヒド、４−ハイドロキシベンズア
ルデヒド、２，４−ジハイドロキシベンズアルデ
ヒド、２−ハイドロキシ−４−プレキシベンズア
ルデヒド、２−ハイドロキシ−４−ゲラノキシベ
ンズアルデヒドの如き、ベンズアルデヒド誘導
体、２−ハイドロキシアセトフエノン、３−ハイ
ドロキシアセトフエノン、４−ハイドロキシアセ
トフエノン、２，４−ジハイドロキシアセトフエ
ノン、２−ハイドロキシ−４−プレノキシアセト
フエノンの如きアセトフエノン誘導体、２−ハイ
ドロキシプロピオフエノン、３−ハイドロキシプ
ロピオフエノン、４−ハイドロキシプロピオフエ
ノン、２，４−ジハイドロキシプロピオフエノ
ン、２−ハイドロキシ−４−プレノキシプロピオ
フエノン、２−ハイドロキシ−４−ゲラノキシプ
ロピオフエノンの如きプロピオフエノン誘導体、
2′−ハイドロキシカルコン、2′−ハイドロキシ−
4′−プレノキシカルコン、2′−ハイドロキシ−
4′−ゲラノキシカルコン、2′−ハイドロキシ−
４，4′−ジプレノキシカルコン、2′−ハイドロキ
シ−２，4′−ジプレノキシカルコン、2′−ハイド
ロキシ−３，4′−ジプレノキシカルコン、2′−ハ
イドロキシ−4′−ゲラノキシ−４−プレノキシカ
ルコン、2′−ハイドロキシ−４，4′−ジゲラノキ
シカルコン、2′−ハイドロキシ−２，４−ジプレ
ノキシカルコン、2′−ハイドロキシ−２，３−ジ
プレノキシカルコン、2′−ハイドロキシ−３，４
−ジプレノキシカルコン、2′−ハイドロキシ−
２，４，4′−トリプレノキシカルコン、2′−ハイ
ドロキシ−２，４−ジプレノキシ−4′−ゲラノキ
シカルコン、2′−ハイドロキシ−２，４，4′−ト
リゲラノキシカルコン、２，2′−ジハイドロキシ
カルコン、２，4′−ジハイドロキシカルコン、
2′，３−ジハイドロキシカルコン、2′，４−ジハ
イドロキシカルコン、４，4′−ジハイドロキシカ
ルコン、2′，4′−ジハイドロキシカルコン、4′−
ハイドロキシ−２−プレノキシカルコン、4′−ハ
イドロキシ−３−プレノキシカルコン、4′−ハイ
ドロキシ−４−プレノキシカルコン、4′−ハイド
ロキシ−４−ゲラノキシカルコン、4′−ハイドロ
キシ−４−フアルネシオキシカルコン、4′−ハイ
ドロキシ−４−デカプレノキシカルコン、２−ハ
イドロキシ−4′−プレノキシカルコン、３−ハイ
ドロキシ−4′−ゲラノキシカルコン、４−ハイド
ロキシ−4′−プレノキシカルコン、４−ハイドロ
キシ−4′−デカプレノキシカルコン、4′−ハイド
ロキシ−４−カルボキシメトキシカルコン、4′−
ハイドロキシ−２−エトキシカルボニルメトキシ
カルコン、４−ハイドロキシ−2′−カルボキシメ
トキシカルコン、4′−ハイドロキシカルコン、
4′−ハイドロキシ−２−ゲラノキシカルコン、
2′，4′−ジハイドロキシ−３−フアネルシオキシ
カルコン、4′−ハイドロキシ−２，4′−ジプレノ
キシカルコン、4′−ハイドロキシ−２，2′−ジプ
レノキシカルコン、4′−ハイドロキシ−２，2′−
ジゲラノキシカルコン、4′−ハイドロキシ−２，
４−ジプレノキシカルコン、2′，4′−ジハイドロ
キシ−２，４−ジプレノキシカルコン、4′−ハイ
ドロキシ−２，2′，４−トリプレノキシカルコ
ン、4′−ハイドロキシ−2′−プレノキシ−２，３
−ジゲラノキシカルコン、４−ハイドロキシ−
2′−カルボキシプロポキシカルコン、２，2′，
4′−トリハイドロキシカルコン、2′，３，4′−ト
リハイドロキシカルコン、2′，４，4′−トリハイ
ドロキシカルコン、２，2′，４−トリハイドロキ
シカルコン、2′，4′−ジハイドロキシ−２−プレ
ノキシカルコン、2′，4′−ジハイドロキシ−３−
プレノキシカルコン、2′，4′−ジハイドロキシ−
４−プレノキシカルコン、2′，4′−ジハイドロキ
シ−４−ゲラノキシカルコン、2′，4′−ジハイド
ロキシ−４−フアルネシオキシカルコン、2′，
4′−ジハイドロキシ−４−デカプレノキシカルコ
ン、2′，4′−ジハイドロキシ−２−メトキシカル
ボニルメトキシカルコン、２，4′−ジハイドロキ
シ−４−カルボキシメトキシカルコン、２，４−
ジハイドロキシ−2′−エトキシカルボニルブトキ
シカルコン、２，４−ジハイドロキシ−4′−カル
ボキシメトキシカルコン、２，2′−ジハイドロキ
シ−4′−プレノキシカルコン、２，2′−ジハイド
ロキシ−4′−フアルネシオキシカルコン、2′，４
−ジハイドロキシ−4′−プレノキシカルコン、
2′，４−ジハイドロキシ−4′−ゲラノキシカルコ
ン、2′，４−ジハイドロキシ−４−デカプレノキ
シカルコン、２，4′−ジハイドロキシ−2′−カル
ボキシメトキシカルコン、２−ハイドロキシ−
2′−カルボキシエトキシ−4′−プレノキシカルコ
ン、３−ハイドロキシ−2′−メトキシカルボニル
メトキシ−4′−プレノキシカルコン、４−ハイド
ロキシ−2′−エトキシカルボニルメトキシ−4′−
プレノキシカルコン、４−ハイドロキシ−2′−メ
トキシカルボニルメトキシ−4′−ゲラノキシカル
コン、２，2′，４，4′−テトラハイドロキシカル
コンの如きカルコン誘導体：2′−ハイドロキシジ
ヒドロカルコン、2′−ハイドロキシ−4′−プレノ
キシジヒドロカルコン、2′−ハイドロキシ−4′−
ゲラノキシジヒドロカルコン、2′−ハイドロキシ
−４，4′−ジプレノキシジヒドロカルコン、2′−
ハイドロキシ−２，4′−ジプレノキシジヒドロカ
ルコン、2′−ハイドロキシ−３，4′−ジプレノキ
シジヒドロカルコン、2′−ハイドロキシ−4′−ゲ
ラノキシ−４−ジプレノキシジヒドロカルコン、
2′−ハイドロキシ−４，4′−ジゲラノキシジヒド
ロカルコン、2′−ハイドロキシ−２，４−ジプレ
ノキシジヒドロカルコン、2′−ハイドロキシ−
２，３−ジプレノキシジヒドロカルコン、2′−ハ
イドロキシ−３，４−ジプレノキシジヒドロカル
コン、2′−ハイドロキシ−２，４，4′−トリプレ
ノキシジヒドロカルコン、2′−ハイドロキシ−
２，４−ジプレノキシ−4′−ゲラノキシジヒドロ
カルコン、2′−ハイドロキシ−２，４，4′−トリ
ゲラノキシジヒドロカルコン、4′−ハイドロキシ
ジヒドロカルコン、2′，4′−ジハイドロキシジヒ
ドロカルコン、4′−ハイドロキシ−２−ゲラノキ
シジヒドロカルコン、2′，4′−ジハイドロキシ−
３−フアルネシオキシジヒドロカルコン、4′−ハ
イドロキシ−2′，４−ジプレノキシジヒドロカル
コン、4′−ハイドロキシ−２，2′−ジプレノキシ
ジヒドロカルコン、4′−ハイドロキシ−２，2′−
ジゲラノキシジヒドロカルコン、4′−ハイドロキ
シ−２，４−ジプレノキシジヒドロカルコン、
2′，4′−ジハイドロキシ−２，４−ジプレノキシ
ジヒドロカルコン、4′−ハイドロキシ−２，2′，
４−トリプレノキシジヒドロカルコン、4′−ハイ
ドロキシ−2′−プレノキシ−２，３−ジゲラノキ
シジヒドロカルコン、２−ハイドロキシ−4′−プ
レノキシジヒドロカルコン、４−ハイドロキシ−
4′−プレノキシジヒドロカルコン、２，2′−ジハ
イドロキシジヒドロカルコン、２，4′−ジハイド
ロキシジヒドロカルコン、2′，３−ジハイドロキ
シジヒドロカルコン、2′，４−ジハイドロキシジ
ヒドロカルコン、４，4′−ジハイドロキシジヒド
ロカルコン、2′，4′−ジハイドロキシジヒドロカ
ルコン、4′−ハイドロキシ−２−プレノキシジヒ
ドロカルコン、4′−ハイドロキシ−３−プレノキ
シジヒドロカルコン、4′−ハイドロキシ−４−プ
レノキシジヒドロカルコン、4′−ハイドロキシ−
４−フアルネシオキシジヒドロカルコン、２−ハ
イドロキシ−4′−プレノキシジヒドロカルコン、
４−ハイドロキシ−4′−プレノキシジヒドロカル
コン、4′−ハイドロキシ−４−カルボキシメトキ
シジヒドロカルコン、４−ハイドロキシ−2′−エ
トキシカルボニルエトキシジヒドロカルコン、
２，2′，4′−トリハイドロキシジヒドロカルコ
ン、2′，３，4′−トリハイドロキシジヒドロカル
コン、2′，４，4′−トリハイドロキシジヒドロカ
ルコン、２，2′，４−トリハイドロキシジヒドロ
カルコン、2′，4′−ジハイドロキシ−２−プレノ
キシジヒドロカルコン、2′，4′−ジハイドロキシ
−４−プレノキシジヒドロカルコン、2′，4′−ジ
ハイドロキシ−４−ゲラノキシジヒドロカルコ
ン、2′，4′−ジハイドロキシ−２−メトキシカル
ボニルメトキシジヒドロカルコン、２，4′−ジハ
イドロキシ−４−カルボキシプロポキシジヒドロ
カルコン、２，４−ジハイドロキシ−2′−エトキ
シカルボニルメトキシジヒドロカルコン、２，
2′−ジハイドロキシ−4′−プレノキシジヒドロカ
ルコン、２，2′−ジハイドロキシ−4′−デカプレ
ノキシジヒドロカルコン、2′，４−ジハイドロキ
シ−4′−プレノキシジヒドロカルコン、2′，４−
ジハイドロキシ−4′−ゲラノキシジヒドロカルコ
ン、２，4′−ジハイドロキシ−2′−カルボキシメ
トキシジヒドロカルコン、２−ハイドロキシ−
2′−カルボキシジエトキシ−4′−プレノキシジヒ
ドロカルコン、３−ハイドロキシ−2′−メトキシ
カルボニルメトキシ−4′−プレノキシジヒドロカ
ルコン、４−ハイドロキシ−2′−エトキシカルボ
ニルエトキシ−4′−プレノキシジヒドロカルコ
ン、４−ハイドロキシ−2′−メトキシカルボニル
メトキシ−4′−ゲラノキシジヒドロカルコン、
２，2′，４，4′−テトラハイドロキシジヒドロカ
ルコンの如きジヒドロカルコン誘導体等が挙げら
れるが、ここに記載の化合物のみに限定されるも
のではないことは勿論のことである。 又、塩化ポリプレニルは一般式

【式】（但し、ｎは前 述の定義のとうりであるものとする）で表わさ
れ、これを具体的に例示するならば、塩化プレニ
ル、塩化ゲラニル、塩化ネリル、塩化フアルネシ
ル、塩化ゲラニルゲラニル、塩化ソラネシル、塩
化デカプレニル等が挙げられるが、これらの化合
物に限定されるものではない。 又、モノクロルカルボン酸誘導体は一般式Cl
（CH₂）_nCOOR（但し、Ｒ及びｍは前述の定義のと
うりである）で表わされ、これを具体的に例示す
るならば、モノクロル酢酸、モノクロル酢酸エチ
ル、モノクロル酢酸−ｎ−プロピル、モノクロル
酢酸−iso−プロピル、モノクロル酢酸−ｎ−ブ
チル、モノクロル酢酸−iso−ブチル、モノクロ
ル酢酸−ｎ−ヘキシル、３−クロルプロピオン
酸、３−クロルプロピオン酸エチル、４−クロル
酪酸、４−クロル酪酸メチル、５−クロル吉草
酸、５−クロル吉草酸エチル、６−クロルカプロ
ン酸、６−クロルカプロン酸エチル等が挙げられ
るが、これらの化合物に限定されるものではな
い。 又、本発明の反応に於いて使用される塩基とし
ては、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の水酸
化物、炭酸塩、炭酸水素塩、酸化物水素化物、ア
ミド及びアルコラートが挙げられる。これらを具
体的に例示するならば、たとえば水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化マ
グネシウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウ
ム、炭酸カリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、酸
化バリウム、水素化ナトリウム、水素化カルシウ
ム、ナトリウムアミド、ナトリウムエチラート、
カリウムエチラートなどであり、これらはそれぞ
れ単独で使用できるばかりでなく、所望により２
種あるいはそれ以上を併用できる。又、ここに記
載の化合物のみに限定されるものではない。 更にまた、必要により、これらの塩基は、溶媒
懸濁あるいは水溶液あるいはアルコール溶液とし
て用いることもできる。 更に、本発明の反応に於いて適当なる溶媒を希
釈剤に用いてもよく、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチル−iso−ブチルケトンの如きケトン
類、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
１，２−ジメトキシエタンの如きエーテル類、ｎ
−ヘキサン、ベンゼン、トルエンの如き炭化水素
類、水、メタノール、エタノールの如きアルコー
ル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルフオキシド、ヘキサメチルホスホリツクトリ
アミドの如き極性非プロトン溶媒などが利用し得
るものの例である。 更にまた、本反応を窒素、アルゴン等の不活性
ガス雰囲気下に於いて行なう時は、空気と接触し
て起こる副生成物の生成を抑制し、目的物たるフ
エノキシ化合物誘導体の品質を向上せしめ得る
が、このことは決して空気雰囲気下での反応を妨
げることを意味するものではない。また、この場
合、必要により、アスコルビン酸、エリソルビン
酸、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ビタミ
ンＥ、ジブチルヒドロキシトルエン、ブチルヒド
ロキシアニソール、ｐ−tert−ブチルカテコー
ル、ギ酸、亜硫酸塩、酸性亜硫酸塩、チオ硫酸
塩、次亜硫酸塩等の酸化防止剤を併用してもよい
ことは勿論である。 本発明の実施に当つて、撹拌は普通撹拌でよい
が、連続剪断粉砕型の撹拌を行なうのも効率的で
ある。すなわち、反応系が不均一の場合、フエノ
ール誘導体と塩化プレニル、塩化ポリプレニルま
たはモノクロルカルボン酸誘導体の反応で生成し
た塩化物が塩基の表面に付着して塩基の活性を低
下せしめるものであること、つまり、連続剪断粉
砕を行なう事により、常に塩基の活性表面を保持
し得るため、反応時間が短縮されるものである。
しかしながら、このことは決して普通撹拌をさま
たげるものではない。 かかる目的に使用される連続剪断粉砕型撹拌機
として代表的なものを例示するならば、スイス
国、キネマテイカ社（Kinematica G.m.B.H）製
の「ポリトロン（polytron）」の如きホモジナイ
ザーがある。 本発明の方法を更に詳細に説明すれば、フエノ
ール誘導体１モルに対し、塩化プレニル又は塩化
ポリプレニル0.5〜10モル、モノクロルカルボン
酸誘導体では0.5〜５モル、塩基0.5〜10.0モル、
本発明の触媒0.0001〜0.5モル、溶媒０〜50モル
を加え、０℃〜150℃、好ましくは０℃〜100℃の
温度に於いて１〜20時間、常圧あるいは加圧下に
反応を行なうものである。尚、原料の仕込割合、
反応方法、反応温度、反応時間等は上記範囲内に
限定されるものではない。 又、本発明の実施に当たり、あらかじめフエノ
ール誘導体と塩基を反応せしめ、フエノール誘導
体のアルカル塩もしくはアルカリ土類塩を調製
し、これを単離した後あるいは単離せずにそのま
ま塩化プレニル、塩化ポリプレニルまたはモノク
ロルカルボン酸誘導体と反応せしめてもよい。 以上、詳述した如く、本発明の方法は安価で、
かつ取扱いの容易な塩素化合物を用いてフエノキ
シ化合物誘導体を高収率で製造できるので工業的
に有利な方法である。 以下に参考例および実施例を挙げ、本発明を更
に具体的に説明し、本発明の効果をより明らかに
するが、これらの実施例によつて本発明の範囲が
限定されるものではない。 参考例 １ 還流冷却器、温度計、窒素ガス導入管及び撹拌
装置を付した100mlの四ツ口フラスコに２，４−
ジハイドロキシアセトフエノン1.52ｇ
（0.01mol）、無水炭酸カリウム1.66ｇ、アセトン
20ｇ及び臭化プレニル1.98ｇを仕込み、窒素雰囲
気下に於いて60℃の温度に４時間、撹拌を続けな
がら反応を行なつた。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをアセト
ンにて洗浄を行ない、液と合併した後、アセト
ンを減圧下に留去した。残渣をｎ−ヘキサンより
再結晶し、２−ハイドロキシ−４−プレノキシア
セトフエノン1.67ｇ（収率75.8mol％）を得た。 参考例 ２ 還流冷却器、温度計、窒素ガス導入管及び撹拌
装置を付した100mlの四ツ口フラスコに２−ハイ
ドロキシ−４−プレノキシアセトフエノン2.20ｇ
（10ｍmol）、モノブロム酢酸エチル2.00ｇ（12.0
ｍmol）、無水炭酸カリウム1.38ｇ（10ｍmol）及
びアセトン20ｇを仕込み、窒素雰囲気下に於いて
60℃の温度に10時間撹拌を続けながら反応を行な
つた。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをアセト
ンにて洗浄を行ない、液と合併した後、アセト
ンを減圧下に留去した。残液をｎ−ヘキサン−ト
ルエン混液より再結晶し、２−エトキシカルボニ
ルメトキシ−４−プレノキシアセトフエノン2.44
ｇ（収率79.6mol％）を得た。 実施例 １ 還流冷却器、温度計、窒素ガス導入管及び撹拌
装置を付した100mlの四ツ口フラスコに２，４−
ジハイドロキシアセトフエノン1.52ｇ
（0.01mol）、無水炭酸カリウム1.66ｇ、テトラエ
チルアンモニウムアイオダイド0.13ｇ、アセトン
20ｇ及び塩化プレニル（純度76.5％）1.64ｇを仕
込み窒素雰囲気下に於いて60℃の温度に３時間撹
拌を続けながら反応を行なつた。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをアセト
ンにて洗浄を行ない、液と合併した後、アセト
ンを減圧下に留去した。残渣をｎ−ヘキサンより
再結晶し、２−ハイドロキシ−４−プレノキシア
セトフエノン2.01ｇ（収率91.3mol％）を得た。
mp43〜44℃、NMR（CDCl₃）δ：1.78、1.83
（6H、ｓ、２−CH₃）、2.54（3H、ｓ、COCH₃）、
4.60（2H、ｄ、Ｊ＝6.8、Ｏ−CH₂−）、5.59（1H、
ｔ、Ｊ＝6.8、−Ｏ−CH₂−CH＝）、6.37（2H、
dd、Ｊ＝2.2、Ｊ＝9.5、Ｃ−３−Ｈ、Ｃ−５−
Ｈ）、7.57（1H、ｄ、Ｊ＝9.5、Ｃ−６−Ｈ）、
12.69（1H、ｓ、Ｃ−２−OH）。尚、本品は参考
例１より得た再結晶品と同一品であつた。 比較の為、テトラエチルアンモニウムアイオダ
イドを用いずに同様の反応及び処理を行なつた
処、得られた２−ハイドロキシ−４−プレノキシ
アセトフエノンは0.84ｇ（収率38.1mol％）であ
つた。又、この反応に於いてはｎ−ヘキサンに不
溶の結晶が1.01ｇ得られ、この化合物はNMRス
ペクトル等より、２，４−ジハイドロキシアセト
フエノンのカリウム塩であつた。 実施例 ２ 実施例１に於いて、テトラエチルアンモニウム
アイオダイドをベンジルトリメチルアンモニウム
アイオダイドに代え、同様に反応及び処理を行な
つて、２−ハイドロキシ−４−プレノキシアセト
フエノン2.05ｇ（収率93.1mol％）を得た。 比較の為、ベンジルトリメチルアンモニウムア
イオダイドをベンジルトリメチルアンモニウムク
ロライドに代え、同様に反応及び処理を行なつた
処、得られた２−ハイドロキシ−４−プレノキシ
アセトフエノンは0.71ｇ（収率32.2mol％）と非
常に低収量であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様のフラスコに、2′，４，4′−ト
リハイドロキシカルコンに2.56ｇ（0.01mol）、無
水炭酸ナトリウム2.33ｇ、フエロセニルメチルト
リメチルアンモニウムアイオダイド0.19ｇ、１，
２−ジメトキシエタン20ｇ及び塩化プレニル（純
度98.5％）2.34ｇを仕込み、60℃の温度に３時間
撹拌を続けながら反応を行なつた。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをアセト
ンにて洗浄を行ない、液と合併した後、溶剤を
減圧下に留去した。残渣をアセトン−メタノール
混液より再結晶し、2′−ハイドロキシ−４，4′−
プレノキシカルコン3.63ｇ（収率92.5mo％）を得
た。mp85.8〜86.9℃。 実施例 ４ 実施例１と同様の500mlのフラスコに、４−ハ
イドロキシベンズアルデヒド24.4ｇ（0.20mol）、
無水炭酸カリウム30.4ｇ、フエニルトリメチルア
ンモニウムアイオダイド2.63ｇ及びテトラヒドロ
フラン300ｇを仕込み、撹拌及び還流下に塩化プ
レニル（純度76.5％）30.06ｇを30分を要して滴
下した。 滴下終了後、還流下で更に４時間反応させた。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをテトラ
ヒドロフランにて洗浄を行ない、液と合併した
後、テトラヒドロフラン減圧下に留去した。残液
を減圧蒸留し、４−プレノキシベンズアルデヒド
34.1ｇ（収率89.6mol％）を得た。 bp 150.0〜154.5℃／８mmHg。 NMR（CCl₄）δ：1.82（6H、ｓ、2CH₃）、4.58
（2H、ｄ、Ｊ＝7.0、−Ｏ−CH₂）、5.48（1H、
ｔ、Ｊ＝7.0、−Ｏ−CH₂−CH＝）。 実施例 ５ 還流冷却器、温度計、窒素ガス導入管及び中央
の口にポリトロンST高速連続剪断型ホモジナイ
ザーを付した四ツ口フラスコに２，４−ジハイド
ロキシアセトフエノン1.52ｇ（0.01mol）、無水炭
酸カリウム1.66ｇ、テトラエチルアンモニウムア
イオダイド0.13ｇ、アセトン20ｇ及び塩化プレニ
ル（純度76.5％）1.64ｇを仕込み、窒素雰囲気下
に於いて60℃の温度に保ちながら、ホモジナイザ
ーを２時間回転し続けて反応を行なつた。 反応終了後、実施例１と同様の処理を行ない、
２−ハイドロキシ−４−プレノキシアセトフエノ
ン2.09ｇ（収率94.9mol％）を得た。 実施例 ６ 実施例１と同様のフラスコに、２，４−ジハイ
ドロキシアセトフエノン1.52ｇ（0.01mol）、アセ
トン20ｇ及び50％水酸化ナトリウム水溶液1.0ｇ
を仕込み、窒素雰囲気下、室温で30分撹拌し、
２，４−ジハイドロキシアセトフエノンのナトリ
ウム塩を調整した。引続きメチルフエニルホスホ
ニウムアイオダイド0.20ｇ及び塩化プレニル（純
度76.5％）1.64ｇを添加し、60℃の温度で４時間
撹拌を続けながら反応を行なつた。 反応終了後、実施例１と同様に処理を行ない、
２−ハイドロキシ−４−プレノキシアセトフエノ
ン1.99ｇ（90.3mol％）を得た。 実施例６〜15および比較例１〜２ 種々のフエノール誘導体、塩基、溶媒及び塩化
ポリプレニルを用いて実施例１に準じて反応を行
なつた。 の結果を第１表に示す。分析は内部標準法を用
い、ガスクロマトグラフイー又は高速液体クロマ
トグラフイーにて行なつた。

【表】

【表】

【表】

【表】 実施例 16 還流冷却器、温度計、窒素ガス導入管及び撹拌
装置を付した100mlの四ツ口フラスコに、２−ハ
イドロキシ−４−プレノキシアセトフエノン2.20
ｇ（10mmmol）、モノクロル酢酸メチル1.68ｇ、
無水炭酸カリウム2.07ｇ、トリメチルフエニルア
ンモニウムアイオダイド0.132ｇ及びアセトン20
ｇを仕込み窒素雰囲気下に於いて、60℃の温度に
10時間、撹拌を続けながら反応を行なつた。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをアセト
ンにて洗浄を行ない、液と合併した後、アセト
ンを減圧下に留去した。残液をｎ−ヘキサン−ト
ルエン混液より再結晶し、２−メトキシカルボニ
ルメトキシ−４−プレノキシアセトフエノン2.52
ｇ（収率86.2mol％）を得た。mp78〜79.5℃。
NMR（CDCl₃）δ：1.77、1.81（3H、3H、ｓ、
ｓ、２・CH₃）、2.69（3H、ｓ、COCH₃）、3.80
（3H、ｓ、COOCH₃）、4.54（2H、ｄ、Ｊ＝7.5、
Ｏ−CH₂−CH＝）、4.68（2H、ｓ、Ｏ−CH₂−
COOCH₃）、5.47（1H、ｔ、Ｊ＝7.5、Ｃ−CH₂−
CH＝）、6.34（1H、ｄ、Ｊ＝1.5、Ｃ−３−Ｈ）、
6.57（1H、dd、Ｊ＝9.0、1.5、Ｃ−５−Ｈ）、7.84
（1H、ｄ、Ｊ＝9.0、Ｃ−６−Ｈ）。 比較の為、トリメチルフエニルアンモニウムア
イオダイドを用いずに同様の反応及び処理を行な
つた処、得られた２−メトキシカルボニルメトキ
シ−４−プレノキシアセトフエノンは0.81ｇ（収
率27.7mol％）であつた。 実施例 17 実施例16と同様の４ツ口フラスコに、４−ハイ
ドロキシベンズアルデヒド1.22ｇ（10ｍmol）、
モノクロル酢酸メチル1.68ｇ、無水炭酸カリウム
2.07ｇ、トリエチルベンジルアンモニウムアイオ
ダイド0.157ｇ及びアセトン20ｇを仕込み、窒素
雰囲気下に於いて、60℃の温度に６時間、撹拌を
続けながら反応を行なつた。 反応終了後、実施例１と同様に処理を行ない、
４−メトキシカルボニルメトキシベンズアルデヒ
ド1.69ｇ（収率87.0mol％）を得た。mp39.0〜
40.5℃。 NMR（CDCl₃）δ：3.76（3H、ｓ、−COOCH₃）、
4.68（2H、ｓ、−Ｏ−CH₂COO−）6.99（2H、
ｄ、Ｊ＝9.0、Ｃ−３、５−Ｈ）、7.82（2H、ｄ、
Ｊ＝9.0、Ｃ−２、６−Ｈ）、9.88（1H、ｓ、−
CHO）。 実施例 18 実施例16に於いて無水炭酸カリウム2.07ｇを50
％水酸化ナトリウム水溶液2.5ｇに代え、又、ト
リメチルフエニルアンモニウムアイオダイド
0.132ｇをテトラエチルアンモニウムアイオダイ
ド0.129ｇに代え、他はそのままで同様に反応を
行なつた。 反応終了後、２％塩酸にて中和し、エーテルを
用いて中和し、エーテル層を水洗した無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。エーテルを留去して得た残
渣をエーテル−ｎ−ヘキサン混液で再結晶し、２
−カルボキシメトキシ−４−プレノキシアセトフ
エノン2.35ｇ（収率84.4mol％）を得た。mp138.2
〜139.8℃。NMR δ：10.89（1H、ｓ、−COOH。 実施例 19 実施例16に於いてトリメチルフエニルアンモニ
ウムアイオダイド0.132ｇをトリオクチル−ｎ−
プロピルアンモニウムブロマイド0.238ｇに代え、
同様に反応、処理して、２−メトキシカルボニル
メトキシ−４−プレノキシアセトフエノン2.45ｇ
（収率83.8mol％）を得た。 実施例 20 実施例16と同様の四ツ口フラスコに、2′−ハイ
ドロキシ４，4′−ジプレノキシカルコン1.96ｇ
（5.0ｍmol）、モノクロル酢酸0.71ｇ、無水炭酸ナ
トリウム1.06ｇ、トリブチルヘキサデシルホスホ
ニウムアイオダイド0.127ｇ及びテトラヒドロフ
ラン10ｇを仕込み、窒素雰囲気下に於いて還流
下、10時間撹拌を続けながら、反応を行なつた。 反応終了後、２％塩酸にて中和し、析出した結
晶を別し、充分、水洗を行なつた。得られた淡
黄色の結晶をアセトンより再結晶し、淡黄色の
2′−カルボキシメトキシ−４，4′−ジプレノキシ
カルコン1.37ｇ（収率60.8mol％）を得た。mp
143.5〜145.0℃、NMR（CDCl₃）δ：11.50（1H、
ｓ、−COOH） 実施例 21 実施例16と同様のフラスコに水素化ナトリウム
（60％）0.2ｇをｎ−ヘキサン５ｇに懸濁させて仕
込み、窒素ガスを通しながら、２−ハイドロキシ
−４−ゲラノキシアセトフエノン1.44ｇをＮ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド10ｇに溶解させたものを
30分を要して滴下した。滴下終了後、室温で30分
撹拌しナトリウム塩を調整した。次いで、ｎ−ブ
チルトリフエニルホスホニウムブロマイド0.10ｇ
及びモノクロル酢酸エチル0.92ｇをＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド10ｇを溶解させたものを30分を
要して滴下し、更に60℃で５時間反応させた。 反応終了後、実施例３と同様に処理して２−エ
トキシカルボニルメトキシ−４−ゲラノキシアセ
トフエノン1.61ｇ（収率86.0mol％）を得た。 比較例 ３ （特開昭53−116355号参考例２の追試） 還流冷却器、温度計、窒素ガス導入管、滴下ロ
ート及び撹拌装置を付した100mlの四ツ口フラス
コに２−ハイドロキシ−４−プレノキシアセトフ
エノン1.1ｇ（５ｍmol）水酸化カリウム（微粉
末）0.3ｇ及びアセトン20ｇを仕込み、撹拌しな
がらモノクロル酢酸メチル1.0ｇを滴下し滴下終
了後、室温で２時間撹拌した。 反応終了後、無機物を別し、ケーキをアセト
ンにて洗浄を行ない、液と合併したのち内部標
準を用いガスクロマトグラフイーにて分析を行な
つた。その結果、得られた目的物である２−メト
キシカルボニルメトキシ−４−プレノキシアセト
フエノンは0.13ｇ（収率8.89mol％）であつた。
又、原料である２−ハイドロキシ−４−プレノキ
シアセトフエノンは1.00ｇ（回収率90.9mol％）
回収された。 実施例22〜29および比較例４〜５ 種々のフエノール誘導体、触媒、溶媒及び塩基
を用いて実施例16あるいは実施例18と同様に反応
を行なつた。 その結果を第２表に示す。尚、モノクロル酢酸
メチルを7.5ｍmol用いた。分析は内部標準を用
い、ガスクロマトグラフイーあるいは高速液体ク
ロマトグラフイーにて行なつた。

【表】

【表】

【表】

【表】

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式： 〔ただし、R₁、R₂、R₃は水素原子、水酸基、Rp
   ｛ただしRpは、
   【式】（ｎは０もし くは１〜19の整数）で表わされるプレノキシ基も
   しくはポリプレノキシ基を意味する｝で示される
   基またはRq｛ただし、Rqは、一般式−Ｏ−（CH₂
   −）_nCOOR（Ｒは水素原子もしくはアルキル基を、
   ｍは１〜５の整数を意味する）で表わされる基を
   意味する｝で示される基を意味し、R₄は、水素
   原子、アルキル基または一般式
   【式】もしくは 【式】｛ただし、R₅、R₆、R₇は、 水素原子、水酸基、RpもしくはRq（ただし、Rp、
   Rqは前述の通り）を意味する｝で表わされる基
   を意味するものとする。 ただし、R₁、R₂、R₃、R₅、R₆、R₇のうち少く
   とも一つは水酸基を示す。〕 で表わされるフエノール誘導体と、 一般式： （ただし、ｎは０もしくは１〜19の整数を示す） で表わされる塩化プレニルもしくは塩化ポリプレ
   ニル、 または一般式： Cl（CH₂）_nCOOR …… （ただし、Ｒは、水素原子もしくはアルキル基
   を、ｍは１〜５の整数を示す） で表わされるモノクロルカルボン酸誘導体とを、
   塩基の存在下に反応せしめフエノキシ化合物誘導
   体を製造するに当り、触媒として第四級アンモニ
   ウムブロマイド、第四級アンモニウムアイオダイ
   ド、第四級ホスホニウムブロマイド、第四級ホス
   ホニウムアイオダイドおよびクラウンエーテル化
   合物よりなる群から選ばれる少くとも１種の化合
   物の存在下に反応を行うことを特徴とするフエノ
   キシ化合物誘導体の製造法。